「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The etching may remove damage caused by other processing to the substrate such as damage caused by cutting the substrate.例文帳に追加

このエッチングは、基板を切断することに起因するダメージなどの、基板に対するその他の処理によって生じるダメージを取り除くことができる。 - 特許庁

To realize a uniform plasma processing (such as etching) within a wafer plane by increasing the uniformity of an incident ion energy distribution function within the wafer plane.例文帳に追加

ウエハ面内における入射イオンエネルギーの分布関数の均一性を高め、ウエハ面内で均一なプラズマ処理（エッチング等）を実現する。 - 特許庁

As a method for projecting the CNT on the surface, polishing is used here, but dry etching, ashing, or processing using chemicals is applicable.例文帳に追加

ＣＮＴを表面に突出させる方法としては、ここでは研磨を用いたが、その他、ドライエッチングやアッシング、薬液による処理でもかまわない。 - 特許庁

In the second etching step, a first conductivity type semiconductor layer 12 can be processed in a processing condition adequate to form a first conductivity type clad layer 22.例文帳に追加

第２のエッチングでは、第１導電型クラッド層２２の形成に適切な加工条件で第１導電型半導体層１２を加工できる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of exactly controlling the circumferential edge etching width of a substrate uniformly over the entire periphery of the substrate.例文帳に追加

基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of performing high-precision processing of a film to be processed such as an insulating film by using dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングを用いて絶縁膜等の被加工膜の高精度加工を行うことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To precisely control the whole etching process by observing its progress to easily perform a fine processing of a semiconductor device.例文帳に追加

エッチング工程全体の進行状況を観察しながらきめ細かく制御して、半導体装置の微細加工を容易に行なえるようにする。 - 特許庁

Further, normal etching processing using the tapered resist pattern 12c as a mask is carried out to manufacture a semiconductor device and a device in microstructure.例文帳に追加

更に、このテーパー状のレジストパターン１２ｃをマスクとして、通常のエッチング処理を行って微細構造の半導体装置やデバイスを製造する。 - 特許庁

To provide a processing method of a substrate improved to structuralize the substrate without using a wet or dry chemical etching process.例文帳に追加

ウエット又はドライケミカルエッチングプロセスを用いることなくサブストレートを構造化することに対して、改善されたサブストレートの処理方法を提案する。 - 特許庁

To provide a dry etching method and a device which are capable of processing a magnetic material while restraining carbon monoxide from dissociating in plasma.例文帳に追加

プラズマ中の一酸化炭素の解離を抑制しつつ磁性体材料の加工を行うドライエッチング方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

Master stampers whose asymmetry values increase due to a repetition of an electrocasting process are subjected to an etching processing to thus reduce the asymmetry values.例文帳に追加

ここで電鋳工程を繰り返すことでアシンメトリが上昇してしまうマスタースタンパについて、エッチング処理を施し、アシンメトリ値を減少させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of accurately detecting the endpoint of cleaning of a magnetic neutral line discharge (NLD) plasma etching apparatus.例文帳に追加

磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The plain glass 10 has a surface to which surface-roughening processing is applied by etching so that arithmetic average roughness Ra is, for example, 0.7nm-70nm.例文帳に追加

素ガラス１０は、エッチングにより算術平均粗さＲａが例えば０．７ｎｍ〜７０ｎｍになるように粗面化処理された表面を有する。 - 特許庁

The process gas of the supply source 2 of a normal pressure plasma etching apparatus M is converted to the plasma gas within a plasma discharge space 1a, and this plasma is blown to a processing object W.例文帳に追加

常圧プラズマエッチング装置Ｍの供給源２のプロセスガスをプラズマ放電空間１ａにてプラズマ化し、被処理物Ｗに吹付ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which defective products are reduced by removing plating burrs occurred in etching processing.例文帳に追加

エッチング加工で発生しためっきバリを除去して、不良品の少ない半導体装置を造る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which it is possible to etch a processing target film with favorable controllability using a resist having high etching resistance.例文帳に追加

エッチング耐性の高いレジストを用いて、被加工膜を制御性良くエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This invention proposes that a thermal peelable material or a photosetting material is employed as a sealing material needed for the etching processing.例文帳に追加

エッチング処理時に必要となるシール材について、本発明では熱剥離性材料または光硬化型材料を採用することを提案する。 - 特許庁

To improve safety, cost and flexibility or the like of a method and an apparatus for cleaning and of a method and an apparatus for etching in a semiconductor processing system.例文帳に追加

