「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a processing method which suppresses the damage of a photosensitive resin composition in etching.例文帳に追加

感光性樹脂組成物のエッチング時のダメージを著しく低減する加工方法を提供する。 - 特許庁

In another embodiment, the first and second etching processes are performed in the same processing chamber.例文帳に追加

他の実施形態において、第１及び第２のエッチングステップは、同じ処理チャンバで実施される。 - 特許庁

To provide a substrate processing device, capable of improving in-plane uniformity of an etching amount on a substrate to be processed when etching the substrate to be processed.例文帳に追加

被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。 - 特許庁

Here, the etching step of performing the etching processing on the stampers so that the reduction ratio of the pit height of the short pit becomes larger than that of the long pit is carried out.例文帳に追加

ここで、短ピットが長ピットよりもピット高さの縮小率が大きくなるように、スタンパに対してエッチング処理を行うエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a color filter, in which the occurrence of damage (scrap) of a support in dry etching processing and generation of an etching product are suppressed.例文帳に追加

ドライエッチング処理時の支持体ダメージ（削れ）の発生、及びエッチング生成物の発生が抑制されたカラーフィルタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that realizes a slimming processing method by plasma etching that requires no removal of resist reaction product materials by enhancing accuracy of dimensions in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程における寸法精度を向上させ、レジスト反応生成物の除去が必要でないプラズマエッチングによるスリミング処理方法を実現する。 - 特許庁

That is, the supply of the hydrofluoric acid L2 is stopped intermittently during the etching processing, the film thickness measuring process is performed and the end point of etching is detected.例文帳に追加

すなわち、エッチング処理の間、断続的にフッ酸Ｌ２の供給を停止して膜厚測定工程を行いエッチングの終点を検出する。 - 特許庁

The p-side contact layer 21 is made as a layer to be processed having a surface 61 for recovering damage formed by wet etching after processing by dry etching.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層２１は、ドライエッチングで加工したのちウェットエッチングを行うことにより形成されたダメージ回復面６１を有する被加工層となっている。 - 特許庁

In addition, the stable plasma assists in the etching of doped and undoped silicon and polysilicon substrates at substantially the same rate, while providing a clean etching processing.例文帳に追加

更に、安定プラズマにより、ドープしたのとドープしないシリコンとポリシリコン基板を実質的に同じ速度でエッチングすることが出来、清浄なエッチングプロセスを与える。 - 特許庁

To provide an etching method for vertically processing a groove or a hole by solving the occurrence of tapering-off of the groove or the hole in etching of a metal film composed of a TiN film.例文帳に追加

ＴｉＮ膜からなる金属膜のエッチングにおいて、溝または穴の先細りの発生を解決し垂直に加工するエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To improve processing accuracy in an etching treatment stage for a conductive thin film with high etching rate.例文帳に追加

エッチングレートの速い導電性薄膜のエッチング処理工程での加工精度を向上した液晶パネル基板の導電性薄膜パターニング方法および装置を提供する。 - 特許庁

After etching processing, an overcoat 55 for preventing electromigration is covered for the etching prevention overcoats, the exposed part of the electrode layer, and the magneto-resistance effect film.例文帳に追加

エッチング加工後に、エッチング防止用保護膜、電極膜の露出した部分及び磁気抵抗効果膜に対してエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５を被覆する。 - 特許庁

In the plasma-etching step, a mixed gas containing an oxygen-containing gas and a sulfur-containing and oxygen-not-containing gas is used as a processing gas (an etching gas).例文帳に追加

このプラズマエッチング工程では、処理ガス（エッチングガス）として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。 - 特許庁

The conductance of the etching gas purged from the holes 23 is reduced and a uniform concentration distribution is also achieved, thereby improving etching rate and processing uniformity.例文帳に追加

拡散孔２３から吐出されるエッチングガスのガスコンダクタンスが低減し、濃度分布も均一化されて、エッチングレート及び処理の均一性が向上する。 - 特許庁

Etching processing is carried out by radiating ion beams according to the calculated irradiation position and dose distribution while blowing etching gas toward a glass substrate 34.例文帳に追加

ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。 - 特許庁

The degradation in the throughput accompanying degradation in the etching rate is dealt with, by combining the method described above and a processing method of the high etching rate.例文帳に追加

