「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate liquid-processing method, a substrate liquid-processing apparatus, and a storage medium capable of improving accuracy of etching width, without the generation of etching defects in a peripheral part of a substrate, when a hydrophobic polysilicon film is formed in the substrate and when a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film.例文帳に追加

基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric vibrator includes: a first etching process of processing a surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a first etchant consisting of a potassium hydroxide aqueous solution prior to a process of mounting the piezoelectric vibration piece 2; and a second etching process of processing the surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a second etchant consisting of a solution of potassium ferricyanide and potassium hydroxide.例文帳に追加

圧電振動片２をマウントする工程の前に、水酸化カリウム水溶液からなる第１エッチャントを用いて圧電振動片２の表面を処理する第１エッチング工程と、フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムの水溶液からなる第２エッチャントを用いて圧電振動片２の表面を処理する第２エッチング工程とを有することを特徴とする - 特許庁

In this plasma processing method, after the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) is subjected to the etching process, processing is carried out for exposing the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) subjected to the etching process into the plasma atmosphere of a gas mixture having a gas containing hydrogen gas or at least hydrogen atoms and also having oxygen gas or nitrogen gas.例文帳に追加

磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をエッチング加工した後、水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中にエッチング加工した磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をさらす処理を行うプラズマ処理方法である。 - 特許庁

To provide a method for etching an ultraviolet light-transmitting polymer material that realizes high-quality and high-speed processing by a simple technique without detriment to excellent light transmission properties inherent in the material even in a processing region when the ultraviolet light-transmitting polymer material such as CYTOP (R) is etching-processed.例文帳に追加

サイトップ（登録商標）などの紫外光透過性高分子材料をエッチング加工する際に、加工領域においても材料本来が持つ優れた光透過特性を損なうことなしに、簡便な手法により高品質かつ高速な加工を実現することができるようにした紫外光透過性高分子材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus which supply a chemical to a treatment region of a periphery region of a surface of a substrate and carry out etching removal of disused substances of the treatment region, wherein there is formed a favorable interface of the treatment region and a non-treatment region, formed in the periphery region of the surface by the etching removal.例文帳に追加

基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。 - 特許庁

The method for manufacturing an etching foil for an electrolytic capacitor has an electrochemical etching process, a dechlorination treatment process, a post-processing process and a heat treatment process, wherein the post-processing process consists of a first process for performing hydration treatment, and a second process immersed in 0.5-10wt% solution of water of aluminum nitrate or magnesium nitrate.例文帳に追加

電気化学エッチング工程と、脱塩素処理工程と後処理工程と熱処理工程とを有し、上記後処理工程が、水和処理する第１工程と、硝酸アルミニウムまたは硝酸マグネシウムの０．５〜１０ｗｔ％水溶液に浸漬する第２工程とからなることを特徴とする電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer printed wiring board includes the steps of forming, by laser irradiation, a via hole 5 in an insulating layer 4 formed by a prepreg 3 comprised of a glass cloth 1 impregnated with a thermosetting resin composition 2, subjecting the via hole 5 to a glass etching processing with a glass etching solution, and then subjecting the via hole to a desmear processing with an oxidizing agent solution.例文帳に追加

本発明の多層プリント配線板の製造方法は、ガラスクロス１に熱硬化性樹脂組成物２を含浸させたプリプレグ３により形成された絶縁層４に、レーザー照射によりビアホール５を形成し、該ビアホール５にガラスエッチング溶液によるガラスエッチング処理を施した後、酸化剤溶液によるデスミア処理を施す。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of processing in high speed without damaging a conductive layer formed on an object to be processed when applying processes of etching or washing to the object to be treated having the conductive layer like FPC and ITO glass.例文帳に追加

ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。 - 特許庁

To grasp local plasma etching processing characteristics by semiconductor wafer lot before large-quantity processing starts, to decrease defectives due to nanotopography, and to comply with contrary requests for the nanotopography and a computation load.例文帳に追加

大量加工に入る前に、半導体ウェハの各ロット毎に局所プラズマエッチング加工特性が把握し、ナノトポグラフィーによる不良品発生を低減させること、およびナノトポグラフィーと計算負荷との相反する要求に応えることを課題とする。 - 特許庁

The surface of the silicon boat is etched in the etching process with the mixed liquid of nitric acid and hydrofluoric acid to remove a processing distortion layer containing metal impurities and metal impurities (not mixed with an organic matter) on the processing distortion layer.例文帳に追加

エッチング工程で硝酸及びフッ酸の混合液により、シリコンボートの表面をエッチングして、金属不純物を含有する加工歪層及び加工歪層上の金属不純物（有機物と混ざっていないもの）を除去する。 - 特許庁

