「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a recovery device of oxalate ions from an indium oxalate aqueous solution for effectively recovering oxalate ions included in oxalic acid etching waste liquid, which is used for processing indium-containing materials to be etched, and reducing a renewal frequency of an oxalic acid liquid.例文帳に追加

インジウム含有被エッチング材を処理したシュウ酸エッチング廃液中に含まれるシュウ酸イオンを効果的に回収し、シュウ酸液の更新頻度を低減させることの可能なシュウ酸インジウム水溶液からのシュウ酸イオンの回収装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method capable of forming a capacitor in which the generation of a leakage current is suppressed by reducing the adhesion of reactive products to the sidewall of a pattern in the processing of an FeRAM device capacitor, capable of suppressing the generation of foreign substance and suitable for device mass production.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭデバイスキャパシタ部の加工において、パターン側壁への反応生成物付着を低減して漏れ電流が生じないキャパシタ部を形成し、かつ異物の発生が少なくデバイス量産性に適したエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The via hole (3) is formed in a manner in which an opening is provided to a copper-plated board (10) by etching, then a part of a board material (11) forming the opening is turned circular by laser processing, and a slot form hole is formed by successively providing a plurality of circular openings and continuously joining them together.例文帳に追加

また、ビアホールは、銅張層（１０）をエッチング処理にて開口した後、該開口位置の基板材（１１）をレーザ加工処理によって円形開孔に削除し、該円形開孔の複数個を連続させることにより長孔状に形成する。 - 特許庁

To prevent the steam of a processing liquid evaporating from a wafer from being attached to the wafer again and being particles in a semiconductor manufacturing equipment, which is used as an etching device of a semiconductor wafer, by quickly discharging a large amount of steam generated when a wafer is picked up from a processing tank or by preventing the generation of the steam itself.例文帳に追加

半導体ウェハーのエッチング処理装置等として使用される半導体製造装置において、処理槽よりウェハーを引き上げる際に発生する大量の蒸気を素早く排気したり、その蒸気自体の発生を防止したりすることにより、ウェハーから蒸発した処理液の蒸気がウェハーに再付着してパーティクルとして現れることを防止する。 - 特許庁

In the shape processing step, an etching-resistant film is stuck on the surface of the glass substrate, and laser processing or machining is applied to the film, to thereby remove the film in a region to be etched on the surface of the glass substrate, and to expose the glass, and then the exposed glass surface is etched, to thereby obtain the shape of the cover glass.例文帳に追加

この形状加工工程は、ガラス基板の表面に耐エッチング性を有するフィルムを貼着し、当該フィルムに対してレーザ加工または機械加工を施すことにより、ガラス基板の表面のうちエッチングされるべき領域のフィルムを除去してガラスを露出させ、露出したガラスの表面に対してエッチングを行うことで、カバーガラスの形状とする。 - 特許庁

An outer peripheral edge shape of the outside opening 45 has a size in a first direction along the moving direction of the etching nozzle and a size in a second direction orthogonal to the moving direction, the size in the first direction being varied to correspond to a processing profile as a difference between a sectional profile before the processing on the workpiece and a target sectional profile.例文帳に追加

外側開口４５の外周縁形状は、エッチングノズルの移動方向に沿った第１方向の寸法と該移動方向に直交する第２方向の寸法とを有し、第１方向の寸法を第２方向に沿って、被加工物の加工前における断面プロファイルと目的の断面プロファイルとの差である加工プロファイルに対応するように変化させる。 - 特許庁

A preliminary processing method for a sample used on atom probe apparatus includes the steps of: cutting the desired observing part of the sample into a block using an FIB equipment; transferring the sample block onto a sample substrate and fixing the sample block in place; and processing the sample block fixed onto the sample substrate into a needle-point shape by FIB etching.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ装置用試料の予備加工は、ＦＩＢ装置を用いて試料所望観察部位をブロック状に切り出すステップと、該ブロック状の切り出し試料を試料基板上に移送して固定するステップと、該試料基板上に固定されたブロック状の試料をＦＩＢエッチング加工によって針先形状に加工するステップとからなる。 - 特許庁

To provide a device manufacturing method with high reliability that provides a configuration of controlling unique plasma directivity against variations in the symmetry of a processing cross-sectional shape within a plane of a wafer to be processed in plasma dry etching, thereby capable of uniformly adjusting the symmetry of the processing cross-sectional shape within a plane of the object to be processed.例文帳に追加

プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁

One or more surfaces of a silicon carbide article are altered so that at most 160 pieces of particles per 1 dm^2 can be generated on a semiconductor wafer during wafer processing by carrying out etching based on a fused salt group, laser abrasion, surface blast, coating, oxidization, polishing, machining, and processing based on super-critical carbon dioxide or their combination.例文帳に追加

炭化ケイ素物品を、ウェハ処理中に半導体ウェハ上に１ｄｍ２あたり１６０個以下の粒子を生じさせるように、該炭化ケイ素物品の１以上の表面を融解塩基によりエッチング、レーザアブレーション、表面ブラスト、コーティング、酸化、研磨、機械加工、超臨界二酸化炭素で処理またはそれらの組み合わせによって改変する。 - 特許庁

In the processing steps related to a glass substrate processing step, a lawful means for laminating the laminated sheet for etching a glass substrate is used, a roller pressing is applied, by utilizing a processed mold to etch the stacked sheets, the laminated sheet for a glass substrate which enables a half cut blanking to adhere to the glass substrate is obtained.例文帳に追加

ガラス基板に係わる加工工程において、ガラス基板へのエッチング処理する為の、積層シートのラミネート化する合法的手段を用い、ローラー圧着をかけ、これら重ね合ったシートにエッチング処理となる加工された金型を利用し、これをハーフカット打ち抜きしたものをガラス基板に貼り得るガラス基板用積層シートが得られるものである。 - 特許庁

In a failure inspection after each processing process such as film forming or etching or the like, when wafers of a set consisting of a plurality sheets of wafer are inspected, by changing the inspected wafer every for the set, failures generated in a specified wafer and failures generated irregularly are detected easily and early, and feedback to each processing process is facilitated.例文帳に追加

成膜やエッチングなどの各加工処理工程の後の不良検査において、複数枚でセットのウエハを検査する際に、セット毎に検査するウエハを変更することで、特定のウエハに生じやすい不良および不規則に生じる不良を簡便かつ早期に検出することができ、各加工処理工程へのフィードバックを容易にすることができる。 - 特許庁

In the method for processing a semiconductor wafer, by polishing the surface of the semiconductor wafer at a prescribed polishing pressure slidingly with polishing cloth to implement plasma-etching of the polished surface, polishing is carried out with a polishing pressure at a peripheral part of the semiconductor wafer smaller than that at the central part, whereby the peripheral part is raised and only the peripheral part is subjected to plasma etching.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、該周辺部分のみをプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device to which etching and deposition are alternately applied includes a step for generating plasma and etching a substrate by a first excitation source which is connected to a processing room and which is for generating plasma, and a second excitation source which is connected to an electrode of a stage where the substrate is placed; and a step for generating plasma and depositing the substrate by the second excitation source.例文帳に追加

エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、処理室に接続された、プラズマを生成するための第一励起源と、基板を載置するステージの電極に接続された第二の励起源とによりプラズマを生成して基板のエッチングを行うステップと、前記第二の励起源によりプラズマを生成して基板のデポジションを行うステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This electrode degradation preventing system comprises an electrode 12 which is provided in a reaction chamber 10 of an etching device and supports a substrate 26 to be etched and has a plurality of openings 24, and a gas line 122 for supplying a gas passing through respective openings 24 to prevent the adherence of the deposited materials onto the openings 24 during the pre-process or post-process of the etching processing.例文帳に追加

電極部劣化防止機構は、エッチング装置の反応室１０に設けられる電極部であって、エッチング処理される基板２６を支持するとともに、開口部２４を複数有する電極部１２と、エッチング処理の前工程または後工程における、開口部２４に対する堆積物の付着を防止するため、開口部２４のそれぞれに通気されるガスを供給するためのガスライン１２２とを具える。 - 特許庁

The method for fabricating a photomask includes the steps of: providing a film stack having a molybdenum layer and a light-shielding layer in a processing chamber; pattering a first resist layer on the light-shielding layer; etching the light-shielding layer using the first resist layer as an etch mask; and etching the molybdenum layer using the patterned light-shielding layer and the patterned first resist layer as a composite mask.例文帳に追加

フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor, capable of always maintaining a process at a fixed etching rate and accurately processing with low micro loading effects, high selectivity, high reproducibility and a method for treating the surface of a substrate to be treated, by using the apparatus for manufacturing the semiconductor.例文帳に追加

