「etching processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

This manufacturing method includes a process of forming a dielectric film 5 including any of titanium, strontium, and barium as a constituent element on a substrate 1, a process of exposing the dielectric film 5 to the plasma of gas for etching including coloring, and a process of processing the plasma-exposed surface of the dielectric film 5 with oxidizing gas.例文帳に追加

基板１上にチタン、ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜５を形成する工程、この誘電体膜５を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜５のプラズマ暴露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。 - 特許庁

Furthermore, by keeping the temperature of an n^+ type single crystal silicon substrate 1 at 5°C in processing the gate electrode 9a, the reattachment of an etching residue to the processed surface can be prevented, and by making the shape of the processed surface smooth, the yield and reliability of the trench gate MOSFET can be improved.例文帳に追加

また、ゲート電極９ａの加工時のｎ^＋型単結晶シリコン基板１の温度を５℃とすることで、エッチング残渣が加工表面へ再付着するのを防ぎ、加工表面を滑らかな形状にすることにより、トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴの歩留まりおよび信頼性を高めることができる。 - 特許庁

In the laminate of the protective film formed on the wafer and the die attach film, the protective film is formed by executing plasma processing using a reactive gas to the surface of a resin film formed from a resin composition containing two or more kinds of resins of different etching rates.例文帳に追加

ウエハ上に形成された保護膜とダイアタッチフィルムとの積層体であって、前記保護膜が、エッチングレートの異なる２種以上の樹脂を含む樹脂組成物から形成される樹脂膜の表面に反応性ガスを用いたプラズマ処理を施して成ることを特徴とする積層体。 - 特許庁

Because an etching condition is optimized by performing RIE processing under the above condition, both the upper pole chip 11a and the magnetic pole part 100 can be formed with high accuracy, and the time needed to form both can be drastically shortened.例文帳に追加

上記のような条件下においてＲＩＥ加工を行うことにより、エッチング条件が最適化されるので、上部ポールチップ１１ａおよび磁極部分１００の双方を高精度に形成することができると共に、双方の形成に要する所要時間を大幅に短縮することができる。 - 特許庁

To provide a plate making material which does not need a plating process, a grindstone polishing process, buff polishing process, a mirror processing process by buff polishing, an applied photosensitive membrane forming process, a development process, an etching process, and a resist peeling process by applying laser ablation and chromium plating to a coat and a plate making roll.例文帳に追加

被膜に対してレーザーアブレーションとクロムメッキを行うことにより、メッキ工程、砥石研磨工程、バフ研磨による鏡面加工工程、感光膜の塗布形成の工程、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程が不要である被製版材料及び被製版ロール。 - 特許庁

Then, prior to etching processing, the non-resist region of the rolled aluminum foil exposed in the non-resist section is treated by any water solution selected from a group including a sodium hydroxide water solution, a sodium carbonate water solution, a sodium phosphate water solution, a phosphoric acid water solution, a nitric acid water solution, and a chromic acid water solution.例文帳に追加

その後、エッチング処理前に、非レジスト部において露出している圧延アルミニウム箔の非レジスト部位を、水酸化ナトリウム水溶液，炭酸ナトリウム水溶液，燐酸ナトリウム水溶液，燐酸水溶液，硝酸水溶液及びクロム酸水溶液よりなる群から選ばれた水溶液で処理する。 - 特許庁

To provide a halftone-type EUV mask produced by selecting the material of a halftone film that has no only wide selectivity (flexibility) of reflectivity and high cleaning liquid-resistance, but also high processing accuracy of etching, a halftone-type EUV mask blank, a production method of the halftone-type EUV mask and a pattern transfer method.例文帳に追加

反射率の選択性の広さ（自由度）と洗浄液耐性の高さを持つと同時に、エッチングの加工精度が高くなるハーフトーン膜の材料を選定したハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供すること。 - 特許庁

This signboard for the countermeasure against the disaster is a signboard for a countermeasure against a disaster composed of a base material formed of metal and a pattern formed on the base material; and is characterized in that a recessed part is formed by processing a surface of the base material by etching, and a luminous agent is applied to such a recessed part.例文帳に追加

