「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目)

アモルファスカーボン膜を有する被処理基板Ｗを処理容器１０内に設置し、無機膜をマスクとしてアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするにあたり、エッチングガスとしてＯ_２ガスを用い、Ｏ_２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ_２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングする。 - 特許庁

The method of manufacturing the flexible printed board is characterized by maintaining an oxygen concentration in an etching processing atmosphere at 2 vol.% or below in a process of forming a copper wiring pattern by performing etching processing on a copper coating layer formed at least on one surface of an insulator film without interposing an adhesive.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板の製造方法であって、絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに形成された銅被覆層をエッチング処理して銅配線パターンを形成する工程における前記エッチング処理雰囲気の酸素濃度が、２体積％以下に維持されることを特徴とする。 - 特許庁

The method of producing the adsorbent comprises: separating metallic ions except for an iron ion dissolved by etching from an etching liquid having deteriorated ferric chloride as a main ingredient after etching-processing electronic parts to recover etching liquid; obtaining an iron-containing solid generated by neutralizing a part of the recovered liquid obtained by the recovery or a diluted liquid thereof with an alkali liquid; and adding an acid to the iron-containing solid to acidify.例文帳に追加

その吸着剤の製造方法は、電子部品をエッチング処理した後の劣化した塩化第２鉄を主成分とするエッチング液からエッチングにより溶解された鉄以外の金属イオンを分離して前記エッチング液を再生し、その再生により得られた再生液の一部又はその希釈液をアルカリ液で中和して生成した鉄含有固形物に酸を添加して酸性化せしめることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a processing method after a development processing of a base material for manufacturing wiring plate which can remove sticky foreign matters adhered to a surface of the base material after the exposure processing and the development processing of a photosensitive resin coat formed on the base material, and which can prevent occurrence of circuit forming defect such as short circuit when a circuit is formed by an etching processing.例文帳に追加

基材に形成した感光性樹脂皮膜の露光・現像処理後に基材表面に付着した粘着性の異物を除去することができ、エッチング処理による回路形成時にショートサーキット等の回路形成不良の発生を防止することができる配線板製造用の基材の現像処理後の処理方法を提供する。 - 特許庁

A protective film 107 of a carbon polymer is formed on a sidewall of a polysilicon film 105 with plasma containing carbon after the polysilicon film 105 is etched to prevent side etching and sidewall roughening of the polysilicon film 105 even when the metal material 104 forming a lower-layer film is subjected to etching processing with plasma of halogen-based gas under etching conditions of volatility increased by keeping a wafer at higher temperature and processing pressure lower.例文帳に追加

ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.例文帳に追加

本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming an etching mask capable of facilitating control of a pattern shape for forming an oblique hole in processing by oblique etching, to provide a method for manufacturing a three-dimensional structure, and to provide a method for manufacturing a three-dimensional photonic crystalline laser device.例文帳に追加

斜めエッチングによる加工に際し、斜め開孔のパターン形状の制御を容易に行うことが可能となるエッチングマスクの形成方法、３次元構造体の製造方法及び３次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The data processing unit 7 calculates the difference between the two kinds of detected etching times, compares the calculated difference with a predetermined determination value, determines that the dry etching devices 1 and 2 are defective when the difference exceeds the determination value, and outputs a signal that indicating the failure.例文帳に追加

さらに、データ処理部７は、その検出した２つのエッチング時間からその差を求め、求めた差を所定の判定値と比較し、その差が判定値を超えた場合に、ドライエッチング装置１、２が異常であると判定し、その旨の信号を出力する。 - 特許庁

The substrate processing system comprises a polishing apparatus for polishing the thin film formed at and adhered to the bevel and edge sections of the substrate; and an etching device for removing the thin film remaining at the bevel and edge sections of the substrate after polishing by the polishing apparatus by etching.例文帳に追加

本発明の基板処理システムは、基板のベベル部乃至エッジ部に成膜乃至付着した薄膜を研磨する研磨装置と、研磨装置による研磨後の基板のベベル部乃至エッジ部に残った薄膜をエッチング除去するエッチング装置とを有する。 - 特許庁

