「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plug processing method for a resin mold for processing the surface of a plug by wet etching to form a large number of sharp recessed embossed bottomes.例文帳に追加

ウェットエッチングにより詰め栓の表面に底がシャープな凹形状の多数個のエンボスを加工可能とした樹脂成形型用詰め栓加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing the surface of a silicon substrate, capable of obtaining a uniform emulsified etching surface by plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理によって均一な白濁状のエッチング面を得ることができるシリコン系基板の表面処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent generation of processing defect in a substrate due to an increase of leak flow rate of He gas in a processing device for carrying out dry etching and plasma CVD film deposition.例文帳に追加

ドライエッチングやプラズマＣＶＤ膜堆積する処理装置において、Ｈｅガスのリーク流量増大による基板の処理不良が発生するのを防止する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck member, disposed in a semiconductor processing device to perform plasma etching processing under strongly corrosive environment, capable of improving durability of the electrostatic chuck.例文帳に追加

強い腐食性環境下で、プラズマエッチング加工が行われる半導体加工用装置内に配設される静電チャックの耐久性を向上させること。 - 特許庁

Thus, because the trench 18 is elliptically annular without end parts, the staying of an etching gas is suppressed, and the processing shape is fixed within the processing accuracy range.例文帳に追加

従って、トレンチ１８は終端部分が無い長円環状なので、エッチングガスの滞留が抑えられ、加工形状が加工精度の範囲内で一定となる。 - 特許庁

To provide a method of processing a substrate and method of manufacturing a semiconductor chip where an etching mask is formed at low cost by my means of a plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理を用いたエッチングのためのマスクを低コストで形成することができる基板の加工方法および半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of executing a series of processing ranging from resist film formation to etching for a substrate while preferably controlling the substrate.例文帳に追加

基板を好適に管理しつつレジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を基板に行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a copper-based lead material for a semiconductor and its manufacturing method difficult to produce warp even when flatness is high, etching processing and dimple processing are performed.例文帳に追加

平坦度が高く、かつエッチング加工やディンプル加工を行っても反りが生じ難い半導体用銅系リード材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a post-treating method which can prevent etching not only in a processing chamber but also in a carrier system certainly.例文帳に追加

処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁

An etching processing device 20 for etching an object in an evacuated atmosphere comprises a processing bath 21, where a carried-in semiconductor wafer W is etched, and a vacuum pump 30, which provided on the lower side of a susceptor 22 of the processing bath 21 while being coaxial with the processing bath 21, sucks the exhaust of the processing bath 21 for evacuation.例文帳に追加

真空雰囲気で被処理体にエッチング処理を施すエッチング処理装置２０は、搬入された半導体ウエハＷにエッチング処理を施すための処理容器２１と、この処理容器２１のサセプタ２２の下方側に処理容器２１と同軸的に配置され、処理容器２１内の排気を吸引して真空引きするための真空ポンプ３０とを具備する。 - 特許庁

After cutting blade parts 4 are roughly formed by a primary processing such as a press punch processing, a blade cutting processing by a whetstone or an etching processing of the comb teeth-like blade of the fixed blade 2 or the movable blade 3, the blade point angle θ of the cutting blade part 4 is formed to an acute angle by a secondary processing by a forging processing.例文帳に追加

固定刃２または可動刃３の櫛歯状の刃をプレス抜き加工、砥石による刃切り加工或いはエッチング加工等の一次加工により切れ刃部４を大略的に成形した後に、鍛造加工による二次加工により切れ刃部４の刃先角θを鋭角に成形する。 - 特許庁

In the plasma etching device which has an upper electrode arranged in an etching processing chamber, to which the etching gas is introduced, and a lower electrode opposing the upper electrode and mounting the processing object and etches the processing object by applying high frequency voltage to these electrodes, the upper electrode is formed of silicon carbide material.例文帳に追加

エッチングガスが導入されるエッチング処理室内に配設された上部電極と、上部電極に対向して処理対象物が載置される下部電極とを有し、これ等の電極に高周波電圧を印加して処理対象物をエッチングするプラズマエッチング装置であって、上部電極が炭化珪素系材料で形成されるようにしたものである。 - 特許庁

