「intermediate junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The multijunction solar cell comprises a plurality of laminated pin junction cells, and an intermediate member in dot- or stripe-form that is provided between at least two pin junction cells of the plurality of pin junction cells.例文帳に追加

複数のｐｉｎ接合セルを積層して構成され、複数のｐｉｎ接合セルの内、少なくとも１つのｐｉｎ接合セル間にドット状またはストライプ状の中間部材が設けられてなることを特徴とする多接合型太陽電池により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The first junction insulation film 16 inhibits the etching damage in the nonmagnetic intermediate layer 214 during the step of forming the reproducing head 11.例文帳に追加

第１ジャンクション絶縁膜１６は、再生ヘッド１１の形成工程において、非磁性中間層２１４のエッチング・ダメージを抑制する。 - 特許庁

A boss core metal portion 16 is provided with an annular intermediate portion M located between a boss edge junction 16a at the outer periphery edge and a boss 23 at the center.例文帳に追加

ボス芯金部16に、外周縁のボス縁部結合部16aと中央のボス体23との間に位置して、円環状の中間部Ｍを設ける。 - 特許庁

To provide a multijunction solar cell having an intermediate narrow band gap layer at a tunnel junction region and greatly improving the efficiency of photoelectric conversion.例文帳に追加

中間ナローバンドギャップ層をトンネル接合領域に有し、光電変換効率を大幅に改善するようにした多接合型太陽電池を提供すること。 - 特許庁

The acoustic matching layers 11, 12 and 13 of the multiple matching layer 1 are joined together by discharge plasma sintering, and intermediate layers formed by junction have each an acoustic impedance intermediate between those of the acoustic matching layers.例文帳に追加

多層整合層１の音響整合層１１，１２，１３は放電プラズマ焼結法によって接合されており、接合によって形成される中間層は音響整合層相互の中間の音響インピーダンスを有する。 - 特許庁

A circuit board assembly is contained on the inside of the junction box body 2, the intermediate cover 5 is fixed to the outside of the circuit board assembly, a component 6 is mounted on the outside of the intermediate cover 5 and a component cover 7 is fixed.例文帳に追加

接続箱本体２の内側に回路板組立体を収容し、回路板組立体の外側に中間カバー５を装着し、中間カバー５の外側に部品６を搭載すると共に部品を覆うカバー７を装着する。 - 特許庁

The 1st lens group G1 has negative lens L11, and a positive junction lens constituted by sticking a positive lens L12 whose convex surface having stronger refractive power faces the eye point side rather than the intermediate image side to a negative meniscus lens L13, in order from the intermediate image side.例文帳に追加

第１レンズ群Ｇ１は、中間像側から順に、負レンズＬ１１と、中間像側よりもアイポイント側により強い屈折力の凸面を向けた正レンズＬ１２と負メニスカスレンズＬ１３との貼り合わせからなる接合正レンズとを有する。 - 特許庁

The oil stopping junction box 41 is put on the beach, and the land cables 42 are connected with oil feeding reservoirs 43 feeding the land cables 42 with the insulating oil having the viscosity less than the intermediate viscosity.例文帳に追加

油止め接続箱41は渚部に配置され、陸上部ケーブル42には、中粘度以下の粘度の絶縁油を陸上部ケーブルに供給する給油槽43が接続されている。 - 特許庁

Each Schottky barrier diode is formed in mesa, and a high resistance polysilicon, an oxide film 10 Å or less, and an intermediate transient level are formed at the Schottky junction of each Schottky barrier diode.例文帳に追加

各ショットキーバリアダイオードをメサ状に形成し、各ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部に高抵抗ポリシリコンや１０Å以下の酸化膜や複数の中間遷移準位を形成する。 - 特許庁

The imaging element includes, between a pair of electrodes, a photoelectric conversion film (a photosensitive layer) having a bulk hetero-junction structure layer as an intermediate layer, or a photoelectric conversion film having a structure comprising two or more repeated structures of pn junction layers respectively formed of p-type and n-type semiconductor layers.例文帳に追加

１対の電極間に、バルクヘテロ接合構造層を中間層とする光電変換膜（感光層）、又はｐ型半導体の層とｎ型半導体の層で形成されるｐｎ接合層の繰り返し構造の数を２以上有する構造を持つ光電変換膜を含有する撮像素子。 - 特許庁