本発明の災害対策用標示板は、金属で形成された基材と、基材に形成された図柄とで構成される災害対策用標示板であって、前記基材の表面をエッチング加工により凹部を形成すると共に、かかる凹部に蓄光剤を塗布したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

In reapplying anodic oxidation to an electrode foil obtained by applying anodic oxidation and drying to an aluminum etching foil, the electrode foil is immersed in an acid solution as depolarization processing ST1, and then, anodic oxidation is reapplied using in-solution power feed as restoring chemical treatment ST2.例文帳に追加

アルミニウムエッチング箔に陽極酸化および乾燥を施した電極箔に再度の陽極酸化を行う際、減極処理ＳＴ１として、電極箔を酸性溶液に浸漬した後、修復化成処理ＳＴ２として、液中給電により再度の陽極酸化を行う。 - 特許庁

To provide a polyurethane adhesive composition for a dry laminate, which does not cause yellowing and whitening when using a ferric chloride solution and a sodium hydroxide solution at etching processing, and has sufficient adhesiveness when laminating a PET film and copper foil; and to provide a laminated film using the composition.例文帳に追加

エッチング加工時に塩化第二鉄溶液や水酸化ナトリウム溶液にて，黄変したり白化したりすることがなく，ＰＥＴフィルムと銅箔をラミネートするにあたって十分な接着性を有するドライラミネート用ポリウレタン接着剤組成物およびこれを使用した積層フィルムを提供することにある。 - 特許庁

The means is to spray heated and vaporized functional water, which is ozone water obtained by forcing ozone gas be contained in deionized water, or which is ozone water obtained by electrolyzing deionized water onto the substrate after the dry etching, and to execute plasma processing to remove the photoresist film on the substrate surface.例文帳に追加

その手段は機能水としてオゾンガスを超純水に含有させて成るオゾン水や超純水を電気分解して得たオゾン水を用い、加熱・水蒸気化したものを前記ドライエッチング後の基板に噴霧、プラズマ処理することで、基板表面のフォトレジスト膜を除去するものである。 - 特許庁

The manufacturing method for a semiconductor device is constituted such that a sacrifice film is formed all over the semiconductor substrate provided with a trench, and subsequently by removing the sacrifice film with isotropic etching, and the trench opening and the corner of the trench bottom are made roundish by shape processing.例文帳に追加

トレンチを備えた半導体基板全面に犠牲膜を形成し、次いで等方性エッチングにより犠牲膜を除去することにより、トレンチ開口部及びトレンチ底面のコーナーを丸みを帯びた形状に加工することを特徴とする半導体装置により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The apparatus includes a reactive species generator adapted to generate a reactive gas species for chemically etching the accumulated material from chamber components, and a processing chamber having at least one component with a mirror polished surface which is exposed to the reactive species.例文帳に追加

本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor element capable of processing shapes with different etching depths in a same plane easily while suppressing unevenness of a surface without generating induction of defects (group-V atom vacant lattices) nor deterioration in surface morphology caused by desorption of constituent atoms of a semiconductor.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

In the prior art, the formation of extrusions and indentations were produced chemically. As such the process required post-process treatments and required multiple additional steps. In this process of fabrication, no post-processing is required and the use of specific gas phase etching medium produces better results. 例文帳に追加

従来は、化学的処理を施すことによって凹凸を形成していたので、後処理が必要であり、製造工程が多かったが、この製造方法によると、後処理が不要になるとともに、特定の成分からなるガス状エッチング媒体を使用しているため良好なエッチング効果が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of fine structure in which an alignment accuracy, an accuracy of processing technology by step and repeat exposure, finishing size of resist mask, yield by etching technology, etc. are overcome; and to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the semiconductor elements of the fine structures are highly integrated.例文帳に追加

本発明では、アライメント精度、縮小投影露光による加工技術の精度、レジストマスクの仕上り寸法、エッチング技術等による歩留まりを克服し、微細構造の半導体素子、及び微細構造の半導体素子が高集積化された半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