常に一定のエッチングレートでプロセスを維持することができ、低マイクロローディング効果、高選択性、高再現性、高精度加工を可能とする半導体製造装置および該半導体製造装置を用いた被処理基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing method capable of improving a film work in processing accuracy, when the stepped part of the film work is processed by a method where the material or thickness of a mask of an etching stopping layer is selected in a wide range.例文帳に追加

本発明は、段差部を有する被加工膜の前記段差部内の加工を行う際に、マスクあるいはエッチングストッパー層の材料や厚さの選択の幅を広げて加工精度を高くすることができる半導体装置の製造方法を目的とするものである。 - 特許庁

In addition, the method includes the process of forming a first recessed part by laser processing in a region in which at least a region in which the beam 19 is formed in the face to be etched is excluded, and has the process of performing a first wet etching from the face to be etched to the silicon substrate.例文帳に追加

さらに、被エッチング面のうち梁１９を形成する領域を少なくとも除いた領域に、レーザー加工によって第１の凹部を形成する工程と、シリコン基板に対して、被エッチング面から第１のウエットエッチングを行う工程とを有する。 - 特許庁

To reduce variation in pattern size due to density dependency of a pattern to be formed during dry etching processing on a light shield film as compared with a case wherein a conventional photomask blank having a light shield film is used, and to manufacture a mask with higher precision.例文帳に追加

遮光膜のドライエッチング加工時において、従来の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。 - 特許庁

The supporting body 30 is made of some metal-like materials that can be processed to have so precise thickness and shape as those needed for the formation of a minute capillary gap 18 by means of chemical etching, mechanical punching, blanking (die cutting) or similar processing methods.例文帳に追加

支持体３０は、化学的エッチング、レーザ切断、機械的押し抜き、打ち抜き（ダイ・カット）又は同様な加工方法により、精密毛細管ギャップ１８を形成するために必要な精密な厚さ及び形状にしうる、金属のような材料でできている。 - 特許庁

Thus, the present invention includes a step (S104) for eliminating the surface oxide film by cleaning the surface of the silicon core wire with a hydrofluoric acid solution following the step for eliminating processing strain of the surface by etching the silicon core wire using a mixed acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid.例文帳に追加

そこで、本発明では、シリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングして表面の加工歪みを除去する工程に続いて、シリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面酸化膜を除去する工程（Ｓ１０４）を備える。 - 特許庁

The dry etching exhaust gas treating device, wherein a processing agent and an absorbent medium are loaded in stratified state in a container having an exhaust gas introducing inlet at a lower portion and a treating gas discharging outlet and an indicator at an upper portion, is provided.例文帳に追加

本発明の課題は、排ガス導入口を下部、処理ガス導出口及びインジケーターを上部に備えた容器に、反応処理剤及び吸着剤を層状に充填されていることを特徴とする、ドライエッチング排ガス処理装置によって解決される。 - 特許庁

The processing residues can be prevented by performing a second etching process.例文帳に追加

上側挟持ピンで基板を挟持した状態で第１のエッチング処理を行った後、下側挟持ピンを挟持状態としてから上側挟持ピンを解除状態とすることにより基板を下側挟持ピンで持ち替え、第２のエッチング処理を行うことにより、処理残りを防止できる。 - 特許庁

Then etching processing is performed to form the cavity parts 12, 14 (refer to Fig.3 (a)), and an insulating layer 20 forming the bottom of the cavity part 14 is pierced by a piercing member such as a needle to form the hole part 70 in a dead space of the silicon wafer 100 (refer to Fig.3 (b)).例文帳に追加

そして、エッチング処理を行い空洞部１２，１４を形成し（図３（ａ）参照）、空洞部１４の底部をなす絶縁層２０を針等の貫通部材で貫通することにより、シリコンウエハ１００のデッドスペースに孔部７０を形成する（図３（ｂ）参照）。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which does not alter the overall etching characteristics of a substrate to be processed even if the bias power being applied to a wafer is partially divided and applied to a focus ring by controlling the bias power being applied to a wafer not to be affected but is kept constant.例文帳に追加

ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the piezoelectric device comprises the steps of opening a window in a triangular shape on the main surface of a crystal plate to form a protective film, then melting the window part through wet etching, thinning the window part to process into recessed shape, and processing so that a thin plate is in the triangular shape as seen from the main surface.例文帳に追加

