「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A main gas nozzle 13 is provided for supplying Si system reaction gas and etching gas simultaneously from the upper part of a substrate processing region 203 for processing the mounted wafer 200.例文帳に追加

積載したウェハ２００を処理する基板処理領域２０３の上部から、Ｓｉ系反応ガス及びエッチングガスを同時に供給するメインガスノズル１３を備える。 - 特許庁

This etching method selectively etches a silicon nitride film, and this uses a reactive ion etching device including a processing chamber 1 which holds a substrate 4 as the target of etching, a gas supply means 7 which supplies reactive gas into the processing chamber 1, and an upper electrode 2 and a lower electrode 3 which are provided inside the processing chamber and to which high-frequency currents are applied.例文帳に追加

この発明によるエッチング方法は、シリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング方法であって、エッチング対象である基板４を内部に保持する処理室１と、処理室１の内部に反応ガスを供給するガス供給手段７と、処理室内部に設けられ、高周波電流が印加される上部電極２および下部電極３とを含む反応性イオンエッチング装置を用いる。 - 特許庁

To provide a method and a device for monitoring an etching capable of detecting the correct end of etching of a product substrate without reducing the quantity of light of a light emitting spectrum of plasma, even if deposits are produced in a vacuum processing chamber by etching.例文帳に追加

エッチング処理によって付着物が真空処理室内で生成された場合でも、プラズマの発光スペクトルの光量が低下すること無く、製品基板の正確なエッチングの終点検出を行なうことが可能なエッチングモニター方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The region including at least a display picture element region 34 on a main substrate 5 is subjected to an etching processing from the other surface 36 side of the main substrate 5 until the other surface 38 of the etching stopper 2 is exposed, and, on the other surface 38 of the etching stopper 2, a color filter substrate 4 is attached.例文帳に追加

主基板５の他方面３６側から、主基板５の少なくとも表示画素領域３４を含む領域を、エッチングストッパ２の他方面３８が露出するまで、エッチング加工し、このエッチングストッパ２の他方面３８に、カラーフィルタ基板４を取付ける。 - 特許庁

To provide an etching end point judging method and a plasma processing device which performs the end point judging method, by using a film thickness measurement method of a processed material, capable of measuring the amount of actual remaining film and etching the depth of the processed layer on-line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the etching processing (RIE) for forming the through-hole 106, the etching progresses only up to the interface between the silicon substrate 101 and buried oxide layer 102 along the depth of the silicon substrate 101.例文帳に追加

貫通孔１０６の形成のためのエッチング処理（ＲＥＩ）においては、シリコン基板１０１の深さ方向に、シリコン基板１０１と埋め込み酸化層１０２との界面までしかエッチングが進行しない。 - 特許庁

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching device which can uniformly process even a large-sized substrate by eliminating a difference in etching speed generated between a center region and a peripheral region in a vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理チャンバ内の中央領域と周辺領域とにおいて生じ得るエッチング速度の差をなくして、大型の基板でも均一に処理できるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method, where by improving decomposition efficiency at plasma processing, the amount of gas used for etching is reduced, while PFC concentration in exhaust gas is reduced.例文帳に追加

プラズマ処理時の分解効率を向上させることで、エッチングに用いるガスの使用量の低減を図るとともに、排ガス中のＰＦＣ濃度を低減させることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of stably executing each process and precisely processing a base material to be processed when the base material to be processed by repeating alternately a deposition process and an etching process.例文帳に追加

デポジッション工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングする場合、各工程を安定して実行でき、被加工基材を正確に加工できるプラズマエッチング法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of increasing the processing capacity, reducing the installation area and lowering the price of a wet etching device while improving the stability and uniformity of etching rate.例文帳に追加

ウエットエッチング装置において、処理能力を高く、設置面積を小さく、装置価格を低く、かつ、エッチングレートの安定性及び均一性を良くすることが可能な技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

The main mask layer mainly consists of carbon, and a material of which the etching rate in reactive ion etching in the main mask layer processing step (S108) is lower than that of carbon is used as the material of the auxiliary mask layer.例文帳に追加

主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。 - 特許庁

To provide a silicon substrate etching method and a silicon substrate etching device capable of improving accuracy for processing a hole penetrating through a silicon insulation layer and a silicon substrate in an area including a wiring.例文帳に追加

シリコン絶縁層とシリコン基板とを貫通する孔の加工の精度を配線が含まれる領域にて高めることのできるシリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The method of processing the glass substrate has a first step S1 for polishing the processing surface of the glass substrate, a third step S3 and a forth step S4 for forming an etching mask on the processing surface and a fifth step S5 for pattern-forming a micro-processed uneven structure on the processing surface of the glass substrate by wet-etching.例文帳に追加

本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板の被加工面を研磨する第１工程Ｓ１と、前記被加工面にエッチングマスクを形成する第３工程Ｓ３及び第４工程Ｓ４と、湿式エッチング処理により前記ガラス基板の被加工面に前記微細凹凸構造をパターン形成する第５工程Ｓ５と、を有する。 - 特許庁

