「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR PRODUCING IRON-NICKEL ALLOY PLATE FOR ETCHING-PROCESSING, APPRECIATING QUALITY HISTORY例文帳に追加

品質履歴のわかるエッチング加工用Ｆｅ−Ｎｉ合金板の製造方法 - 特許庁

The silicon dioxide area masks the silicon existing below in silicon etching processing.例文帳に追加

二酸化ケイ素領域は下にあるシリコンをシリコン・エッチング処理中にマスクする。 - 特許庁

To provide a circuit board and a manufacturing method thereof, where the adverse effects of wet etching on an environment or human bodies are lessened and a board can be improved in degree of freedom of processing by a method wherein etching by the use of gas is employed in place of wet etching.例文帳に追加

ガスを用いたエッチングにより、ウエットエッチングでは不可能な環境や人体への負荷低減及び基板に対する加工自由度の向上を図ること。 - 特許庁

To provide an anisotropic etching processing method where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced.例文帳に追加

本発明は、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁

A wet processing apparatus includes a wafer holding portion 3 for holding the wafer 1 and a processing tank 2 in which peeling processing, cleaning processing, or etching processing is carried out on the processing surface 15 of the wafer 1 with a processing liquid 19 reserved inside.例文帳に追加

ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。 - 特許庁

To provide an etching processing method of a piezoelectric wafer for forming an etching surface perpendicular to a surface of the piezoelectric wafer in a short time.例文帳に追加

圧電ウエハの表面に対して垂直なエッチング面を短時間で形成する圧電ウエハのエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device and a dry etching method capable of improving a processing accuracy of a concave part formed on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面に形成する凹部の加工精度を向上させたドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a halftone mask capable of suppressing side etching of an etching stopper layer in washing processing using concentrated sulfuric acid.例文帳に追加

濃硫酸を用いた洗浄処理においてエッチングストッパ層のサイドエッチングを抑制することができるハーフトーンマスクを提供する。 - 特許庁

The etching layer 4 is formed on the processing layer 3 and subjected to etching treatment so as to have a fine structure.例文帳に追加

加工層３の上にエッチング層４が形成されており、エッチング層４は、エッチング処理により微細構造が形成されている。 - 特許庁

Then processing the switching active element protection film by dry etching using patterned etching resist 10 forms a contact part 6.例文帳に追加

その後、パターニングされたエッチングレジスト１０を用いてスイッチング能動素子保護膜７をドライエッチングしコンタクト部位６を形成する。 - 特許庁

To provide an etching processing method of a piezoelectric wafer by which a perpendicular etching is performed on a surface of the piezoelectric wafer in a short time.例文帳に追加

圧電ウエハの表面に対して垂直なエッチング面を短時間で形成する圧電ウエハのエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

At that time, an oxide film on the semiconductor layer formed with an oxygen plasma processing is subjected to plasma dry etching with etching gas.例文帳に追加

その際、酸素プラズマ処理によって形成される半導体層上の酸化膜をエッチングガスによってプラズマドライエッチングする。 - 特許庁

The insulating layer is selectively eliminated by discharged processing agent (etching gas or etching liquid) to form an opening in the insulating layer.例文帳に追加

吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。 - 特許庁

Projections/ recessions having a crystal surface which is slower in an etching velocity than the (111) surface of the crystal are formed by the anisotropic etching processing.例文帳に追加

異方性エッチング処理では、結晶の｛１１１｝面よりもエッチング速度が遅い結晶面を有する凹凸が形成される。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus, capable of applying uniform etching processing to the main surface of a substrate.例文帳に追加

基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、被処理物であるシリコン基板２の表面にエッチングガス４を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド１０と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板２を洗浄する洗浄ヘッド２０とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma generation method in which high processing control of a precision is possible in etching processing or padding.例文帳に追加

エッチング加工や埋め込みにおいて精度の高い加工制御が可能なプラズマ生成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for processing a silicon substrate by which an etching rate is strictly controlled while processing treatments are performed.例文帳に追加

加工処理と同時に厳密なエッチングレート管理が可能となるシリコン基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To realize a plasma processing method in which a selection can be made arbitrarily between etching process and deposition process during plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理中に任意にエッチング処理とデポジション処理とを選択できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Formed by etching processing, the convex portion can be formed without cutting unlike laser processing.例文帳に追加

エッチング処理によって形成されているため、レーザー加工のように裁断することなく凸部を形成することができる。 - 特許庁

The silicon substrate 2 is conveyed with conveying means 6 for the etching processing and the cleaning processing for the entire surface of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板２を搬送手段６で搬送して、シリコン基板全面のエッチング処理と、洗浄処理を行う。 - 特許庁

This method includes a shape processing step for performing shape processing to the shape of a cover glass by etching a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板をエッチングすることによりカバーガラスの形状に形状加工する形状加工工程を含む。 - 特許庁

To provide an etching processing apparatus and an etching method for suppressing an increase in moisture concentration in an etching liquid when replenishing a constituent liquid chemical to the etching liquid including at least one constituent liquid chemical and water.例文帳に追加

少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液に一の成分薬液を補給する際の、エッチング液中の水分濃度の上昇を抑制できるエッチング処理装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method and an etching device which enable both processing of high precision and processing of high selectively to a fine pattern without casing charge-up and etching shape abnormality in a treatment object.例文帳に追加