After a processing objective pattern MP1 is subjected to rule-based correction so as to obtain an etching pattern EP corresponding to the processing objective pattern MP1 by referring an etching pattern EP, the rule-base corrected processing objective pattern MP3 is subjected to simulation-based correction to generate an optical proximity effect corrected mask pattern MP4 by considering the etching process.例文帳に追加

エッチングパターンＥＰを参照し、処理対象パターンＭＰ１に対応したエッチングパターンＥＰが得られるように、処理対象パターンＭＰ１をルールべースで補正した後、ルールべースで補正された処理対象パターンＭＰ３をシミュレーションベースで補正することにより、エッチングプロセスを考慮して光近接効果補正されたマスクパターンＭＰ４を生成する。 - 特許庁

The etching apparatus includes a stage 21 for partitioning a processing space 22 movably carried in the etching chamber 11 for etching the sample W and a reservoir space 23 for temporarily reserving the xenon difluoride gas supplied to the processing space 22 and also allowing no xenon difluoride gas to flow between the processing space 22 and the reservoir space 23.例文帳に追加

エッチング装置は、エッチング室１１内で移動可能に支持され、試料Ｗをエッチングする処理空間２２と、該処理空間２２に供給する二フッ化キセノンガスを一時的に貯留する貯留空間２３とに区画するとともに、処理空間２２と貯留空間２３との間で二フッ化キセノンガスを流通不能にするステージ２１を備えた。 - 特許庁

A work as an object of processing is exposed to a processing fluid containing an etching reactant so as to undergo an etching treatment (a third step S3, a fourth step S4), and thereafter a processing chamber is reduced in internal pressure so as to make the processing fluid near the work lower in density than that at the fourth step S4 (a first step S1).例文帳に追加

エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒すことにより、当該被処理物のエッチング処理を行い（第３ステップＳ３、第４ステップＳ４）、その後、処理室内を減圧することにより、被処理物の近傍における処理流体の密度を第４ステップＳ４よりも低下させる（第１ステップＳ１）。 - 特許庁

Consequently, a processing chamber composed of the semiconductor wafer 11 as its inner bottom surface and the inner circumferential surface of the press frame body 17 as its internal wall is constituted in an etching pot 14, and etching can be carried out by supplying an etchant into the processing chamber.例文帳に追加

これにて、エッチングポット１４には、半導体ウエハ１１を内底面とし押え枠体１７の内周面を内壁とした処理室が構成され、この処理室内にエッチング液を供給してエッチング処理を行うことができる。 - 特許庁

The exposure of a wall surface rising from the surface of the base layer 34 is blocked on the MR film 41 during the etching processing, and the reaction of etching gas and the MR film 41 is surely evaded.例文帳に追加

エッチング処理中にＭＲ膜４１では基礎層３４の表面から立ち上がる壁面の露出は阻止され、エッチングガスとＭＲ膜４１との反応は確実に回避される。 - 特許庁

And the side of the via 78a is made to be recovered from a damage caused by the etching treatment by processing the side of the via 78a formed in the interlayer insulating film 74 by this etching treatment with a silylation treatment.例文帳に追加

このエッチング処理によって層間絶縁膜７４に形成されたビア７８ａの側面部をシリル化処理し、ビア７８ａの側面部をエッチング処理によるダメージから回復させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a focus ring such that: uniformity in an etching rate of a workpiece is not made worse, and generation of particles resulting from etching of the focus ring is reduced.例文帳に追加

被処理体のエッチングレートの均一性を悪化させず、フォーカスリングがエッチングされることによるパーティクルの発生を減らすことができるプラズマ処理装置及びフォーカスリングを提供する。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method capable of increasing symmetry of the shape of a sidewall and improving processing accuracy when etching a target etching film, in SWP.例文帳に追加

ＳＷＰにおいて、側壁部の形状の対称性を高め、被エッチング膜をエッチングするときの加工精度を向上させることができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Etching gas is introduced into a processing chamber 12 before radical is introduced and the etching gas is adsorbed to the surface of a substrate 15 when radical is introduced.例文帳に追加