The residue processing system comprises a processing tank 12 for processing residue in a trench produced through dry etching of an insulating film, a unit 16 for measuring the amount of features of resist stripper, and a control unit 10 calculating the processing time required for removing residue from the measurement of the amount of features by using correlation of the etching rate of the insulating film and the amount of features.例文帳に追加

絶縁膜のドライエッチングで形成されるトレンチの中に生成される残渣を剥離液で処理する処理槽１２と、剥離液の特徴量を測定する測定ユニット１６と、絶縁膜のエッチング速度と特徴量との相関を用いて特徴量の測定値から残渣を除去する処理時間を算出する制御ユニット１０とを備える。 - 特許庁

To solve problems that the operation efficiency of a conventional multi-chamber system is low because the system uses a plurality of chambers for etching-only chambers or ashing-only chambers, requires much time for one processing of long processing time and makes the other processing of short processing time waiting for the end of the processing of the longer processing time.例文帳に追加

従来のマルチチャンバシステムは例えば複数のチャンバがエッチング専用チャンバまたはアッシング専用チャンバとして運用されているため、処理時間が長いいずれか一方の処理に時間が掛かり、処理時間の短い方が長い方の処理が終わるのを待つことになり、マルチチャンバシステムの運用効率が悪い。 - 特許庁

To provide an etching method that controls the tapered shape of projections regardless of the shape of a resist film, and also to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

レジスト膜の形状に関係なく凸部のテーパ形状を制御できるエッチング方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a plasma processor for easily removing a reactant in a reaction chamber, after a plasma etching processing.例文帳に追加

プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供すること。 - 特許庁

In the etching processing step, a thick oxide film is formed on the surface of the silicon core wire, and the film is a factor causing spark discharging.例文帳に追加

エッチング処理の工程でシリコン芯線表面に厚い酸化膜が形成され、これが火花放電を引き起こす原因となる。 - 特許庁

A second interlayer dielectric 9 is formed on the first interlayer dielectric 7 by spin coating and etching-back processing.例文帳に追加

回転塗布法及びエッチバック処理により第１層間絶縁膜７上に第２層間絶縁膜９が形成されている。 - 特許庁

The structure determination device 80 measures a size of a pattern structure on a wafer surface before the etching processing using the scatterometry method.例文帳に追加

構造判別装置８０は、エッチング処理前におけるウェハ表面のパターン構造の寸法を、スキャトロメトリ法を用いて測定する。 - 特許庁

The value of the 10 μm is the minimum processing width in etching for forming a power supply element 1 on the front surface of a dielectric board.例文帳に追加

１０μｍの値は、給電素子１を、誘電体板の表面に形成するためのエッチングにおける最小加工幅である。 - 特許庁

The hard mask 320 is patterned after resist processing and the etching stop layer 380 is removed after the polymer layer 330 is etched.例文帳に追加

レジストプロセスをした後、ハードマスク３２０をパターニングし、ポリマー層３３０をエッチングした後、エッチング停止層３８０を除去する。 - 特許庁

To prevent atmospheric gas from being entrained or to prevent processing gas from leaking to the outside of a system in etching treatment of silicon.例文帳に追加

シリコンのエッチング処理において、雰囲気ガスの巻き込みを防止したり、処理ガスが系外に漏洩したりするのを防止する。 - 特許庁

Further, an etching stop layer can be provided between the p clad layer 6 and the p current diffusion layer 4 to make the processing easy.例文帳に追加

プロセスを容易にするためｐ型クラッド層６とｐ型電流拡散層４の間にエッチングストップ層を形成しても良い。 - 特許庁

Then, the metal wiring is exposed to an inert gas plasma in the same processing apparatus in which a vacuum state in this dry etching step is maintained.例文帳に追加

次に、このドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、不活性ガスプラズマに晒す。 - 特許庁

By using the resist for processing such as etching, regions having different film thicknesses can be formed in a self-aligned matter.例文帳に追加

このレジストを用いてエッチング等の加工を行うことにより、自己整合的に膜厚の異なる領域を形成することができる。 - 特許庁

Moreover, etching processing is applied to a vibrator 1A to form a recessed part in the vibration reed corresponding to the first opening 6.例文帳に追加

次いで、振動子１Ａをエッチング処理することによって、第一の開口部６に対応して振動片に凹部を形成する。 - 特許庁

An output unit 36 outputs the result that the plasma processing has reached the endpoint, to a high frequency power source 12 of an etching device 10.例文帳に追加

出力部３６は、プラズマ処理がエンドポイントに至ったことをエッチング装置１０の高周波電源１２に出力する。 - 特許庁

METAL FATIGUE ACCELERATING DEVICE OF TRIMMING LINE SECTION AND METAL FATIGUE ACCELERATING METHOD OF TRIMMING LINE SECTION, AND MANUFACTURING DEVICE OF ETCHING PROCESSING PRODUCT例文帳に追加

トリミング線部の金属疲労促進装置とトリミング線部の金属疲労促進方法、およびエッチング加工製品の製造装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a suspension blank with wiring for a hard disk which permits etching processing of a polyimide with high accuracy.例文帳に追加