半導体処理システムにおけるクリーニング方法及び装置並びにエッチング方法及び装置の安全性、コスト、柔軟性等を改良する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method by which a hole having a high aspect ratio or the like can be formed in a silicon layer without reducing an etching rate.例文帳に追加

エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new processing method and device capable of sufficiently applying etching without damaging a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体に損傷を与えることなく、十分にエッチング加工を行うことができる新規な加工方法及び加工装置を提供する。 - 特許庁

An upper electrode on the parallel flat plate type plasma etching system is provided with many opening areas 3 for supplying the reactant gas into a processing chamber.例文帳に追加

平行平板型のプラズマエッチング装置の上部電極には、処理室内に反応ガスを供給する複数の開口部３が設けられている。 - 特許庁

A carved section 19 having spiral grooves filled with a coating solution 22 for an etching-resistant layer is formed on the periphery of the ceramic material 18 by laser processing.例文帳に追加

セラミックス材18の外周に耐エッチング層塗布液22を充填するらせん状の溝を有する彫刻部19をレーザ加工により形成する。 - 特許庁

When the sample S is put under etching process, an ion beam is irradiated, in a state of the shielding material M being intercalated near the processing surface SA.例文帳に追加

試料Ｓのエッチング加工時には、遮蔽材Ｍが加工面ＳＡの近傍に介在された状態でイオンビームが照射されて行われる。 - 特許庁

To provide a substrate processing method for forming a silicon nitride film having a small etching grade against an HF system solution without raising a film forming temperature.例文帳に追加

ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Since the floating gate electrode 5 is formed earlier, an etching residue can be prevented and an aspect ratio in processing the control gate electrode 9 can be reduced.例文帳に追加

浮遊ゲート電極５を先に形成するので、エッチング残りを防止でき、しかも、制御ゲート電極９の加工時のアスペクト比を低減できる。 - 特許庁

These films are subjected to etching processing, whereby heating elements 36 for recording, lead electrodes 38 and heating elements 46 for dew condensation prevention are formed, respectively.例文帳に追加

これらの膜をエッチング処理して、記録用発熱素子３６，リード電極３８，結露防止用発熱素子４６がそれぞれ形成される。 - 特許庁

To provide a pattern processing method with which sufficient etching resistance of a resist film is ensured without scanning with an ultraviolet laser beam.例文帳に追加

紫外レーザビームの走査を行うことなく、かつレジスト膜の十分なエッチング耐性を確保することができるパターン加工方法を提供する。 - 特許庁

The convex parts are formed by selectively growing the corresponding parts, or by laser-processing or wet or dry etching the other parts.例文帳に追加

凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。 - 特許庁

An ABS is formed at a position for determining the MR height, after height determination processing by etching through the resist is performed and lifting off the resist.例文帳に追加

そして、レジストを介したエッチングによるハイト決定加工を行い、レジストをリフトオフした後、ＭＲハイトを確定する位置にＡＢＳを形成する。 - 特許庁

To provide a method for processing a fine shape, capable of imparting a fine pattern by performing additional etching in a recessed portion formed on a base body.例文帳に追加

基体に形成した凹部内に追加エッチングを行い、微細パターンを付与することを可能にした、微細形状の加工方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of: processing the dummy film to a predetermined shape by anisotropic etching of a deposition condition; processing the film to be processed to a predetermined shape by the anisotropic etching; removing the dummy film on the film to be processed formed in the predetermined shape by the anisotropic etching; and forming an upper layer film on the film to be processed.例文帳に追加

さらに、前記ダミー膜を所望の形状にデポ条件の異方性エッチングにより加工する工程と、前記被加工膜を所望の形状に異方性エッチングにより加工する工程と、前記所望の形状に加工された被加工膜上の前記ダミー膜を異方性エッチングにより除去する工程と、前記被加工膜上に上層膜を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

In accordance with a conveying speed of the object 9 to be processed, the etching rate is set so that an etching depth in a period wherein the object 9 to be processed passes through the processing space 19 is substantially equal to a thickness of a film part 96 doped with an impurity.例文帳に追加

被処理物９の搬送速度に応じて、被処理物９が処理空間１９を通過する期間中のエッチング深さが、不純物がドープされた膜部分９６の厚さとほぼ等しくなるよう、エッチングレートを設定する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 1 has an application and development block 14 for forming a resist film on the substrate W and developing the substrate W, an exposure machine 16 for exposing the substrate W and an etching portion 17 for etching the substrate W which are integrally constituted.例文帳に追加

基板処理装置１は、基板Ｗにレジスト膜を形成し、基板Ｗを現像する塗布現像ブロック１４と、基板を露光する露光機１６と、基板をエッチングするエッチング部１７とは一体に構成されている。 - 特許庁