To provide a plasma reactor performing the processing of etching, ashing and CVD and the like on a semiconductor substrate and easily and mechanically adjusting a resonance frequency and impedance, when it is installed and a processing condition is changed.例文帳に追加

半導体基板などにエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すプラズマリアクターであって、設置時や処理条件の変更時に共振周波数やインピーダンスの機械的調整を一層容易に行い得るプラズマリアクターを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device having a semiconductor film formed on a substrate using EBSP, undergoes a processing for reducing the thickness of the substrate by chemical mechanical grinding and a processing for exposing the surface of the semiconductor through removing the substrate reduced in thickness by etching, or removing the substrate and an insulation layer between the substrate and the semiconductor film.例文帳に追加

また、非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向性を高め、そのような結晶質半導体膜を用いたＴＦＴを提供することを第二の目的とする。 - 特許庁

To prevent corrosion of metal inside a processing chamber, to enlarge an etching rate of a film attaching to a heat-resistant nonmetallic member (e.g., quartz member) and to prevent quartz powder from remaining in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内の金属を腐食させず、耐熱性非金属部材（例えば石英部材）に付着した膜のエッチングレートが大きく、エッチングの際に耐熱性非金属部材から剥がれた石英粉が処理室に残らないようにする。 - 特許庁

A cathode surface side hole diameter La is formed larger than a second grid surface side hole diameter Lb opposed to the cathode surface side by performing, for example, etching processing and press working processing on a hole 22a formed in the first grid 22.例文帳に追加

第１グリッド２２に形成された孔２２ａに対して、例えばエッチング処理やプレス加工処理等を行うことにより、カソード面側の孔径Ｌaをカソード面側と対向する第２グリッド面側の孔径Ｌbより大きいものとする。 - 特許庁

The specification recipe ID of a lot type as an object of processing are automatically acquired from a device server by the use of a host personal computer, and the recipe ID is transmitted to a semiconductor manufacturing device (e.g., etching device) 1, to give a processing start instruction.例文帳に追加

ホストパソコン２を使用して装置オンラインサーバ７から、処理対象のロットの型格のレシピＩＤを自動取得し、このレシピＩＤを半導体製造装置（例えば、エッチング装置）１に送信して処理開始指示を行う。 - 特許庁

An exhaust control mechanism 19 is provided in which an inert gas is flowed to the exhaust side before an etching gas is introduced into the chamber 10 and before the etching gas is introduced, the damage removing unit 16 detects an exhaust pressure by the inert gas and starts a damage removing processing (exciting plasma).例文帳に追加

チャンバー１０内にエッチングガスが導入される以前に排気側に不活性ガスが流される排気制御機構１９が設けられ、エッチングガスが導入される前に不活性ガスにより除害処理装置１６で排気圧力を検出させ、除害処理（プラズマ励起）を作動させておく。 - 特許庁

Since an insulation film containing hydrogenation polysiloxane is employed as the interlayer insulation film 103 and etching is carried out using etching gas containing at least fluorocarbon gas and oxidation based gas, such a structure as the deterioration layer 105 of hydrogenation polysiloxane on the processing surface is thick at the upper part and thin at the lower part is obtained.例文帳に追加

水素化ポリシロキサンを含む絶縁膜を層間絶縁膜１０３として用い、エッチングガスとしてフロロカーボンガスと酸化系ガスを少なくとも含むエッチングにより加工するため、水素化ポリシロキサンの加工面での変質層１０５が上部で厚く、下部で薄い構造が得られる。 - 特許庁

In the processing method, etching liquid is used where etching velocity ratio to copper and barrier metal is adjustable, when a copper film and a barrier metal film are smoothed, in a substrate from which the films are exposed.例文帳に追加

銅膜とバリアメタル膜が露出している基板において、これらの膜を平滑化するに当たり、銅とバリアメタルに対するエッチング速度比が調整可能なエッチング液を使用することを特徴とする基板の処理方法およびこれに用いることのできる銅とバリアメタルの共通エッチング液。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode excellent in etching characteristics capable of processing in a short time without requiring accurate atmosphere control, generating crystalline oxide or the like which are a nucleus of a sufficient etching pit by a final annealing.例文帳に追加

精確な雰囲気制御を要することなく、短時間で処理でき、その後の最終焼鈍により十分なエッチングピットの核となる結晶性酸化物等の物質を生成でき、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

To provide an etching method forming a deep hole or a deep groove extending in the depth direction with a side wall substantially perpendicular to a layer to be etched in a processing object having a multilayered structure needing etching stop, and reliably leaving the underlying layer.例文帳に追加

エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device 1 has a wafer 10 that is a workpiece, a hermetic type container FOUP 20 housing a wafer 10, an etching device 30 serving as a semiconductor processing device, and an EFEM 40 which transfers the wafer 10 in a sealed state between the FOUP 20 and the etching device 30.例文帳に追加

半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。 - 特許庁

To provide a method for processing a silicon block by which even when cracks exist in the surface of a silicon crushed product, the adhesion amount of an etching agent after etching can be reduced to such a degree that the significant amount of a corrosive gas is not produced, and a silicon crushed product having high cleanliness can be obtained.例文帳に追加

表面にクラックが存在していても、エッチング後のエッチング剤の付着量を腐食性ガスの発生量が顕著とならない程度とすることが可能であり、かつ清浄度の高いシリコン破砕物を得ることが可能なシリコン塊の処理方法を提供する。 - 特許庁

The control unit 41 is provided with: a data storage section 42 for storing sensor data; a sensor data discrimination section 43 for discriminating whether or not the etching is normally performed; a processing instruction section 44 for instructing the normal etching; and a warning generating unit 45 for controlling production of warning.例文帳に追加

制御装置４１は、センサデータを記憶するデータ記憶部４２と、正常なエッチングがされているか否かの判別するセンサデータ判別部４３と、正常なエッチングを行うよう指示する処理指示部４４と、警報の発生を制御する警報発生装置４５とを備える。 - 特許庁

Operation of the sputter etching apparatus 100 is quickly stopped when abnormal discharge is generated by connecting an abnormal discharge detecting means 20 to a matching box 17 of the sputter etching apparatus 100 and also connecting an abnormal discharge processing means 30 such as an interlocking means 30a or the like to the abnormal discharge detecting means 20.例文帳に追加

スパッタエッチング装置１００のマッチングボックス１７に異常放電検知手段２０を接続し、異常放電検知手段２０にインターロック手段３０ａ等の異常放電時処理手段３０を接続して、異常放電発生時に速やかにスパッタエッチング装置１００の停止を行う。 - 特許庁

The forming of the hole of a silicon substrate to be a diaphragm part is not all made by the anisotropic etching, but a hole with a prescribed depth is formed in advance from a rear side of a (100) plane silicon substrate on which a nitride film or the like is formed through physical processing and the anisotropic etching is used to form a hole furthermore after that.例文帳に追加

シリコン基板のダイヤフラム部となる穴の形成をすべて異方性エッチングで行わず、窒化膜等を形成した（100）面シリコン基板に物理的な加工によってあらかじめ裏面から所定の深さの穴を形成し、その後に異方性エッチングによって更に穴をを形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method processing an etching object layer into a shape of a desired rugged pattern with a high precision, a magnetic recording medium manufacturing method utilizing the same, and a magnetic recording medium which has a recording layer formed into a rugged pattern and allows good magnetic characteristics to be surely obtained.例文帳に追加

被エッチング層を所望の凹凸パターンの形状に高精度で加工できるドライエッチング方法、これを利用した磁気記録媒体の製造方法及び記録層が凹凸パターンで形成され、良好な磁気特性が確実に得られる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing silicon, by which the problems found in a wet etching process of the silicon that accurate administration of the etching time is difficult, there is a danger of physical damage caused by sticking on a human body, and the environmental load is large at the time of disposal can be solved.例文帳に追加

シリコンのウェットエッチング方法において、エッチング時間を厳密に管理することが困難であるという問題、使用時の人体への付着による怪我の危険性や廃棄時の環境に対する負荷が大きいという問題を解決するシリコンの加工方法を提供すること。 - 特許庁

In the magneto-resistance effect element, electrode layers 47 and 49 for supplying sense current to a magneto-resistance effect film 41 is provided so that the end may override a magneto-resistance effect film, overcoats 51 and 53 for etching prevention are covered so that the end may be exposed on the electrode layers, and etching processing is performed to the exposure end.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜４１にセンス電流を供給する電極膜４７、４９を、その端部が磁気抵抗効果膜に乗り上げるように設け、電極膜上に、その端部を露出させるようにエッチング防止用保護膜５１、５３を被覆し、露出端部にエッチング加工を施す。 - 特許庁

On a TFT array substrate 9 where the switching active element 5 and a switching active element protection film 7 are formed, a color filter film 11 is formed and then a contact part 6 is formed by processing the color filter film 11 and switching active element protection film 7 at the same time by dry etching using patterned etching resist 10.例文帳に追加

