| 例文 |
floating nodeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 51件
A sense device determines the data stored on the floating point node.例文帳に追加
センスデバイスが、浮動点ノード上に記憶されたデータを判定する。 - 特許庁
To overcome the a problem of a noise which is generated by leaking electrons from a floating node to a photodiode when the potential of the floating node is turned to 0V in non-selection.例文帳に追加
非選択時にフローティングノードの電位を0Vにすると、フローティングノードからフォトダイオードに電子がリークし、雑音が発生する。 - 特許庁
Using this sensing scheme, even if a sense node corresponding to an OFF cell is made a floating state, voltage of a sense node of a floating state is not decreased when voltage of a sense node corresponding to an ON cell is lowered.例文帳に追加
このような感知スキームによると、オフセルに対応する感知ノードがフローティング状態になっても、フローティング状態の感知ノードの電圧はオンセルに対応する感知ノードの電圧が低くなる時に、減少しない。 - 特許庁
To provide an integrated circuit device capable of detecting, in short time, a minute leak current in a floating node part of the integrated circuit device having a floating node for holding a charge during operation.例文帳に追加
動作中に電荷を保持するフローティングノードを有する集積回路装置のフローティングノード部における微少リーク電流を短時間で検出できる集積回路装置を提供する。 - 特許庁
Accordingly, the floating generated in the power source node Nd is adjusted by an adjustment circuit 15.例文帳に追加
したがって、電源ノードNdで生じた浮き上がりが調整回路15により調整される。 - 特許庁
In the work (3), only the wiring by the floating node group is displayed separately from the other wiring based on the information on the floating node group detected in the work (1) when the layout of the circuit is graphically displayed.例文帳に追加
また、作業(3)は、回路のレイアウトをグラフィック表示する場合に、作業(1)で検出した浮きノード群の情報に基づいて、浮きノード群による配線だけを、他の配線とは区別して表示する。 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY ELECTRONIC DEVICE HAVING NANOWIRE CHANNEL AND NANOPARTICLE FLOATING GATE NODE AND METHOD THEREOF例文帳に追加
ナノワイヤーチャンネルとナノ粒子—フローティングゲートノードを具備した非揮発性メモリ電子素子及びその製造方法 - 特許庁
The fixed capacitance is represented by floating capacitance generated between the resonance node OUT and ground potential and between the resonance node OUTB and the ground potential.例文帳に追加
固定容量は、共振ノードOUTと接地電位との間及び共振ノードOUTBと接地電位との間のそれぞれに生じている浮遊容量で代表される。 - 特許庁
In the semiconductor device according to the present invention, a floating body transistor Q10 is provided between an output node NS of a sense amplifier (a first circuit node) and a local input/output line LIO (a second circuit node).例文帳に追加
本発明の半導体装置において、フローティングボディ型のトランジスタQ10は、センスアンプの出力ノードNS(第1の回路ノード)とローカル入出力線LIO(第2の回路ノード)との間に挿入されている。 - 特許庁
The light-transforming element generates current signals in response to incident light energy and changes the voltage of a floating node.例文帳に追加
光変換素子は入射する光エネルギに応答して電流信号を発生させフローティングノードの電圧を変化させる。 - 特許庁
To prevent a malfunction during low-speed clock operation by fixing a level of a floating node inside a dynamic flip-flop circuit.例文帳に追加
ダイナミック型フリップフロップ回路内部のフローティングノードのレベルを固定させて低速クロック動作時の誤動作を防止する。 - 特許庁
An SBY system node 1-2, when detecting a failure in the ACT system (another node) by the health check using the local address, causes the IP floating section 113 to inherit the portable IP address and changes the own node to the SCT system.例文帳に追加
一方、SBY系ノード1−2は、ローカルアドレスを使用したヘルスチェックによりACT系(他ノード)の障害を検出すると、IPフローティング部113にポータブルIPアドレスの引継ぎを行わせ、自ノードをACT系に切り替える。 - 特許庁
This anchor 10 for preventing a structure 2 from floating includes a screw node reinforcement 12 and a plurality of cone-shaped couplers 14 attached to the screw node reinforcement 12.例文帳に追加
構造物2の浮き上がりを防止するためのアンカー10であり、ねじ節鉄筋12とこのねじ節鉄筋12に設けられた複数のコーン状のカプラー14とから構成する。 - 特許庁