The organic semiconductor part 5 comprises a p-type organic semiconductor material layer 7 and an n-type organic semiconductor material layer 6 having a pn-junction zone 12 in an approximate intermediate part 11 of the interelectrode region 10, and an organic light emitting material layer 8 arranged in the pn-junction zone 12.例文帳に追加

有機半導体部５は、電極間領域１０のほぼ中間部１１にＰＮ接合域１２を有するＰ型有機半導体材料層７およびＮ型有機半導体材料層６と、ＰＮ接合域１２に配置された有機発光材料層８とを備えている。 - 特許庁

In a power type semiconductor device having a super-junction structure in a first conduction type drift region of each of an active cell region, a chip peripheral region and an intermediate region therebetween, the width of at least one of second conduction type column regions constituting a super-junction structure in the intermediate region is set to be larger than the width of the other regions.例文帳に追加

本願発明は、アクティブセル領域、チップ周辺領域、および、これらの間の中間領域のそれぞれの第１導電型のドリフト領域にスーパジャンクション構造を有するパワー系半導体装置において、この中間領域においてスーパジャンクション構造を構成する第２導電型のカラム領域の少なくとも一つの幅を他の領域よりも大きくしたものである。 - 特許庁

To provide an electronic parts built-in intermediate connector which is separately provided as an intermediate connector as a further intermediary of the substrate connector and the cable connector as a junction connector and, by mounting chip type electronic parts such as a chip capacitor on the inner conductor terminal of the intermediate connector, addition, deletion and change of these electronic parts in the transmission line are easy.例文帳に追加

中継接続としての基板コネクタとケーブルコネクタのさらなる仲介役として仲介用コネクタを別途設け、その仲介用コネクタの内導体端子にチップコンデンサ等のチップ型電子部品を実装することで、伝送路にこれら電子部品の追加・削除・変更が容易な電子部品内蔵仲介コネクタを提供する。 - 特許庁

A first end wall 302 and a first opposing wall 303 of the first fluid passage forming member 300 are joined to a first surface 201 side of the intermediate plate member 200 by a junction 701 to be sealed.例文帳に追加

第１流路形成部材３００の第１端壁３０２および第１対向壁３０３は中板部材２００の第１表面２０１側に接合部７０１で接合されてシールされている。 - 特許庁

A lamination separation region 11 for separating the contact region 8 and the lamination 7 (a junction intermediate layer 6) is formed by removing the second electrode 9 and the lamination 7 in a discontinuous line shape.例文帳に追加

第２電極９および積層体７を不連続なライン状に除去してコンタクト領域８と積層体７（接合中間層６）とを分離する積層体分離領域１１を形成する。 - 特許庁

A second end wall 402 and a second opposing wall 403 of the second fluid passage forming member 400 are joined to a second surface 202 side of the intermediate plate member 200 by a junction 702 to be sealed.例文帳に追加

第２流路形成部材４００の第２端壁４０２および第２対向壁４０３は中板部材２００の第２表面２０２側に接合部７０２で接合されてシールされている。 - 特許庁

Another power semiconductor switch 10 of the intermediate circuit 5 is connected to a second capacitance 7, which is connected to junction points of the power semiconductor switches of the second branch circuit 2.例文帳に追加

中間回路５のさらに別の電力半導体スイッチ１０は第２のキャパシタンス７に接続され、第２のキャパシタンス７は第２の分岐回路２の電力半導体スイッチ接合点に接続される。 - 特許庁

One end of a connecting link member 6 is connected to a junction part of the seat part 1 and the backrest part 4, and the other end thereof is joined to the intermediate part of the leg part to enable relative rotary movement.例文帳に追加

座部１と背もたれ部４との結合部に一端が回転可能なように連結された連結リンク部材６の他端を、前脚の中間部に相対回転運動が可能なように結合する。 - 特許庁

This multi-junction thin-film photoelectric converter is provided with a silicon-based thin film photoelectric conversion units 3 and 5, a CIS-based thin film photoelectric conversion unit 7, and these units are serially connected via intermediate layers 4 and 6.例文帳に追加

