「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for etching the photomask includes a step of providing a processing chamber 102, having a substrate supporting pedestal 124 adapted to receive a substrate 122 for photomask on the top part.例文帳に追加

フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。 - 特許庁

In the manufacturing method, a groove surrounding the semiconductor device is formed by carrying out plasma etching on the surface of the semiconductor substrate by using a plasma processing apparatus 1.例文帳に追加

本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which uses an inductive coupling electrode for plasma generation to prevent etching of the inner wall surface of a plasma formation box.例文帳に追加

プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The vapor-deposited member side aperture 2a1 and the vapor deposition source side opening part 2a2 are formed by executing the etching processing from both sides of the metal sheet.例文帳に追加

前記金属板の両面からエッチング処理を行うことによって被蒸着部材側開口部２ａ１及び蒸着源側開口部２ａ２を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus using a film thickness measurement method of a processed material capable of accurately measuring an actual residual film amount and/or an etching depth of a processed layer on line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, no swelling is produced when acid-etching the surface of the wafer, a pit P such as COP existing on the surface thereof, processing damage during mirror polishing, etc., is selectively etched and amplified.例文帳に追加

よって、ウェーハ表面に酸エッチ時のうねりなどが現出されず、ウェーハ表面に存在するＣＯＰ、鏡面研磨時の加工ダメージなどのピットＰが選択的にエッチングされ、増幅される。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus 20, plasma is produced from the introduced gas by using electric field energy of the inputted microwaves, and etching of the organic film is carried out by using the produced plasma.例文帳に追加

プラズマ処理装置２０は、投入されたマイクロ波の電界エネルギーを用いて、前記導入されたガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて有機膜をエッチングする。 - 特許庁

Thus, it is possible to form a stable oxide film on a semiconductor made of a material which had difficulty in oxidation, while also restricting damage to the semiconductor material, as well as to perform stable etching after oxidation processing.例文帳に追加

半導体材料のダメージを抑えつつ、酸化が困難であった素材の半導体に安定した酸化膜を形成でき、酸化処理後に安定したエッチングを行うこともできる。 - 特許庁

Thus, since the formation of a resist mask to the ITO film 12 and its removing step become unnecessary, the number of substrate processing steps for etching can be remarkably reduced to improve the productivity.例文帳に追加

これにより、ＩＴＯ膜１２へのレジストマスクの形成及びその除去工程が不要となるので、エッチングのための基板処理工程数を大幅に削減でき生産性の向上が図れる。 - 特許庁

Then anisotropic etching processing is performed from the upper part of the third insulating film pattern 8 to pattern the first insulating film 2 and form the first insulating film pattern 9 with the spacer width F/2.例文帳に追加

次に第３の絶縁膜パターン８上方より異方性エッチング処理を施し第１の絶縁膜２をパターニングしてスペース幅Ｆ／２の第１の絶縁膜パターン９を形成する。 - 特許庁

To penetrate and form openings for controlling the left part of the sacrificial layer by this etching processing in the thickness direction of the probe plate, punch holes of these openings are formed at the resist mask.例文帳に追加

このエッチング処理による犠牲層の残存部分の制御のための開口をプローブの板厚方向へ貫通して形成すべく、この開口のための抜き穴部をレジストマスクに形成する。 - 特許庁

In such a forming process of the elements 3, a constitution material of the magnetic gear layers 8, 11, 13 existing in a region to which etching for processing a slider shape is performed is previously eliminated.例文帳に追加

かかる素子３の形成過程で、スライダ形状加工のためのエッチングが施される領域に存在する磁気ギャップ層８，１１，１３の構成材料を予め除去する。 - 特許庁

To provide a water penetration preventing structure for bonded substrate, capable of performing thinning processing to two bonded substrates within an etching tank without damaging a liquid crystal display element.例文帳に追加

2枚の貼り合わせ基板をエッチング槽内で液晶表示素子にダメージを与えることなく、薄型処理を行うことができる貼り合わせ基板の浸水防止構造を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device and its working method capable of quickly removing reaction product and effecting etching high in uniformity with high speed, in plasma processing employing gas pulse.例文帳に追加

ガスパルスを用いたプラズマ加工において、反応生成物を迅速に除去し、均一性の高いエッチングを高速で行うことができるプラズマ処理装置及び加工方法の提供。 - 特許庁

Either a focus ring or an electrode is grounded and high-frequency power is applied to the other, thereby efficiently removing a deposit film stuck by etching processing.例文帳に追加

フォーカスリング、あるいは電極のどちらかを接地し、残りの一方は高周波電力を印加することによって、エッチング処理によって付着した堆積膜を効率的に除去する。 - 特許庁

