「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide, in a working process of a substrate in MEMS manufacturing, a coating composition used for forming an organic film for protecting the substrate, a composition applied by evenly plugging silicon wafer steps especially having a high step shape, and also to provide a coating composition available for a protective film in etching processing of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＭＥＭＳの製造における基板の加工工程において、基板保護用の有機膜を形成するのに用いる塗布組成物、特に高段差形状を有するシリコンウエハの段差を平坦に埋め込み塗布することができる組成物、またシリコン酸化膜のエッチング加工時の保護膜としても使用できる塗布組成物を提供しようとするものである。 - 特許庁

In a manufacturing process of a microelectromechanical device, after forming a groove 20 as a gap by applying a processing using photolithography and etching to the resonator 22 and an Si layer as an electrode 21, the pair of thermal oxidation films 5, 5 of Si are formed on the opposite surfaces of the groove 20 by applying thermal oxidation treatment to the Si layer.例文帳に追加

本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of repairing a low-dielectric-constant silica-based film which is given a chemical damage by a cleaning liquid used for the purpose of removing residue such as a silica-based denatured substance produced during etching of a low-dielectric-constant silica-based film or a resist decomposed substance produced during ashing, or removing residue such as polishing waste produced during CMP processing.例文帳に追加

低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。 - 特許庁

Second, when a rear end part 12B is formed, the part (covered part) covered by the buffer layer among the precursor main magnetic pole layers is doubly covered by a precursor nonmagnetic layer pattern (the prearrangement layer of the nonmagnetic layer 13) and the buffer layer 15, and accordingly the position of the flare point FP preliminarily fixed is prevented to deviate when the precursor main magnetic pole layer receives etching processing.例文帳に追加

第２に、後端部１２Ｂを形成する際、前駆主磁極層のうち、バッファ層により覆われている部分（被覆部）は、前駆非磁性層パターン（非磁性層１３の前準備層）およびバッファ層１５により二重に覆われているため、前駆主磁極層にエッチング処理を施した際、あらかじめ設定されたフレアポイントＦＰの位置ずれが防止される。 - 特許庁

The filter blade 6 is formed of one soft ND filter plate, and regarding the intermediate base plate 2 and the auxiliary base plate 3, chemical etching processing is applied on the surfaces facing the operating range of the effective area of the filter blade 6 covering the aperture 2a so as to form recessed parts 2c and 3b, then, the effective area is prevented from being scratched by the operation.例文帳に追加

フィルタ羽根６は、軟質の１枚のＮＤフィルタ板で製作されているが、中地板２と補助地板３には、開口部２ａを覆うフィルタ羽根６の有効領域の作動範囲と対向する面に、化学エッチング加工によって凹部２ｃ，３ｂが形成されているので、その作動によって有効領域には傷が付かないようになっている。 - 特許庁

After forming a bonding part made of metal in a contour-like shape and etching (surface activation processing) the bonding part by plasma, by bonding objects to be bonded each other by pushing and breaking a deposition layer which re-adhered to the bonding part, a space formed by being surrounded in the contour-like shape by the bonding part between bonding surfaces can be sealed into a predetermined atmosphere.例文帳に追加

金属からなる接合部を輪郭状に形成し、該接合部をプラズマによりエッチング（表面活性化処理）した後、接合部に再付着した付着物層を押し破って被接合物どうしを接合することで、接合面間に接合部によって輪郭状に囲まれて形成される空間を所定の雰囲気に封止することができる。 - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

To provide a jet-type microwave-excited plasma treatment device that causes low-temperature non-thermal equilibrium plasma to be stably jetted from a nozzle by microwave power at atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure to perform CVD (chemical vapor deposition), etching, or ashing using plasma on a workpiece, or material processing such as fusing, welding or surface reforming on a workpiece.例文帳に追加

大気圧下で又は大気圧付近の圧力で、マイクロ波電力により低温の非熱平衡プラズマを安定して、ノズルから吹き出させ、被加工物にプラズマを使用したＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング、アッシング、被加工物に溶断又は溶接、表面改質等の材料プロセシングを行う吹き出し形マイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