多接合型薄膜光電変換装置は、シリコン系薄膜光電変換ユニット３、５及びＣＩＳ系薄膜光電変換ユニット７を備え、中間層４、６を介してこれらを直列接続している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-junction photoelectric conversion device which restrains current leakage from an intermediate contact layer by dividing the intermediate contact layer without affecting an underlying layer so as to suppress deterioration in power generation efficiency and reduces an ineffective area generating no electric power so as to enhance power generation efficiency.例文帳に追加

下側層に影響せずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できるとともに発電を行わない無効領域を小さくし、発電効率を向上させることができる多接合型光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique of manufacturing a membrane-electrode junction 6 which is strong in interface bonding force between an electrolyte membrane 1 and a catalyst layer 4, and superior in mechanical strength as the membrane electrode junction 6 without arranging a special intermediate layer, while using a catalyst mixture containing electrolyte resin and a catalyst-carrying conductor as a catalyst layer 4.例文帳に追加

触媒層４として電解質樹脂と触媒担持導電体とを含む触媒混合物を用いながら、特別の中間層を配置することなく、電解質膜１と触媒層４との界面結合力が強く、かつ膜電極接合体６としての機械的強度も優れている膜電極接合体６を製造する技術を提供する。 - 特許庁

To allow a retaining member to be removed from the main floor without installing additionally any particular intermediate connector to a high tension cable connected with a junction box installed over the retaining member positioned under the main floor.例文帳に追加

この発明は、メインフロア下側の保持部材上方に配設したジャンクションボックスに接続される高電圧ケーブルに特別な中間コネクタを追加することなく、保持部材をメインフロアから取り外すことができるようにすることにある。 - 特許庁

Between the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit and a conductive transparent intermediate layer, a semiconductor of the conductivity type opposite to that of the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit is provided to form a pn reverse junction portion.例文帳に追加

半導体光電変換ユニットの半導体層と、導電性の透明中間層との間に、この半導体光電変換ユニットの半導体層と逆の導電性を示す半導体を介在させ、ｐｎ逆接合部を形成する。 - 特許庁

A strip line 2 is supported by a dielectric substrate 3 and one end, the other end, and intermediate section of the line 2 in the longitudinal direction respectively constitute a grounding terminal P1, a switch connection terminal P2, and a junction P0, to which a capacitor C1 for resonance is connected.例文帳に追加

ストリップライン２は、誘電体基板３によって支持され、長さ方向の一端がアース端Ｐ１、長さ方向の他端がスイッチ接続端Ｐ２、長さの中間部が共振用キャパシタＣ１の接続される接続点Ｐ０をそれぞれ構成する。 - 特許庁

In a varactor part 11a, an anode electrode 104a is formed in the emitter intermediate layer 53 with high impurity density, and a cathode electrode 105a is formed on the emitter layer 51 with low impurity density to constitute a diode with hyperabrupt junction structure.例文帳に追加

バラクタ部１１ａにおいては、高不純物濃度のエミッタ中間層５３にはアノード電極１０４ａが、一方、低不純物濃度のエミッタ層５１の上にはカソード電極１０５ａが形成され、超階段接合構造のダイオードを構成している。 - 特許庁

A semiconductor element protective resin 205 formed on a semiconductor element 101 by covering it is also formed in an outer peripheral surface region between an intermediate junction layer 203 of the semiconductor element 101 and a solder junction layer 204 by covering it; and thereby crack resistance in the semiconductor element 101 and a relaxation property of stress applied to an interface between the semiconductor element 101 and a solder material 104 are improved.例文帳に追加

半導体素子１０１上に被覆形成される半導体素子保護樹脂２０５を、半導体素子１０１の中間接合層２０３とはんだ接合層２０４の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子１０１内部の耐クラック性、および半導体素子１０１とはんだ材料１０４との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。 - 特許庁

To provide an integrated thin film solar cell which prevents an intermediate junction layer between a plurality of laminated photoelectric conversion layers from short-circuiting with a contact region and lowering F.F., and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