In addition, when a film composed of aluminum oxide or aluminum silicate is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜として、酸化アルミニウム、あるいは、珪酸アルミニウムからなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。 - 特許庁

Next, a core 103 is formed on the lower clad layer 102 by finely processing the deposited and formed SiON film by well known photolithography technology and etching technology.例文帳に追加

ついで、堆積形成したＳｉＯＮ膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより微細加工することで、下部クラッド層１０２の上にコア１０３が形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor that has reduced alignment precision required in a lamination process and dispenses with any special processes, such as etching processing, and to provide a method of manufacturing the multilayer ceramic capacitor.例文帳に追加

積層工程で要求される位置合わせ精度が緩く、かつ、エッチング処理などの特殊な工程を必要としない積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which can suppress the occurrence of bowing compared to a conventional method and can perform finer and accurate processing, and also to provide a control program and a computer storage medium.例文帳に追加

従来に比べてボーイングの発生を抑制することができ、より微細な加工を精度良く行うことのできるプラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method for a processed layer capable of forming a plurality of layers in desired shapes by suppressing an increase in the number of processes as much as possible and preventing the progress of side etching.例文帳に追加

工程数の増加を可及的に抑制し、サイドエッチの進行を防止して、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical semiconductor element includes a preprocessing stage of forming a plurality of projections 401 on the light emission surface and a processing stage of subjecting the light emission surface to anisotropic etching 404.例文帳に追加

光放出面に複数の突起４０１を形成する前処理工程と、光放出面を異方性エッチング４０４する加工工程とを有する製造方法である。 - 特許庁

To prevent processing irregularity such as etching irregularity caused by the accumulation of depositions on the surface of the substrate installation stand and to prevent a substrate from being sucked by the substrate installation stand.例文帳に追加

基板載置台の表面に付着物が蓄積することによって生じるエッチングむら等の処理むらを防止し、基板が基板載置台に吸着されてしまうこと等を防止する。 - 特許庁

To provide a resin for radiation-sensitive material, etc., having excellent transparency and high sensitivity to far-ultraviolet rays, good in tight adhesion to a substrate, having etching resistance, and capable of minute pattern processing.例文帳に追加

遠紫外線に対して優れた透明性と高感度を有し、基板との密着性が良く、エッチング耐性を持ち、微細パターン加工可能な放射線感光材料用樹脂等を提供する。 - 特許庁

The ratio of supply amounts of the material gases such as a CF_4 gas, a CF_4 gas, etc., contained in the processing gas is changed to control the CD of etching.例文帳に追加

本発明によれば、処理ガス中に含まれるＣＦ_４ガスやＣＦ_４ガスなどの原料ガスの供給量の比を変えることにより、エッチングのＣＤを制御することが可能となる。 - 特許庁

Uniformity in etching characteristics and plasma processing are improved in various applications by appropriately selecting the optimal combination of two DC voltages V_C, V_E.例文帳に追加

これらの２つの直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eの組み合わせを適宜選択することにより、種種のアプリケーションにおいてプラズマプロセスやエッチング特性の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

The inorganic powder is not decomposed thermally during the processing the base material and may elute by acid or alkali etching, and calcium carbonate can be used, for example.例文帳に追加

無機粉体としては、母材樹脂の加工時に熱分解しないものであり、酸またはアルカリのエッチングにより溶出するものが選択でき、例えば炭酸カルシウムを用いることができる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor laser element that can improve processing precision of a ridge portion by improving controllability of etching depth and then sufficiently suppress occurrence of kinking.例文帳に追加

エッチング深さの制御性を向上させてリッジ部の加工精度を改善でき、したがってキンクの発生を十分に抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To eliminate or reduce deterioration in oscillation characteristic by making etching residues small in a process of processing the external shape of a face crystal oscillator piece oscillating in lame mode or face shear mode.例文帳に追加

ラーメモード又は輪郭すべりモードで振動する輪郭水晶振動片を外形加工する工程において、エッチング残渣を小さくして振動特性の劣化を解消又は低減する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method using a material for multilayer processing, capable of forming a film having a high etching selective ratio to a film formed from an organic material, at a low temperature.例文帳に追加

低温で、有機材料から形成される膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な多層プロセス用材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The solar cell can be manufactured by making a light incident surface-side electrode having a particular structure and thereafter processing the photoelectric conversion layer by etching or the like.例文帳に追加

この太陽電池は、特定の構造を有する光入射面側電極を作製した後に、さらにエッチングなどにより光電変換層を加工することにより製造することができる。 - 特許庁

Using the dose distribution per ion beam irradiation in etching, an irradiation position and a dose distribution of ion beams are calculated so that approximation to the processing target dose distribution is obtained.例文帳に追加