Chemical is supplied to the space GP and liquidtight state is formed with the chemical in the space GP, and then etching is performed with peripheral etching width EH corresponding to the position of the processing definition member 146.例文帳に追加

そして、この空間ＧＰに対して薬液が供給されて空間ＧＰにおいて薬液による液密状態が形成され、処理規定部材１４６の位置に対応する周縁エッチング幅ＥＨでエッチング処理が行われる。 - 特許庁

In a signal processing/controlling system 14, the etching rate is calculated in real time, and the apparatus is controlled so as to permit an attenuator 15 to reduce light until the resultant etching rate becomes substantially steady without depending on the intensity of the laser beams (S106).例文帳に追加

信号処理・制御系１４では、リアルタイムにエッチングレートを計算し、得られたエッチングレートがレーザ光の光強度に依らずほぼ一定になるまで、光減衰器１５に光を減少させるように機器を制御する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

When an etching mask for actual processing is formed on the substrate, the numerical aperture of the second pattern portion is determined, based on the data determined previously, such that the in-plane variations of the etching conversion difference in the film to be etched becomes small (ST6).例文帳に追加

被エッチング膜におけるエッチング変換差の面内ばらつきが小さくなるように、基板に実処理のためのエッチングマスクを形成する際の第２パタン部の開口率を先に求めたデータに基づいて決定する（ＳＴ６）。 - 特許庁

The end of etching can be stably detected without reducing the passing quantity of plasma light, even if a product produced by an etching reaction is deposited on the inside of the vacuum processing chamber, by detecting the plasma light passing through a base material layer 61.例文帳に追加

基体層６１を透過するプラズマ光を検出することによって、エッチング反応生成物が真空処理室１内に付着しても、プラズマ光の透過光量が低下すること無く、安定した終点検出を行なう。 - 特許庁

Before forming the contour of the crystal element 1 by processing a crystal wafer 3 by wet etching, an area in which etching residue of the crystal wafer 3 is easily produced is previously irradiated with a laser 14 to be mechanically processed or weakened.例文帳に追加

水晶ウエハ３をウェットエッチングにより加工して水晶片１の外形を形成する前に、予め水晶ウエハ３のエッチング残渣が発生し易い領域にレーザー１４を照射して機械的に加工又は脆弱化しておく。 - 特許庁

To realize a dry-etching method capable of obtaining wafers having stable performance even if a plurality of the wafers are subjected to processing in a case of etching a laminated gate and ensuring the same result with a case of using actual wafer samples even when dummy wafers are used in a continuous test.例文帳に追加

積層ゲートをエッチングする場合において、複数枚処理しても安定な性能が得られ、また、連続試験を行う際にＳｉダミーウェーハを用いても実ウェーハサンプルを流す場合と同様な結果が得られるようにする。 - 特許庁

The step of forming the source wiring 95 includes a step of forming a conductor film on the source contact electrode 92 and a step of processing the conductor film by etching the conductor film in a reactive ion etching.例文帳に追加

ソース配線９５を形成する工程は、ソースコンタクト電極９２上に導電体膜を形成する工程と、導電体膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることにより導電体膜を加工する工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device which has the mesa structure formed by the dry etching includes a stage (A) of plasma-processing a surface exposed by the dry etching in an atmosphere including nitrogen plasma.例文帳に追加

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vacuum processing method for reducing adhesion of foreign matter to a sample in transporting the sample from a vacuum transport chamber to a processing chamber, and reducing the foreign matter adhering to the sample after starting an etching process.例文帳に追加

真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。 - 特許庁

To introduce exhaust gas for processing exhaust gas from a dry etching system, containing a sublimational substance into an exhaust gas processing system, without depositing the sublimational substance in the exhaust gas passage.例文帳に追加

ドライエッチング装置から排出される昇華性物質を含む排ガスを、昇華性物質を排ガス通路内に析出させることなく、この排ガスを処理するための排ガス処理装置に導入する。 - 特許庁

Alternatively, the temperature of the sample 6 surface is monitored and when the temperature of the sample 6 surface has become nearly the same as the temperature in a vacuum chamber, focused charged particle beam etching processing or deposition processing is started.例文帳に追加

あるいはサンプル6表面の温度をモニターし、サンプル6表面の温度が真空内の温度とほぼ同じになってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を開始する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing device capable of removing a predetermined part of a layer on a substrate without carrying out a complicated step such as etching, ashing, cleaning or the like.例文帳に追加

基板上の層の所定部分をパターニング、エッチング、アッシング、洗浄等の煩雑な工程を経ることなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