「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, two-stage etching processing is applied to the laminate 22 to produce the opening-formed laminate 31 which is, in turn, used to produce the part adapted to a hydrogen separator or the like.例文帳に追加

次にこの積層体２２に２段のエッチング加工を施すことによって開口積層体３１を製造し、開口積層体３１を用いて水素分離装置などに適用される部品を製造する。 - 特許庁

In the substrate-processing method for the above purpose, the final process in the surface on which the crystal of the Mg_xZn_1-xO substrate is to be grown is performed by the acidic wet-etching at pH3 or below.例文帳に追加

このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、ｐＨ３以下の酸性ウェットエッチングで行われる。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive pattern with high conductivity which uses an etching liquid with less environmental load, the reduced number of steps and low-temperature processing that is applicable even for a plastic substrate.例文帳に追加

環境負荷の少ないエッチング液で、工程数が少なく、プラスチック基板に対しても適用可能な低温処理で、高伝導率の導電性パターンを形成することができる方法を提供する。 - 特許庁

A protective film 15 having compressive stress such that the product of thin-film stress and film thickness is equal to or greater than 50 (Pa m) is formed on etching processing surfaces of the first base material substrate 1 and second base material substrate 2.例文帳に追加

第１母材基板１、及び第２母材基板２のエッチング処理面に、薄膜応力×膜厚が５０Ｐａ・ｍ以上となる圧縮応力を有する保護膜１５をそれぞれ形成する。 - 特許庁

To more uniformly improve the substrate processing rate of etching, plating, etc., applied onto a substrate surface, e.g. easily and quickly form a plating film of a more uniform thickness.例文帳に追加

基板表面で起きるエッチングやめっき等の基板処理速度をより均一に向上させ、例えばめっきにあっては、より均一な膜厚のめっき膜を容易かつ迅速に形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing device allowing minimizing of the overall size of the device even with a large diameter of a reactor and minimizing running costs even when etching an oxide film formed on a sample.例文帳に追加

反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくでき、また試料に設けた酸化膜をエッチングする場合でも、ランニングコストが可及的に少ないプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The accuracy of etching processing is decided by a direction and energy in which the ions in plasma collide against the thin film, and the AC power of an AC power supply is applied in order to collide the ions with the thin film with good controllability.例文帳に追加

エッチング処理の精度は、プラズマ中のイオンと薄膜が衝突する方向、エネルギーで決まり、イオンを制御性よく薄膜に衝突させるため交流電力源の交流電力を印加する。 - 特許庁

To provide a polyimide/metal laminate having an increased wet etching speed, enabling the fine processing of a polyimide and capable of being enhanced in productivity, and a suspension for a hard disk manufactured from it.例文帳に追加

ウェットエッチング速度が向上し、ポリイミドの微細加工を可能とし、且つ生産性を向上させることが可能なポリイミド金属積層体、およびそれから製造されるハードディスク用サスペンションを提供すること。 - 特許庁

To provide a resin for a radiation-sensitive material having excellent transparency and high sensitivity to far ultraviolet rays, further having good adhesion to a substrate, and etching resistance, and enabling fine pattern processing.例文帳に追加

遠紫外線に対して優れた透明性と高感度を有し、基板との密着性が良く、エッチング耐性を持ち、微細パターン加工可能な放射線感光材料用の樹脂を提供すること。 - 特許庁

The method also includes: flowing the etchant gas mixture into the plasma processing chamber; irradiating the substrate with a second plasma from the etchant gas mixture; and etching the substrate with the second plasma.例文帳に追加

また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。 - 特許庁

Etching is performed in the whole surface on the backside of the semiconductor wafer 1 (the center of the backside of the semiconductor wafer 1 and the rib 4), so as to remove a processing damage layer 5 formed by the grinding stone during grinding.例文帳に追加

ついで、半導体ウェハ１の裏面側の全面（半導体ウェハ１の裏面側の中央部およびリブ４）にエッチングを行い、研削の際に砥石により形成された加工ダメージ層５を除去する。 - 特許庁

The substrate film 2 is removed corresponding to the alignment mark 4 by etching after transfer and the further left resist 3 is removed to expose the substrate film to manufacture the substrate for the processing master.例文帳に追加

転写後にエッチングにて前記アライメントマーク４に対応して前記下地膜２を除去し、更に残ったレジスト３を除去して前記下地膜を露出させることで加工マスター用基材を製造する。 - 特許庁

