| 例文 |
layer structuresの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 495件
The first layer 21 and the second layer 22 respectively have three-dimensional network structures having continuous pores 21a, 22a and continued as one, and are mutually entangled so as to be filled up into the continuous pores of the other side.例文帳に追加
第1層21と第2層22は、それぞれ連続細孔21a,22aを有して一体に連続する三次元網目構造をなし、かつ相手側の連続細孔に充填されるよう相互に絡み合っている。 - 特許庁
A non-magnetic amorphous layer 3 is formed on a non-magnetic substrate 1, and medium distance ordered structures to become grain growth nuclei are formed by adjusting the heating temperature and time or the material compositions in the layer 3.例文帳に追加
非磁性基板1上に非磁性アモルファス層3を設け、この非磁性アモルファス層3中に、加熱温度、加熱時間もしくは材料組成により、結晶粒成長核とする中距離秩序構造が形成されている。 - 特許庁
The fixing device 4 includes a fixing roller 41 and the pressure roller 42, and the fixing roller 41 and the pressure roller 42 have structures where an elastic layer is formed between a release layer forming a surface and a core bar.例文帳に追加
定着装置4は定着ローラ41と加圧ローラ42とを有し、定着ローラ41および加圧ローラ42は表面をなす離型層と芯金との間に弾性層が形成されている構造を有する。 - 特許庁
A plurality of electrode structures 15 extended in thickness directions of the insulating layer 18 are arranged at a distance from one another in planar directions of the insulating layer 18 according to patterns corresponding to electrodes to be inspected of a target wafer.例文帳に追加
絶縁層18の厚さ方向に延びる複数の電極構造体15が、検査対象であるウエハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁層18の面方向に互いに離間して配置される。 - 特許庁
Upper layer rewiring, an upper layer insulating film, solder balls, and the like, are formed thereon and then it is cut between adjacent semiconductor structures 3 thus obtaining a plurality of semiconductor devices provided with solder balls.例文帳に追加
そして、その上に、上層再配線、上層絶縁膜、半田ボール等を形成し、次いで、互いに隣接する半導体構成体3間において切断すると、半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られる。 - 特許庁
The blade for electrophotography with a sheet like elastic rubber pasted onto a supporting plate like member has a rubber part 2 provided with at least two layer structures 3 and 4 and with the low friction surface layer on its contact surface.例文帳に追加
支持する板状部材にシート状弾性ゴムを貼り付けた電子写真用ブレードにおいて、そのゴム部2が少なくとも二層構造3,4を有し、接触面に低摩擦な表面層3を有する事を特徴とする。 - 特許庁
The recording medium is provided with an antiferromagnetic substance layer 200 formed between laminated structures 330 comprising magnetic layers 315, 335-nonmagnetic layers 311, 331-magnetic layers 313, 333 on the upper and lower sides of the antiferromagnetic substance layer 200.例文帳に追加
反強磁性体層200の上下に磁性層315、335−非磁性層311、331−磁性層313、333をなす積層構造330の間に形成された反強磁性体層200を備える。 - 特許庁
The active layers 15, 25 have lamination structures different from each other, and are structured such that the light emission wavelength of light generated in the first active layer 15 is different from that of light generated in the second active layer 25.例文帳に追加
また、活性層15、25は、異なる積層構造を有し、第1活性層15で生成される光の発光波長と、第2活性層25で生成される光の発光波長とが異なるように構成される。 - 特許庁
This plasma display panel is constituted by including a lattice layer of a plurality of lattice structures for diffracting the light generated from the inside of the plasma display panel at a prescribed angle, and a filter composed of a black matrix layer for passing or cutting off the light diffracted by the lattice layer.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルの内部から発生した光を所定角に回折させる複数の格子構造の格子層と、格子層により回折された光を透過又は、遮断するブラックマトリックス層からなるフィルタと、を包含してプラズマディスプレイパネルを構成する。 - 特許庁
This data processor 2 selects one layer structure from a plurality of kinds of layer structures according to the attributes of image elements included in an input image and the destination of output of the input image, and converts the data of the input image into the selected layer structure.例文帳に追加
