「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing method which can raise an etching rate of a copper member without using a halogen gas.例文帳に追加

ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

First and second etching steps are performed on the semiconductor region 10 for processing the semiconductor region.例文帳に追加

半導体領域１０の加工のために、半導体領域１０に第１及び第２のエッチングを施す。 - 特許庁

ETCHING PROCESSING DEVICE AND METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

エッチング処理装置及びエッチング処理方法、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置 - 特許庁

This device is provided with a processing chamber 11 for etching a substrate 91, a microwave generator 21 feeding etching gas excited by microwave into the processing chamber 11, and a gas feeder 31 feeding xenon difluoride gas into the processing chamber 11.例文帳に追加

基体９１がエッチングされる処理室１１と、処理室１１内へマイクロ波で励起されたエッチングガスを供給するマイクロ波発生装置２１と、処理室１１へ二フッ化キセノンガスを供給するガス供給装置３１とを備えたものである。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device for performing lithography processing and etching processing for a plurality of semiconductor wafers included in each of a plurality of lots comprises an etching condition setting process, a correlation relation acquiring process, and a feedback processing process.例文帳に追加

複数のロットのそれぞれが含む複数の半導体ウェハに対して、リソグラフィ処理及びエッチング処理を行う半導体装置の製造方法であって、エッチング条件設定工程、相関関係取得工程及びフィードバック処理工程を備えている。 - 特許庁

10^-4Pa or less is desirable for the base degree of vacuum of the process, ion-etching processing is desirable for the cleaning processing.例文帳に追加

前記工程のベース真空度は、１０^−４Ｐａ以下であることが好ましく、前記清浄化処理は、イオンエッチング処理であることが好ましい。 - 特許庁

In this method for manufacturing a display device, a tube is disposed on a region of an insulating layer where an opening is to be formed, and a processing agent (etching gas or etching liquid) is discharged onto the insulating layer.例文帳に追加

チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。 - 特許庁

Holes 5 are bored in the insulating base material 2 by the use of the conductor layer 1 with the holes 4 as a mask layer through a laser processing method, a plasma etching method, or a wet etching method.例文帳に追加

この孔４を有する導体層１をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に孔５を形成する。 - 特許庁

To solve such a problem that the uniformity of etching shape among wafers aggravates by temperature fluctuation during continuous processing and during stoppage because the etching performance of wafers varies by temperature.例文帳に追加

ウェハのエッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。 - 特許庁

Then, an etching process with a high frequency inert gas plasma of Ar, etc. is performed in the same processing apparatus for maintaining, for example, a vacuum state in this dry etching.例文帳に追加

次に、例えばこのドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、Ａｒ等の高周波不活性ガスプラズマによるエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of easily removing photoresist remaining after dry etching processing in the case of forming a pattern by a dray etching method.例文帳に追加

ドライエッチング法によってパターンを形成する場合に、ドライエッチング処理後に残存するフォトレジストを容易に除去することが可能なパターン形成方法を提供する - 特許庁

In the plasma etching method, the gas containing C_4F_6 and O_2 and CO is used as a processing gas for plasma etching to suppress surface roughness of a photoresist.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング方法は、処理ガスとして、Ｃ_４Ｆ_６とＯ_２とＣＯとを含むガスを用いてプラズマエッチングすることで、フォトレジストの表面荒れを抑えることができる。 - 特許庁

The etching of a polyimide resin of the insulation layer can be performed with high processing accuracy by making the shape of an electrode so as to have curvature, when it is processed by plasma etching.例文帳に追加

絶縁層であるポリイミド樹脂の加工をプラズマエッチングで行うに際し、電極形状が曲率を持つようにしたことにより、加工精度よくエッチングが行える。 - 特許庁

To provide a plasma etching processing device capable of etching fine patterns with high uniformity on, for example, the TFT portion of a large size substrate used in a liquid crystal display and the like.例文帳に追加

液晶ディスプレイ等に用いる大面積基板のＴＦＴ部等の微細パターンを均一性良くエッチングするのに有効なプラズマエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

The processing method includes the selective etching of a nitride film by using the etching solution, that is, the hydrofluoric acid-added phosphoric acid solution, and a means for determining the content of hydrofluoric acid in the etching solution for controlling, based on the thus-determined content, the concentration of hydrofluoric acid in the etching solution.例文帳に追加

本発明の処理方法は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなるエッチング液を用いて、窒化膜を選択的にエッチングすることを含み、前記エッチング液中のフッ酸の含有量を検出し、前記含有量に基づき、前記エッチング液のフッ酸の濃度を制御する手段を含む。 - 特許庁

Since reaction between the etching gas and the radical takes place on the surface of the substrate 15, and intermediate products of reaction between the etching gas and the radical react quickly on the etching object, the intermediate products are not discharged excessively from the processing chamber 12 and high etching efficiency is ensured.例文帳に追加