本発明によれば、処理室１２内部にラジカルを導入する前にエッチングガスが導入されており、ラジカルが導入されるときには基板１５の表面にエッチングガスが吸着している。 - 特許庁

To provide resist for metal foil etching, which is heat drying type resist ink and can suppress the occurrence of a pinhole during etching processing using acid, and to provide a metal foil pattern forming method.例文帳に追加

熱乾燥型レジストインキであって、酸によるエッチング処理に際して、ピンホールの発生を少なくできる金属箔エッチング用レジストの提供、および金属箔パターン形成方法の提供。 - 特許庁

An etching plastic is injected into a processing chamber in which the semiconductor wafer is accommodated, and a self-supporting type nano-structure part is exposed on the semiconductor wafer by etching the patterned layer.例文帳に追加

上記半導体ウェハーを収容した処理チャンバーに、エッチング化成品を注入し、パターン化された層をエッチングして、自立型ナノ構造部を半導体ウェハー上に露出させる。 - 特許庁

To provide a method for plasma etching processing which reduces an amount of losses of a Poly-Si layer side wall etching or ground Si layer for constituting a gate module at high dielectric constant gate insulating film time.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するＰｏｌｙ−Ｓｉ層側壁サイドエッチングや下地Ｓｉ層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

The control part 43 changes the chuck voltage according to each process of plasma processing composed of a plurality of processes including an etching process, and in the etching process, applies a high voltage to the electrode plate 25d.例文帳に追加

制御部４３は、エッチング工程を含む複数の工程からなるプラズマ処理の各工程に応じてチャック電圧を変更し、エッチング工程では高電圧を電極２５ｄに印加する。 - 特許庁

Further, after the mask is formed, the etching liquid is ejected from the nozzle to thereby perform etching processing on an exposed metal face of the workpiece 10A to form a machining pattern.例文帳に追加

さらに、前記マスクを形成後に、エッチング液をノズルから噴射することにより、露出したワーク１０Ａの金属面をエッチング処理して加工パターンを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a surface processing apparatus which equalizes the etching rate in an area of a processed surface where an etchant is supplied and performs desired etching on a workpiece.例文帳に追加

被処理面のエッチング液が供給されている領域内でのエッチングレートを均一化し、被処理物に対して所望のエッチングを行うことができる表面加工装置を提供すること。 - 特許庁

To etch silicon at a high etching rate when a processing gas containing a fluorine containing compound gas is changed into plasma and a part made of silicon of a substrate to be treated is subjected to etching by the plasma.例文帳に追加

フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板のシリコン部分をプラズマエッチングするにあたって、高いエッチングレートでシリコンをエッチングすること。 - 特許庁

Further, a method for processing the semiconductor wafer comprising the steps of chamfering, surface grinding, etching, and mirror surface polishing is characterized in that the etching step is performed as above.例文帳に追加

および面取り、平面研削、エッチング、鏡面研磨する工程からなる半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程を上記のように行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

To provide a fine structure formation method, using isotropic etching, by which controllability of etching in fine processing is improved, and even a large-sized substrate can be uniformly processed as a result.例文帳に追加

等方性エッチングを用いた微細加工の際にエッチングの制御性を向上し、大型基板においても均一な加工を実現する微細構造形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus and a plasma processing method, for uniform etching processes from the central part in a wafer plane to edge part, by solving the problem of degradation in rate in a wafer edge part.例文帳に追加

ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Si etching method that can prevent sidewall damages and makes high selection ratio and vertical form processing compatible, in an etching process for a silicon substrate or silicon layer.例文帳に追加

シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるＳｉエッチング方法を提供する。 - 特許庁

When an etching processing of a substrate is performed, the etching is performed in an ion atmosphere which is ionized to a pole opposite to one of a charge generated on the substrate, thereby solving the problem.例文帳に追加

