「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve silica removal efficiency, prevent impurity accumulation and thereby return permeated water at low silica concentration to an etching bath in alkaline etching solution processing which involves extracting from the etching bath an alkaline etching solution after a silicon etching treatment and then subjecting it to membrane separation processing by membrane separation means before being circulated to the etching bath.例文帳に追加

シリコンをエッチング処理したアルカリエッチング液をエッチング槽から引き抜き、膜分離手段で膜分離処理してエッチング槽に循環するアルカリエッチング液の処理において、シリカ除去効率の向上、不純物の蓄積を防止して低シリカ濃度の透過水をエッチング槽に返送する。 - 特許庁

A first etching processing chamber 1 and a second etching processing chamber 9 which hold an airtight state are coupled via a gate valve 8.例文帳に追加

気密状態を保持する第１のエッチング処理室１と第２のエッチング処理室９とがゲートバルブ８を介して連結されている。 - 特許庁

An etching device 1 has a processing unit 2 and a control unit 3.例文帳に追加

エッチング装置１は、処理ユニット２と制御ユニット３とを有する。 - 特許庁

To provide a spin etching method capable of preventing a cleaning processing solution to an object to be subjected to spin etching processing from going round the back surface of the object.例文帳に追加

スピンエッチング処理される被処理体への洗浄処理液の裏面回り込みを防止するスピンエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor material surface processing method by which good etching can be performed to a semiconductor material surface to which no desired etching treatment can be performed by a conventional etching method, and to provide a semiconductor material to which good etching can be performed even by using the conventional etching method.例文帳に追加

従来のエッチング方法では所望のエッチング処理を施せなかった半導体材料の表面に良好なエッチングを施すことを可能とする半導体材料表面加工方法を提供する。 - 特許庁

That is, processes from processing of the conductive film to the etching by using the semiconductor etching gas are continuously performed in the same chamber and the etching by using the semiconductor etching gas is performed before removing the etching mask.例文帳に追加

すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 - 特許庁

In the plasma etching apparatus, an anode oxide film is arranged in the etching processing chamber made of aluminum alloy and between components in the etching processing chamber and a ceramics thermal spraying film superior in plasma resistance.例文帳に追加

プラズマエッチング装置において、アルミニウム合金から成るエッチング処理室及びエッチング処理室内部品と耐プラズマ性に良好なセラミックス溶射膜の間に、陽極酸化被膜を配置する。 - 特許庁

To provide an etching method capable of processing materializing a wiring according to its design without causing side etching.例文帳に追加

サイドエッチを発生させずに、設計通りの配線幅を有する加工が可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Diluting the plasma increases the etching rate and makes the etching rate more uniform across the diameter of the processing chamber.例文帳に追加

プラズマを希釈すると、エッチング速度が増大し、エッチング速度が処理チャンバの直径両端まで均一になる。 - 特許庁

At this etching time, etching processing of a dimple pattern 49 is carried out to the dummy electrode 46, whereby a plurality of dents are formed to the dummy electrode 46.例文帳に追加

このエッチングの際に、前記ダミー電極４６に対して、ディンプルパターン４９のエッチング処理を施す。 - 特許庁

CRYSTAL PROCESSING METHOD, CRYSTAL PLATE OBTAINED BY THE METHOD, AND ETCHING COMPOSITE FOR WET ETCHING OF CRYSTAL例文帳に追加

水晶加工方法、該加工方法により得られた水晶板、及び水晶のウエットエッチング用エッチング組成物 - 特許庁

To provide a plasma-processing device or a dry-etching method for etching a film structure having steps with high accuracy.例文帳に追加

段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To easily control CD in plasma etching processing.例文帳に追加

プラズマエッチング処理において、ＣＤを容易に制御できるようにすること。 - 特許庁

To provide a technique capable of effecting a uniform etching process upon applying plasma processing or etching processing, for example, on a workpiece.例文帳に追加

被処理体に対してプラズマ処理例えばエッチング処理を行うにあたり、均一なエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

MULTILAYER RESIST AND PROCESSING METHOD THEREOF, AND ETCHING METHOD USING MULTILAYER RESIST例文帳に追加

多層レジストとその加工方法及び多層レジストを用いたエッチング方法 - 特許庁

TRIMMING METHOD, TRIMMING EQUIPMENT, AND MANUFACTURING DEVICE OF ETCHING PROCESSING PRODUCT例文帳に追加

トリミング方法とトリミング装置、およびエッチング加工製品の製造装置。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which comparatively easily manages treating liquid such as etching liquid, and much more enhances the uniformity of processing such as etching.例文帳に追加

エッチング液等の処理流体の管理が比較的容易で、しかもエッチング等の処理の均一性をより高めることができるようにする。 - 特許庁

The groove 12 can be also formed by means of laser processing or etching.例文帳に追加

溝１２は、レーザ加工や、エッチングなどによって形成することもできる。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS OF SETTING GAS, ETCHING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

ガス設定方法，ガス設定装置，エッチング装置及び基板処理システム - 特許庁

ETCHING PROCESSING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

エッチング処理方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁

Etching processing is performed inside the opening 61a under an etching condition that an etching rate of the first insulating film becomes higher than those of the second insulating film and the silicon nitride film.例文帳に追加

第１の絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜及びシリコン窒化膜より高くなるエッチング条件で開口部６１ａ内にエッチング処理を施す。 - 特許庁

To obtain an etching device employing an etching pot in which etching liquid is prevented from leaking to the non-processing surface side due to a defect or a crack at the thin part of an article being processed.例文帳に追加

