「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a fine etching mask which can equalize and thin the residue thickness of a pattern transfer layer after transformation in a transfer layer, and having an equalized thickness after an etching process, in a method of manufacturing a fine etching mask by pattern transfer to a processed material, and to provide an exposure processing apparatus.例文帳に追加

被加工材上へのパターン転写による微細エッチングマスクの製造方法において、転写後のパターン転写層の残渣厚みを転写層内で均一且つ薄膜にすることができ、しかもエッチング処理後の厚さが均一な微細エッチングマスクの製造方法及びそれに用いる露光処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching protective material, along with a manufacturing method of a device substrate that uses the material, which provides by a method of simple and low cost, all of high resistance with respect to an etchant (alkaline and acid), heat resistance during processing, proper adhesion to a wafer applied with etching process, and ease in removing, after etching process.例文帳に追加

簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a method for processing the semiconductor wafer, wherein a planarizing step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that the etching step is performed as above and, in the mirror surface polishing step, a back side polishing step is performed after the acid-etching, and then a surface polishing step is performed.例文帳に追加

および平坦化工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程は上記のように行い、鏡面研磨工程は前記酸エッチング後、裏面研磨工程を行ない、その後表面研磨工程を行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of processing the solid layer by a resist composition, or the like; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をレジスト組成物等で処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To provide, by an easy and inexpensive method, an etching protective material having all of excellent durability against an etchant (alkali and acid), heat resistance in processing, excellent adhesiveness to a wafer subjected to an etching treatment, and removability after the etching treatment; and to provide a method of manufacturing a device substrate using the same.例文帳に追加

簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Film forming (forming) of a thin film by etching-processing, ashing-processing, and a plasma CVD-processing the subject to be treated or a surface of the subject to be treated is achieved by moving a relative position of the first and second electrodes and the subject to be treated.例文帳に追加

そして、前記第１及び前記第２の電極と、前記被処理物との相対位置を移動して、前記被処理物又は前記被処理物の表面にエッチング処理、アッシング処理、プラズマＣＶＤ法による薄膜の成膜（形成）を行う。 - 特許庁

The manufacturing device etches the fine particles and a part of the surface processing layer with a first etching gas chemically reactive with the fine particles and the surface processing layer so as to form the surface processing layer in the shape of islands and exposes a part of a surface of the mask layer.例文帳に追加

そして、製造装置は、微粒子と表面加工層とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、微粒子と、表面加工層の一部をエッチングして表面加工層を島状に形成し、マスク層の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

An activation thermal processing parameter may be calculated instead of the injection parameter, and the thickness of the alteration layer may be estimated from dry-etching conditions (S107).例文帳に追加

注入パラメータの代わりに活性化熱処理パラメータを算出してもよく、変質層の厚さをドライエッチング条件から推定（Ｓ１０７）してもよい。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus capable of efficiently removing chemicals after supplying the chemicals such as etching liquid to the under surface of a substrate to be processed.例文帳に追加

被処理基板の下面にエッチング液などの薬液を供給した後、この薬液を効率的に除去することが可能な液処理装置等を提供する。 - 特許庁

To detect abnormality in a process having a critical effect on a workpiece, e.g. an abnormal rate in processing, in parallel with an etching work.例文帳に追加

加工処理中のレート異常などのように、被処理物に重大な影響をもたらす虞のある（プロセスの）異常を、エッチング加工作業と併行して検出する。 - 特許庁

To provide a method of etching on a processing platform (e.g. a cluster tool) in which robust pre-etch and post-etch data may be obtained in-situ.例文帳に追加

本発明は、粗いエッチング前及びエッチング後のデータがその場所で得られる処理台(例えば、クラスターツール)においてエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

Pressure in a processing chamber 102 of an etching system 100 is detected by means of first and second pressure sensors 132, 134 having different pressure detection ranges.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内の圧力は，圧力検出範囲が異なる第１および第２圧力センサ１３２，１３４により検出される。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a chamber (etching processing chamber) capable of stopping production of particles (foreign matter) when particles not smaller than 2.0 μm are produced.例文帳に追加

２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

In the stencil mask manufacturing method, a plurality of thin films are laminated, and patterning is performed by etching processing for each of the thin films.例文帳に追加

本発明のステンシルマスク製造方法は、薄膜を複数積層し、それぞれの薄膜についてエッチング加工によるパターン形成を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a fabrication method of a semiconductor element capable of processing a shape of different etching depth easily in the same surface by suppressing surface irregularities.例文帳に追加