It becomes possible to easily administrate the etching time and to realize processing of the silicon substrate 108, resulting small load to the human body and the environment by applying a voltage such that the silicon substrate 101 is removed only in the vicinity of the counter electrode 108, and an oxide film is not formed on the surface of the silicon substrate 101.例文帳に追加

このシリコン基板１０１が対極１０８近傍においてのみ除去され、かつ、シリコン基板１０１表面に酸化膜を形成しない電圧を印加することにより、エッチング時間の管理が容易で、人体および環境への負荷が小さいシリコン基板１０１の加工が可能になる。 - 特許庁

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁

A plasma etching apparatus 2 is provided with a plasma generating chamber 23 consisting of a quartz bulb connecting at its one end a glow starter 24 and also connecting at its other end a processing chamber 21 via a transporting chamber 22, and this plasma generating chamber 23 can freely rotate around the quartz bulb.例文帳に追加

プラズマエッチング装置２には、一端にグロースタータ２４が接続され他端に輸送室２２を介して処理室２１が接続された石英管からなるプラズマ発生室２３が備えられており、このプラズマ発生室２３は石英管の軸を中心にして回転自在に設けられている。 - 特許庁

For this plasma processor, an electrostatic chuck 108 is provided on a lower electrode 106 arranged inside the processing chamber 102 of an etching device 100, and a conductive inner side ring body 112a and an insulating outer side ring body 112b are arranged so as to surround the periphery of a wafer W mounted on a chuck surface.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内に配置された下部電極１０６上には，静電チャック１０８が設けられ，チャック面上に載置されるウェハＷの周囲を囲むように導電性の内側リング体１１２ａと絶縁性の外側リング体１１２ｂが配置される。 - 特許庁

In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed.例文帳に追加

真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。 - 特許庁

The ferromagnetic thin membrane layer 15 has 0.5-50 oersted coercive force, may have a squareness ratio regulated so as to be 0.7-1.0, may be formed into the pattered one by a thin film-removing means such as a laser processing method, an etching method and a lift-off method, and further may have a bar code mark formed by patterning.例文帳に追加

上記強磁性薄膜層１５は、保磁力が０．５〜５０エルステッドで、かつ角型比が０．７〜１．０に調整されているようにでき、レーザ加工法、エッチング法、リフトオフ法等の薄膜除去手段によりパターン化されたものとすることができ、また、バーコードマークをパターン化して設けることができる。 - 特許庁

The microfabrication processing agent consisting of hydrogen fluoride, at least two components, and a solvent with acceptor number of each component of 35 or less and specific inductive capacity of 40 or less, and etching rate to the high permittivity film at 25°C twice or more than that to the silicone oxide film at 25°C.例文帳に追加

本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素と、少なくとも２成分からなり、各成分のアクセプター数が３５以下、比誘電率が４０以下の溶媒とを含み、高誘電率膜に対する２５℃でのエッチレートがシリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a remover for multistage processing which safely and efficiently removes an etching residue in a short time that is formed in the forming process of a semiconductor multi-layer wiring structure and a display panel such as a liquid crystal panel, and to provide a stripping method using the remover.例文帳に追加

半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ短時間に効率的に除去することのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a memory cell of a floating gate structure which can form a silicon nitride film without involving reduction in yield while suppressing fluctuations in transistor threshold voltage as an etching stop layer for the processing of a bottom borderless contact on a control gate electrode.例文帳に追加

浮遊ゲート構造のメモリセルを備えてなる半導体装置において、制御ゲート電極上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として、トランジスタの閾値電圧変動を抑制しつつ、歩留りの低下を伴わずに窒化珪素膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A control part 50 performs a first film thickness measuring process T20 in a time lag period T20, during which etching processing is started and performs second film thickness measuring process T21 to fifth film thickness measuring process T24 in the time lag periods T6 to T12, during which the supply of hydrofluoric acid L2 is stopped.例文帳に追加

制御部５０は、エッチング処理が開始されるタイムラグ期間Ｔ２０に第１の膜厚測定工程Ｔ２０を行い、フッ酸Ｌ２の供給が停止されるタイムラブ期間Ｔ６〜Ｔ１２に第２の膜厚測定工程Ｔ２１〜第５の膜厚測定工程Ｔ２４を行う。 - 特許庁