また、エッチングガスとラジカルとの反応は基板１５表面で起こるため、エッチングガスとラジカルとの反応により生成される中間生成物は速やかにエッチング対象物と反応するため、中間生成物が過剰に処理室１２から排気されることなく、エッチング効率が高い。 - 特許庁

A mask material is formed on the surface of a substrate consisting of silicone, the mask material is processed by anisotropic dry etching and anisotropic wet etching, and after processing a surface approximately parallel with a crystal surface orthogonal to the surface of the substrate by the anisotropic dry etching, a reflection surface is formed by the anisotropic wet etching process.例文帳に追加

シリコンからなる基板に、前記基板表面に対してマスク材を形成し、異方性ドライエッチングし、異方性ウエットエッチングし、前記基板表面に直交する結晶面と略平行な面を前記異方性ドライエッチングした後、前記異方性ウエットエッチング工程によって、反射面を形成する。 - 特許庁

During the etching processing, the amount of displacement of a boundary plane is detected from an incidence light 21 and a reflection light 22 which are irradiated from this laser displacement meter, and a terminal point of etching processing is detected based on the variance of a detection value.例文帳に追加

エッチング処理中に、このレーザー変位計から照射される入射光２１と反射光２２とから境界面の変位量を検出し、検出値の変動に基づいてエッチング処理の終点を検出する。 - 特許庁

In the inside of the chamber 1 of an etching apparatus, a first step of performing H2O plasma processing and following the first step, and a second step of performing Cl2 plasma processing, are executed after executing an Al dry etching process.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバー内部１において、Ａｌドライエッチング工程を行った後、Ｈ_2Ｏプラズマ処理を行う第１工程と、第１工程に続いて、Ｃｌ_2プラズマ処理を行う第２工程とを実施する。 - 特許庁

The method may includes one or more mask layer forming procedures, one or more pre-processing measurement procedures, one or more partial-etching (P-E) procedures, one or more final-etching (F-E) procedures and one or more post-processing measurement procedures.例文帳に追加

当該方法は、1つ以上のマスク層生成手順、1つ以上の前処理測定手順、1つ以上の部分エッチング(P-E)手順、1つ以上の最終エッチング(F-E)手順、及び1つ以上の後処理測定手順を有して良い。 - 特許庁

To provide a surface treatment method capable of removing a reaction product or a hard mask from a treated workpiece immediately after etching processing, and to provide an etching processing method and a manufacturing method of an electronic device.例文帳に追加

本発明は、エッチング処理直後に被処理物から反応生成物やハードマスクなどの除去を行うことのできる表面処理方法、エッチング処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching processing device for efficiently manufacturing a printed wiring board superior in wiring density and wiring accuracy, and to provide an etching processing method for a substrate for a printed wiring board which uses the device.例文帳に追加

配線密度や配線精度に優れたプリント配線板を効率的に製造することのできるエッチング処理装置とその装置を用いてプリント配線板用基板をエッチング処理する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus not only capable of applying etching processing across the entire bottom surface of a substrate, but also capable of suppressing or preventing an etching liquid supplied to the bottom surface of the substrate from flowing over onto the top surface.例文帳に追加

基板の下面の全域をエッチング処理でき、しかも、基板の下面に供給されたエッチング液の上面側への回り込みを抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

A piezoelectric thin film wafer 1 equipped with a piezoelectric thin film 4 on a substrate 2 is manufactured by a first processing step of performing ion etching using a gas including Ar and a second processing step of performing reactive ion etching using a mixed etching gas of a reactive gas and Ar.例文帳に追加

基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。 - 特許庁

A conduction hole 4 is formed using a double surface copper-clad plate with the aid of a punch and a mold, and an insulating base member 2 including an exposed end of the conduction hole 4 produced upon half etching after processing of the hole 4 is removed by making use of laser processing, plasma etching, and wet etching.例文帳に追加

両面銅張り板を用いて、パンチ、金型で導通用孔４を形成し、この孔４の加工後にハ−フエッチングを行った際に発生する導通用孔４の端部の露出した絶縁べ−ス材２をレ−ザ−加工、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で除去する。 - 特許庁

In this way, when an etching solution is compounded in advance, the etching solution can be more easily and accurately controlled in a concentration than an normal case, where an etching solution is successively supplied to a processing tank, since it is compounded in a mixing valve, so that an etching solution supplied to the processing tank 10 can be restrained from varying in concentration.例文帳に追加

このように予めエッチング用処理液を調合する場合には、従来例の如くミキシングバルブでエッチング用処理液を調合しながら順次処理槽に供給する場合に比べてエッチング用処理液の濃度を容易に、しかも精度良く調整することができ、処理槽１０に供給されるエッチング用処理液の濃度変動を抑えることができる。 - 特許庁