データ処理装置2は、入力画像に含まれる画像要素の属性及び入力画像の出力先に応じて、複数種類のレイヤ構造の中から1つのレイヤ構造を選択し、入力画像のデータを、選択されたレイヤ構造に変換する。 - 特許庁
The developer carrier includes a substrate and a resin layer as a surface layer formed on the surface of the substrate, wherein the resin layer contains a thermosetting resin as a binding resin, an acrylic resin having two units of specific structures, and conductive particles.例文帳に追加
該現像剤担持体は、基体及び該基体表面に形成された表面層としての樹脂層を有しており、該樹脂層は、結着樹脂としての熱硬化性樹脂、特定の構造を有する2つのユニットを有するアクリル樹脂、及び導電性粒子を含有している。 - 特許庁
The total thickness of the epitaxially grown layers is controlled to 0.3-1.0 μm by providing the low-temperature-deposited InGaN layer 5 on a sapphire substrate 6 and GaN-based field effect transistor structures 1-3 on the layer 5 through a GaN buffer layer 4.例文帳に追加
サファイア基板6上にInGaN低温堆積層5を設け、そのInGaN低温堆積層5上に、GaNバッファ層4を介して、GaN系電界効果トランジスタ構造1〜3を設け、成長層の総膜厚を0.3μm以上1μm以下とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device preventing a stress concentration to the bent position of a wiring layer at the corner of a resin post to suppress exfoliations and cracks in the interface between structures and the wiring layer, and improving a mechanical strength of the wiring layer.例文帳に追加
樹脂ポストの角部における配線層の折れ曲がり箇所に応力が集中することを防止し、構造体と配線層の界面における剥離やクラックの発生を抑制し、配線層の機械的強度を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁
This organic light-emitting element has a pair of resonator structures and an organic active layer, sandwiched between the pair of resonator structures and composed of an organic material, capable of surficially emitting the light by injecting the electric current via at least a pair of electrodes.例文帳に追加
一対の共振器構造体と、前記一対の共振器構造体の間に挟持され、少なくとも一対の電極を介する電流注入によって面発光し得る有機材料からなる有機活性層とを有することを特徴とする有機発光素子。 - 特許庁
The CWDM filter is composed of a first part containing at least two Fabry-Perot cavity structures and a second part containing a plurality of non-quarter wavelength film layer structures for which high and low refractive index film layers are alternately laminated on the first part.例文帳に追加
少なくとも2つのファブリ・ペロットキャビティー構造を含む第1部分と、該第1部分上に高、低屈折率のフィルム層を交互に積層した複数層の非4分の1波長フィルム層構造を含む第2部分とによってCWDMフィルタを構成する。 - 特許庁
The process for fabricating the nonvolatile memory includes forming the isolation structures protrudent over the substrate in the substrate, forming the tunneling layer over the substrate, and then forming the floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the first isolation structures protrudent over the substrate.例文帳に追加
また、不揮発性メモリの製造プロセスは、基板上に突き出た分離構造が基板に形成され、トンネル層が基板上に形成され、その後、浮遊ゲートが基板上に突き出た第1分離構造の側壁上に導電性スペーサーとして形成されることを含む。 - 特許庁
Accordingly, the second material gas containing the indium compound is decomposed based on near field light generated in accordance with the shapes of the columnar nano-structures 13, and a group III-V compound semiconductor layer 15 grows on the outer surfaces of the columnar nano-structures 13.例文帳に追加
これによって、柱状ナノ構造体13の形状に応じて発生させられる近接場光に基づき、インジウム化合物を含む第2の原料ガスが分解され、III-V族化合物半導体層15が柱状ナノ構造体13の外面上に成長される。 - 特許庁
Embodiments of MEMS devices includes a conductive movable layer spaced apart from a conductive fixed layer by a gap, and supported by rigid support structures, or rivets, overlying depressions in the conductive movable layer, or by posts underlying depressions in the conductive movable layer.例文帳に追加
MEMSデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。 - 特許庁
The thermal transfer image receiving sheet includes at least a heat insulation layer, and a receiving layer on a support wherein at least one hollow polymer and at least one of four compounds having specific structures are contained in the heat insulation layer, and the Vickers hardness of a single film of the insulation layer is 3-150.例文帳に追加
