「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A plasma etching device includes a processing vessel 100 for subjecting a wafer W to plasma processing in the inside thereof; an upper electrode 105 and a lower electrode 110, facing each other inside of the processing vessel 100 for forming a processing space between them; and a high-frequency power source 150 connected to at least either of the upper electrode 105 and the lower electrode 110 for outputting high-frequency power to the inside of the processing vessel 100.例文帳に追加

プラズマエッチング装置は、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００の内部に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有する。 - 特許庁

This dry etching device for applying etching processing to a wafer WF by arranging the wafer WF in a processing chamber and converting an introduced reaction gas to plasma includes: an annular first ring 110 arranged in the outside to surround the wafer WF and formed of a conductive material; and an annular second ring 120 arranged in the outside to surround the first ring 110 and formed of an insulating material.例文帳に追加

処理室内にウエハーＷＦが置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化してウエハーＷＦにエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、ウエハーＷＦを取り囲むように外側に配置され、導電性材料からなる環状の第１リング１１０と、第１リング１１０を取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リング１２０と、を備えた。 - 特許庁

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate processing method comprises steps of forming a prescribed pattern by etching a film to be etched formed on a substrate; denaturing a substance remained after ending etching processing so as to be soluble in a prescribed liquid; subsequently silylating a surface of the film to be etched on which a pattern is formed; and thereafter dissolving and removing the substance denatured by supplying the prescribed liquid.例文帳に追加

基板上に形成された被エッチング膜をエッチング処理して所定パターンを形成する工程と、エッチング処理を終了した後に残存する物質を所定の液に対して可溶化するように変性させる工程と、次いで、パターンが形成された被エッチング膜の表面をシリル化処理する工程と、その後、所定の液を供給して変性された物質を溶解除去する工程とを有する。 - 特許庁

A substrate processing method includes: a first step of carrying a substrate into a reaction chamber, supplying a material gas into the reaction chamber, irradiating the supplied material gas with the ultraviolet light, processing the substrate with an induced gas, and then carrying the substrate out; and a second step of supplying an etching gas into the reaction chamber after the first step and irradiating the supplied etching gas with the ultraviolet light.例文帳に追加

基板を反応室内へ搬入し、材料ガスを反応室へ供給し、供給された材料ガスに紫外光を照射し、誘起されたガスで基板を処理し、その後基板を搬出する第一のステップと、第一のステップの後、反応室内にエッチングガスを供給し、供給されたエッチングガスに紫外光を照射する第二のステップを有する基板処理方法。 - 特許庁

To solve the following problem: eaves occurs due to a difference in etching rate of a multilayer film at a peripheral part to cause contamination diffusion to a next process in a conventional substrate peripheral processing method for making constant the number of rotations of the substrate, in a substrate processing method for supplying a processing liquid to a substrate having a multilayer film formed, from backside of the substrate, while rotating the substrate.例文帳に追加

多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。 - 特許庁

The processing method of semiconductor silicon wafer comprises a polishing process for polishing the surface of semiconductor wafer to the mirror-surface, an evaluation process for evaluating the flatness of a semiconductor wafer polished in the polishing process, an etching process for etching semiconductor wafer determined as defective in the flatness in the evaluation process using an alkali solution, and a re-polishing process for re-polishing the semiconductor wafer which etched in the etching process.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する研磨工程と、この研磨工程において研磨された半導体ウェーハの平坦度を評価する評価工程と、この評価工程により平坦度が不良と判定された半導体ウェーハをアルカリ溶液でエッチングするエッチング工程と、このエッチング工程によりエッチングされた半導体ウェーハを再研磨する再研磨工程とを有する半導体ウェーハの加工方法。 - 特許庁

The wafer processing device 100 comprises a lower electrode 112 serving as a table for mounting a wafer 200, a process gas introduction tube 120 supplying process gas for etching the periphery, and an etching block gas introduction tubes 118 supplying etching block gas for blocking process gas supply to the central portion of the wafer, and a movable alignment mechanism 102 performing alignment of the wafer on the lower electrode 112.例文帳に追加

ウェハ処理装置１００は、ウェハ２００を載置する載置台である下部電極１１２と、周辺部をエッチングするプロセスガスを供給するプロセスガス導入管１２０と、ウェハの中心部にプロセスガスが供給されるのを阻止するエッチング阻止ガスを供給するエッチング阻止ガス導入管１１８と、下部電極１１２上で、ウェハの位置合わせを行う可動式の位置合わせ機構１０２と、を含む。 - 特許庁

A peculiar vibration frequency sensor 10 is provided in a plasma processing chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, and detects a shaving amount by an etching, a sputter, or the like and a change of a peculiar vibration frequency caused by a deposition, to detect a timing of the maintenance of the processing chamber.例文帳に追加

