「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing method by which the quantity of etching of each substrate can be grasped, and to provide a method of manufacturing liquid crystal display device.例文帳に追加

本発明は、個々の基板のエッチング量を容易に把握することができる基板処理方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for manufacturing semiconductor elements in which the shape of an insulating window is improved so as to correspond to the density of a plasma formed within a processing chamber.例文帳に追加

工程チャンバー内に形成されるプラズマの密度に対応して絶縁窓の形状を改善した半導体素子製造用乾式エッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of compatibly achieving removal of a reaction product deposited on a dielectric window and obtaining stability of an etching rate of a workpiece.例文帳に追加

誘電体窓に堆積する反応生成物の除去と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that has excellent plasma generation efficiency, a high etching speed and high throughput for input power of high-frequency electric power.例文帳に追加

高周波電力の入力パワーに対して、プラズマ発生効率が良好で、エッチング速度が早く、スループットが高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Prior to a replacing operation, an etching solution (second processing solution) is compounded as high in concentration as prescribed in the compounding tank of a compounding section 62 and previously reserved.例文帳に追加

置換操作に先立って、エッチング用処理液（第２の処理液）が調合部６２の調合槽ＣＢ内で所定の濃度に調合されるとともに、予め貯留される。 - 特許庁

To allow a product such as a thin substrate to withstand processing and handling and allow work to be easily performed, in an existing etching process.例文帳に追加

既存のエッチング処理する工程において、薄物基板等の製品が処理及び取り扱いに耐えられるようにするとともに、簡易的に作業を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a micro-device which can perform a desired fine processing by carrying out anisotropic etching to a substrate, and to provide a method for manufacturing a liquid jetting head.例文帳に追加

基板を異方性エッチングすることによって、所望の微細加工を行うことができるマイクロデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method that does not deteriorate a processing shape of an aluminum film containing copper, which is wiring, and can suppress occurrence of copper residues.例文帳に追加

配線である銅含有アルミニウム膜の加工形状を劣化させることなく、かつ銅の残さ発生の抑制可能なドライエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁

Based on the measurement result of the plasma density information, plasma processing of etching or the like is easily and appropriately controlled by an electric power control part 4 for generation.例文帳に追加

そのプラズマ密度情報の測定結果に基づいて、生成用電力制御部４によってエッチング等のプラズマ処理を容易にかつ適切に制御することができる。 - 特許庁

Another example includes a method for processing a wafer in a plasma environment, pre-loading a reactive gaseous flow and previously preventing the erosion of a wafer mask or an etching stop layer.例文帳に追加

他の実施例は、プラズマ環境においてウエハを処理し、反応性気体流を事前ロードしてウエハマスクまたはエッチングストップ層の浸食を防ぐ方法を含む。 - 特許庁

To provide a method for etching processing of magnetic material by which a magnetic material that can further suppress the electric current flowing through a side wall material, and so on.例文帳に追加

側壁物を通じて流れる電流をより抑えることができる磁性体を加工することを可能にする磁性体のエッチング加工方法等を提供する。 - 特許庁

To achieve a higher sensitivity (higher accuracy) and a long-time continuous stable operation of a monitor for monitoring an etched amount or a remaining quantity of etching of the plane of a workpiece in a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の被加工試料面のエッチング量またはエッチング残量モニタの高感度化（高精度化）と長期連続安定動作を両立して可能とする。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.例文帳に追加

スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing system, in which a wafer can be dried surely, after removing reaction products originating from a resist and produced through dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによって生じたレジストに由来する反応生成物の除去処理後に基板を確実に乾燥することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an exposure device capable of rapidly reducing a processing conversion difference even when an etching characteristic varies, and to provide a method of manufacturing an electronic device.例文帳に追加

本発明は、エッチング特性が変動した場合であっても加工変換差の迅速な低減を図ることができる露光装置および電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then opening part processing is carried out for a flattening film 64 and a protective insulating film 62, and surface products of titanium as an upper most layer is removed with a surface etching solution.例文帳に追加

その後に平坦化膜６４と保護絶縁膜６２の開口部処理が行われ、表面エッチング液によって最上層のチタンの表面生成物が除去される。 - 特許庁

To provide a fine grid manufacturing method where the surface of a base material is not oxidized even when a metal pattern film is formed on the base material, and consequently, etching processing is not affected.例文帳に追加

金属製のパターン膜を基材上に形成しても、基材表面が酸化されずエッチング加工に影響を及ぼさない微細格子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a color selection electrode element body and a manufacturing method a color selection electrode capable of improving a processing accuracy through shortening of an etching time and productivity improvement.例文帳に追加