Reference voltage pulse is selectively applied to a pixel input node that is capacitively coupled to the floating plate, which in turn is capacitively coupled to the input node of a charge integrator.例文帳に追加
基準電圧パルスが電荷積分器の入力ノードへ容量的に結合されているフローティングプレートへ容量的に結合されているピクセル入力ノードへ選択的に印加される。 - 特許庁
To improve stability of circuit performance without generating a floating node when outputting OFF potential at the initial state.例文帳に追加
初期状態においてOFF電位出力時にフローティングとなるノードを発生させず、回路動作安定性を向上させる。 - 特許庁
A drain of an NMOS 32 of a canceling circuit 30 is connected to an output node NO, and a source of the NMOS 32 is brought into a floating state.例文帳に追加
キャンセル回路30のNMOS32のドレインを出力ノードNOに接続し、このNMOS32のソースをフローティング状態にする。 - 特許庁
In the driving circuit, a capacity 205 is provided between a gate and a source of a TFT 203 connected to an output node, and a circuit comprising TFTs 201 and 202 has a function of setting a node α to a floating state.例文帳に追加
出力ノードに接続されているTFT203のゲート−ソース間に容量205を設け、TFT201、202からなる回路は、ノードαを浮遊状態とする機能を有する。 - 特許庁
To provide a punch-through compensating circuit capable of reducing charge migration between the capacitance that a thin film transistor floating a capacitor has to a circuit node and the capacitor, and a leak current between the capacitor and the circuit node.例文帳に追加
回路節点に対してキャパシタをフローティングにする薄膜トランジスタがもつ容量とキャパシタとの間での突き抜けならびにキャパシタと回路節点の間でのリーク電流を低減させる。 - 特許庁
In the corrected acceleration period, since the potential of a first node (NDI) 650 goes into a floating state, accordingly, the potential of the first node (NDI) 650 rises according to the potential rise in a second node (ND2) 660, corresponding to a driving current from a driving transistor 620.例文帳に追加
この補正加速期間では、第1ノード(ND1)650の電位が浮遊状態となるため、駆動トランジスタ620からの駆動電流に応じた第2ノード(ND2)660の電位上昇に合わせて第1ノード(ND1)650の電位が上昇する。 - 特許庁
Therefore, it is not necessary to provide any null cycle or bus keeper circuit, and it is possible to prevent any bus contention between continuous drivers or any floating node state.例文帳に追加
したがって、ナルサイクルまたはバスキーパー回路の必要性がなく、連続的なドライバ間のバスコンテンションがなく、フローティングノード状態もない。 - 特許庁
In the work (1), a floating node group which is not connected to a reference potential in DC is detected.例文帳に追加
作業(1)では、回路設計段階で作成されたネットリストに基づいて、参照電位に直流的に接続されていない浮きノード群を検出する。 - 特許庁
The reverse-conductive transistor has its gate and source connected to the common potential node ND and has its drain connected to the floating body area 30.例文帳に追加
この逆導電型のトランジスタは、そのゲートとソースが共通電位ノードNDに接続され、ドレインがフローティングボディ領域30に接続されている。 - 特許庁
The protective element 3 has two diodes D1 and D2 having anodes connected in common to form a floating node, and those are formed into a well-in-well structure.例文帳に追加
保護素子3は、アノード同士が共通接続されて浮遊ノードを形成した2つのダイオードD1,D2を有し、これがウェル・イン・ウェル構造に形成されている。 - 特許庁
A characteristic bipolar transistor in a floating body transistor increases the effective capacitance of the floating body, which works as a storage node and thereby increases the intensity of a discharge current during read operation which represents the stored information bits.例文帳に追加
フローティング・ボディ・トランジスタ内にある固有バイポーラ・トランジスタは、記憶ノードとして働くフローティング・ボディの実効キャパシタンスを増加させ、それによって、記憶された情報ビットを表す、読取り動作中の放電電流の強さを高める。 - 特許庁
When a TFT 101 and a TFT 104 are turned on by input of a pulse and VDD-VthN is reached after the potential of a node α rises, a floating state is set.例文帳に追加
TFT101、104にパルスが入力されてONし、ノードαの電位が上昇した後、VDD−VthNとなったところで浮遊状態となる。 - 特許庁