The flexible printed wiring board has a circuit formed by etching electrolytic copper film stuck on a polyimide resin film base material, also has the surface with the circuit thereon coated with a cover lay film, and has a contactness improvement processing layer on the circuit surface which comes into contact with the cover lay film.例文帳に追加

ポリイミド樹脂フィルム基材と張り合わせた電解銅箔をエッチングすることにより形成した回路を備え、当該回路の存在する表面をカバーレイフィルムで被覆したフレキシブルプリント配線板において、カバーレイフィルムと接触する回路表面に密着性改良処理層を備えることを特徴としたフレキシブルプリント配線板等を採用する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium, the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium is obtained by selectively using a virtually flat portion other than a polished edge portion 2 out of a glass substrate 1 after the surface is mirror polished, and by form-processing the glass substrate 1 by chemical etching.例文帳に追加

円環状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、表面を鏡面研磨した後のガラス基材１のうち、研磨端部２以外の実質的に平坦な部分を選択的に用いて、ガラス基材１を化学エッチングにより形状加工して、円環状の磁気記録媒体用ガラス基板を得ることを特徴とする。 - 特許庁

A metal support 11 and a material (palladium alloy foil) 13 having hydrogen gas separation properties are subjected to cladding processing to be laminated each other and, thereafter, the portion of the metal support of a clad cut plate K is selectively etched using an etching liquid to expose the material 13 having gas separation properties to obtain the hydrogen gas separation unit A.例文帳に追加

金属支持体１１と水素ガス分離性を有する材料（パラジウム合金箔）１３とをクラッド加工して積層し、その後クラッド切板Ｋの金属支持体１１の部分を、エッチング液を使用して選択的にエッチングすることによって、下層の水素ガス分離性を有する材料１３を露出させ、水素ガス分離ユニットＡを得る。 - 特許庁

In the processing method, a photosensitive resin composition comprising a polybenzoxazole precursor and a photosensitive diazoquinone compound is applied, prebaked, exposed and developed to form a pattern, curing is carried out at a temperature higher than the prebaking temperature and lower than the final curing temperature, and after etching, the photosensitive resin composition is finally cured.例文帳に追加

ポリベンゾオキサゾール前駆体と感光性ジアゾキノン化合物からなる感光性樹脂組成物を塗布、プリベーク、露光、現像し、パターンを作成した後、プリベーク温度より高い温度、ただし、最終硬化温度より低い温度にて硬化を行い、その後、エッチングし、感光性樹脂組成物を最終硬化する感光性樹脂組成物の加工方法である。 - 特許庁

This manufacturing method for the electrooptical device includes a forming process for forming a pattern including wires, TFTs, etc., on the TFT array substrate, a process for flattening the top surface of a laminated body on the substrate including the pattern, and a process for forming the projections by processing the flattened top surface by photolithography and etching.例文帳に追加

このような電気光学装置の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板上に、配線やＴＦＴ等を含むパターンを形成する形成工程と、このパターンを含む基板上の積層体の上面を平坦化する工程と、この平坦化された上面に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより、凸部を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the structure, a contact protection layer is inserted on a p-type contact layer, and, by subjecting an insulating film to thermal processing after subjecting it to RIE, an opening for contact can be formed without inclusion of reactive ions in the p-type contact layer that causes the contact resistance to increase and without causing resistance of the p-type contact layer to increase by etching.例文帳に追加