表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The mounting section 16 where the wafer frame F is fed is moved above the processing tank 40 of the etching section 14, and the wafer W is mounted on the mounting section 16 at this position.例文帳に追加

ウェーハフレームＦが供給されたマウント部１６は、エッチング部１４の処理槽４０の上方に移動し、この位置でウェーハＷをマウントする。 - 特許庁

A helicon-wave plasma etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 to etch a wafer 50 by plasma, wherein a stage 3 is provided.例文帳に追加

ヘリコン波プラズマエッチング装置１では、ウェハ５０にプラズマエッチング処理を施すための処理室２が設けられ、その処理室２内にステージ部３が配設されている。 - 特許庁

More specifically, a storage section 850 stores a plurality of recipes describing different processing procedures and a target value as a control value in applying etching process.例文帳に追加

具体的には、記憶部８５０は、異なる処理手順が示された複数のレシピとエッチング処理するときの制御値となる目標値を記憶する。 - 特許庁

An etching processing end point detection means 40 positions a fiber part 43c, at a measuring position on the surface of a substrate W by an attaching/detaching mechanism 40.例文帳に追加

エッチング処理の終点検出手段４０は、接離機構４９によりファイバー部４３ｃを基板Ｗ表面上の測定位置に位置させる。 - 特許庁

The method for producing a carbon nanotube comprises preparing a substrate (S10), applying a mirror surface processing to the surface of the substrate (S20), and etching the surface of the substrate (S30).例文帳に追加

基板を用意し（Ｓ１０）、この基板の表面に鏡面加工処理を施し（Ｓ２０）、さらに基板の表面にエッチング処理を施す（Ｓ３０）。 - 特許庁

In vapor-phase etching processing, no surface tension of a liquid phase acts between adjacent substrates W, which are prevented from sticking to each other.例文帳に追加

気相エッチング処理であれば隣接する基板Ｗ間に液相の表面張力が作用することは無く、それらが付着することが防止される。 - 特許庁

To provide a crystal vibration piece which is mounted with a high mounting strength while preventing deterioration in vibration characteristics even if the outer shape is formed using etching processing.例文帳に追加

エッチング加工を利用して外形形成した場合であっても、振動特性の低下を抑制しながら高い実装強度で実装を行えること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of compatibly preventing a dielectric window from being fogged and obtaining stability of an etching rate of a workpiece.例文帳に追加

誘電体窓の曇り防止と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of readily processing shapes which differ in etching depth within the same surface, while suppressing surface unevenness.例文帳に追加

表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法すること。 - 特許庁

When the control unit 3 determines that the warpage disappeared from the substrate W, the control unit 3 stops supply of the etching liquid from the processing liquid supply pipe 40.例文帳に追加

制御部３が基板Ｗの反りがなくなったと判断した場合、制御部３は処理液供給管４０からのエッチング液の供給を停止する。 - 特許庁

Emission intensity of plasma in the processing unit is acquired by an OES detector 21, and an etching controller 31 determines a regression equation by nonlinear regression analysis.例文帳に追加

処理ユニット内のプラズマの発光強度は、ＯＥＳ検出器２１で取得され、エッチング制御装置３１が非線形回帰分析して回帰式を決定する。 - 特許庁

The manufacturing device etches the exposed substrate and the surface processing layer in the shape of islands d with the first etching gas so as to form a predetermined irregular pattern on the substrate.例文帳に追加

そして、製造装置は、第一のエッチングガスで、露出した基板と島状の表面加工層とをエッチングし、所定の凹凸パターンを基板に形成する。 - 特許庁

Thus, gas exhaustion can be conducted uniformly without bias, and a compact apparatus for plasma processing can be realized, while the uniformity of etching distribution is assured.例文帳に追加

これにより、ガス排気を偏りなく均一に行うことができ、エッチング分布の均一化を確保しつつコンパクトなプラズマ処理装置を実現することができる。 - 特許庁

The insulator, comprising one or more insulation unit layer and being etched by a wet process, is subjected to plasma processing following wet etching.例文帳に追加

ウェットプロセスによってエッチング可能な、一層以上の絶縁ユニット層を積層した絶縁体が、ウエットエッチングされた後にプラズマ処理されて得られた絶縁体である。 - 特許庁