基板のエッチング加工の際、この基板に生じる帯電の極性と反対の極性にイオン化されたイオン雰囲気中でエッチング加工することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an etching device, that is high in processing accuracy, without generating abnormal configuration, even if a complicated configuration such as a multi-stage configuration is etched, and to provide a final molded object.例文帳に追加

多段形状のような複雑な形状であっても異常形状を生じさせることのない、加工精度の高いプラズマエッチング方法とエッチング装置及び最終成形物の提供。 - 特許庁

To provide the processing method of a thin film, the manufacturing method of a thin film transistor and a high density plasma etching device superior in an etching rate and a shape while securing a selection ratio with a substrate material in the dry etching of a metal material mainly comprising Mo.例文帳に追加

Moを主成分とする金属材料のドライエッチングにおいて、下地材料との選択比を確保しつつエッチングレートおよび形状に優れる薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of removing processing damage of an Si wafer by achieving wet etching by a mixed acid that brings the Si wafer into a surface condition at a level without roughening it at an etching rate of 10-60 μm/min and at uniformity of ±5% with respect to an etching amount.例文帳に追加

１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。 - 特許庁

An etching waste liquid treatment method has the process of distilling the etching waste liquid obtained after the etching processing of a material to be etched with a hydrochloric acid-containing etchant, and the process of obtaining hydrochloric acid by subjecting the distillate obtained by the distillation to reduction treatment.例文帳に追加

本発明のエッチング廃液の処理方法は、塩酸を含むエッチング液によって被エッチング材をエッチング加工した後のエッチング廃液を蒸留する工程と、蒸留して得られた留出液を還元処理して塩酸を得る工程と、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a microneedle includes a step of forming an island-like etching mask, which has a thickness distribution, on a substrate, and a step of processing the substrate into needle shape by using a difference between the etching rate of the etching mask and that of the substrate.例文帳に追加

基板上に厚み分布をもつ島状のエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクと基板とのエッチングレートの差を利用して前記基板を針状に加工する工程とを含むことを特徴とするマイクロニードルの製造方法。 - 特許庁

Here, the slice etching processing is to etch the first film (211) more gently, in other words, more mildly than normal wet etching and dry etching by bringing an etchant into contact with the first film (211) from on the first film (211).例文帳に追加

尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 - 特許庁

In the method of the silicon anisotropic etching, a silicon substrate 5 is subjected to etching processing using a silicon anisotropic etching liquid in which polyoxyalkylene alkyl ether is added at a rate of 0.1 to 10 ppm to a hydroxylation tetramethylammonium aqueous solution of 20 to 25 mass%.例文帳に追加

シリコン異方性エッチング方法において、２０〜２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを０．１〜１０ｐｐｍの割合で添加したシリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板５をエッチング加工する。 - 特許庁

For the plasma etching to an Si wafer W placed on a susceptor 2 within a processing vessel 1, a mixed gas obtained by adding silicon fluoride, for example, SiF4 to phosphorus fluoride or carbon fluoride, for example, SF_6/O_2 gas system is introduced as the etching gas to the processing vessel 1 from a processing gas supplying system 23.例文帳に追加

処理容器１内のサセプタ２にＳｉウエハＷを載置してプラズマエッチングを行なうに際して、処理ガス供給系２３よりフッ化硫黄またはフッ化炭素たとえばＳＦ_６／Ｏ_２ガス系にフッ化ケイ素たとえばＳｉＦ_４を添加した混合ガスをエッチングガスとして処理容器１に導入する。 - 特許庁

To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.例文帳に追加

エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばＦを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁

To provide a surface processing method used for etching the surface of a workpiece to make the surface have a target profile.例文帳に追加

被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。 - 特許庁

For the cleaning of the silicon by the cleaning head 20, it is preferable to complete it within a predetermined time after the etching processing.例文帳に追加

洗浄ヘッド２０によるシリコン基板の洗浄は、エッチング処理の後、所定時間内に完了することが好ましい。 - 特許庁

To form holes having uniform opening diameter and depth in an insulating film in hole processing using multilayered mask etching.例文帳に追加

多層マスクエッチングを用いたホール加工において、開口径及び深さの均一なホールを絶縁膜内に形成する。 - 特許庁