本発明によるとp型コンタクト層上にコンタクト防護層を挿入した構造とし、絶縁膜RIE後に熱処理を行うことでコンタクト抵抗増加の影響を及ぼすp型コンタクト層への反応性イオンの侵入やp型コンタクト層のエッチングによる高抵抗化の影響を与えることなくコンタクト用開口部を形成することができる。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus, having a plurality of small electrodes arranged nearly in the same plane, when high frequency powers of different frequencies are applied to the electrodes adjacent to each other, the combination of the electric field strengths generated by respective electrodes can provide electric field strength which is uniform over a large area to improve film thickness distribution and etching speed distribution.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、反応容器内の略同一平面上に配置された複数の小電極に対して、互いに隣接する電極に異なる周波数の高周波電力を印加することで、各々の電極で生じる電界強度を合成して大面積にわたって均一な電界強度を生じさせることが可能となり、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device capable of adjustment of a temporal change in temperature accompanied by plasma application, temperature adjustment over a wide range, and local temperature control of a platelike specimen by causing a local temperature distribution in a plane of the platelike specimen such as a silicon wafer when applied in a processing apparatus such as a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマエッチング装置等の処理装置に適用した場合に、シリコンウエハ等の板状試料の面内に局所的な温度分布を生じさせることにより、プラズマ印加に伴う経時的な温度変化の調整や広い温度範囲での温度の調整が可能であり、板状試料の局所的な温度制御を行うことが可能な静電チャック装置を提供する。 - 特許庁

The method for analysis includes: performing removal or inactivation processing on various products (by-products) produced on a decomposition (or etching) surface as a first process and making the surface hydrophobic rapidly with an HF gas thereafter at need; and thereby scanning the hydrophobic silicon wafer surface with drops of water with extremely high reproducibility and efficiency to collect and analyze decomposed matter on the surface.例文帳に追加

本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 - 特許庁

To provide a technique efficiently producing micro-character-containing thread excellent in metal gloss without requiring complicate steps such as metal deposition and etching (paster processing), a technique enabling efficient production even in small lot, an anti-falsification paper in which the thread is inserted into paper and an anti-falsification printed matter in which prescribed printing is applied to the anti-falsification paper.例文帳に追加

金属蒸着とエッチング（パスター加工）のような複雑な工程を必要とせず、金属光沢に優れたマイクロ文字入りのスレッドを効率的に製造する技術、小ロットでも効率的な生産が可能となる技術、そのスレッドを紙に抄き込んだ偽造防止用紙、及びこの偽造防止用紙に所定の印刷を施した偽造防止印刷物を得ることを課題とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a photomask determines a drawing position of a transfer pattern so that, in a drawing step, at least a part of the defects existing in a thin film of the photomask blank and/or a surface of a resist film is within an area of the transfer pattern and the defects of the part disappear after etching processing on the basis of defect information of the photomask blank grasped beforehand.例文帳に追加

描画工程において、予め把握したフォトマスクブランクの欠陥情報に基づき、フォトマスクブランクの薄膜及び／又はレジスト膜表面に存在する欠陥の少なくとも一部分が、転写パターンの領域内にあって、かつエッチング加工後には該一部分の欠陥が消滅するように、転写パターンの描画位置を決定するフォトマスクの製造方法である。 - 特許庁

To provide an opal finishing ink set and a manufacturing method of an opal-finished fabric using it allowing stable and continuous processing by an inkjet method and producing an opal-finished fabric, wherein acid-resistant fiber such as silk and synthetic fiber and cellulose fiber such as cotton and rayon are used together while etching and dyeing are carried out by the inkjet method, with good design.例文帳に追加

インクジェット方式による安定した連続加工が可能であり、かつ、インクジェット方式により抜蝕と染色がなされ、意匠性に優れた、絹や合成繊維等の耐酸性繊維と綿やレーヨン等のセルロース系繊維との混用布帛のオパール加工布帛を得ることが出来る、オパール加工用インクセットおよびそれを用いたオパール加工布帛の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.例文帳に追加

画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ＩＴＯ膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device capable of keeping constant the temperature of a focus ring during processing, stabilizing the temperature of the outer peripheral part of a planar sample, thereby uniformizing etching characteristics within a plane of the planar sample and preventing the deposition of deposit on the focus ring by adjusting the temperature of the focus ring provided so as to surround the planar sample of a silicon wafer or the like.例文帳に追加