If the constant is not zero, the ideal current source is considered the same as a resistor, the current flows into a floating body node or flows out from there and the voltage is set.例文帳に追加
定数が非ゼロの場合、前記理想電流源が抵抗器と同一と見なされ、電流が浮遊体ノードに流入またはそこから流出し、その電圧をセットする。 - 特許庁
The intermediate stage circuit 200 includes floating constant current sources MP22 and MN22 connected to a node N1, a transistor MP23 in which a bias voltage is supplied to a gate, and a constant current source MP21 connected to the node N1 through the transistor MP23.例文帳に追加
中間段回路200は、ノードN1に接続される浮遊定電流源MP22及びMN22と、バイアス電圧がゲートに供給されるトランジスタMP23と、トランジスタMP23を介してノードN1に接続される定電流源MP21とを備える。 - 特許庁
The cell comprises a select transistor having a gate, a source, and a drain, the gate is connected to said write bitline, the source is connected to a floating point node, and the drain is connected to a row wordline.例文帳に追加
該セルは、ゲート、ソース及びドレーンを有するセレクトトランジスタを含み、ゲートは書込みビットラインに接続され、ソースは浮動点ノードに接続され、ドレーンは行ワードラインに接続されている。 - 特許庁
In the work (2), the convergency of simulation is secured by adding a dummy voltage source (temporary voltage source) to the floating node group detected in the work (1).例文帳に追加
次に、作業(2)は、浮きノード群の検出作業によって検出された浮きノード群にダミーの電圧源(仮電圧源)を付加することにより、シミュレーションにおける収束性を確保する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which dispersion of read-out current can be suppressed using a memory cell having one transistor structure in which a floating channel body is a storage node.例文帳に追加
フローティングのチャネルボディを記憶ノードとする1トランジスタ構造のメモリセルを用いて、読み出し電流のばらつきを抑制することを可能とした半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
In nodes connected to a network in a cluster configuration, when a failure monitor 112 in an ACK system node 1-1 detects a failure in its own node by health check using a local address, a system changer 111 releases a portable IP address being used in an IP floating section 113 to separate the own node from the network.例文帳に追加
ネットワークに接続されたクラスタ構成のノードにおいて、ACT系ノード1−1の障害監視部112は、ローカルアドレスを使用したヘルスチェックにより自ノードの障害検出した場合、系切り替え部111は、IPフローティング部113に運用で使用しているポータブルIPアドレスを解放させ、ネットワークから自ノードを切り離し状態にする。 - 特許庁
After the circuit node B enters the floating state, the center potential of potential variation at the circuit node B is to shift from the starting potential because of a leak current of the transistor Q1, no other leak current is generated between circuit nodes B and C, so the shift in potential can be made gentle.例文帳に追加
また、回路節点Bがフローティングになった後、トランジスタQ1のリーク電流により、回路節点Bにおける電位変化の中心電位は当初の電位からずれていくのだが、回路節点B、C間では、それ以外のリーク電流が生じないので、電位のずれを緩やかにすることができる。 - 特許庁
In the beginning of a period wherein the circuit nodes B enters a floating state, electric charges migrate between the capacitance that a transistor Q1 has between its gate and the circuit node B (called the capacitance that the transistor Q1 has) and the capacitance that a transistor Q2 has between its gate and the circuit node B (called the capacitance that the transistor Q29).例文帳に追加
回路節点Bがフローティングになった当初、トランジスタQ1がゲートと回路節点Bの間にもつ容量(トランジスタQ1がもつ容量という)と、トランジスタQ2がゲートと回路節点Bの間にもつ容量(トランジスタQ2がもつ容量という)の間での電荷移動が生じる。 - 特許庁
This is a dynamic ratioless shift register provided with thin film transistors of which the semiconductor layer is formed of p-Si on a substrate surface, and the register is connected with a floating state node via capacitance at a fixed potential.例文帳に追加
基板面に半導体層がp−Siからなる薄膜トランジスタを備えるダイナミックレシオレスシフトレジスタにあって、フローティング状態になるノードに容量を介して固定電位に接続させる。 - 特許庁