To at least the spherical titanium powder thermally sprayed layer, an etching treatment S4 is applied after grinding or cutting processing, and then a plating treatment S5 is applied.例文帳に追加

さらに、少なくとも球状チタン粉末溶射層には、研削加工又は切削加工後にエッチング処理Ｓ４が施され、次いで、メッキ処理Ｓ５が施される。 - 特許庁

An etching mask for forming a pattern of a processing target layer such as a conductive layer and a semiconductor layer is produced without using a lithographic technique employing a photoresist.例文帳に追加

導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。 - 特許庁

To increase the etching resistance of a mask material to precisely pattern a processed film with good processing precision when a semiconductor device is manufactured.例文帳に追加

半導体装置の製造等の場合、被加工膜に加工精度良くパターンを形成する上では、マスク材のエッチング耐性を高めることが重要になる。 - 特許庁

To provide a processing apparatus and a product manufacturing method for continuously and accurately monitoring a composition of a fluid such as a plating liquid, an etching liquid, etc. by using a simple method.例文帳に追加

めっき液やエッチング液といった流体の組成を簡単な方法で常時的確に監視できる処理装置および製品製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an inkjet type recording head and its diaphragm by which the diaphragm can be obtained highly accurately and at a low cost in comparison with a conventional etching processing.例文帳に追加

従来のエッチング加工に比べて振動板が高精度かつ安価に得られるインクジェット式記録ヘッド及びその振動板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To give a resist pattern an excellent etching resistance, concerning the method of forming a minute pattern including a new processing method for a resist pattern.例文帳に追加

本発明はレジストパターンの新規な処理方法を含む微細パターン形成方法に関し、レジストパターンに優れたエッチング耐性を与えることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for etching silicon by which the surface of a silicon wafer is capable of being processed with a simple method, and the cost for processing the surface of a silicon wafer is reduced.例文帳に追加

簡易な方法によってシリコンウェーハ表面を加工することができるようにし、シリコンウェーハ表面を加工するためのコストを低減する。 - 特許庁

This processing depth measuring device is equipped with an etching vessel 7, a laser transmitter 1, a light receiving part 2, a control part 3, a light lead-in part 4 and a light lead-out part 5.例文帳に追加

加工深さ測定装置は、エッチング槽７、レーザ発信器１、受光部２、制御部３、光導入部４および光導出部５を備えている。 - 特許庁

To realize a semiconductor storage having a three-dimensional structure of capacitors wherein the capacitors are separated electrically from each other without any process of processing finely their Pt lower electrodes by dry etching, etc.例文帳に追加

ドライエッチング等によってPt下部電極を微細加工する工程なしで、キャパシタ間が電気的に分離された立体構造キャパシタを実現すること。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a post-treatment method which can prevent etching not only in a processing chamber, but also surely in a carrier system.例文帳に追加

処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, recesses 65 and 67 are formed by etching processing on the surface opposite to the overcoat 55 set at the end by the side of the magneto-resistance effect film of the electrode layer.例文帳に追加

これにより、電極膜の磁気抵抗効果膜側の端部における、保護膜５５と対向する面には、エッチング加工された凹部６５、６７が形成される。 - 特許庁

To eliminate the need to use an organic masking layer solvent, and to etch a portion of an insulating layer after a plasma metal etching step, in a metal etch processing sequence.例文帳に追加

金属エッチング処理工程は、有機マスキング層溶媒を用いることを省き、プラズマ金属エッチング工程の後に絶縁層６８，８１の一部をエッチングする。 - 特許庁

To prevent damage of an electrooptical element during etching processing for thinning a glass substrate when a plurality of electrooptical elements are taken from a mother board and formed.例文帳に追加

母基板から電気光学素子を多面取りして形成する際に、ガラス基板薄肉化のエッチング処理時に、電気光学素子が損傷を受けるのを防止する。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements that do not cause side etching, in a phase change device manufacturing step.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

A computer processing system detects etching depths formed in the surface of the wafer W based on spectrum signals outputted from the infrared spectroscope 5.例文帳に追加

この赤外分光器５が出力するスペクトル信号に基づき、コンピュータ処理システムは、ウエハＷの表面に形成されたエッチング溝の深さを検出する。 - 特許庁

To improve processing accuracy of a semiconductor device manufacturing method by specifying a hydrogen concentration to control an etching rate in pyrolysis using hydrogen.例文帳に追加

水素を用いた熱分解において、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置の製造方法の加工精度を向上させる。 - 特許庁