High-frequency energy is given to a gas introduced into the processing chamber 2D by a gas inlet means 6 from a high-frequency power supply 71 through the intermediary of a matching device 72 to produce a plasma P, and the surface of a substrate 9 held by the substrate holder 5 located at a closing position is subjected to pre-process etching.例文帳に追加

ガス導入手段６が導入したガスに、基板ホルダー５と一体に移動する整合器７２を介して高周波電源７１から高周波エネルギーが与えられてプラズマＰが形成され、閉位置にある基板ホルダー５に保持された基板９の表面が前工程エッチング処理される。 - 特許庁

To provide a device and a method for forming a pattern image, a substrate on which an image is formed and a method for forming the image on the substrate capable of realizing the shortening of processing time and the reduction of production cost without using a photomask in lithographic technique or etching technique.例文帳に追加

リソグラフィー技術或いはエッチング技術において、フォトマスクを使用せずにプロセス時間の短縮化や生産コストの低減を図ることが可能なパターン画像形成装置及びその方法並びに画像形成された基板及びその基板への画像形成方法を提供する。 - 特許庁

An SOI substrate 20 is placed on the projections 3b, etching gas is introduced into the processing chamber 2, high-frequency power is applied to the lower electrode 3 to generate plasma, and an oxide film is dry-etched, in a state in which the surface of the SOI substrate facing the lower electrode 3 is exposed to the plasma.例文帳に追加

そして、突出部３ｂ上にＳＯＩ基板２０を配置して、処理室２内にエッチングガスを導入すると共に、下部電極３に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、ＳＯＩ基板２０の下部電極３側の面もプラズマに曝した状態で、酸化膜をドライエッチングする。 - 特許庁

The photoresist compositions exhibit both acceptable resistance to dry etching processing and light transmittance suitable for use with various light sources such as KrF excimer lasers, ArF excimer lasers or F_2 excimer lasers, in a photolithography process to produce fine photoresist patterns.例文帳に追加

ドライエッチング工程で許容可能な耐性を提供し、微細なフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー、またはＦ_２エキシマーレーザーのように多様な光源の使用に適した光透過度を提供するフォトレジスト組成物。 - 特許庁

The shield film has resistance against surface-active processing liquid containing defatting liquid, acid chemical, alkaline chemical, solvent, alcohol, plating liquid and etching liquid, and may have, in some cases, moisture resistance, resistance to gas permeability, and corrosion resistance; for example, the shielding film has Cr, Ni, Ti, Cu, W, Ag or Al as the main components.例文帳に追加

シールド膜は、脱脂液を含む表面活性処理液、酸性薬液、アルカリ性薬液、溶剤、アルコール、めっき液及びエッチング液に対する耐性を有し、耐湿性、耐ガス透過性、耐腐食性を有する場合があり、例えばＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ又はＡｌを主成分とする。 - 特許庁

The method of casting the main agent into a blanking mold having wall parts and columnar members becoming the clearance parts, and removing the blanking mold, or the method of removing a fibrous member from the product obtained by kneading the fibrous member with the main material by etching or the like can be used instead of the formation of the clearance parts by the laser processing.例文帳に追加

レーザ加工などによって間隙部を形成する代わりに、間隙部となる壁部や柱状部材を有する抜き型に主剤を注入した後、抜き型を剥離する方法や、主剤に繊維状部材を混練して繊維状部材をエッチングなどで除去する方法を採ることもできる。 - 特許庁

Active matrix elements, etc., are formed on one side plastic substrate 103, a color filter, etc., are formed on the other side plastic substrate 103, thereafter, both are stuck together by making the plastic substrates 103 inside and the supporting substrate 101 is removed by etching or a mechanical grinding processing.例文帳に追加

一方のプラスチック基板１０３にアクティブマトリックス素子等を形成し、他方のプラスチック基板１０３上にカラーフィルタ等を形成した後、これらをプラスチック基板１０３を内側にして貼り合わせ、支持基板１０１をエッチングまたは機械的研磨処理によって除去する。 - 特許庁