積層された複数の光電変換層の相互間に生じる中間接合層がコンタクト領域と短絡してＦ．Ｆ．を低下させることを防止し、光電変換効率を向上することが可能な集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Conductive films 10, 13 are formed on a lower surface of the outer frame of the intermediate crystal plate, metal thin films 16, 18 are formed on an upper surface of the lower crystal substrate and airtightly joined together by diffused junction after being mutually sanctified and activated by plasm processing.例文帳に追加

中間水晶板の外枠下面には導電膜１０，１３が形成され、下側水晶基板の上面には金属薄膜１６，１８が形成され、互いにプラズマ処理により清浄化・活性化した後、拡散接合により気密に接合される。 - 特許庁

To make the thickness of a tunnel oxide film uniform by an intermediate oxide film formed by a different system, facilitate the adjustment of a resistor of a magnetic tunnel junction layer, and reduce resistor deviation between cells, and moreover prevent a lower film from being damaged in a process in which the tunnel oxide film is formed and also prevent an MR ratio from decreasing.例文帳に追加

異種方式で形成された中間酸化膜を具備することにより、トンネル酸化膜の厚さを均一に形成しつつその厚さ調節も容易なために、磁気トンネル接合層の抵抗の調節が容易であり、かつ、セル間の抵抗偏差も減らすことができる。 - 特許庁

To provide a multi-junction thin-film silicon solar cell module having high light conversion efficiency, in which current leakage through an intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity is suppressed and an ineffective area not contributing to electricity generation is prevented from enlarging, and to provide a method of manufacturing the module.例文帳に追加

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有する多接合薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The multi-junction solar cell includes at least two or more photoelectric conversion layers 3 and 5, wherein intermediate reflection structures 8 made of metal particles, surfaces thereof being oxidized, are distributed in a lamination region 4 formed between the mutually adjacent photoelectric conversion layers, and in a state of islands along a plane direction of the lamination region.例文帳に追加

少なくとも２層以上の光電変換層３，５を含む多接合型太陽電池において、隣り合う光電変換層どうしの間に形成された積層領域４に、該積層領域の平面方向に沿って島状に分布する、表面を酸化させた金属粒からなる中間反射構造体８を形成する。 - 特許庁

The radiation transmissive window structure comprises the radiotronsparer output window 17 which is jointed to an opening portion of a vacuum envelope 12, the vacuum envelope 12 and the output window 17 jointed to each other via an intermediate material 18, formed of at least one metal of copper, silver and these alloy attached to the junction of the vacuum envelope 12 to the output window 17.例文帳に追加

放射線を透過する出力窓１７が真空外囲器１２の開口部に接合された放射線透過窓構体において、真空外囲器１２の出力窓１７との接合面に付着された銅および銀、これら各金属の合金の少なくとも１つの金属の中間材１８を介して、真空外囲器１２と出力窓１７を接合している。 - 特許庁

To provide a laminated organic solar battery bringing out the maximum performance of an organic solar battery unit cell by highly efficient power generation in tandem manner, balanced recoupling of electron and positive hole due to ohmic junction between the organic solar battery unit cells with an intermediate layer, and sustaining high open voltage of the organic solar battery unit cell.例文帳に追加

タンデム化による高発電効率化、中間層による有機太陽電池単セル同士のオーミックな接合による電子と正孔をバランス良い再結合、有機太陽電池単セルの高い開放電圧の維持等を達成して、有機太陽電池単セルの性能を最大限に引き出すことができる積層型有機太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having an intermediate breakdown voltage structure including a large drain breakdown voltage, small capacitance between a source-drain region and a gate electrode and a high junction breakdown voltage of a channel stop and the source-drain region formed under a field oxide film and capable of controlling the drain breakdown voltage by a simple process.例文帳に追加

ドレイン耐圧が大きく、・ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、・フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an MOS transistor having a high drain breakdown voltage, small capacitance between a drain-source region and a gate electrode, and a high junction breakdown voltage of a channel stop and a source-drain region formed under a field oxide film, which are impossible in a conventional MOS transistor having an LDD structure and having an intermediate breakdown voltage structure capable of controlling the drain breakdown voltage.例文帳に追加

本発明は、従来のＬＤＤ構造を有するＭ０Ｓ型トランジスタでは不可能であったドレイン耐圧が大きく、ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