「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A pair of an upper and a lower electrode, 118 and 106, are arranged in the processing chamber 102 of an etching device 100.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内には，一対の上部および下部電極１１８，１０６が配される。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing a substrate periphery capable of obtaining a desired etching width easily.例文帳に追加

容易に所望のエッチング幅を得ることができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of preventing the generation of an etching stop without causing damage to a photoresist film layer.例文帳に追加

フォトレジスト膜層を損傷することなくエッチストップの発生を防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the processing method for board has the process of etching the board 101 from the rear surface through the guidance hole.例文帳に追加

さらに、基板の加工方法は、裏面から先導穴を通じて基板１０１に対してエッチングを行うことを有する。 - 特許庁

By isotropic etching processing, the oxide films 7 formed on side surfaces of the gate structures G1, G2 are removed.例文帳に追加

次に、等方性エッチング処理により、ゲート構造Ｇ１，Ｇ２の側面部に形成されている酸化膜７を除去する。 - 特許庁

To obtain a method and a system for processing a wafer in which uniformity of etching characteristics can be enhanced in the wafer plane.例文帳に追加

ウェハ面内におけるエッチング特性の均一性を向上し得るウェハ処理装置及びウェハ処理方法を得る。 - 特許庁

To provide a liquid chemical processing method and a liquid chemical processor for accurately comprehending the progress conditions of etching.例文帳に追加

エッチングの進行状況を精度良く把握することのできる薬液処理方法及び薬液処理装置を提供する。 - 特許庁

After the texture processing, acid treatment is performed and thereby the abrasive and the glass ground chip are removed due to etching action.例文帳に追加

テクスチャー加工後に酸処理を行うことにより、エッチング作用に基づいて研磨材やガラスの削り屑が除去される。 - 特許庁

Etching processing is performed using the resist pattern as a mask to form a pattern with the predetermined dimensions in the film to be processed (a step S6).例文帳に追加

レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

It is preferred that the at least sidewalls of the etched semiconductor film are subjected to an oxidation processing, before performing the dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングを行う前に、少なくともエッチングされた半導体膜の側壁を酸化処理することが好ましい。 - 特許庁

To selectively conduct the plasma etching to silicon nitride under the almost normal pressure for the processing object including silicon nitride and silicon oxide.例文帳に追加

窒化シリコンと酸化シリコンを有する被処理物において、略常圧下で前記窒化シリコンを選択的にプラズマエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for easily and accurately processing the shape with different etching depth.例文帳に追加

エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching-depth measuring apparatus which can measure the depth of a wiring groove in a damascene processing with high accuracy.例文帳に追加

ダマシン加工における配線溝の深さを高精度に測定することができるエッチング深さ測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide copper foil having a good etching property without substantially generating a void even when fusing processing for a tin plating layer is performed.例文帳に追加

スズめっき層をフュージング処理しても実質的にボイドが発生せず、且つエッチング性が良い銅箔を提供すること。 - 特許庁

After the film formation, the heating resistor film and the electrode film are passed through etching processing together, whereby a predetermined electrode pattern is formed.例文帳に追加

この製膜後、発熱抵抗体膜と電極膜とを一緒にエッチング処理して、所定の電極パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that securely detects etching end points of a plurality of film species with simple constitution.例文帳に追加

複数膜種のエッチング終点の検出を容易な構成で確実に実施できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The on-substrate structure is designed in a shape continuously varying in width and etching processing is performed thereupon.例文帳に追加

基板上構造体の設計時において、幅が連続的に変化する形状とし、その上でエッチング処理を行なう。 - 特許庁

Thereafter, a gate electrode formation film 62 is formed by processing the amorphous silicon film by a photolithography method and dry etching.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングにより、アモルファスシリコン膜を加工してゲート電極形成用膜６２を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of keeping an etching rate of a silicon nitride film formed on a substrate constant.例文帳に追加

基板上に形成されたシリコン窒化膜のエッチングレートを一定に維持することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The equipment for etching a photomask includes a processing chamber having a supporting base seat adapted to receive a photomask.例文帳に追加

一実施形態において、装置はフォトマスクを受けるように適合された支持台座部を有する処理チャンバを備える。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of keeping etching characteristics of an aqueous phosphoric acid solution fixed for a long period of time.例文帳に追加