支持体上に少なくとも断熱層および受容層を有する感熱転写受像シートであって、該断熱層に中空ポリマーの少なくとも1種と特定構造を有する4種類の化合物の少なくとも1種とを含有し、かつ該断熱層の単膜のビッカース硬度が3〜150である感熱転写受像シート。 - 特許庁
A guard ring structure having the same structures as the trench 5, the channel layer 6, and the second gate layer 7, is formed at the periphery of a cell having the trench 5 formed therein, and members 3a, 3b, 3c, 32 and 42 in the structure corresponding to the first gate layer 3 and the second gate layer 7 are in electrical floating states.例文帳に追加
トレンチ5を形成したセル部の外周部において、セル部でのトレンチ5、チャネル層6、第2のゲート層7と同様な構造を有するガードリング構造体が形成され、かつ、この構造体での第1のゲート層3および第2のゲート層7に対応する部材3a,3b,3c,32,42は電気的にフローティング状態となっている。 - 特許庁
This electronic device packaging substrate includes coaxial multilayer structure that is composed of a center conductive part 1, a cylindrical dielectric layer 2 that is formed around the center conductive part 1, and a cylindrical conductive layer that is formed around the cylindrical dielectric layer 2, and an insulation layer where a plurality of coaxial multilayer structures are mutually embedded at intervals.例文帳に追加
中心導電部1とその中心導電部1の周囲に形成された筒状誘電体層2とその筒状誘電体層の周囲に形成された筒状導電層から構成された同軸多層構造と、同軸多層構造が互いに間隔を置いて複数埋め込まれる絶縁層とを含む。 - 特許庁
A DFB laser having a pin structure and an EA modulator having the pin structure are constituted on a common substrate 11, and the active-layer structures 13 and 19 of both elements are abutted and jointed.例文帳に追加
共通の基板11上にpin構造のDFBレーザとpin構造のEA変調器が構成され、両素子の活性層構造13,19が突合せ接合されている。 - 特許庁
The corner pad 1 is formed of a sheet of a corrugated fiberboard 4, and the bottom face 5 and first and second side faces 6 and 7 are respectively made into three-layer structures.例文帳に追加
コーナーパッド1は、1枚の段ボール4を用いて形成されており、底面5ならびに第1および第2の側面6,7のそれぞれが3層構造となっている。 - 特許庁
To reduce errors when specifying the type of a layer boundary even if a plurality of different structures appear in an optical coherence tomographic image acquired by capturing the image of an eye part.例文帳に追加
眼部を撮影した光干渉断層画像において、異なる複数の構造が現れる場合であっても、層境界の種類を特定する際の誤りを減らす。 - 特許庁
A fine-particle layer is formed to add it to the device by laminating a plurality of planar structures with fine particles 2 dispersed planarly, using a sputtering process and the like.例文帳に追加
スパッタ等の手法を用い、平面的に微粒子2を分散させた平面構造で、これを複数層積層することで、微粒子層を形成し、これをデバイスに付加する。 - 特許庁
To provide a capacitor structure which improves capacitance density, while being adaptable to standard/low temperature processing techniques, and has adaptability to CMP (chemical mechanical polishing) used in multi-layer structures.例文帳に追加
標準/低温処理技術と適合しキャパシタンスの密度を向上させる多層構造で使用されるCMPと適合性を有するキャパシタ構造を提供する。 - 特許庁
Consequently, when the upper conductive structure layer is depressed, the coordinates of a depressed point are accurately acquired via the both touch panel structures of the digital resistance type and analog resistance type.例文帳に追加
これにより、該上導電構造層が押圧される時、押圧ポイントの座標がデジタル抵抗式とアナログ抵抗式の両タッチパネル構造を経由して正確に取得される。 - 特許庁
The tunnel junction structures 50 can be used for VCSEL which has an active layer 60 between a first mirror 12 and a second mirror 14 constituted together from n type semiconductor layers.例文帳に追加
本発明のトンネル接合構造(50)は、共にn型半導体層から構成される第1のミラー(12)と第2のミラー(14)との間に活性層(60)を有するVCSELに使用され得る。 - 特許庁
A continuous silicide film 36 electrically couples the two structures 4 and 2 by bridging a gap 38 formed of the insulating layer in the overlap area.例文帳に追加
連続珪化物被膜36は、オーバーラップ領域内で絶縁層によって形成されているギャップ38を橋渡しすることによって2つの構造4,2を電気的に結合する。 - 特許庁
First biasing structures (12a, 12b) having a first magnetization vector are positioned adjacent to the stack (13) to produce a first biasing magnetic field that biases the sensing layer (20).例文帳に追加