エッチングレートの低下に伴うスループットの低下に対しては、上記の方法とエッチングレートの高い加工方法との組み合わせることで対処する。 - 特許庁

To provide a waste gas processing method for a semiconductor manufacturing device so as to inexpensively and easily remove harmful polyfluoride compound gas used for a cleaning or etching processing inside a processing chamber in a plasma CVD device and a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置における処理チャンバー内のクリーニングまたエッチング処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容易な除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方法を提供する。 - 特許庁

In this replacing operation, an etching solution is fed to a processing tank 10 via a piping 40 from a processing solution feeder 20, and an etching solution is fed to the processing tank 10 from the auxiliary tank 60.例文帳に追加

この置換操作において、処理液供給部２０からエッチング用処理液が配管４０を介して処理槽１０に供給されるのと並行して、補助槽６０からエッチング用処理液が処理槽１０に供給される。 - 特許庁

To provide a method of patterning a dielectric film which allows patterning and reduces or fully removes a residue after etching paste thermal treatment, by etching the dielectric film having such a thickness not capable of being etched in single etching paste processing through simple processing using the etching paste to form a patterned film.例文帳に追加

一度のエッチングペーストによる処理ではエッチングできない程度の厚さを有する誘電体膜を、エッチングペーストを用いた簡単な処理でエッチングしてパターニングを形成できるとともに、エッチングペーストの熱処理後に発生する残渣を低減もしくは完全に除去できる誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal film processing method with which it is possible to perform etching processing on a metal film, whose etching was impossible with a conventional cluster beam method, by using a cluster beam generated from an oxidation gas, a complexation gas, and a rare gas.例文帳に追加

従来のクラスタビーム法ではエッチングできなかった金属膜を酸化ガスと錯化ガスと希ガスとを用いたクラスタビームによりエッチング加工することが可能な金属膜の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon processing method forming a structure small in a processing dimensional error even when there is an alignment error between a crystal axis orientation and an etching mask, a silicon substrate with an etching mask, and the like.例文帳に追加

結晶軸方位とエッチングマスクとの間にアライメント誤差があっても、加工寸法誤差の少ない構造体を形成可能なシリコンの加工方法、エッチングマスク付きシリコン基板等を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus applying uniform etching processing to the main surface of a substrate by preventing or suppressing a residual etching liquid on the circumferential portion of the main surface of the substrate.例文帳に追加

基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

POST-PROCESSING AGENT OF ETCHING FOR RESIN-FORMED BODY, POST-PROCESSING METHOD USING THE SAME, AND PLATING METHOD FOR RESIN-FORMED BODY例文帳に追加

樹脂成形体に対するエッチングの後処理剤、該後処理剤を用いる後処理方法、及び樹脂成形体に対するめっき方法 - 特許庁

After the correction, photolithography processing and etching processing are carried out to form the predetermined pattern on the film to be processed on the wafer (steps S9, S10).例文帳に追加

補正後、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を行い、ウェハ上の被処理膜に所定のパターンを形成する（ステップＳ９、Ｓ１０）。 - 特許庁

Prior to the processing, a step is carried out, in which a surface of the sintered magnet obtained by liquid-phase sintering is subjected to etching processing with acid.例文帳に追加

前記処理に先立って、液相焼結により得た焼結磁石の表面を酸によりエッチング処理する工程を実施する。 - 特許庁

To provide an etching method and an imprint device capable of reducing processing steps and processing devices and forming minute vias.例文帳に追加

処理工程や処理装置を削減するとともに微細なビア形成を可能とするエッチング方法およびインプリント装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which endpoint detection can be conducted accurately even in short etching for processing a thin film by multiple conditions.例文帳に追加

薄膜を複数条件で処理する短いエッチングにおいても正確に終点検出を実施できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for dry etching that can improve etching efficiency at the time when dry etching of resist is performed, can improve working efficiency by shortening an etching time, and can prevent the damage of a processing object and the deterioration of its properties.例文帳に追加

レジストをドライエッチングする際のエッチング効率を向上させることができ、エッチング時間を短縮して作業効率を向上させ、被処理物が損傷したり特性が劣化することを抑制することができるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

When burr removing processing such as etching burr removing processing, electrolytic burr removing processing is performed for burr caused in a carriage by machining, a peripheral edge inside part of a swage hole of a fin droops.例文帳に追加

機械加工によりキャリッジに生じたバリをエッチングバリ取り処理、電解バリ取り処理等のバリ取り処理によりすると、フィンのスエッジホールの周縁内側部分がだれる。 - 特許庁