エッチングポットを用いるものにあって、被処理物の薄肉部分の欠陥や亀裂に起因してエッチング液が非処理面側に漏れることを防止する。 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD, ETCHING PROCESSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

表面処理方法、エッチング処理方法および電子デバイスの製造方法 - 特許庁

The groove for bending is formed by stamping, etching, or laser processing.例文帳に追加

また、折曲用溝はプレス加工、エッチング加工またはレーザ加工で形成する。 - 特許庁

Thereby, the number (N2) of target processing starts of the etching device is achieved by delivering lots of a required number of processing starts to the etching device of the posterior process.例文帳に追加

これによって後行工程のエッチング装置へ必要な着工数のロットを送り込むことにより、エッチング装置の目標着工数（Ｎ２）が実現される。 - 特許庁

Further, dry etching processing is employed for a forming means of the crystal resonator chips 10.例文帳に追加

また、水晶振動片１０の形成手段がドライエッチング加工である。 - 特許庁

The equipment for etching photomask includes a processing chamber provided with a shield above a substrate support.例文帳に追加

本装置は基板支持体上方にシールドを備えた処理チャンバを含む。 - 特許庁

SILICON-CONTAINING FILM FORMING COMPOSITION FOR ETCHING MASK, SILICON-CONTAINING FILM FOR ETCHING MASK, AND SUBSTRATE PROCESSING INTERMEDIATE AND PROCESSED SUBSTRATE PROCESSING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

エッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物、エッチングマスク用ケイ素含有膜、及び、これを用いた基板加工中間体及び被加工基板の加工方法 - 特許庁

To attain a processing of high anisotropy and low gate breakdown rate in dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにおいて高異方性、低ゲート破壊率の加工を達成する。 - 特許庁

And the overriding part 45a can be eliminated by etching processing.例文帳に追加

そして、エッチング処理により、その乗上部４５ａを除去することができる。 - 特許庁

CLEANING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS AND ETCHING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法 - 特許庁

CARRIER TAPE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING PROCESSING DEVICE THEREFOR例文帳に追加

半導体装置用テープキャリアの製造方法およびそのエッチング処理装置 - 特許庁

SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加

基板表面を選択的にエッチングするための基板処理装置及び方法 - 特許庁

After the etching processing for the spring metallic layer 1, that corrosion-resistant thin film layer is removed by etching to form the flexure blank.例文帳に追加

そして、バネ性金属層１に対するエッチング処理後に、その耐腐食性薄膜層をエッチング除去して製作される。 - 特許庁

Subsequently, in a second plasma processing, a silicon substrate 101 is subjected to a plasma etching by using an etching gas to form a trench 120.例文帳に追加

引き続き第２のプラズマ処理では、シリコン基板１０１を、エッチングガスを用いてプラズマエッチングし、トレンチ１２０を形成する。 - 特許庁

To provide an improved method and apparatus relating to ion-assisted etching processing in a plasma processing system.例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of performing fine and uniform etching processing at a high speed.例文帳に追加

微細かつ均一なエッチング加工を高速度で実施することができるプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

Processing of the film to form the recesses and projections is carried out by etching because the processing amount is easily controlled.例文帳に追加

凹凸を形成するための薄膜の加工は、加工量の調節が容易なエッチングにより行う。 - 特許庁

ETCHING SOLUTION AND PROCESSING METHOD, PROCESSING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

エッチング液、このエッチング液を用いた処理方法および処理装置、ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

To accurately measure actual thickness of a processed layer on line in plasma processing, specially plasma etching processing.例文帳に追加

プラズマ処理、特にプラズマエッチング処理において、被処理層の実際の厚さをオンラインで正確に測定する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an aluminum electrode foil for electrolytic capacitors, a cleaning process for cleaning an etching foil of each electrolytic capacitor by a cleaning liquid is performed, after an etching process for its aluminum foil and before an post-processing for forming a post-processing coating on the surface of its etching foil.例文帳に追加

アルミニウム箔に対するエッチング工程の後、エッチング箔表面に後処理皮膜を形成する後処理工程の前に、エッチング箔を洗浄液で洗浄する洗浄工程を行う。 - 特許庁

To provide a dry etching method that improves a mask selection ratio and further obtains both high selectivity and a vertical processing shape in etching processing on a silicon substrate, particularly, etching processing for fabricating a solid structure.例文帳に追加

シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the etching method, a first step performing plasma etching of an article 12 arranged in a processing chamber 5 by supplying etching gas 1 into the processing chamber, and a second step for forming a passivation layer in the etching portion of the article by supplying passivation gas 2 into the processing chamber are repeated alternately.例文帳に追加

エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

This method for processing the semiconductor wafer, wherein a chambering step, lapping step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that, in the etching step, an acid-etching is performed after an alkali etching, in which acid-etching is performed with acid-etching liquid consisting of hydrogen fluoride, nitric acid, phosphoric acid, and water.例文帳に追加

面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

The system control device 40 is stored with data on correlation between a processing condition of the etching processing and a removal amount of the pattern structure on the wafer surface by the etching processing, and sets the processing condition of the etching processing based upon the measurement result of the size of the pattern structure on the wafer surface and the data on the correlation, so that the pattern structure on the wafer surface after the etching processing has a desired size.例文帳に追加

システム制御装置４０は、エッチング処理時の処理条件とエッチング処理によるウェハ表面のパターン構造の削れ量との相関データが記憶され、ウェハ表面のパターン構造の寸法の測定結果と相関データに基づいて、エッチング処理後のウェハ表面のパターン構造が所望の寸法になるように、エッチング処理時の処理条件を設定する。 - 特許庁