第1の磁化ベクトルを有する第1のバイアス付与構造(12a,12b)をセンサ・スタック(13)に近接して置き、感知層(20)にバイアスをかける第1のバイアス付与磁界を作る。 - 特許庁
An electrophoretic element includes migrating particles and a porous layer formed of fibrous structures including non-migrating particles whose optical reflection characteristics are different from those of the migrating particles.例文帳に追加
電気泳動素子は、泳動粒子と、その泳動粒子とは光学的反射特性が異なる非泳動粒子を含む繊維状構造体により形成された多孔質層とを含む。 - 特許庁
The fiber-reinforced resin layer 20 comprises the reinforcement fibers wound on both communication members 6 in the longitudinal direction of the container structures 2 so as to be applied to the recessed parts 12.例文帳に追加
第2の繊維強化樹脂層20は、両連通部材6の凹部12にかかるように容器構成体2の長さ方向に巻き付けられた補強繊維を有している。 - 特許庁
The bus bar 351 has seven layer structures constituted of insulators of four layers (not shown by figure) and conductive layers of three layers (shown by figure) which are interposed between the insulators.例文帳に追加
ここで、バスバー351は、4層の絶縁層(図示しない)と、それらの間に介在する3層の導電層(図示している)とからなる7層構成をとるものとする。 - 特許庁
The write head pole structure can include multiple multi-layer magnetic structures 232, 234, and 236 that are separated by a non-magnetic material that is amorphous or microcrystalline.例文帳に追加
書き込みヘッド磁極構造は、非晶質又は微晶質の非磁性材料によって分離される複数の多層磁気構造232、234、236を含むことができる。 - 特許庁
The optical element has a glass layer formed of a pattern of periodic structures which are arrayed with a fine constant periodic interval corresponding to wavelength of light made incident on a resin substrate.例文帳に追加
樹脂基板上に入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンが形成されているガラス層を有する。 - 特許庁
Select gate transistors S1 and S2 have charge accumulated layer 26SSL and 26GSL and also have the same structures with memory cells M0, M1,..., M15.例文帳に追加
セレクトゲートトランジスタS1,S2は、電荷蓄積層26_SS_L,26_GSLを有し、セレクトゲートトランジスタS1,S2の構造は、メモリセルM0,M1,・・・M15の構造と同じになっている。 - 特許庁
On a formed face 21 in which the transcription layer 30 in the carrier 20 is formed, a plurality of groove-like periodical structures 22 composed of minute uneven shapes are formed.例文帳に追加
担持体20における転写層30が形成される形成面21には、複数の微細な凹凸形状からなる溝状の周期構造22が形成されている。 - 特許庁
And, a plurality of through hole structures 18 having walls perpendicular to planes of the metal layers 14, 16 and for focusing an electric field are formed in the plate-like multi-layer body 10.例文帳に追加
また、板状多層体10には、金属層14、16の平面に垂直な壁を有し、電界を集束させるための貫通孔構造18が複数形成されている。 - 特許庁
The optical isolator device 1 is constituted by forming films having structures periodically changing in light transmittance in a prescribed direction on an optical transparent medium layer 11.例文帳に追加
光アイソレータ装置1は、光学的透明媒質層11上に、光透過率が所定の方向に対して周期的に変化する構造を有する膜を形成してなる。 - 特許庁
On a nitride semiconductor substrate 10 of AlN, element structures 103-111 having a nitride semiconductor layer containing Al are formed to produce a laser element.例文帳に追加
AlNからなる窒化物津半導体基板101の上に、Alを含む窒化物半導体からなる層を有する素子構造103〜111が形成されたレーザ素子とする。 - 特許庁
This joining apparatus for joining the ceramic structures 1 with a ceramic-made adhesive layer is provided with a supporting fixture 13 and a vibration imparting means 15.例文帳に追加
この接合装置11は、セラミックス製接着剤8によりセラミックス構造体1を接合するためのものであって、支持治具13と振動付与手段15とを備える。 - 特許庁
The planographic printing plate is made through a step in which a planographic printing original plate obtained by disposing on a hydrophilic support an image forming layer comprising a compound having a plurality of o-quinodimethane structures or precursor structures thereof and a hydrophobic polymer is imagewise heated to polymerize the compound and a step in which the image forming layer in the unheated areas is removed.例文帳に追加