固有振動数センサ１０を半導体製造装置のプラズマ処理室内に設け、エッチング又はスパッタ等による削れ量、及びデポジションによる堆積によって生じる固有振動数の変化を検知して、処理室のメンテナンスのタイミングを検出する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus using a heating mechanism for stably heating a cleaning gas in the apparatus which uses a quartz member in a substrate processing member and the cleaning gas having a higher speed for etching the quartz member at a low temperature than at a high temperature.例文帳に追加

基板処理室内に石英部材を用い、高温時よりも低温時の方が石英部材のエッチング速度が大きいクリーニングガスを使用する基板処理装置において、クリーニングガスの加熱を安定して行う加熱機構を用いた基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method and a semiconductor device manufacturing method, which are capable of making a semiconductor device undergo the desired processing by thickening the thin part of a mask film that is used for processing such as etching of the semiconductor device.例文帳に追加

エッチング等の半導体装置に対する処理時に使用するマスク膜における薄膜部の厚みを増大することにより、半導体装置に所望の処理を施すことが可能なマスクパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An end point detection processing section 34 measures light emitting intensity of Si or SiFx in the plasma in the small quantity supplying step, and when the measured light emitting intensity is at a previously set reference value or lower, the end point detection processing section judges it as an etching end point.例文帳に追加

エンドポイント検出処理部３４は、少量供給工程におけるプラズマ中のＳｉ又はＳｉＦｘの発光強度を測定し、測定された発光強度が予め設定した基準値以下となったとき、エッチング終点であると判定する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of heat processing equipment in which cleaning operation can be carried out quickly by removing an unnecessary film, i.e. a silicon oxide film formed by TEOS (tetraethyl orthosilicate), adhering to the structure in the heat processing equipment efficiently and quickly at a high etching rate.例文帳に追加

熱処理装置内の構造物に付着した不要な膜であるＴＥＯＳによるシリコン酸化膜を高いエッチングレートで効率的に、且つ迅速に除去するようにしてクリーニング処理を迅速に行うことが可能な熱処理装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

On a silicon substrate 1, a gate insulating film 6, a floating gate electrode film 7, an inter-electrode insulating film 8 such as an ONO film and a NONON film, a control gate electrode film 9, and a hard mask material 10 for processing are stacked, and etching processing is carried out to form gate electrodes MG.例文帳に追加

シリコン基板１に、ゲート絶縁膜６、浮遊ゲート電極膜７、ＯＮＯ膜やＮＯＮＯＮ膜などの電極間絶縁膜８、制御ゲート電極膜９および加工用ハードマスク材１０を積層してエッチング加工することによりゲート電極ＭＧを形成する。 - 特許庁

As a result, a metal ion, and a silicon oxide, which is an etching residue, do not combine together even when a etching processing of a silicon oxide film is conducted by soaking the substrate W into the hydrofluoric acid; the forming of particles can be prevented; and the particle transfer when lifting the substrate W from the deionized water can be restrained.例文帳に追加

その結果、基板Ｗをフッ酸中に浸漬してシリコン酸化膜のエッチング処理を行ったときにも、金属イオンとエッチング残渣であるシリコン酸化物とが結合することはなく、パーティクルの生成を防止することができ、純水から基板Ｗを引き揚げるときのパーティクル転写を抑制することができる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the planar actuator, the resonance frequency of the movable plate is adjusted by machining either the movable plate or the torsion bar by an etching or a film formation and processing the other in a different method among the etching and the film formation.例文帳に追加

プレーナ型アクチュエータの製造方法において、可動板とトーションバーのいずれか一方をエッチング又は成膜により加工を行い、他方をエッチング又は成膜のうち、前記加工と異なる加工を行うことにより可動板の共振周波数を調整することを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法とする。 - 特許庁

To provide a material with high etching selection rate and etching speed against resist, a pattern formation method providing an antireflection film layer on a base plate using the material and a pattern formation method using the antireflection film as a hard mask on the base plate processing.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基盤加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that has a high etching resistance and can provide a carbon-contained silicon oxide film of low dielectric constant, along with a method of manufacturing a semiconductor device that has a high etching resistance and can form a carbon-contained silicon oxide film of low dielectric constant, and a forming method of a film.例文帳に追加

高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を得ることのできる基板処理装置、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を形成することのできる半導体装置の製造方法、又は膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A cyclic pattern is formed (1-e) on the transparent material by using photoresist, etching processing is carried out (1-f), and an overcoat material is potted (1-g) to eliminate the need to remove the etching mask as compared with use of a metal plate, thereby easily forming a polarizing and diffracting element at low cost while decreasing processes.例文帳に追加