In addition, when a film composed of a zirconium oxide- or hafnium oxide-based material is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜として、酸化ジルコニウム系、あるいは、酸化ハフニウム系の材料からなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。 - 特許庁

Optical waveguide sections 9A are formed by irradiating the base material consisting of the oxide single crystal with the laser beam and laser beam processing face 9a and 9b of the optical waveguide sections 9A are subjected to wet etching treatment.例文帳に追加

酸化物単結晶からなる基材にレーザー光を照射することで光導波部９Ａを形成し、この光導波部９Ａのレーザー加工面９ａ、９ｂをウエットエッチング処理する。 - 特許庁

To provide a device for manufacturing a section observation sample, which is capable of determining whether penetration (in a thickness direction) at an etching section is completed without opening the device during processing in inexpensive means.例文帳に追加

安価な手段により、加工中に装置を開けることなく、エッチング部の（厚み方向の）貫通が完了したか否かを判断することができる断面観察試料の作製装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for processing a substrate capable of nicely removing unwanted substance from the peripheral rim of a substrate surface through etching in spite of the nature of the unwanted substance adhered to the substrate.例文帳に追加

基板に付着する不要物の性状にかかわらず、基板表面の周縁部から該不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

Then, an embedded film 15 is formed by using materials whose etching-resistivity is relatively large between the first pattern layers 14a, flattening processing is carried out, and the first pattern layers 14a are removed.例文帳に追加

次に、第１のパターン層１４ａの間に耐エッチング性が比較的大きい材料を用いて埋め込み膜１５を形成した後、平坦化処理を行った後、第１のパターン層１４ａを除去する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the crystal oscillator which forms a coating film consisting of photopolymer on the quartz plate, forms a desired shape by exposing resin with exposed light by using a mask and performs batch dry etching processing of the quartz plate by using the resin shape, transmissivity of the exposed light transmitted the mask is controlled and the batch dry etching processing of the quartz plate is performed.例文帳に追加

水晶板上に感光性樹脂からなる被膜を形成し、マスクをもちいて露光光により前記樹脂を感光させることによって、所望の形状を形成し、前記樹脂形状を用いて水晶板を一括ドライエッチング加工する水晶振動子の製造方法であって、前記マスクを透過した露光光の透過率が制御されかつ水晶板を一括ドライエッチング加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.例文帳に追加

反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for processing development, capable of developing a resist pattern having a rectangle shape whose tip is not rounded, and capable of processing with sufficient accuracy a film to be etched, when etching the under layer film to be etched using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

先端が丸みを帯びない矩形形状を有するレジストパターンを現像することができ、レジストパターンをマスクに用いて下層の被エッチング膜をエッチング処理により加工する際に、被エッチング膜を精度よく加工することができる現像処理方法及び現像処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a treated copper foil which provides high peeling strength with an insulating resin substrate although it has a low roughness, and after moisture absorption treatment, has the small deterioration rate of the peeling strength after immersion in an activation processing liquid and the small penetration amount after immersion in the activation processing liquid, and which is excellent in etching property.例文帳に追加

低粗度でありながら絶縁性樹脂基材と強固な引きはがし強さが得られ、吸湿処理後、活性処理液浸漬後に引きはがし強さの劣化率が小さく、活性処理液浸漬後にしみ込み量が少なく、エッチング性に優れた処理銅箔を提供すること。 - 特許庁

To provide such a method of processing a piezoelectric vibrating-reed that a connection part between the piezoelectric vibrating-reed and a wafer has sufficient strength after processing for outer shape by etching, and a part projecting from a visible outline of the piezoelectric vibrating-reed does not remain when the piezoelectric vibrating-reed from the wafer is folded and cut off.例文帳に追加

圧電振動片とウエハとの接続部分がエッチングによる外形加工後は十分な強度を有し、圧電振動片をウエハから折り取ったときに、圧電振動片の外形線から突出する部分が残らない圧電振動片の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method with less damage such as a pattern peel-off when performing a processing of removing a residual substance such as a sacrifice film after etching a film to be etched, by solubilizing this residual substance in a prescribed liquid and subsequently removing the residual substance by this prescribed liquid.例文帳に追加

被エッチン膜をエッチング後、犠牲膜等の残存物質を除去する処理を、その残存物質を所定の液に可溶化し、次いで、その所定の液により残存物質を除去することで行う際に、パターンはがれ等のダメージが少ない基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

The surface layer of the semiconductor substrate 1 exposed from the gate electrode 3a and the TEOS sidewall 5 is subjected to preprocessing based on a surface gas etching reaction in which processing of supplying a hydrofluoric acid gas and an ammonia gas and thermal processing are executed, thereby removing a natural oxidation film 6.例文帳に追加