A plasma source electrode and a wafer, which are processed, are disposed opposite to each other in a chamber and means for supplying etching gas is disposed between the plasma source electrode and the wafer being processed in order to plasma processing, e.g. plasma etching, the wafer being processed.例文帳に追加

チャンバ内にプラズマソース電極と被処理基板とを対向配置するとともに、これらプラズマソース電極と被処理基板との間にエッチングガスを導入するためのガス供給手段を配置し、被処理基板をプラズマ処理、例えばプラズマエッチングする。 - 特許庁

According to the present invention, dry etching is performed on the condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, a crystal defect is actualized as a protrusion (convex defect), and a defect caused by processing is actualized as a pit (concave defect).例文帳に追加

本発明によれば、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施していることから、結晶欠陥については突起（凸型の欠陥）として顕在化し、加工起因欠陥についてはピット（凹型の欠陥）として顕在化する。 - 特許庁

To provide a composition for etching that can selectively etch hafnium compounds such as hafnium silicate and hafnium aluminate without damaging semiconductor materials such as silicon oxide and can be used safely because of its flame retardancy, and to provide a processing method for the etching.例文帳に追加

酸化ケイ素等の半導体材料にダメージがなく、ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等のハフニウム化合物を選択的にエッチングでき、なおかつ難燃性で安全に用いることができるエッチング用組成物及びエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing of a semiconductor device includes: a first step of carrying a silicon substrate into a processing chamber; a second step of supplying at least a first silane-based gas and a first etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate; and a third step of supplying at least a second silane-based gas and a second etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第三のステップと、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To perform the processing with high accuracy at a low cost even if the temperature profile of a workpiece changes to cause a change of the unit processing shape in a local processing, e.g. a reactive plasma etching, during which a large amount of heat is generated.例文帳に追加

反応性プラズマエッチング加工など加工時に発生する熱量が大きな局所加工において、被加工物の温度プロファイルが変化し、それに依って単位加工形状が変化する場合においても、高精度かつ低コストで加工を行えるようにする。 - 特許庁

In an amorphous laminate core processing method for cutting out a prescribed core shape by the wire discharge processing of a laminate of amorphous thin plates to which insulating resins are applied and then etching the cut surface, the wire discharge processing is performed in water.例文帳に追加

本発明は、絶縁性樹脂を塗布したアモルファス薄板の積層体をワイヤ放電加工して所定コア形状に切断した後、切断面をエッチング処理するアモルファス積層コアの加工方法であって、ワイヤ放電加工を水中で行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method capable of effectively removing deposits including metal accumulated on a pattern sidewall by dry processing while suppressing pattern thinning by side etching.例文帳に追加

サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of avoiding contamination of the inside of a processing chamber and a substrate by preventing etching of a high purity SiC film formed on the surface of a substrate support composed of a carbon base or Si-impregnated SiC base, when cleaning the processing chamber.例文帳に追加

カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。 - 特許庁

A connection hole is formed in a substrate by etching the substrate with use of a first resist film as a mask, the first resist film is removed, and then the substrate is transported into the processing vessel 2 of a substrate processing apparatus 1.例文帳に追加

基板上に第１のレジスト膜をマスクとしたエッチング処理により接続孔を形成し，当該第１のレジスト膜を剥離除去した後に，基板を基板処理装置１の処理容器２内に搬送する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of ensuring stable etching rate for preventing precipitation of silica in gas piping, calculating a specific gravity value of a processing liquid within a processing tank and measuring the specific gravity value accurately.例文帳に追加

処理槽内の処理液の比重値を算出するためのガスの配管にシリカが析出することを防止することができ、比重値が正確に計測され、エッチングレートの安定した半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

After the start of processing, a width change in derivative value becomes larger gradually, and based on its unchanging after the completion of processing completion of etching or ashing of the surface of a semiconductor can be detected.例文帳に追加