To provide the unit pixel of a CMOS image sensor in which the occurrence of a defective pixel and generation of a leakage current due to a power supply voltage can be suppressed by reducing the capacitor capacitance of a floating diffusion node.例文帳に追加
フローティング拡散ノードのキャパシタ容量を減少させ、画素不良の発生及び電源電圧によるリーク電流を抑制可能なCMOSイメージセンサの単位画素を提供すること。 - 特許庁
A second switch of a floating prevention circuit connects a connection node between the output of the first circuit block and the input of a second circuit block with a first voltage line on receiving inactivation of the switch control signal in the power saving mode.例文帳に追加
フローティング防止回路の第2スイッチは、低電力モード中にスイッチ制御信号の非活性化を受けて、第1回路ブロックの出力と第2回路ブロックの入力との接続ノードを第1電圧線に接続する。 - 特許庁
A memory cell structure for a memory device includes a read transistor 120 having a floating gate node FG, a tunneling capacitor 130 having a first programming terminal 160, and a coupling capacitor stack 200 having a second programming terminal 150.例文帳に追加
メモリデバイス用メモリセル構造は、フローティングゲートノードFGを有したリードトランジスタ120と、第1プログラミング端子160を有したトンネリングコンデンサ130と、第2プログラミング端子150を有したカップリングコンデンサスタック200とを具備する。 - 特許庁
When the node α is in the floating state, a capacitive coupling between the gate and the source of the TFT 203 by the capacity 205 is used to make a potential of the node α higher than VDD, so that an output signal having an amplitude between VDD and GND can be normally obtained without amplitude attenuation due to a threshold of the TFT.例文帳に追加
ノードαが浮遊状態のとき、容量205によるTFT203のゲート−ソース間の容量結合を利用してノードαの電位をVDDよりも高い電位とし、これによって、TFTのしきい値に起因する振幅減衰が生ずることなく、正常にVDD−GND間の振幅を持った出力信号を得ることが出来る。 - 特許庁
Thereby, potential variation of a floating node at the time of holding data in a cross point type ferroelectric memory is prevented, while in an amplification type memory having a sense transistor Ts, timing control of data read-out operation from a memory cell can be simplified remarkably.例文帳に追加
これにより、クロスポイント型強誘電体メモリにおけるデータ保持時の浮遊ノードの電位変動を防ぐとともに、センストランジスタTsを有する増幅型のメモリにおいて、メモリセルからのデータ読出動作のタイミング制御を著しく簡略化させる。 - 特許庁
Since a constant current NMOS 12 between node N1 and the ground potential GND is also turned off at the time of standby, the NMOS 11a, 11b are brought into floating state completely and the body potential is sustained in the state immediately before standby state.例文帳に追加
スタンバイ時には、ノードN1と接地電位GNDとの間の定電流用のNMOS12もオフになるので、NMOS11a,11bは完全にフローティング状態となり、ボディの電位はスタンバイ状態になる直前のアクティブ時の状態に維持される。 - 特許庁
The node N2 functions as a floating drain when a control switch 24 is on, and stores the signal charges flowing from each pixel circuit 10 with a capacitor 22 when the control switch 24 provided at the intermediate timing of one frame period is off.例文帳に追加
ノードN2は、制御スイッチ24のオン期間にはフローティングドレインとして機能する一方で、1フレーム期間の中間タイミングに設けられた制御スイッチ24のオフ期間には、各画素回路10から流出した信号電荷を容量22により蓄積する。 - 特許庁
A photoelectric conversion device comprises: a plurality of photoelectric conversion elements for converting incident light to charge; a plurality of transfer MOS transistors for transferring the charge to a floating node; and a plurality of amplification MOS transistors for amplifying and outputting a signal based on the charge.例文帳に追加
光電変換装置は、入射光を電荷に変換する光電変換素子と、その電荷をフローティングノードに転送するための転送用MOSトランジスタと、電荷に基づく信号を増幅して出力するための増幅用MOSトランジスタと、を複数有する。 - 特許庁
The photoelectric conversion device comprises: a plurality of photoelectric conversion elements for converting incident light to charge; a plurality of MOS transistors for transfer for transferring the charge to a floating node; and a plurality of MOS transistors for amplification for amplifying and outputting a signal based on the charge.例文帳に追加