水晶の板の主面に三角形の形状で窓を開けて保護膜を形成した後、ウエットエッチングすることで窓の部分が溶解され薄板化し凹形状に加工し、薄板部が主面より見て三角形であるよう加工する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily processing shapes different in etching depth on a same surface without inducing a defect (group V atomic vacancy) by desorption of a constituent atom of a semiconductor and causing degradation of a surface morphology.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

Irradiation with a second converged ion beam 102 from the direction parallel to the side wall of the leaf is performed simultaneously with preparation of the leaf by a sputtering/etching processing using a first converged ion beam 101 to observe the leaf by a scanning ion microscope and the thickness of the leaf is measured.例文帳に追加

第一の集束イオンビーム１０１のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁と平行な方向から第二の集束イオンビーム１０２の照射を行って走査イオン顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。 - 特許庁

Since the deposition substances D formed by the first plasma processing function as protective films and the etching rates of the silicon substrate 101 are lowered near the side walls of the groove 110, shoulders 120a of the formed trench 120 are formed into curved-surface shapes having roundness.例文帳に追加

第１のプラズマ処理によって形成された堆積物Ｄが保護膜として機能し、溝１１０の側壁付近ではシリコン基板１０１のエッチングレートが低下するので、形成されたトレンチ１２０の肩部１２０ａは丸みを持つ曲面形状に形成される。 - 特許庁

Furthermore, since the porous silicon layer is formed only by chemical treatment by stain etching, a semiconductor element forming the integrated circuit is not electrically affected when it is embodied on the silicon substrate together with an integrated circuit for signal processing.例文帳に追加

また、本発明に用いる多孔質シリコン層はステインエッチングによる化学的処理のみで形成されるので、信号処理用の集積回路と共にシリコン基板上に具現される際、該集積回路を成す半導体素子に電気的な影響を与えずに済むことができる。 - 特許庁

To provide a wafer-processing apparatus for manufacturing a semiconductor element, wherein uniformity in a process such as etching process or cleaning process is improved by minimizing changes in temperature of a wafer process solution supplied on a wafer attached stably to a spin chuck.例文帳に追加

スピンチャックに安着されたウェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化することでエッチング工程または洗浄工程等の処理工程の均一度を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供する。 - 特許庁

The heat oxidation film is formed in such a condition so as to suppress the growth of oxygen condensation in the Si substrate to a degree that no problem occurs in an actual processing, thereby precisely forming a three-dimensional shape by an anisotropic etching using KOH.例文帳に追加

このような条件で熱酸化膜を形成することによって、Ｓｉ基板中の酸素凝結欠陥の成長を実際の加工に支障のない程度まで抑制し、ＫＯＨによる異方性エッチングにより精度よく３次元形状を形成することができる。 - 特許庁

In a stator 10, a fluctuating portion 13 is formed by an etching processing in a top-surface plate 11 to provide first and second stationary electrodes 15A, 15B respectively in a bottom-surface plate 12 so as to oppose them to first and second fluctuating electrode portions 13E, 13F of the fluctuating portion 13.例文帳に追加

ステータ１０において、上面板１１にエッチング加工により揺動部１３を形成し、底面板１２に揺動部１３の第１揺動電極部１５Ｅと第２揺動電極部１５Ｆに対向するように固定電極１５Ａ、１５Ｂをそれぞれ配置する。 - 特許庁

To achieve an Fin structure having excellent shape in executing a post-process such as gate processing by maintaining a side etching quantity of a pad oxide film to the minimum without causing retraction of side surfaces of a hard mask or damage of the side surfaces in manufacture of a Bulk Fin structure.例文帳に追加

Ｂｕｌｋ Ｆｉｎ構造の製造に於いて、ハードマスクの側面の後退・破損を発生させること無く、パッド酸化膜のサイドエッチ量を最小限度にとどめて、ゲート加工等の後工程を行うに際して良好な形状を有するＦｉｎ構造を実現する。 - 特許庁

To provide a thin deformed cross-section bar of satisfactory dimensional precision, allowing LED-chip on board without depending on the processing such as half-etching or press working while preventing a yield from getting low caused by a material loss and a facility cost from increasing etc.例文帳に追加