The processing unit is a wet etching unit 14 using a chemical liquid capable of dissolving the native oxide of the metal or a dry etching unit 206 using a gas capable of reducing or etching the native oxide of the metal.例文帳に追加

処理ユニットは、金属の自然酸化膜を溶解可能な薬液を用いたウェットエッチングユニット１４、あるいは、金属の自然酸化膜を還元可能またはエッチング可能なガスを用いたドライエッチングユニット２０６とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for processing plasma capable of continuously etching source and drain electrodes and a doped layer at a high etching rate and with little damage to the middle of a channel layer in the same etching chamber.例文帳に追加

連続して同一のエッチング室にてソース及びドレイン電極とドーピング層をエッチングし、チャンネル層の途中まで高速に、かつ、低ダメージにてエッチングすることが可能な、プラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

When a plurality of identical objects to be processed are processed by the identical dry etching devices 1 and 2, respectively, a data processing unit 7 detects etching time, respectively required for dry etching by both devices 1 and 2.例文帳に追加

この発明は、同一の複数の被処理物を、同一のドライエッチング装置１、２でそれぞれ処理する際に、データ処理部７が、その両装置１、２のドライエッチングに要するエッチング時間をそれぞれ検出する。 - 特許庁

To provide an inorganic material surface etching method by which the number of processes is reduced and fine processing is carried out.例文帳に追加

工程数を少なくでき微細な加工も可能な、無機表面エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Etching processing is executed for an Al foil 11 to form an amorphous structure on at least a lower surface.例文帳に追加

Ａｌ箔１１に対してエッチング処理を行うことにより、少なくとも下面を多孔質構造にする。 - 特許庁

To provide a composition for cleaning removing a residue caused by selective etching and to provide a processing method.例文帳に追加

選択的なエッチングから生じる残留物を除去する洗浄用組成物と処理方法の提供。 - 特許庁

In an etching method for a film being the target of etching made on a substrate arranged within a processing chamber, the processing gas introduced into an air-tight processing chamber 104 consists of CF4, N2, and Ar, and the film being the target of etching consists of an upper organic polysiloxane film and a lower organic SiO2 film.例文帳に追加

気密な処理室１０４内に処理ガスを導入し，処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において，処理ガスはＣＦ_４とＮ_２とＡｒとからなり，エッチング対象膜は，上層の有機ポリシロキサン膜及び下層の無機ＳｉＯ_２膜からなる。 - 特許庁

The surface of the parting-material thin film 2 can be formed in an irregular shape by etching, blast processing or the like.例文帳に追加

離型材薄膜２表面は、エッチングやブラスト処理等により凹凸状にすることもできる。 - 特許庁

Recessed shape processing (recess-shaped sputter etching) using a converged ion beam is carried out along the width of the supercondcutvie film 210.例文帳に追加

超電導膜２１０の幅方向に集束イオンビームによる凹形加工（凹形スパッタエッチング）を行う。 - 特許庁

The substrate processing apparatus, for example, for etching a wafer has a functional module, such as an orienter 4.例文帳に追加

ウエハにエッチング等の処理を行う基板処理装置は、例えばオリエンタ４等の機能モジュールを備えている。 - 特許庁

A processing gas including hydrogen fluoride and water is brought into contact with the object 90 to be processed to carry out etching.例文帳に追加

フッ化水素及び水を含む処理ガスを被処理物９０に接触させてエッチングを行なう。 - 特許庁

To easily manufacture an optical fiber for mode coupling without requiring processing of removing a clad by etching or the like.例文帳に追加

エッチング等によりクラッドを除去する加工を要さずにモード結合用光ファイバを容易に製造する。 - 特許庁

To provide a dry etching method that has very small lateral roughness and brings about high perpendicular processing accuracy.例文帳に追加

側壁ラフネスが極めて小さく、かつ高い垂直加工精度が得られるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device for efficiently washing or etching the upper and lower faces of a substrate.例文帳に追加

基板の上部面と下部面を効率的に洗浄またはエッチングできる基板加工装置を提供する。 - 特許庁

To improve peeling property of etching residue, shorten the processing time and reduce the amount of use of the peeling solution.例文帳に追加

エッチング残渣の剥離性の向上、処理時間の短縮、及び剥離液使用量の低減を図る。 - 特許庁

To provide an etching monitoring device that suitably adjusts a measurement position not through image processing.例文帳に追加

画像処理によらず、測定位置を適切に調整することができるエッチングモニタリング装置を提供する。 - 特許庁