本発明は、高精度なポリイミドエッチング加工ができる、ハードディスク用配線付きサスペンションブランクスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a semiconductor device by etching an insulating film consisting of zirconia and Hafnia by wet processing.例文帳に追加

ジルコニアやハフニアからなる絶縁膜を、ウェット処理でエッチングすることにより半導体装置を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a catalytic reaction apparatus allowing convenient fabrication at low costs without processing of electrodes by etching.例文帳に追加

電極をエッチング処理で加工することなく簡単且つ低コストで製作することができる触媒反応装置を提供する。 - 特許庁

To provide a particulate sample processing/retaining material for reducing FIB processing time, preventing deformation by ion beams, reducing objects to be etched, reducing the occurrence of contaminants, preventing a decrease in the degree of vacuum, and preventing a decrease in etching precision, and to provide a method and an apparatus for processing the particulate sample processing/retaining material.例文帳に追加

ＦＩＢ加工時間短縮、イオンビームによる変質防止、被エッチング物低減、汚染物発生減少、真空度低下防止、エッチング精度低下防止可能の、微粒子試料加工保持材、その加工方法および加工装置の提供。 - 特許庁

To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.例文帳に追加

被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁

If the substrate processing apparatus having this gaseous diffusion plate 9 is used, since the processing gas can be supplied uniformly within the gaseous diffusion plate, substrate processing, such as membranous deposition and membranous etching, can be performed uniformly.例文帳に追加

このガス拡散プレート９を備えた基板処理装置を用いれば、処理ガスをガス拡散プレート内で均一に供給できるので、膜の堆積や膜のエッチングなどの基板処理を均一に行うことができる。 - 特許庁

The exposure processing and the development processing are performed on the photosensitive resin coat formed on the surface of the base material for manufacturing the wiring plate, an etching resist coat is formed, and the etching processing is preformed so as to form the circuit.例文帳に追加

配線板製造用の基材の表面に形成された感光性樹脂皮膜に露光処理と現像処理とを施してエッチングレジスト皮膜を形成し、エッチング処理を施すことにより回路形成を行うにあたり、現像処理後、エッチング処理前に、基材を処理する配線板製造用の基材の現像処理後の処理方法に関する。 - 特許庁

After performing dry etching of a substrate which is electrostatically attracted onto a stage in a processing chamber, He gas is supplied as a neutralization gas into the processing chamber and plasmatized thus performing neutralization processing for reducing a residual electrostatic attraction force generated in a substrate by performing dry etching.例文帳に追加

処理室内のステージ上に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実施した後、Ｈｅガスを除電用ガスとして処理室内に供給するとともに、Ｈｅガスをプラズマ化することで、ドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を減少させる除電処理を行う。 - 特許庁

The etching processing method includes (a) a step of performing etching processing of the surface of a SiC substrate 2, both surfaces of which have been mirror-polished with reactive plasma, and at the same time, irradiating the surface or the backside of the SiC substrate 2 with a laser light 14.例文帳に追加

本発明に係るエッチング処理方法は、（ａ）表裏両面を鏡面研磨されたＳｉＣ素基板２の表面を反応性プラズマによりエッチング処理するとともに、ＳｉＣ基板２の表面または裏面にレーザ光１４を入射する工程を備える。 - 特許庁

The automatic apparatus comprises the etching process having a characteristic for using them (shown above) and the washing and drying process related to the etching treatment, indirectly integrating an action by ultrasonic vibration as the processing method in a holder separately prepared and making it operate, and the washing, drying related to the etching treatment.例文帳に追加

また、これらを使用する為の特徴を持つエッチング処理であり、この加工方法としての超音波振動による作動を、間接的別途用意したホルダーに組み、これに作動させたエッチングに関連する洗浄及び、乾燥方法と其のエッチング加工を設けた自動装置である。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing polymer solution processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をポリマー溶液処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing chemical processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層を化学薬品処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To achieve high selective etching which enables SiO_2 and Si to be etched simultaneously at very different etching rates in a state where plasma is efficiently generated, in an etching apparatus where a substrate as a processing target is etched with plasma extracted from a plasma generating chamber where the plasma is generated by a high-frequency induction field or the like.例文帳に追加

高周波誘導電場などによりプラズマ生成室で生成したプラズマを引き出して処理対象の基板をエッチングするドライエッチング装置において、効率よくプラズマが生成される状態で、ＳｉＯ_2／Ｓｉの高選択比エッチングが実現できるようにする。 - 特許庁

To provide an etching device that can select a small number of representative wavelengths from waveforms of many wavelengths without setting information on substances and chemical reactions, and reduces analyses of etching data requiring large man-hours to efficiently set monitoring/supervising of etching processing.例文帳に追加

物質や化学反応の情報を設定すること無しに、多くの波長における波形から、代表的な少数の波長を選定することができ、大きな工数のかかるエッチングデータの解析を削減して、効率的にエッチングのモニタ・監視の設定を行うことができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of etching a surface of a base by using plasma without causing discharge breakdown on the base.例文帳に追加

基板に、放電破壊を起すことなくプラズマを用いて基板表面のエッチングを行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