フォトレジストを利用して透明材料に周期的パターンを形成させ（１−ｅ）、エッチング処理を行い（１−ｆ）、オーバーコート材をボッティングする（１−ｇ）ことで、金属板を使用するときと比べて、エッチングマスクを除去する必要性を無くし、工程が少なくなり簡便、低コストで偏光回折素子を作成できる。 - 特許庁

To suppress contamination of a substrate with a product generated by etching when performing the etching on the substrate in a processing container with a placing table formed in the container, a straightening member for suppressing a loading effect in a peripheral edge area of a square substrate being disposed on the placing table to surround the substrate.例文帳に追加

角型の基板の周縁領域におけるローディング効果を抑えるための整流部材を当該基板を囲むように配置した載置台を内部に備えた処理容器において、この基板にエッチング処理を行うにあたり、このエッチング処理によって生成する生成物による基板の汚染を抑えること。 - 特許庁

The method forms structures arranged on a substrate in a two-dimensional manner by forming a single layer by arranging spherical particles on the surface of the substrate so as to fill the surface with the spherical particles most densely using self-organization of the spherical bodies, and performing etching processing using the single layer formed of the spherical particles as an etching mask.例文帳に追加

球体の自己組織化を利用して、基板表面に球状粒子を最密に充填するように配置して単層を形成し、前記球状粒子からなる単層をエッチングマスクとしてエッチング処理を行うことにより、基板上に規則的に二次元配置した構造体を形成する方法。 - 特許庁

In the manufacturing method of wafer, the crystal orientation accuracy of orientation flat is improved by processing only an orientation flat end surface of ingot formed by cutting the orientation flat mechanically or wafer formed by slicing the orientation flat, in a wet-etching with an anisotropy wet-etching liquid suitable for a material of the wafer and an orientation flat direction desired to be used.例文帳に追加

本発明によるウエハの製造方法は、オリフラを機械的にカットしたインゴット又はスライスしたウエハのオリフラ端面のみをウエハの材質及び使用したいオリフラ方位に適した異方性エッチング液でウエットエッチングを行うことにより、オリフラの結晶方位精度を高くすることを特徴としている。 - 特許庁

In wirings having a structure that consists of a first layer metal film wiring, a second metal film wiring having a constant side etching portion and an insulating film pattern, a field plating processing is performed to the concave region corresponding to a side etching portion of the second layer metal film wiring and low resistance metal such as Cu and Ag is made to electrodeposit thereon.例文帳に追加

第１層金属膜配線と、一定のサイドエッチング部を有する第２層金属膜配線と、絶縁膜パターンの３層膜から成る構造の配線に於いて、電界メッキ処理により前記第２層金属膜配線のサイドエッチング部に相当する凹形領域に、銅や銀の低抵抗金属を電着させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a black matrix for liquid crystal color filters, wherein etching time is not substantially increased and the sidewall form of the black matrix does not become overhanging, even if the number of continuous processing sheets is increased to 40 x 10^3 or larger, when forming the black matrix on a glass substrate by a photo-etching method.例文帳に追加

フォトエッチング法によってガラス基板上にブラックマトリックスを形成する際に、連続した処理枚数が４０×１０^3 枚以上に増えても、エッチング時間を大幅に増加させない、ブラックマトリックスの側壁形状はオーバーハング状にならない液晶カラーフィルタ用ブラックマトリックスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Next, a hole 7 having a circular cross section reaching the rear side is formed from the side of the wiring layer 4 of the semiconductor substrate 2 by dry-etching using RIE or plasma, or by a processing means such as a laser or the like.例文帳に追加

次に、ＲＩＥやプラズマによるドライエッチング又はレーザ等の加工手段によって、半導体基板２の配線層４側から、裏面側に達する円形の断面を有するホール７を形成する。 - 特許庁

The multiple layers and/or multiple processing steps can relate to manufacturing lines, grooves, vias, spacers, contacts, and gate structures to be manufactured by utilizing isotropic and/or anisotropic etching processes.例文帳に追加

前記多数の層及び/又は多数の処理工程は、等方性及び/又は異方性エッチング処理を用いて作製可能なライン、溝、ビア、スペーサ、コンタクト、及びゲート構造の作製に関連づけられて良い。 - 特許庁

To provide a method for efficiently dividing a sapphire wafer by grinding and lapping the rear surface of a sapphire wafer, processing the wafer in a dry etching step, then scribing the wafer.例文帳に追加

サファイアウェーハの背面をグラインディング、ラッピングしてから、ドライエッチング工程により加工した後にスクライビングすることで、サファイアウェーハをより効率的に分割可能にするサファイアウェーハの分割方法に関する。 - 特許庁

By having the substrate partially removed through grinding, polishing, and etching processing or the like, based on a chemical treatment, the substrate can be reduced in thickness.例文帳に追加