シリコンウエハ等の板状試料を囲むように設けられたフォーカスリングの温度を調整することにより、処理中のフォーカスリングの温度を一定に保持することができ、板状試料の外周部の温度を安定化することができ、よって板状試料の面内におけるエッチング特性を均一化することができ、フォーカスリング上に堆積物が堆積するのを防止することができる静電チャック装置を提供する。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a light-emitting device in which a circuit pattern having a glossy surface can be obtained without requiring plating or etching processing, and processes can be reduced and simplified as a result, a high-density circuit pattern can be easily formed, and the circuit pattern having the glossy surface can be efficiently formed by avoiding the formation of a glossy surface on a circuit pattern which does not need gloss.例文帳に追加

めっき加工やエッチング加工を行うことなく光沢面を有する回路パターンを得ることができて工程を数少なくして簡略化することができ、また、高密度の回路パターンを容易に形成することができ、さらに、光沢が不要な回路パターンには光沢面が形成されないようにして効率よく回路パターンの表面を光沢面に形成することができる発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of processing a silicon wafer according to the present invention comprises steps of forming a thin film layer having different thicknesses on a silicon wafer, exposing the silicon wafer selectively by removing the thin film layer having different thicknesses successively and forming a plurality of U-shaped grooves each having a different depth corresponding to the thin film layer having different thicknesses by etching the exposed silicon wafer.例文帳に追加

本発明に係るシリコンウェーハの加工方法は、シリコンウェーハに相異なる厚みを持つ薄膜層を形成する工程と、相異なる厚みの前記薄膜層を順次に除去して選択的にシリコンウェーハを露出する工程と、露出されたシリコンウェーハを食刻することにより、相異なる厚みを持つ前記薄膜層に対応して相異なる深さを有する複数のＵ溝を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the plasma etching system, control of plasma density spatial distribution performed by varying the ratio of field strength between an outer upper electrode 36 and an inner upper electrode 38 has substantially no effect on the control of radical density spatial distribution performed by varying the ratio of flow rate of processing gas between central shower heads (62, 56a) and peripheral shower heads (64, 56a).例文帳に追加

このプラズマエッチング装置では、外側上部電極３６と内側上部電極３８との間で電界強度の比率を可変することによって行なわれるプラズマ密度空間分布の制御が、中心シャワーヘッド（６２，５６ａ）と周辺シャワーヘッド（６４，５６ａ）との間で処理ガスの流量の比率を可変することによって行なわれるラジカル密度空間分布の制御に実質的な影響を及ぼさない。 - 特許庁

A hole 5 that contains a groove cut on the surface of a silicon substrate W as an object of processing is filled through a filling method comprising a titanium film forming process in which a titanium metal film 6 is formed on the surface of the substrate, an etching process in which the surface of the titanium metal film 6 is uniformly removed as thick as prescribed excluding its part that combines with the ground material.例文帳に追加

シリコン基板Ｗよりなる被処理体の表面に形成されている溝を含むホール５を埋め込む埋め込み方法において、前記被処理体の表面にチタン金属膜６を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン金属膜の表面を、チタン塩化物ガスをエッチングガスとして下地と化合した部分を除いて所定の厚さだけ略均一に除去するエッチング工程とを有する。 - 特許庁

A dry etching device 1 includes a transfer mechanism 15 transferring trays between a tray stock part housing each tray on which a substrate is placed and a plasma processing part 11, a centering mechanism 27 positioning each tray at a predetermined position in an alignment part 14, and a height measurement sensor 37 measuring a height of the predetermined position of the positioned tray.例文帳に追加

ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。 - 特許庁

The composition for forming films comprises an organic solvent solution containing polyimide having a specific alicyclic tetracarboxylic acid structure, the method for forming film is characterized by forming the polyimide film by coating the composition for forming film and evaporating the solvent, and the method for processing the film is characterized by applying a wet etching method using an aprotic polar organic solvent as the etchant to remove the polyimide film of unwanted parts.例文帳に追加

特定の脂環族テトラカルボン酸構造を有するポリイミドを含有する有機溶剤溶液からなる皮膜形成用組成物、および該皮膜形成用組成物を塗布した上で溶剤を蒸発除去させる事により該ポリイミドの皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成法、および非プロトン性極性有機溶剤をエッチャントとしてウェットエッチング法を用いて不要部分のポリイミド皮膜を除去することを特徴とする皮膜加工法。 - 特許庁