リン酸水溶液のエッチング特性を長時間一定に維持することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Specified metal 4 is plasma-etched as a pre-processing before the start of etching when the exposure stage of specified metal affecting the fluctuation of the etching rate is included, and a surface where specified metal is not exposed is etched in the initial stage of etching from the start of plasma etching to the end.例文帳に追加

プラズマエッチングの開始から終了までの間に、エッチングレートの変動に影響を与える特定金属の露出段階が含まれ、且つ、エッチング初期には特定金属が露出していない表面に対してエッチングを行う際に、エッチングの開始前の前処理として、特定金属４をプラズマエッチングする。 - 特許庁

Then, the method is also provided with (b) a step of detecting the light intensity of the laser light 14, reflected from both the surface and the backside of the SiC substrate 2, calculating an amount of etching, based on an interference waveform indicated by the detected light intensity, and stopping the etching processing in the step (a), when the amount of etching reaches a desired amount of etching.例文帳に追加

そして、（ｂ）ＳｉＣ基板２の表裏両面それぞれから反射したレーザ光１４の光強度を検出し、当該検出した光強度が示す干渉波形に基づいてエッチング量を算出し、当該エッチング量が所望のエッチング量となった場合に、工程（ａ）のエッチング処理を停止する工程を備える。 - 特許庁

Before being sent back to a load lock chamber 13, a silicon substrate 11 completed in an etching process in an etching chamber 16 is carried to a post-processing chamber 20 provided independently from the etching chamber 16 and subjected to plasma treatment thus removing chlorine remaining on each silicon substrate 11 after ending the etching process.例文帳に追加

エッチングチャンバ１６でエッチングプロセスを終了したシリコン基板１１をロードロックチャンバ１３に返送するに先だって、エッチングチャンバ１６とは別途に設けた後処理用チャンバ２０に搬送してプラズマ処理することにより、エッチングプロセス終了後の各シリコン基板１１上に残留した残留塩素を除去する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for shortening the time until start of process of the next processing work after start of process of the first processing work in the process to form a recessed area or a through-hole to the processing work, and also to provide a processing method of a processing work.例文帳に追加

被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the sequential plasma treatments can be conducted in a variety of plasma processing chambers of an integrated processing sequence, including pre-clean chambers, PVD chambers, etching chambers and other plasma processing chambers.例文帳に追加

更に、シーケンシャルプラズマ処理が、統合プロセスシーケンスの種々のプラズマ処理チャンバ内で実施可能であり、それら処理チャンバには、プリクリーニングチャンバ、ＰＶＤチャンバ、エッチングチャンバ、及び他のプラズマ処理処理チャンバがある。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method by which a mirror processing can be applied on a silicon substrate without degrading the surface roughness of a silicon material when hydrogen gas is used as etching gas.例文帳に追加

水素ガスをエッチングガスとして用いた場合に、シリコン材料の表面粗さを悪化させることなく、シリコン基板を鏡面加工し得るプラズマ加工装置及びプラズマ加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of performing a high accuracy-plasma processing by evenly applying the plasma without deteriorating processing efficiency such as etching rate to a big work and whose productive efficiency is high.例文帳に追加

大判のワークに対して、エッチングレート等の処理効率を低下させることなく均等にプラズマを作用させ高精度のプラズマ処理を可能とし、かつ生産効率の高いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁

When a material having a thickness of about 150 μm is used as a substrate 2, after a half-etching portion 3 is subjected to a laser processing, the substrate 2 is turned over, and laser is irradiated from the side opposite to the side used in a half etching processing so as to form through holes 4.例文帳に追加

基材２として、１５０μｍ程度の厚みのものを用いる場合には、ハーフエッチング部３をレーザー加工した後、基材２を裏返してから、ハーフエッチング加工のときとは反対面側からレーザー照射して貫通孔４を形成する。 - 特許庁

A film forming process of supplying a processing gas into a vacuum processing chamber 2, generating decomposition seeds through a heating catalyst 6, and depositing a deposit on a board 5, an etching process of dry- etching a thin film, and a cleaning process of cleaning the inside of the chamber are carried out.例文帳に追加

真空のプロセスチェンバー２内にプロセスガスを供給し、加熱触媒体６により分解種を生成して、基板５上に堆積物を堆積する成膜プロセス、薄膜をドライエッチングするプロセス又はチェンバー内をクリーニングするプロセスを実施する。 - 特許庁