そして、エッチングを行う際のイオンビーム１照射当りのドーズ分布を用いて、加工の目標とするドーズ分布に近似するよう、イオンビームの照射位置及びドーズ分布を算出する。 - 特許庁

To secure a high selection ratio to an insulation film used as a mask material, while controlling the generation of conical pattern defects, in performing dry etching for processing a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を加工するためのドライエッチングにおいて、円錐状パターン欠陥の発生を抑制しつつマスク材となる絶縁膜に対して高い選択比を確保できるようにする。 - 特許庁

To provide a circuit board using the laminate of a metal (thin film) layer and a polyimide film and a circuit board manufacturing method relating to the improvement of an etching processing method for the polyimide film.例文帳に追加

金属（薄膜）層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板とそのポリイミドフィルムのエッチング加工法の改善に関する回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress the reduction of pattern size of a polyimide film by etching and hardly changes device characteristics through processing; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

エッチングによるポリイミド膜のパターンサイズの減少を抑止すると共に、加工によって素子特性を変化させる恐れのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of easily processing a shape having varying etching depths in the same plane while suppressing detachment of group V atoms, from a semiconductor.例文帳に追加

半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises a process of forming a layer doped with fluorine on the surface of a glass material, and a process for immersing the glass material in an etching liquid and processing.例文帳に追加

ガラス材料表面に予めフッ素をドープした層を形成する工程と、そのガラス材料をエッチング液に浸漬して加工する工程とを具備することを特徴とするガラス加工方法。 - 特許庁

To provide a system for etching a material of low reactivity in the processing of product while reducing adhesion of reaction products to the side wall of a reaction tube made of a dielectric.例文帳に追加

製品処理において反応性の低い材料のエッチングを行い、誘電体よりなる反応管側壁における反応生成物の付着量が少ないエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To surely detect the end point of processing such as etching or the like of a film to be treated by using an interference light that is measured after a light is emitted to the film to be treated.例文帳に追加

被処理膜に光を照射することにより測定される干渉光を用いて、被処理膜に対するエッチング等の加工の終点を確実に検出できるようにする。 - 特許庁

To perform highly accurate processing in which punch-through of resist and striation due to resist damage are suppressed, in pattern formation by dry etching using a resist after the generation of ArF lithography as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において、レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 10 is equipped with four ports equally arranged along the periphery of a transfer stage 22 and further equipped with an LL chamber 12A, an etching chamber 13A, and a cooling chamber 15A above the ports.例文帳に追加

基板処理装置１０は、４つのボートを搬送ステージ２２の周方向に沿って等配し、各ボートの上方に、ＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、及び冷却室１５Ａを有する。 - 特許庁

To provide a device for processing work by plasma capable of moving electrodes closer to each other, to increase an etching rate, when plasma- processing a work and of increasing a gap between the electrodes, when putting the work into or out of the gap between the electrodes after the plasma process is finished.例文帳に追加

プラズマ処理時には電極部同士を接近させてエッチングレートを上げ、プラズマ処理が終了してワークを電極部間に出し入れするときには、電極部間の間隔を大きくできるワークのプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The etching method includes the steps of: placing the wafer having the APF layer in a processing chamber provided with a power supply operating at approximately 162 MHz; supplying a processing gas to the chamber; applying a source power with the use of the 162 MHz power supply; and applying a bias power to the wafer.例文帳に追加

ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。 - 特許庁

To provide a processing device such as an etching device which is capable of preventing deposits from falling down separating from an exhaust line to adhere as particles to the surface of a semiconductor wafer which is located below, where the deposits are attached to the inner wall of the exhaust line provided at an upper part of the processing device.例文帳に追加

上方に形成されている排気ラインの内壁に付着したデポ物が剥離して落下し、下方に存在する半導体ウエハの表面にパーティクルとして付着することを防止できるエッチング装置のような処理装置を得ること。 - 特許庁

To provide a plate surface processing liquid, such as a neutralization stabilizing liquid or an etching liquid applied after the development processing of a lithographic printing plate by a silver complex salt diffusion transfer process, in which the plate wear of silver image is enhanced and, at the same time, an ink transfer point is improved.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の現像処理後に施される中和安定化液あるいはエッチ液のような版面処理液に於いて、銀画像の耐刷力を向上させ、かつインキ乗り点を改良する。 - 特許庁

In the method for grasping the one-line processing quantity by the FIB under the prescribed condition, the sample is processed by performing scanning of a plurality of lines, and the etching size at that time is measured by the microscope length measuring function, and the average processing quantity by one-line scanning is calculated.例文帳に追加

所定条件下のＦＩＢによる１ラインの加工量を把握する方法は複数ラインの走査を行って試料を加工し、その際のエッチング寸法を顕微鏡測長機能で測長し、１ライン走査の平均加工量を算出する。 - 特許庁