ゲート電極３ａおよびＴＥＯＳサイドウォール５から露出された半導体基板１の表面層に対して、フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応による前処理を行い、自然酸化膜６を除去する。 - 特許庁

To conduct a satisfactory processing in a device for processing an etching or the like to a semiconductor wafer by generating plasma with a high frequency power by decreasing an electrical resistance between various conductive members and by uiforming a potential of the conductive members facing the plasma ambience.例文帳に追加

高周波電力によりプラズマを発生させて半導体ウエハに対してエッチングなどの処理を行う装置において、異なる導電性部材間の電気的抵抗を低減させ、プラズマ空間に面する導電性部材の電位の均一化を図り、良好な処理を行うことができるようにする。 - 特許庁

In order to obtain the support for the lithographic printing plate, the electrochemical roughening processing with AC current in an aqueous solution at least including nitric acid, aluminum nitrate and hydrochloric acid and an etching processing in an alkaline aqueous solution are applied to an aluminum plate in the order named.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウム、および塩酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理と、アルカリ水溶液中でのエッチング処理とを、この順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

Further, a fourth insulating film 10 is deposited on the first insulating film pattern 9, a resist pattern is formed again, and spacer processing and anisotropic etching processing are performed to form a spacer part with the width F/2 on a line part of the first insulating film pattern 9 and form a line and spacer pattern with a pattern pitch F.例文帳に追加

更に、第１の絶縁膜パターン９上に第４の絶縁膜１０を堆積させ、再びレジストパターン形成、スペーサ加工、及び異方性エッチング処理を施すことで、第１の絶縁膜パターン９のライン部にＦ／２の幅のスペース部を形成してパターンピッチＦのラインアンドスペースパターンを形成する。 - 特許庁

To provide such a method of processing a piezoelectric vibrating-reed that a connection part between the piezoelectric vibrating-reed and a wafer has sufficient strength after processing for outer shape by etching, and a portion projecting from a visible outline of the piezoelectric vibrating-reed does not remain when the piezoelectric vibrating-reed from the wafer is folded and cut off.例文帳に追加

圧電振動片とウエハとの接続部分がエッチングによる外形加工後は十分な強度を有し、圧電振動片をウエハから折り取ったときに、圧電振動片の外形線から突出する部分が残らない圧電振動片の加工方法を提供する。 - 特許庁

To produce a jig for the processing of a semiconductor wafer and made of a quartz glass having high etching resistance, causing little generation of dust such as particles and effective for stabilizing the surface treatment of the jig as a post-treatment process by completely removing stains such as oil attached to a quartz glass jig for the processing of a semiconductor.例文帳に追加

石英ガラス製の半導体処理用治具に付着した油分などの汚染物を完全に除去し、後工程である治具の表面処理の安定化を図り、パーティクルなどの発塵が少なく、耐エッチング性の高い石英ガラス製半導体処理用治具を製造する。 - 特許庁

After narrowing and thinning the electrode layer 24 as indicated by a solid line by an isotropic etching processing, an n^--type source region 32 and an n^--type drain region 34 are formed by the ion implantation processing with the lamination of the electrode layer 24 and the insulating film 20, and the insulating film 16 as the masks.例文帳に追加

等方性エッチング処理により電極層２４を実線で示すように細く且つ薄くした後、電極層２４及び絶縁膜２０の積層と絶縁膜１６とをマスクとするイオン注入処理によりＮ^−型ソース領域３２及びＮ^−型ドレイン領域３４を形成する。 - 特許庁

To provide a working method which is capable of realizing sharp working of not producing bluntness in corner parts and bent parts in as-designed pattern boundary regions when the corner parts and end bent parts are subjected to deposition processing or etching processing of prescribed patterns by using a convergent ion beam device and a device therefor.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、設計どおりのパターン境界領域であって、角部・曲部に鈍りが出ないシャープな加工を実現出来る加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

The pre-processing of the sample for this atom probe device is composed of a step for cutting a sample desired observation region into a block shape using an FIB device, a step for transferring the block-shaped cut sample to a sample substrate to fix the same and a step for processing the block-shaped sample fixed on the sample substrate into a needle tip shape by FIB etching processing.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ装置用試料の予備加工は、ＦＩＢ装置を用いて試料所望観察部位をブロック状に切り出すステップと、該ブロック状の切り出し試料を試料基板上に移送して固定するステップと、該試料基板上に固定されたブロック状の試料をＦＩＢエッチング加工によって針先形状に加工するステップとからなる。 - 特許庁