スイッチング能動素子５とスイッチング能動素子保護膜７が形成されたＴＦＴアレイ基板９上に、カラーフィルタ膜１１を形成した後、パターニングされたエッチングレジスト１０を用いて、カラーフィルタ膜１１とスイッチング能動素子保護膜７を同時にドライエッチングしコンタクト部位６を形成する。 - 特許庁

To provide a method for processing the surface of a quartz, capable of forming a highly precise electrode pattern by washing with an acid before etching a quartz wafer for preventing the etching unevenness from its generation, and a method for producing a quartz device.例文帳に追加

水晶ウェハをエッチングする前に、酸によって洗浄することによって、エッチングの際に生じるエッチングムラの発生を防止して、高精度な電極パターンの形成を行うことができる水晶の表面加工方法及び水晶デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

In one embodiment, a method for etching chromium includes steps of: preparing a film stack having a chromium layer in a processing chamber; patterning a photoresist layer on the film stack; depositing a conformal protective layer on the patterned photoresist layer; etching the conformal protective layer to expose the chromium layer through the patterned photoresist layer; and etching the chromium layer.例文帳に追加

一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、膜スタック上でホトレジスト層をパターン化するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。 - 特許庁

In the case of the wide area etching step, a selective power is impressed between both electrodes 30 and 12 for producing etching plasma in almost the whole area of a chamber at the first relatively low voltage and relatively wide electrode intervals while in the case of the local area etching step, the vacuum processing reactor can be adjusted at the second relatively high voltage and relativelly narrow electrode intervals.例文帳に追加

広域エッチングの場合、エッチング用プラズマをチャンバのほぼ全域にわたって生成するために、両電極間に選択した電力を印加し、比較的低い第１の圧力で、且つ比較的大きな電極間隔にし、次に局部エッチングの場合、比較的高い第２の圧力で、且つ比較的小さい電極間隔に調整することができる装置である。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is downsized and reduced in the material cost, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor device whereby reduction in the yield due to etching processing is less.例文帳に追加

小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体装置、及び、エッチング処理に起因する歩留まりの低下の少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A data storing section 11 stores the measurement value of overlay accuracy after photoengraving processing which has been measured by an overlay inspecting device 4, and the measurement value of overlay accuracy after etching.例文帳に追加

データ保存部１１は、重ね合わせ検査装置４によって測定された写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値と、エッチング後の重ね合わせ精度の測定値とを保存する。 - 特許庁

To surely end cleaning processing, when film etching which is conducted only through the reaction of an accumulated film with gas is ended.例文帳に追加

堆積膜とガスとの反応だけで行う膜エッチングが終了した時点で確実にクリーニング処理を終了させることができるＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

In a dry etching apparatus equipped with a chamber 10 that etches the processing object, shielding plates 30 consisting of Ta, Ti or an alloy containing Ta or Ti are arranged in the chamber.例文帳に追加

被処理物をエッチングするチャンバー１０を備えたドライエッチング装置において、前記チャンバー内に、Ta、あるいはTi、あるいはTaまたはTiを含む合金からなる遮蔽板３０が配置されている。 - 特許庁

Uniform processing is possible by promoting the reaction of the chemical for the peripheral part of the substrate 12 in which the etching is easily insufficient to the center due to the temperature drop.例文帳に追加

温度低下により中央部に対してエッチング処理が不十分になりやすい基板12の周辺部に対して、薬液の反応を促進することにより、均一な処理が可能になる。 - 特許庁

In the method of rapid thermal processing (RTP) of a silicon substrate, a very low partial pressure of reactive gas is used to control etching and growth of oxides on the silicon surface.例文帳に追加

シリコン基板の高速昇降温処理（ＲＴＰ）の方法において、非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する。 - 特許庁

To provide semiconductor manufacturing equipment and and a method of manufacturing of a semiconductor device capable of improving a resist selection ratio in consecutive processing stability and etching dimensions in continuous stability, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

レジスト選択比の連続処理安定性、エッチング寸法の連続安定性を高める半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

Etching processing is applied on the rear side of the exterior surface of a translucent cover body 3 (door handle exterior part ) obtained by injection-molding a resin, then, fine ruggedness is formed on the rear side surface.例文帳に追加

樹脂を射出成形してなる透光性のカバー体３（ドアハンドル外観部品）の外観面の裏面にエッチング加工を施し、この表面に微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

To provide a stainless steel sheet for photoetching-processing providing good flattening, little warping after etching and also, excellent stickness with photoresisting film and further, excellent spring-limited value.例文帳に追加

良好な平坦性と、エッチング後の少ない反りと、優れたフォトレジスト膜との密着性とを兼備し、さらに優れたばね限界値を備えるフォトエッチング加工用ステンレス鋼板を提供する。 - 特許庁