To solve problems such as the occurrence of etching spots or the deterioration of surface roughness due to the local increase of the etching speed caused by the stress or the impurity that is existed on the surface of a glassy carbon when processing the glassy carbon by a dry etching method.例文帳に追加

ガラス状カーボンをドライエッチング法にて加工した場合、ガラス状カーボン表面に存在する応力や不純物によって、局所的なエッチング速度の増加が生じ、エッチング斑や面粗度悪化が発生してしまう。 - 特許庁

To provide a processing apparatus which includes a backside etching apparatus for etching a backside of a board as a component thereof and by which the backside of the board can be subjected to a backside grinding and a backside etching efficiently.例文帳に追加

本発明は基板の背面をエッチング処理するバックサイドエッチング装置を構成要素に含む処理装置に関し、基板背面に対し実施される背面研削処理及びエッチング処理を効率よく実施することを課題とする。 - 特許庁

When the etching step is completed, before execution of the ashing step, a pressure control valve 134 provided at an exhaust port 130 of a processing room 102 is fully opened and the inside of the processing room is vacuumed for a specified time, thereby continuously executing a residual gas removal step of exhausting the etching gas remained in the processing room after the etching step, without taking out a wafer W from the inside of the processing room.例文帳に追加

エッチングステップが終了すると，アッシングステップの実行前に，処理室１０２の排気口１３０に設けられた圧力制御弁１３４を全開にして処理室内を所定時間だけ真空引きすることによって，エッチングステップ後に処理室内に残留したエッチングガスを排出する残留ガス除去ステップを，処理室内からウエハＷを搬出せずに連続して実行する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented.例文帳に追加

被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the washing effect to a substrate or the processing effect of etching rate, etc., by suppressing the temperature drop of treatment liquid, when the substrate is carried into a substrate processing part such as a processing vessel or the like.例文帳に追加

基板が処理槽などの基板処理部へ搬入された際に、処理液の温度低下を抑制させて、基板に対する洗浄効果やエッチングレート等の処理効果を向上させる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus maintaining the etching characteristics of a phosphoric acid solution for a long period of time.例文帳に追加

リン酸水溶液のエッチング特性を長時間一定に維持することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The die roll manufactured in this way has a body roll having a blade portion subjected to etching processing and a rotational shaft.例文帳に追加

このように製造されたダイロールは、エッチング処理された刃部を有する本体ロールと、回転軸とからなる。 - 特許庁

The resist pattern is transferred to the mask material layer 142 by processing the mask material layer using reactive dry etching.例文帳に追加

反応性ドライエッチングによってマスク材料を加工することにより、レジストパターンをマスク材料１４２に転写する。 - 特許庁

Thereafter, the resist mask is removed, and furthermore the sacrificial layer is removed with one part left by an etching processing.例文帳に追加

その後、レジストマスクを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層の一部を残して該犠牲層を除去する。 - 特許庁

To provide a method for performing a polish processing simply and at high speed by etching of side peripheral surface of a glass disk.例文帳に追加

ガラスディスクの側周面のエッチングによる研磨加工を簡単且つ高速に行うための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric layer etching processing method which does not damage a silicon substrate in a bottom part of a contact point opening.例文帳に追加

接点開口の底部でシリコン基板を損傷させない誘電体層エッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor chip capable of suppressing processing shape variations caused by etching in a plasma dicing method for semiconductor wafers.例文帳に追加

半導体ウェハのプラズマダイシング工法において、エッチングによる溝の加工形状のバラツキを抑制する。 - 特許庁

It is not necessary to perform mechanical processing for making the second surface finishing layer flat after etching.例文帳に追加

第二の表面仕上げ層には、エッチング後に、保護膜をさらに平坦化するための機械加工を行わなくてもよい。 - 特許庁

In etching processing, the nitrohydrofluoric acid nozzle 5 reciprocates while the nitrohydrofluoric acid is jetted from the nitrohydrofluoric acid nozzle 5.例文帳に追加

エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が往復移動される。 - 特許庁

ETCHING PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING FILM CARRIER TAPE例文帳に追加

電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理方法 - 特許庁

The thickness of the semiconductor substrate 10 is set 0.1 μm-20 μm by a processing such as cutting, grinding, and etching.例文帳に追加

半導体基板１０は、研削、研磨、エッチング等の処理によって厚みが０．１μｍ〜２０μｍとされる。 - 特許庁

To provide a surface processing method for etching the surface of a work piece until it becomes a target profile.例文帳に追加

被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。 - 特許庁

A fine processing of pitch becomes possible by forming the light scattering body 108 by etching the transparent film.例文帳に追加

また、透明な膜をエッチングして光散乱体１０８を形成することで、ピッチの微細加工が可能になる。 - 特許庁

To provide a method of subjecting a metal material of a polysilicon film lower layer to etching processing without giving damage to a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。 - 特許庁