To provide a diffraction optical element having microgroove structures which are excellent in reproducibility and processing accuracy even when a hardly processable material is used in a processing stage using RIE and to provide a diffraction optical element having the structures which are high in an etching rate in the processing stage and provide a high degree of freedom in element design.例文帳に追加

ＲＩＥを用いた加工工程において、難加工性材料を使用した場合にも再現性及び加工精度に優れた微細溝構造を有する回折光学素子を提供すること、及び加工工程におけるエッチングレートが早く、素子設計の自由度に富む構造を有する回折光学素子を提供することである。 - 特許庁

This substrate processing apparatus includes a processing chamber 36, a carrier roller 42 to horizontally carry the substrate W in the processing chamber, a spray nozzle 44 to discharge etching liquid 48 to the top of the substrate carried by the carrying roller, and a gas discharge nozzle 52 to discharge cold air or warm air to a required region on the top of the substrate carried by the carrier roller.例文帳に追加

処理チャンバ３６と、処理チャンバ内で基板Ｗを水平方向へ搬送する搬送ローラ４２と、搬送ローラによって搬送される基板の上面へエッチング液４８を吐出するスプレーノズル４４と、搬送ローラによって搬送される基板上面の所要領域に対して冷風または温風を吐出する気体吐出ノズル５２とを備える。 - 特許庁

When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加

単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁

An orifice 25 is bored by means of oxygen plasma 33 using a helicon wave etching system and O2 gas for processing and a Ti oxide film 32-2 is formed, as a hydrophilic region 28, on the surface of the Ti film 32.例文帳に追加

ヘリコン波エッチング装置と処理用Ｏ_2 ガスを用い、酸素プラズマ３３によるオリフィス２５の孔空けを行なうと共にＴｉ膜３２表面に酸化Ｔｉ膜３２−２を形成し、これを親水性領域２８とする。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.例文帳に追加

エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Then, the wafer on which the elements 3 are formed is cut for every head block, and slider shape processing of a plane 20 opposed to a magnetic recording medium constituted of cut planes of the head block is performed by etching.例文帳に追加

そして、素子３が表面に形成されたウェハ３１を各ヘッドブロック３２毎に切断し、該ヘッドブロック３２の切断面により構成される磁気記録媒体との対向面２０に、エッチングによるスライダ形状加工を施す。 - 特許庁

In the treatment method of an amorphous carbon film which is formed on a substrate and has been treated with wet washing after dry etching, the surface of the amorphous carbon film is treated with reforming processing before forming an upper layer thereon after the wet washing.例文帳に追加

基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of forming an organic film pattern after an development process in the intended dimension and shape, even though the initial organic film pattern is damaged by an etching or exposed.例文帳に追加

当初の有機膜パターンがエッチングによるダメージや露光を受けていたりするような場合であっても、現像処理の後の有機膜パターンを所望の寸法・形状にすることが可能な基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁

To obtain optimum conditions for processing of a thin film lithography element by one time of etching when the surface of one glass substrate is provided with fine pattern parts and coarse pattern parts varying in the sizes of the patterns in combination.例文帳に追加

薄膜リソグラフィ素子において、パターンの寸法が異なる微細パターン部および粗大パターン部がひとつのガラス基板の表面に併設される場合、１回のエッチングで加工するための最適条件が得られない。 - 特許庁

To provide a washing processing method after etching highly effective for removing the damage area of PZT in a FeRAM laminated structure with high selectivity so as not to damage other constituting elements.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ積層構造において、ＰＺＴのダメージ領域の除去に極めて効果的であり、且つ他の構成要素に害を及ぼさないように高い選択性を持つ、エッチング後の洗浄処理法の提供。 - 特許庁

Since the conductive film is formed on all of the surface, a density of electric charges accumulated in a gate electrode can be reduced in processing with plasma (plasma process) like anisotropic etching, and the damage due to the plasma process can be reduced.例文帳に追加

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 - 特許庁

Thus, a film having fewer impurities, and a low wet etching rate, is formed on the resist or amorphous carbon layer (ACL) at a low processing temperature not causing damage to the resist or amorphous carbon layer (ACL) on the surface of the substrate.例文帳に追加

これにより、基板の表面のレジストあるいはＡＣＬにダメージを与えることのない低い処理温度で、不純物が少なく、ウェットエッチングレートが低い膜をレジストあるいはＡＣＬの上に形成することができる。 - 特許庁