「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an improved wafer processing apparatus that exhibits excellent resistance to fluorine etching, less backside particle generation, and less contamination of the wafer process.例文帳に追加

フッ素エッチング耐性に優れ、裏側粒子発生が低減し、かつウェーハプロセスの汚染の少ない改良型ウェーハ加工装置の提供。 - 特許庁

The hydrofluoric acid vapor is supplied to the plurality of substrates W in the basket 5 with such an air flow and etching processing is carried on.例文帳に追加

このような気流によってフッ酸蒸気がバスケット５内部の複数の基板Ｗに供給され、エッチング処理が進行する。 - 特許庁

This channel-constituting part and the reflection-preventing structure are formed by one process using a wet etching method by simultaneous processing of both surfaces.例文帳に追加

この流路構成部および反射防止構造は、ウエットエッチング法を用いた一つの工程で両面の同時加工により形成される。 - 特許庁

Thus, the liquid at the surface of the laminate to be processed is kept in a uniformly renewed state to permit etching processing of polyimide with high accuracy.例文帳に追加

これらにより、積層体加工面の液更新状態の均一化を図られ、高精度にてポリイミドエッチング加工を行うことが出来る。 - 特許庁

To provide a fabrication method of a semiconductor element capable of processing a shape of different etching depth easily in the same wafer surface.例文帳に追加

同一ウエハ面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

In addition to the main gas nozzle 13, a gas supplement nozzle 152 is provided for supplementing etching gas in the middle of the substrate processing region 203.例文帳に追加

このメインガスノズル１３に加えて、基板処理領域２０３の途中からエッチングガスを補給するガス補充ノズル１５２を設ける。 - 特許庁

To provide a dry processing device which is small in storage of charge and at the same time fast in reaction speed, and is suitable for etching and ashing treatment, or the like.例文帳に追加

電荷の蓄積が少なくかつ反応速度が速い、エッチング処理やアッシング処理等に適したドライプロセッシング装置を提供する。 - 特許庁

The separated etching gas is circulated to the processing chamber 11, via a circulating/accumulating mean 60 and a flow path control part 71 for reuse.例文帳に追加

分離されたエッチングガスは、循環・蓄積手段６０、流路制御部７１を経て処理室１１に循環させて再利用する。 - 特許庁

To prevent depositions from sticking on a gate valve communicating with a processing chamber of a plasma etching apparatus, etc., and prevent valve leakage and the generation of particles.例文帳に追加

プラズマエッチング装置等の処理チャンバにつながるゲートバルブでのデポ付着を防止し、バルブリーク及びパーティクル発生の防止を図る。 - 特許庁

An etching apparatus 100 has a lower and upper electrodes 106, 108 arranged opposed in a processing chamber 102.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内には，ウェハＷを載置する下部電極１０６と上部電極１０８が対向配置される。 - 特許庁

The impurity removal filter 114 removes impurities (water content, etching residue or particle or the like) included in the processing liquid.例文帳に追加

不純物除去フィルタ１１４においては、処理液中に含まれる不純物（例えば、水分、エッチング残渣またはパーティクル等）が除去される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element, capable of easily peeling a growth substrate by wet etching processing.例文帳に追加

成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The DI device 16 exposes a work board 20 directly to an image based upon the image data and performs development, and a DES device 18 performs etching processing.例文帳に追加

ＤＩ装置１６は、イメージデータにより直接ワークボード２０に画像を露光し現像し、ＤＥＳ装置１８でエッチング処理する。 - 特許庁

Thus, it is possible to adjust characteristics by performing etching processing to the vibrating electrodes for the crystal vibration plate configured as mentioned above.例文帳に追加

以上の構成の水晶振動板に対し、励振電極に対してエッチング処理を行うことにより特性の調整を行う。 - 特許庁

In the case of gate processing, a silicon nitride film 8 is laminated thereon as a hard mask, so as to dig the respective layers by dry etching.例文帳に追加

ゲート加工時には、その上部にハードマスクとしてシリコン窒化膜８を積層し、ドライエッチングで、上記の各層をエッチングして掘り下げる。 - 特許庁

An etching processing using vapor hydrofluoric acid is executed and a TEOS oxide film 11 comprising the prescribed concentration of impurity is selectively removed.例文帳に追加

気相フッ酸を用いたエッチング処理を行い、不純物を所定の濃度で含んだＴＥＯＳ酸化膜１１を選択的に除去する。 - 特許庁

The silicon wafer 62 has a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single-wafer processing etching.例文帳に追加