被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工と高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁

GLASS-ETCHING COMPOSITION AND METHOD FOR SURFACE PROCESSING OF SAND-BLASTED GLASS PRODUCT例文帳に追加

ガラスエッチング組成物およびサンドブラスト加工を施したガラス製品の表面加工法 - 特許庁

Due to this etching processing, unnecessary objects such as polymer or the like depositing on the wafer surface.例文帳に追加

このエッチング処理によりウェハ表面にはポリマ等の不要部位が付着する。 - 特許庁

Then etching processing is carried out to form a specific pattern on the reticle.例文帳に追加

その後、エッチング処理を施すことによりレチクル上に所定のパターンが形成される。 - 特許庁

To reduce undesired etching by using chemicals to improve the quality of chemical processing.例文帳に追加

薬液による不所望なエッチングを低減して、薬液処理の品質を向上する。 - 特許庁

The hole is formed by groove processing utilizing a dicer and etching by an ion beam.例文帳に追加

穴は、ダイサーを利用した溝加工やイオンビームによるエッチングによって形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND DRY ETCHING APPARATUS例文帳に追加

半導体素子の製造方法、半導体基板の加工方法及びドライエッチング装置 - 特許庁

After a cleaning operation (first substrate processing) is finished, an etching solution (second processing solution) reserved in the compounding tank is supplied to a processing tank 10 to carry out an etching operation.例文帳に追加

そして、洗浄処理（第１の基板処理）の完了後、調合槽ＣＢに貯留されているエッチング用処理液（第２の処理液）が処理槽１０に供給されてエッチング処理が実行される。 - 特許庁

In a plasma etching processing method that introduces a processing gas comprising a mixture of a plurality of material gases into a processing container 2 and changes the processing gas into plasma in the processing container 2 to perform etching processing on a substrate W, the mixing ratio of different kind of material gases is changed to control the CD.例文帳に追加

複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器２に導入され、処理容器２内で処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御される。 - 特許庁

To provide an etching processing method and a device therefor for protecting one side of a wafer and etching or rinsing the other side of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの片面を保護して他の片面をエッチングまたはリンス処理を行うエッチング処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

A tungsten residue 17 which occurs in a peripheral region is removed by wet etching as a second etching processing (refer to Fig. (d)).例文帳に追加

第２のエッチング処理として、ウェットエッチングにより周辺領域に発生したタングステン残渣１７の除去を行う（図１（ｄ）参照）。 - 特許庁

A plasma emission spectrum coming from indium in etching processing atmosphere is measured to detect the etching end from the intensity variation of this spectrum.例文帳に追加

エッチング処理雰囲気内のインジウム由来のプラズマ発光スペクトルを測定し、このスペクトルの強度変化からエッチング終点を検出する。 - 特許庁

The method for manufacturing the noncontact data carrier is provided with a process for executing etching by injecting an etching solution and a process for executing the etching processing over the whole surface.例文帳に追加

このような非接触データキャリアの製造は、エッチング液を噴射してエッチングする工程の後に、全面のエッチング処理を行う工程を設けることにより製造することができる。 - 特許庁

To reduce irregularity of etching caused when an etching processing is performed by a reactive ion etching (RIE) device for forming fine ruggedness on the surface of a silicon substrate for solar cell.例文帳に追加

太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces the amount of side etching of wet etching processing while maintaining cleanness of a chemical, and a wet etching device.例文帳に追加

本発明は、薬液の清浄度を保ちつつ、ウエットエッチング処理のサイドエッチング量を低減させる半導体装置の製造方法及びウエットエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a technique capable of stably detecting an etching endpoint even when a pattern occupation rate of an etching target is fine in dry etching in contact hole processing or the like.例文帳に追加

コンタクトのホール加工等におけるドライエッチングにおいて、エッチング対象のパターン占有率が微小であっても、エッチング終点を安定して検出することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a device measuring accurately a concentration of an etching liquid component, when performing etching processing to a substrate with a circulating etching liquid, while conveying the substrate.例文帳に追加

基板を搬送しながら基板に対しエッチング液を循環させつつ供給してエッチング処理する場合に、エッチング液成分の濃度を正確に測定できる装置を提供する。 - 特許庁

When etching processing is performed, the material film 17 is removed around the mask 22.例文帳に追加

エッチング処理が施されると、マスク２２の周囲で素材膜１７は取り払われていく。 - 特許庁

To suppress contamination inside a processing chamber to thereby improve uniformity of etching as much as possible.例文帳に追加

処理室の内部の汚染を抑制して、エッチングの均一性を可及的に高める。 - 特許庁

Therefore, dependence on temperature of etching rate can be utilized without remarkable increase of the processing time.例文帳に追加

したがって、処理時間をあまり増加させずにエッチングレートの温度依存性を利用できる。 - 特許庁

An etching processing is performed to the recessed parts in various shapes, such as a belt, a matrix, and a honeycomb.例文帳に追加

凹部は帯状，マトリクス状，ハニカム状など様々な形状でエッチング処理されている。 - 特許庁

The mold 1 is constituted of a mold matrix 2, a processing layer 3 and an etching layer 4.例文帳に追加

金型１は金型母材２と加工層３とエッチング層４により構成されている。 - 特許庁