To provide a laminate production method related to a laminated sheet for aiming an etching processing, a processing method therefor or the like and a washing, drying and etching process by setting a holder which indirectly incorporates an ultrasonic vibration, and an automatic apparatus to be used for this method.例文帳に追加

エッチング加工を目的とする積層シートに係関連するラミネート製造及び、其の加工方法等であり超音波振動を間接的に組み込んだホルダーを設け、洗浄加工及び乾燥、エッチング加工方法であり、また使用する自動装置。 - 特許庁

The method relates to wafer processing utilizing multilayer processing procedure including one or more measuring processes, one or more poly-etching (P-E) processes and one or more metal gate etching processes, and the multilayer/multi-input/multi-output (MLMIMO) model and library.例文帳に追加

本発明は、1つ以上の測定処理、1つ以上のポリエッチング(P-E)処理及び1つ以上の金属ゲートエッチング処理を有する多層処理手順並びに多層/多入力/多出力(MLMIMO)モデル及びライブラリを用いてウエハを処理する方法を供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus or the like and a plasma processing method capable of adopting higher concentration radical irradiation for ensuring high speed etching even under a low pressure and ensuring ion concentration required for vertical etching performance.例文帳に追加

本発明は、低圧下にありながら、高速エッチングを確保するためのラジカルをより高濃度とすることができ、しかも垂直エッチング性に必要なイオン濃度を確保することが可能なプラズマ処理装置等や処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereafter, a pattern 4 is further applied to the surface of the metal sheet 3 by dent processing, etching processing, etc. to obtain the final mold.例文帳に追加

パターンを有する金型とする場合は、この後、さらに、圧痕加工やエッチング加工等により、金属板３の表面にパターン４を加工して、最終的な金型とする。 - 特許庁

To provide a device for processing a substrate, capable of suppressing degradation of etching speed due to stay of a low-concentration chemical, in a horizontal transport type device for processing a substrate.例文帳に追加

水平搬送方式の基板処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板処理装置を得ること。 - 特許庁

To provide a processing object transfer method realizing a high cycle time in vacuum processing devices such as a sputtering device, a dry etching device, a CVD device and a vapor deposition device.例文帳に追加

スパッタリング装置、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、蒸着装置等の真空処理装置の高速タクトの実現を可能とする処理対象物搬送方法を提供する。 - 特許庁

In a diffusion plate 4, on a light incident face 4a or a light-emitting face 4b, irregularities are formed by blast processing and etching processing or the like so as to function as a light diffusing face.例文帳に追加

拡散板４は、入射面４ａまたは射出面４ｂに、光拡散面としての作用をなすべく、ブラスト加工やエッチング加工等により凹凸が形成されている。 - 特許庁

In a process vessel 2 of a plasma etching processing device 1, a probe 40 is installed for detecting a time variation of a magnetic field around a central axis of a processing space K.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１の処理容器２内に、処理空間Ｋの中心軸周りの磁界の時間変化量を検出するプローブ４０が取り付けられる。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing apparatus that perform processes from removal of a damage layer of a substrate formed during slicing to texture formation step together in a lump through dry etching.例文帳に追加

スライス時に生じる基板のダメージ層の除去からテクスチャー形成工程を一括してドライエッチングにより処理する処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

As a result, the etching gas EG discharged into a processing chamber 201 in an inner tube 230 can be prevented from reaching a wafer 200 disposed in the processing chamber 201.例文帳に追加

この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 - 特許庁

To provide an improved method of controlling critical dimensions of structures, formed on a substrate using an etching processing, in a semiconductor substrate processing system.例文帳に追加

半導体基板処理システムにおいて、エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の最小寸法を制御する改善された方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces a processing amount of a non-processed film when selectively processing a processed film and the non-process film in a reactive ion etching (RIE) method.例文帳に追加

加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the temperature of the sample 6 is measured, and after the sample has reached a prescribed temperature by heating by a heater or the like, focused charged particle beam etching processing or deposition processing is carried out.例文帳に追加

あるいはサンプル6の温度を測定し、サンプルがヒーター等の加熱により所定の温度になってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を行う。 - 特許庁

Two coil-like probes 40, 41 for detecting the strength of a magnetic field around a center axis of a processing space K are provided in a processing container 2 of a plasma etching apparatus 1.例文帳に追加

プラズマエッチング装置１の処理容器２内に，処理空間Ｋの中心軸周りの磁界の強さを検出する２つのコイル状のプローブ４０，４１が設けられる。 - 特許庁