シリコンウェーハ６２は、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたものである。 - 特許庁

To provide a means for controlling the temperature of a semiconductor wafer at a high speed and uniformly in-plane, in etching processing at a largely applied heat.例文帳に追加

大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching processing method capable of reducing a work defect in the terminal edge of a large diameter wafer and raising production yield.例文帳に追加

大口径ウエハの最エッジ部での加工不良を低減し、生産歩留まりを向上できるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

Each processing in an application and development unit SC, an exposure apparatus 16, a post-exposure heat treatment unit, a developing processing unit SD and an etching portion 17 is performed to form a pattern on a substrate W.例文帳に追加

塗布処理ユニットＳＣと露光機１６と露光後熱処理ユニットと現像処理ユニットＳＤとエッチング部１７とにおける各処理を行い、基板Ｗにパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a substrate surface processing apparatus capable of suppressing degradation of an etching speed due to stay of a low-concentration medical solution, in a substrate surface processing apparatus of a horizontal transport method.例文帳に追加

水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。 - 特許庁

To provide a small, low-cost stage cooling mechanism for a plasma processing apparatus, which performs such plasma processing as filming or dry-etching a substrate that is an object to be processed.例文帳に追加

本発明は被処理物である基板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを行うプラズマプロセス用装置に関し、ステージ冷却機構の小型化及び低コスト化を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide substrate processing equipment and method capable of removing unnecessary matters from the peripheral portion on the surface of a substrate by etching while controlling the peripheral etching width accurately over the entire circumferential surface.例文帳に追加

周縁エッチング幅を正確に、しかも周面全体にわたって均一に制御しながら基板の表面周縁部から不要物をエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of preventing deterioration in an etching selection ratio in etching treatment, and reducing roughness of a pattern edge in a substrate in which a wiring pattern of photoresist is formed in a photolithographic process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程によりフォトレジストの配線パターン形成がなされる基板おいて、エッチング処理でのエッチング選択比の低下を抑制し、パターンエッジのラフネスを低減することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Process window can be expanded dramatically by using these etching agents, and such processing as requiring a low side etching rate and a high aspect ratio can be accommodated without relying upon a special excitation operation of a substrate, or the like.例文帳に追加

これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 - 特許庁

A dry etching apparatus 11 includes a coil 36 for generating a plasma in a vacuum container 12, and a camera 45 which photoes the image of the surface to be etched of the substrate (1) which generates the plasma and is under processing by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング装置１１は、真空容器１２内にプラズマを発生させるコイル３６と、プラズマが発生してドライエッチングにより加工中である基板（１）の被エッチング面の画像を撮影するカメラ４５を備える。 - 特許庁

To provide a method of processing a high dielectric material wherein selectivity to a resist is increased, etching whose depth is at least 1.0 μm is ensured, and an etching rate is increased and a machining time can be shortened.例文帳に追加

対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。 - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

The etching processing method of the piezoelectric wafer forms a mask 18 with an opening 16 on an one face 12 of the piezoelectric wafer and another face 14, carries out etching of the opening 16, and forms a through-hole.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

To provide a method by which a fine pattern having partially different etching resistance can be easily formed by a lithographic method using electron beams and two-step processing can be performed in one etching treatment.例文帳に追加

電子線を用いるリソグラフィー法により、部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターンを容易に形成することができ、１回のエッチング処理により、２段ステップ加工を行いうる方法を提供する。 - 特許庁

In the second etching process, after measuring the intensities of the light component having the selected wavelength among the wavelengths of the lights emitted from the activated species present in the processing chamber, the etching is stopped, based on a change of the intensity of the light component.例文帳に追加

第２エッチング工程では、処理室内に存在する活性種から生じた光のうち、選択された波長を有する光成分の強度を測定し、その強度の変化に基づいてエッチングを停止する。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method which controls usage of highly corrosive processing gas, and forms a pattern of a desired shape with high precision, and to provide a plasma-etching apparatus and a computer storage medium.例文帳に追加

腐食性の高い処理ガスの使用を抑制することができるとともに、所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can shorten the etching time by equalizing the temperature of semiconductor wafers to attain uniform etching within a semiconductor wafer plane and by improving the temperature response of an electrostatic attracting electrode.例文帳に追加

半導体ウェハの温度を均一にして、エッチング特性を半導体ウェハ面内で均一にし、また、静電吸着電極の温度レスポンスを向上させて、エッチング時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This etching method for etching an org. film layer, formed on a wafer in a hermetic processing chamber with a process gas fed into the process chamber, uses a processing gas contg.例文帳に追加