そしてプロセス開始後に微分値の変化幅が徐々に大きくなり、プロセスの終了後に微分値が変化しなくなることに基づいて、半導体の表面のエッチングやアッシング処理の終了を検出する。 - 特許庁

A processing gas including C4F8, CO, and Ar is introduced into the processing chamber 102 of an etching device 300 and then plasma is produced to etch a SiO2 film layer formed on a wafer W on a bottom electrode 106.例文帳に追加

エッチング装置３００の処理室１０２内にＣ_4Ｆ_8とＣＯとＡｒから成る処理ガスを導入した後にプラズマを生成し，下部電極１０６上のウェハＷに形成されたＳｉＯ_2膜層２０２をエッチングする。 - 特許庁

To perform a surface reforming and an etching processing simultaneously on both surfaces of many boards such as flexible circuit boards in a microwave-excited plasma processing device.例文帳に追加

マイクロウェ−ブ励起プラズマ処理装置に於いて、可撓性回路基板等の多数枚の被処理基板の表面改質及びエッチング処理等を両面同時に行うことができる回路基板のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The adhesive and the adhesive sheet exhibit effects which can inhibit the deterioration of adhesive force due to heat generated during processing works, has an adhesive force deterioration-inhibiting effect on processing such as heat insulation, cutting processing, grinding processing or etching, and is therefore suitable for producing electronic parts and optical parts.例文帳に追加

本発明の粘接着剤及び粘接着シートは、加工作業中に発生する熱により粘接着力低下を抑制できる等の効果を奏するため、保温時、切削加工、研削加工、又はエッチング等の加工の際の粘接着力低下抑制効果が大きいため、電子部品製造及び光学部品製造に適する。 - 特許庁

A method of etching a chromium layer comprises the steps of providing a substrate having a chromium layer partially exposed from a patterned carbon hard mask into a processing chamber; providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into an etching chamber; maintaining plasma of the process gas; and etching the chromium layer through the hard mask layer.例文帳に追加

クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the circuit board using the laminate of the metal layer and the polyimide film has a process for cleaning and removing, after a treatment with a chemical etching agent, an altered layer generated by the chemical etching agent and performing treatment with an acid aqueous solution when the polyimide film is subjected to an etching processing.例文帳に追加

金属層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板の製造方法において、ポリイミドフィルムをエッチング加工する際に、化学エッチング剤での処理後に化学エッチング剤による変性層を洗浄除去し、さらに酸性水溶液で処理するプロセスを有する回路基板の製造方法とこの方法によって得られる回路基板。 - 特許庁

By using a method of dry etching which uses a reactive gas with high processing accuracy for etching and by controlling the etching depth d larger than the thickness (t) of the transparent film 11, the height (h) of disk-like protrusions 13 can be made uniform, fluctuation in the volume of the protrusions 13 can be suppressed and the size of the microlenses 14 after the heat treatment is made uniform.例文帳に追加

エッチングに加工精度の高い反応性ガスを用いたドライエッチング法を用い、エッチングの深さｄが透明膜１１の厚さｔより深くなるようにすることにより、円板状の突起１３の高さｈを一定にすることができ、突起１３の体積変動が抑えられ、熱処理後のマイクロレンズ１４のサイズが均一となる。 - 特許庁

The wafer processing device 100 comprises a lower electrode 112 serving as a table for mounting a wafer 200, a process gas introduction tube 120 supplying process gas for etching the periphery, and a plurality of etching block gas introduction tubes 118a, 118b, 118c and 118d supplying etching block gas for blocking process gas supply to the central portion of the wafer 200.例文帳に追加

ウェハ処理装置１００は、ウェハ２００を載置する載置台である下部電極１１２と、周辺部をエッチングするプロセスガスを供給するプロセスガス導入管１２０と、ウェハ２００の中心部にプロセスガスが供給されるのを阻止するエッチング阻止ガスを供給する複数のエッチング阻止ガス導入管１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、および１１８ｃと、を含む。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then forming a second silicon oxide film 154B, etching back, and processing so that the film 154B retains in a sidewall state on the side of the electrode 152.例文帳に追加