基板を薄膜化する手段としては、基板の他方の面から研削処理、研磨処理、化学処理によるエッチング等を行うことによって基板を部分的に除去することによって行うことができる。 - 特許庁

The sealing plate 30 is obtained by processing a glass plate of flat and transparent no-alkali glass by an etching method for example, and a peripheral protrusion 31 is formed at its periphery to specify that its center part takes a recessed shape.例文帳に追加

封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工され、中央部を凹状に規定すべく周辺部に周辺突条部３１が形成される。 - 特許庁

To perform high-precision processing by suppressing pitting or striation due to resist damage when the pattern is formed by a dry etching method using a resist film of the post ArF lithography generation or the subsequent as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device technique shortening a processing time of Si anisotropic wet etching for forming a bridge structure by removing an Si (100) substrate itself under a membrane part and beam parts.例文帳に追加

メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a die cutter having a blade with sharpness and superior durability by effectively utilizing the processing characteristic in etching, forming a DLC layer, and the like, and to provide a method of manufacturing the die cutter.例文帳に追加

エッチングしたり、ＤＬＣ層を形成したりする際の加工特性を有効に利用して切れ味が良く耐久性に優れた刃部を有するダイカッターおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, an induction component is not easily generated between the operation part and coil part and the plasma processing apparatus compatibly remove the reaction product deposited on the dielectric window and obtain the stability of the etching rate of a workpiece.例文帳に追加

これにより、作用部とコイル部との間で誘導成分が生じにくく、誘電体窓に堆積する反応生成物の除去と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができる。 - 特許庁

To provide a laminate manufacturing method capable of suppressing a metal residue from occurring during etching processing and acquiring a laminate having a plating film including patterned copper excellent in linearity and adhesion.例文帳に追加

エッチング処理時における金属残渣の発生が抑制されると共に、直線性、および、密着性に優れるパターン状銅含有めっき膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing substrate surface which can uniformly carry out over the substrate surface the etching process for removing a film on the substrate surface by using a vapor containing an acid.例文帳に追加

酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去するエッチング処理を、基板面内で均一に行うことができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する - 特許庁

To provide a plasma processor, a focus ring and a plasma processing method for much more improving the in-face uniformity of etching and productivity than a conventional manner.例文帳に追加

従来に比べてエッチング処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置、フォーカスリング及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Next, after removing a natural oxide film and an ashing oxide film, a lower electrode having a designated grain spacing is formed, by processing the grain spacing of the HSG grains for wet etching with ammonia hydrogen peroxide or the like (Fig.(F)-(G)).例文帳に追加

次に、自然酸化膜やアッシング酸化膜を除去後、アンモニア過酸化水素水などでＨＳＧ粒の粒間隔をウェットエッチングし、所定の粒間隔を有する下部電極を形成する（図１（Ｆ）〜（Ｇ））。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which limits charging caused by plasma processing with a protection circuit and achieves the separation from a protection circuit having no dependence on an etching process, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

保護回路により、プラズマ処理に伴うチャージングを抑え、かつエッチング工程に依存しない保護回路との切り離しを実現する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the protective tape for the etching processing, an adhesive layer 3 is provided on one surface of a base material film 2, and the adhesive layer exhibits reduction of adhesion force when it is heated at a temperature of less than 100°C.例文帳に追加

基材フィルム２の片面に粘着剤層３を設けてなり、該粘着剤層が、１００℃未満の温度で加熱したときに粘着力の低下を発現するエッチング加工用保護テープ。 - 特許庁

A substrate W on which a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed is immersed into the phosphoric acid solution in the immersion processing bath 10 to proceed a process of selectively etching the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板Ｗが浸漬処理槽１０のリン酸水溶液中に浸漬されることによってシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理が進行する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which can improve in-plane uniformity in etching of a processing target substrate and form an element isolation trench having a round and smooth bottom surface.例文帳に追加

被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The introduction of gaseous iodine into the device through a valve 13 is made possible, and the conditions under which the transmittance of a processing region is high, and an etching rate is low are selected for the irradiation conditions of an ion beam 2 under a gaseous iodine atmosphere.例文帳に追加

沃素ガスをバルブ13を介して装置内に導入できるようにし、沃素ガス雰囲気下で、イオンビーム2の照射条件を加工領域の透過率が高く、エッチレートも低くくなる条件を選ぶ。 - 特許庁

To provide a chuck assembly of semiconductor device etching facilities wherein a residue from reaction is prevented from remaining in the edge portion of a wafer, processing failure is prevented, and the quality and yield of semiconductor devices can be enhanced.例文帳に追加

ウェハのエッジ部位に反応残余物が残存することを防止し、工程不良を防止し、品質と収率を向上させることができる半導体装置食刻設備のチャック組立体を提供する。 - 特許庁