気密な処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に配置されたウェハＷに形成された有機膜層に対するエッチング方法において，処理ガスはＮ_２とＨ_２とを含み，真空処理室内の圧力は実質的に５００ｍＴｏｒｒ〜８００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a processing method having sufficient etching resistance and capable of closely transferring a formed pattern formed by self-organization and obtain a formed body in a fine processing technology using an etching mask formed by self-organization of a block copolymer.例文帳に追加

ブロックコポリマーの自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、十分なエッチング耐性を有し、しかも自己組織化により形成されるパターンを忠実に転写することができる加工方法及び成形体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The inner wall of an reactor is heated up to optimal temperature by plasma discharging prior to etching processing, and while taking a period of etching operation stoppage (idling) into account, the generation of plasma 402 is intermittently repeated during idling, so as to keep the surface temperature of inner wall of a vacuum processing chamber.例文帳に追加

エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。 - 特許庁

To solve the problem, dry etching using mixed gas with the combination containing gas with chloride gas and nitrogen as etching gas and that not containing hydrogen oxygen is performed, and then nitride film passivation processing is performed after direct surface processing or that with a nitrogen gas plasma.例文帳に追加

上記課題を解決するため，エッチングガスとして塩素系ガスと窒素を含有するガスで且つ水素および酸素を含有しない組み合わせの混合ガスを用いたドライエッチングを行い，直接もしくは窒素ガスプラズマによる表面処理後，窒化膜パッシベーション処理を行う。 - 特許庁

To provide the method of processing a substrate which can remove chlorine efficiently and certainly without adding a chamber dedicated to removing remained chlorine on the substrate to an apparatus for processing the substrate which performs substrate processing such as dry etching using chlorine-based gas.例文帳に追加

ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate peripheral processing device and a substrate peripheral processing method which can achieve properly etch-remove a copper film from the substrate peripheral portion corresponding to states of an etching solution and to provide a substrate peripheral processing device and a method which do not need to prepare a plurality of recipes corresponding to the thickness of the copper thin films.例文帳に追加

エッチング液の状態に応じた適切な処理を行って、基板の周縁部の銅膜を良好にエッチング除去することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁

Then processing using a pattern on the resist film as a mask (e.g. etching processing using the pattern on the resist film as the mask and an ion injection processing using the pattern on the resist film as the mask) is applied to the wafer on which the resist film having the rugged surface is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜の表面に凹凸が形成されたウエハは、レジスト膜のパターンをマスクとした処理（たとえば、レジスト膜のパターンをマスクとするエッチング処理、レジスト膜のパターンをマスクとするイオン注入処理）を受ける。 - 特許庁

When specified processing, e.g. etching, is performed using a specified processing liquid of alkaline solution, for example, onto a substrate at least the surface part of which is composed of silicon or a silicon oxide, the specified processing is performed by immersing the substrate into a processing bath filled with the processing liquid and applying a specified voltage to the substrate immersed into the processing bath.例文帳に追加

少なくとも表面部がシリコン又はシリコン酸化物からなる基板に対して、例えばアルカリ溶液である所定の処理液を用いて例えばエッチングなどの所定の処理を行う際に、処理液が満たされた処理浴に基板を浸漬して所定の処理を行うと共に、この処理浴中に浸漬された基板に所定の電圧を印加する構成とする。 - 特許庁

To provide an efficient processing method and its device that realize uniform processing without bluntness of the pattern border area and can perform plural pattern processing at the same time in implementing deposition processing or etching processing of prescribed patterns using the focusing ion beam device.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、パターン境界領域の鈍りが出ない均一な加工を実現し、複数のパターン加工を同時に実行出来る効率的な加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

To provide an etching method for uniform processing with a proper yield, a manufacturing method for a device, and to provide a manufacturing method for a piezoelectric device.例文帳に追加

歩留まりよく均一に加工することができるエッチング方法、デバイスの製造方法および圧電体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reference table 20 wherein an actual step difference measured groove 21 is provided is prepared on a placement table 12 within a processing chamber 11 as a dry-etching device.例文帳に追加

ドライエッチング装置としての処理室１１内の載置台１２に、実段差測定済みの溝２１が設けられた基準盤２０が準備される。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus capable of controlling edge etching width of a wafer accurately and uniformly over the full periphery of the wafer.例文帳に追加

基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