親水性支持体上に、複数のo−キノジメタン構造またはその前駆体構造を有する化合物と疎水性ポリマーとを含む画像形成層が設けられている平版印刷原版を画像状に加熱して、化合物を重合させる工程、そして、加熱していない部分の画像形成層を除去する工程により平版印刷版を製版する。 - 特許庁
In the ink jet recording material, which is formed by providing an ink accepting layer on a support, the ink accepting layer includes a repeating structure selected from hydrazine derivative structures or non-cyclic hydroxylamine derivative structures and a cation type polymer having a repeating structure different from the above repeating structure and giving cationic properties.例文帳に追加
支持体上にインク受容層を設けたインクジェット記録用材料において、該インク受容層に、ヒドラジン誘導体構造または非環状ヒドロキシルアミン誘導体構造から選ばれる繰り返し構造と、これらとは異なる、カチオン性を与えるための繰り返し構造を有する、カチオン型ポリマーを含有することを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁
A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加
発光素子100は、矩形状の基板1の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、n型半導体層(LED構造)20、活性層(不図示)及びp型半導体層3を積層した半導体層で構成されるLED構造を分離して形成してある。 - 特許庁
The imaging element includes, between a pair of electrodes, a photoelectric conversion film (a photosensitive layer) having a bulk hetero-junction structure layer as an intermediate layer, or a photoelectric conversion film having a structure comprising two or more repeated structures of pn junction layers respectively formed of p-type and n-type semiconductor layers.例文帳に追加
1対の電極間に、バルクヘテロ接合構造層を中間層とする光電変換膜(感光層)、又はp型半導体の層とn型半導体の層で形成されるpn接合層の繰り返し構造の数を2以上有する構造を持つ光電変換膜を含有する撮像素子。 - 特許庁
In the method of manufacturing a solid-state imaging apparatus provided with the transfer electrodes having single-layer structures, sacrificial layer patterns 6 are formed along the charge transferring direction v and electrode material layers 7 are formed by burying the layers 7 among the sacrificial layer patterns 6 in a state where the patterns 6 are exposed.例文帳に追加
単層構造の転送電極を備えた固体撮像装置の製造方法であって、電荷転送方向vに沿って犠牲層パターン6を形成し、犠牲層パターン6を露出させた状態で犠牲層パターン間に電極材料層7を埋め込み形成する。 - 特許庁
This liquid medium for producing the protecting layer for forming the protecting layer of the metal is characterized by containing a compound having at least 1 kind selected from the structures described in general formula (I) as a solvent dissolvable group, as a protective layer-forming material.例文帳に追加
金属に対して保護層を形成する保護層形成用液媒体において、溶媒溶解基として、一般式(I)中に記載の少なくとも一種の構造を有する化合物が、保護層形成材として含有されてなることを特徴とする金属保護層形成用液媒体。 - 特許庁
The manufacturing method of the polyimide-copper foil laminated plate comprises forming the thermosetting resin polyimide layer on the copper foil, bonding two structures using the thermoplastic polyimide layer, each structure being made by forming the thermosetting polyimide layer on the copper foil, finally heating and pressing them.例文帳に追加
ポリイミド銅箔積層板の生産方法は、先ず銅箔の上に熱硬化性ポリイミド層を形成しおき、次に熱可塑性ポリイミド層によって銅箔の上に熱硬化性ポリイミド層を形成した構造二枚を貼り合わせて、最後に加熱加圧によってポリイミド銅箔積層板を得る。 - 特許庁
As a result, both resistance change ratios (ΔR/R) and monodirective exchange bias magnetic field (Hex^* ) can be increased up to a value to be satisfied as compared with a former case wherein a fixed magnetic layer having three layer structure of CoFe/NOL/CoFe or three layer structures of Co/NOL/Co is used.例文帳に追加
これにより従来のようにCoFe/NOL/CoFeの3層構造やCo/NOL/Coの3層構造を有する固定磁性層を使用した場合に比べて抵抗変化率(ΔR/R)と一方向性交換バイアス磁界Hex*の両方を満足し得る値にまで引き上げることができる。 - 特許庁
A plurality of projected structures 2 formed of the multi-layer film structure having the interposed insulating layer 3 are provided, and only in the projected structure 2 as an observation object, the upper and lower conductive parts 4, 5 are sequentially electrically short-circuited to perform observation.例文帳に追加
絶縁層3が介在する多層膜構造からなる凸状構造物2を複数個設け、観察対象となる凸状構造物2のみの上下の導電性部分4,5を順次電気的に短絡させて観察を行う。 - 特許庁
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