Before a liquid crystal panel (e.g. an element aggregate 35a) formed by sticking a color filter (CF) substrate 11 and a driving circuit board 12 together is provided with the microlens array 35, the thickness of the driving circuit board 12 is made less than the thickness of the CF substrate 11 through etching processing.例文帳に追加

カラーフィルタ（ＣＦ）基板１１と駆動回路基板１２とを貼り合わせてなる液晶パネル（例えば、素子集合体３５ａ）に対して、マイクロレンズアレイ１３を設ける前に、エッチング処理により上記駆動回路基板１２の厚みをＣＦ基板１１の厚みよりも薄くする。 - 特許庁

The projections 401 are formed in the preprocessing stage and then can be processed by the anisotropic etching 404 in the processing stage, thereby forming the projections 403 so shaped as to improve the extraction efficiency of light uniformly on the light emission surface.例文帳に追加

前処理工程により突起４０１を形成しておくことにより、加工工程ではこの突起を異方性エッチング４０４により加工することができるため、光の取り出し効率の向上に寄与し得る形状の突起４０３を、光放出面に一様に形成することが可能になる。 - 特許庁

In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

By repeatedly lifting and turning the transfer stage 22, the substrate processing apparatus 10 delivers a substrate group on every port into and from the above chamber at identical timing, and transfers the substrate groups on the ports in the order of the LL chamber 12A, the etching chamber 13A, and the cooling chamber 15A.例文帳に追加

そして、基板処理装置１０は、搬送ステージ２２の上動と回動とを繰り返すことにより、全てのボートにある基板群を同じタイミングで直上の処理室に搬入及び搬出し、かつ、各ボートにある基板群をそれぞれＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、冷却室１５Ａの順に搬送する。 - 特許庁

To obtain a metal-etching-inhibiting ultraviolet-curable composition having the ability to form a coating-unevenness-free uniform coating film excellent in resistance to corrosion by an acid etchant, not suffering from the elution of a part of the film-constituting materials into the etchant having a highly elaborate processing accuracy, and being easily released by treatment with an alkali solution.例文帳に追加

酸エッチング液に対して、優れた耐食性があり、塗布ムラのない均一な塗膜形成性を有し、塗膜構成材料の一部がエッチング液に溶出せず、高微細加工精度があり、アルカリ液にて容易に剥離可能である金属エッチング防食用の紫外線硬化性組成物の提供。 - 特許庁

Plasma light 3 of a vacuum processing chamber 2 is spectrally dispersed using a plurality of spectral devices 7, and a plurality of spectrally dispersed light beams having a plurality of wavelengths are made incident on one photomultiplier 9 to detect etching end points without any alteration of a device control system when films of a plurality of specifies are successively etched.例文帳に追加

真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 - 特許庁

The photomask blank is for dry-etching processing and has, in order from the light-transmissive substrate side, a layer comprising a material having metal, silicon, oxygen, and/or nitrogen as main components and a layer comprising a material mainly containing chromium and nitrogen and substantially having a diffraction peak of CrN(200) in X-ray diffraction.例文帳に追加

該フォトマスクブランクは、ドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、透光性基板側から、金属、シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料からなる層と、主にクロムと窒素とを含む材料からなり、かつ、Ｘ線回折による回折ピークが実質的にＣｒＮ(２００)からなる層とを有する。 - 特許庁

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

In the wafer processing 100, the number of cycles for repeating the supply and stop of pure water for maintaining the state that the etching rate of phosphoric acid 10 is high is calculated within the prescribed time for each lot, and when the number of cycles is out of the range of the preset number of times, it is reported.例文帳に追加

本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 - 特許庁

In manufacturing a mold for molding the small-sized precision molded article by using a thermosetting resin material, a method for processing the mold by etching is provided, and an ejector pin is installed on the periphery of the outside of a cavity, and when the molded article is separated from the mold, a resin part is ejected by the ejector pin.例文帳に追加

熱硬化性樹脂材料を用いて小型精密成形品を成形するための金型製作において、エッチングにより金型を加工する方法、および突き出しピンをキャビティの外側周囲に設置し、成形品を金型から分離するときに樹脂部を突き出しピンにより突き出すことを特徴とする成形金型。 - 特許庁