材料ロスにより歩留まり低下させることがなく、設備費の増大等を招くことがなく、ハーフエッチング或いはプレス加工等の加工に頼ることなしに、ＬＥＤチップ等がチップオンボードできる薄型で寸法精度の良好な異形断面条を提供する。 - 特許庁

A second film (220) is formed from a first film (211) by subjecting the first film (211) to slice etching processing so as to eliminate a corner part (212) formed of a top surface (211t) of the first film (211) and a side surface (211s) of the first film (211) which crosses the top surface (211t).例文帳に追加

第１膜（２１１）の上面（２１１ｔ）と、上面（２１１ｔ）に交差する第１膜（２１１）の側面（２１１ｓ）とによって構成された角部（２１２）をなくすように、第１膜（２１１）にスライスエッチング処理を施し、第１膜（２１１）から第２膜（２２０）を形成する。 - 特許庁

In the surface processing treatment of the GaN-based semiconductor substrate, mechanical polishing for the surface of the GaN-based semiconductor substrate is performed (cutting step, wrapping step), and then chemical gas phase etching for the surface of the GaN-based semiconductor substrate is performed (CVE step).例文帳に追加

ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理において、ＧａＮ系半導体基板の表面に対して機械的研磨を行い（研削工程、ラッピング工程）、その後、ＧａＮ系半導体基板表面に対して化学的気相エッチングを行う（ＣＶＥ工程）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of easily peeling a growth substrate by wet etching processing or application of an external force by introducing a cavity having a large opening area formed using an ELOG method into the inside of a semiconductor layer.例文帳に追加

ＥＬＯＧ法を用いて形成された開口面積の大きい空洞を半導体層内部に導入することにより成長用基板をウェットエッチング処理または外力印加によって容易に剥離することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The fine processing method of a glassy carbon base material has a step for providing the glassy carbon base material and performing a heat treatment for 1-10 hours at a temperature not lower than 2,000°C and not higher than 2,500°C in an atmosphere of a halogen gas, and a step for performing a dry etching process after said step.例文帳に追加

本ガラス状カーボン基材の微細加工方法は、ガラス状カーボン基材を用意し、ハロゲンガス雰囲気、２０００℃以上２５００℃以下の温度で１〜１０時間の熱処理を行う工程と、この工程後にドライエッチング加工を行う工程を有する。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A red light-emitting diode R is installed on a semiconductor substrate 1 by carrying out etching processing, and a green light-emitting diode G and a blue light-emitting diode B as different bodies are fixed via attachment electrodes 11 and 12 on an insulating film 13 installed at the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にエッチング処理して赤色の発光ダイオード部Ｒを設け、該基板１に設けた絶縁膜１３上に貼付け電極１１，１２を介して別体の緑色の発光ダイオード部Ｇ及び青色の発光ダイオード部Ｂを固着する。 - 特許庁

Moreover, a substrate having such continuous projections can be manufactured by growing carbon nano-walls formed on the substrate surface by decomposing hydrocarbon gas such as methane gas in plasma and by transferring their shapes onto the substrate surface through the etching processing or the like.例文帳に追加

また、このような連続突起が配置された基板は、基板表面にメタンガスなどの炭化水素ガスをプラズマ中で分解して形成されるカーボンナノウオールを成長させ、それらの形状をエッチング加工などにより基板表面に転写することにより作製できる。 - 特許庁

When the temperature state in the processing vessel is determined as adjusted by the part 270, the part 280 does not make the part 275 to execute, but immediately controls to execute the etching process to the product substrate.例文帳に追加

判定部２７０により処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，基板処理実行部２８０は，ダミー処理実行部２７５にダミー処理を実行させることなく，直ちに製品基板に対してエッチング処理を実行するように制御する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can control a reflection electric power generated when an etching primary process and a deposition primary process are switched or when on and off of a high frequency electric power which is supplied to a plasma generation device or an electrode are switched.例文帳に追加

エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周波電力のＯＮ／ＯＦＦを切り換えたときに発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

For the plasma etching by a microwave, a semiconductor processing apparatus includes the quartz-made transmission window 105 of the porous structure, a microwave introduction window 108 to which a heating medium flow path is added, and a heating medium circulation device so as to greatly reduce the production of foreign matter of fine particle size sticking on nearby a surface of the substrate 102 to be processed by optimizing a plasma processing method for the substrate 102 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。 - 特許庁