光電変換装置は、入射光を電荷に変換する光電変換素子と、その電荷をフローティングノードに転送するための転送用MOSトランジスタと、電荷に基づく信号を増幅して出力するための増幅用MOSトランジスタと、を複数有する。 - 特許庁
By raising the gate bias voltage of the transmission transistor and the initial voltage of the floating diffusion node to be more than a supply voltage using the voltage coupling phenomenon of the coupled gate, the capacitance of the photodiode can be increased and the image lag phenomenon can be decreased.例文帳に追加
カップルドゲートの電圧カプッリング現象を用いて伝送トランジスタのゲートバイアス電圧及びフローティング拡散ノードの初期電圧を電源電圧以上に上昇させることでフォトダイオードの容量を増加させることができ、イメージラグ現象を減少させることができる。 - 特許庁
The latch circuit includes a transistor 10 having a channel region formed of an oxide semiconductor (OS), and holds data at a node 11 electrically connected to an output terminal (Q terminal) and to one of the source and drain of the transistor 10 and brought to a floating state when the transistor 10 is turned off.例文帳に追加
ラッチ回路は、酸化物半導体(OS)によってチャネル領域が形成されるトランジスタ10を有し、出力端子(Q端子)並びにトランジスタ10のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、且つトランジスタ10がオフ状態となることによって浮遊状態となるノード11においてデータを保持する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor capable of obtaining a desired working speed and a desired optical sensing property from an element to which a design rule of a hyperfine line width is applied and capable of inhibiting the generation of a leakage current in a floating diffusion area which is a sensing node in a pixel region, a pixel of the image sensor, and a method of manufacturing the image sensor.例文帳に追加
超微細な線幅のデザインルールが適用される素子から所望の動作速度と光感知特性とを得ることができ、画素領域のセンシングノードである浮遊拡散領域の漏れ電流の発生を抑制することができるCMOSイメージセンサ、その画素及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The floating diffusion charge detection system has incorporated a single feedback directly into the charge-detection node, the feedback being fed from a standard buffer amplifier A1 through a feedback amplifier A3, switching transistors S2 and S3 and capacitors C_f and C_h, the feedback significantly reduces kTC noise, has good linearity, and improves DR.例文帳に追加
フローティング・ディフュージョン電荷検出システムに、電荷検出ノード内へ、標準バッファ増幅器A1からフィードバック増幅器A3、スイッチ・トランジスタS2とS3、およびキャパシタC_fとC_hを通して供給される単一フィードバックを組み込み、kTC雑音を著しく減少させ、良好な線形性を実現し、DRを改善する。 - 特許庁
The pixel of the image sensor includes a gate insulation film formed on a substrate doped with an impurity of a first conductivity type, a transfer gate formed on the gate insulation film, a photodiode formed inside one substrate of the transfer gate, and a floating diffusion node formed inside the other substrate of the transfer gate.例文帳に追加
本発明のイメージセンサのピクセルは、第1導電型の不純物でドーピングされた基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された転送ゲートと、該転送ゲートの一方の基板の内部に形成されたフォトダイオードと、前記転送ゲートの他方の基板の内部に形成されたフローティング拡散ノードとを備える。 - 特許庁
The CMOS image sensor relating is provided with a photodiode, a gate pattern of a transfer transistor in contact with one side surface of the photodiode, a gate pattern of a drive transistor disposed a predetermined distance spaced apart from the gate pattern of the transfer transistor, and a floating node disposed between the gate pattern of the transfer transistor and the gate pattern of the drive transistor.例文帳に追加
本発明に係るCMOSイメージセンサは、フォトダイオードと、該フォトダイオードの一側面に接する伝達トランジスタのゲートパターンと、該伝達トランジスタのゲートパターンと所定間隔離れて配置された駆動トランジスタのゲートパターンと、前記伝達トランジスタのゲートパターンと前記駆動トランジスタのゲートパターンとの間に配置されたフローティングノードとを備える。 - 特許庁
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