エッチング時間の短縮により、生産性を改善し、加工精度を向上することができる色選別電極素体及び色選別電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

As the substrate 11 and the sealing substrate 17 having desired thickness are used from the beginning, processing of the thickness direction by chemical etching and mechanical polishing etc. becomes unnecessary.例文帳に追加

当初より所望の厚みを有する基板１１および封止基板１７を用いることができ、化学エッチングや機械研磨などによる厚み方向の加工が不要となる。 - 特許庁

Consequently, even when etching processing is carried out for a long time, the electrodes 4b below the protective film 7a are not damaged since the protective film 7a functions as the stop layer.例文帳に追加

このように長時間エッチング処理されても、保護膜７ａがストップ層として機能するので、保護膜７ａの下層の電極４ｂが損傷を受けることはない。 - 特許庁

Finally, the surface of the sapphire substrate 2 exposed along the scheduled division line 21 by the etching is subjected to cutting processing to obtain many LED device chips 1A.例文帳に追加

最後に、エッチング処理によって分割予定ライン２１に沿って露出したサファイア基板２の表面に切削加工を施し、多数のＬＥＤデバイスチップ１Ａを得る。 - 特許庁

A patterning processing using plasma etching is performed on the conduction layer, and the conduction path is formed in a state where the conductive layer is electrically connected to the semiconductor substrate via the through part.例文帳に追加

導電層が貫通部を経て半導体基板に電気的に接続された状態で、導電層にプラズマエッチングを用いたパターニング処理を施して導電路を形成する。 - 特許庁

To provide an image fiber scope having excellent resistance to a corrosive solution and corrosive gaseous atmosphere in order to allow the observation on the spot in etching or electrolytic processing.例文帳に追加

エッチングや電解加工におけるその場観察を可能とするため、腐食性溶液や腐食性ガス雰囲気に対する耐性に優れたイメージファイバスコープを提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor plasma processing device that can enhance etching uniformity, by compensating a radical-side concentration phenomenon which is a weakness of an inductively coupled plasma source.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ源の短所であるラジカル側面集中現象を補ってエッチング均一度を高めることができる半導体プラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

To provide a processing method for performing plasma etching on an imide heat-resistant resin film of thick membrane using a small amount of an expensive photosensitive resin and at a low cost.例文帳に追加

厚膜のイミド系耐熱性樹脂フィルムに対して、高価な感光性樹脂の使用量を少なくして低コストでプラズマエッチングする加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of thinning a semiconductor wafer which can reduce a processing cost by reusing a carrier plate in thinning the semiconductor wafer by spin etching.例文帳に追加

半導体ウエハにスピンエッチングにより薄型化加工を行う際に、キャリア板を再利用することで加工コストの軽減を図った、半導体ウエハの薄型加工方法を提供する。 - 特許庁

The method for etching a photomask includes a step of providing a processing chamber, having a substrate supporting pedestal adapted to receive a substrate for photomask on the top part.例文帳に追加

フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板を受けるように適合された基板支持用ペデスタルを有する処理チャンバを提供するステップをふくむ。 - 特許庁

Additionally, selective processing of the protective coat by performing chemical etching on the protective coat, also allows the step to be formed with high precision and with sufficient reproducibility.例文帳に追加

また、前記保護膜に対し、化学エッチングを施すことによって保護膜を選択的に加工することでも、前記段差を高精度に、しかも再現性良く形成することができる。 - 特許庁

The surface processing method of AlN crystal comprises a step of mechanically polishing or polishing the surface of AlN crystal, and a step of etching the surface.例文帳に追加

ＡｌＮ結晶の表面を機械研削または機械研磨する工程と、その表面をエッチングする工程とを含むＡｌＮ結晶の表面処理方法である。 - 特許庁

To form a pellet of high quality without any chip or stress by an economical method at the time of dividing a semiconductor wafer by chemical etching processing.例文帳に追加

化学的エッチング処理によって半導体ウェーハを分割する場合において、欠けやストレスのない高品質なペレットを経済的な方法にて形成することを可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate processing apparatus capable of reliably performing etching to enhance yield, and to provide a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、エッチング処理を確実に行って歩留まりを向上させることができる半導体基板処理装置及びその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the substrate 70, guide pin insertion through-holes 72, 74 are formed by selective etching processing or the like on one and the other sides of a lens column including the lenses L_11 to L_14.例文帳に追加

基板７０において、レンズL_１１〜L_１４を含むレンズ列の一方側及び他方側には、ガイドピン挿通孔７２，７４を選択エッチング処理等により形成する。 - 特許庁

To provide an etching method whereby a groove is formed with a high accuracy in a silicon substrate and a quick processing is made possible while giving shapes having roundness to the shoulders of this groove.例文帳に追加

高い精度でシリコン基板に溝を形成するとともに、この溝の肩部に丸み形状を持たせながら迅速な処理が可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After a Pt film is formed on a substrate 1, a resist film is applied on its upper surface for patterning, then the Pt film is provided with etching processing for forming element electrodes 2, 3.例文帳に追加

基板１上にＰｔ膜を形成した後、その上面にレジスト膜を塗布してパターンニングし、Ｐｔ膜をエッチング加工して素子電極２，３を形成する。 - 特許庁

To provide a new method for processing a substrate surface by which an etching solution can be reused, and the contamination of the surface to be processed caused by the intrusion of impurities can be suppressed.例文帳に追加

エッチング溶液の再利用が可能であり、また、不純物の混入による加工表面の汚染を抑制できる、新たな基板表面の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide an element which prevents a crystal defect due to damage generated during etching processing from propagating to an active layer by a current conducting operation and has a long operation lifetime.例文帳に追加

エッチング加工時に生じた損傷による結晶欠陥が、通電動作によって活性層に伝播することを防ぎ、動作寿命の長い素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which a high-quality display device which is reduced in the fluctuation of finished dimension can be manufactured by performing processing based on the optimum etching time.例文帳に追加

表示装置において、最適なエッチング時間による加工を行うことにより、仕上がり寸法のばらつきの少ない良質な表示装置を得ることが可能である。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus which ensures the determination of an appropriate cleaning time in a vacuum container, the profile controlling of processing of a treatment substrate, and the inhibition of sequential change.例文帳に追加

真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制し得るドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing method is used for forming high aspect ratio vias by implementing an etching step and a protective film forming step alternatively in a repeated manner.例文帳に追加

本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。 - 特許庁

To provide a novel technique capable of reducing an etching time in forming a wiring layer or the like by etching a metal layer of a wide material composition, and thereby improving processing accuracy and preventing damage, in a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、広範囲な材料組成のメタル層をエッチングして配線層等を形成する際の、エッチング時間の短縮化を図り、それによって加工精度の向上及びダメージの抑制を図ることが可能な新規な技術を提供する。 - 特許庁

By this constitution, since whole surface etching is performed by isotropic etching processing not only to adjust the island-like structure to a needle-like shape but also to remove the foreign matter, an effect of hardly leaving foreign matter such as a resist or the like is brought about.例文帳に追加

本発明の構成によれば、等方性エッチング処理による全面エッチングを行うことにより、島状構造体を針状に形状調整すると同時に異物の除去を行うため、レジストなどの異物が残留しにくいという効果を奏する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, capable of providing a boron nitride film having a high etching resistance and having a low permittivity, or to provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of providing a boron nitride film having a high etching resistance and having a low permittivity.例文帳に追加

高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An isotropic nature of etching can be enhanced by using SF_6, a fluoride gas, as an etching gas in processing a gate electrode 9a, and the surface of the gate electrode 9a can be smoothly processed and the product yield and reliability can be improved.例文帳に追加

ゲート電極９ａの加工時のエッチングガスとして、フッ素系のガスであるＳＦ_６を使用することでエッチングの等方性を強め、ゲート電極９ａの表面を滑らかに加工することができ、製品の歩留まりおよび信頼性を向上することができる。 - 特許庁

The etching nozzle 41 while moved relatively to the workpiece supplies an etchant from an inside opening 44 of an inside pipe 42 to the workpiece surface, and sucks and collects the etchant from an outside opening 45 of an outside pipe 43 to carry out etching processing.例文帳に追加

エッチングノズル４１は、被加工物に対して相対的に移動させながら、エッチング液を内側管４２の内側開口４４から被加工物表面に供給し、かつ外側管４３の外側開口４５から吸引回収することによりエッチング加工を行う。 - 特許庁

In a process of etching the wiring of a printed board using an etchant prepared by mixing a plurality of constituents for formation, temperature control and stirring are performed for a supplemental chemical solution for supplementing the etchant consumed for the etching processing or at a standby time.例文帳に追加

複数の成分を混合したエッチング液を用いてプリント基板の配線をエッチング処理して形成する工程において、エッチング処理又は待機時に消費されたエッチング液を補充するための補充薬液に対して、温度調節および攪拌を行う。 - 特許庁