「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the amorphous silicon layer 104 is specified in thickness to the polycrystalline silicon layer 105.例文帳に追加

さらに、アモルフアスシリコン層１０４の層厚を、多結晶シリコン層１０５に対し規定された厚みとする。 - 特許庁

The thickness of the glass layer 1 is 200 μm or smaller, and the glass layer 1 can be made flexible.例文帳に追加

ガラス層１の厚さは、２００ミクロン以下であり、ガラス層１に柔軟性を持たせることができた。 - 特許庁

In regard to color of the coloring layer, the color tone is adjusted by changing the thickness of the coloring insulation layer.例文帳に追加

着色層の色は着色用絶縁層の厚みを変えることにより色調を調整する。 - 特許庁

To form a cover layer which adheres onto an information layer having uniform thickness in a radial direction.例文帳に追加

情報層の上に被着されるカバー層として径方向に関して厚みが均一なものを形成する。 - 特許庁

A layer thickness (t) of a coating layer of a diamond 15 synthesized by a vapor-phase process is set within a range of 0.5-20 μm.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンド１５のコーティング層の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck difficult to produce nonconformity such as peeling of an insulating layer even when a thickness of the insulating layer is 0.1-4.0 mm.例文帳に追加

絶縁層の厚さが小さくとも、不具合が起き難い静電チャックを提供することである。 - 特許庁

CALCULATING METHOD OF THICKNESS OF THIRD LIGHT TRANSMISSION LAYER OF THREE-LAYER STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD OF SOI WAFER例文帳に追加

３層構造体の第３の光透過層の厚さの算出方法およびＳＯＩウェーハの製造方法 - 特許庁

The package comprises two metal layer bump circuits, a first adhesive layer having some thickness on the first surface of the bump circuit, a first outer conductive layer having some thickness and being bonded to the first adhesive layer, and a second adhesive layer having a thickness substantially equal to that of the first adhesive layer on the second surface of the bump circuit.例文帳に追加

このパッケージは、２つの金属層のバンプ回路と、バンプ回路の第１面上である厚さを有する第１粘着層と、ある厚さを有し、第１粘着層に接合する第１外部導電層と、バンプ回路の第２面上で第１粘着層の厚さとほぼ同じ厚さを有する第２粘着層とを含む。 - 特許庁

A layer thickness (t) of a coating layer comprising a diamond 15 synthesized by a vapor-phase process is set within the range of 0.5-20 μm.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンド１６のコーティング層の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。 - 特許庁

A layer thickness t of a coating layer comprising a diamond 15 synthesized by a vapor-phase process is set within the range of 0.5-20 μm.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンド１８のコーティング層の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。 - 特許庁

Alternatively, it is possible to reduce a change in the total thickness of the first resin layer and the second resin layer.例文帳に追加

または、第１樹脂層および第２樹脂層の合計厚みの変化を小さくすることができる。 - 特許庁

On the surface of the second layer, a third layer of a thickness d_3 [nm] made of the silicon oxide is formed.例文帳に追加

第２の層の表面上に、酸化シリコンからなる厚さｄ_3［ｎｍ］の第３の層が形成されている。 - 特許庁

This tape used a silicone based pressure-sensitive adhesive as the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the thickness of the layer 2 is 0.05-0.3 mm.例文帳に追加

粘着剤層２として、シリコーン系粘着剤を用い、膜厚を０．０５〜０．３ｍｍとする。 - 特許庁

Furthermore, the familiarity layer is preferably formed in larger coating thickness than the maximum surface roughness of the wear-resisting layer.例文帳に追加

さらに好ましくは、なじみ層を耐摩耗層の最大表面粗さよりも大きい膜厚で形成する。 - 特許庁

The thickness of a first clad layer 4 between a DBR 3 and a quantum well active layer 5 is set to 0.3 μm.例文帳に追加

ＤＢＲ３と量子井戸活性層５との間の第１クラッド層４の層厚を０．３μｍにする。 - 特許庁

Thus, a completed tile has a leather layer combined with a plastic resin layer with a determined thickness.例文帳に追加

このように、完成したタイルは、所定の厚さのプラスチック樹脂層が結合された革の層を有している。 - 特許庁

The layer is cured by infrared irradiation, and the thickness of the layer is allowed to be increased by multiple applications of the liquid polybutadiene.例文帳に追加

層は赤外線照射により硬化され、液体ポリブタジエンの多数回の塗布で厚さを厚くできる。 - 特許庁

In this case, the entire thickness of the tin or tin alloy plated layer and the copper/copper alloy layer should be 0.4 μm.例文帳に追加

その場合、錫又は錫合金めっき層と銅−錫合金層の合計厚さを０．４μｍとする。 - 特許庁

The surface metal layer 48 is formed of palladium of about 0.05 μm in thickness, and it is formed on the silver layer 45.例文帳に追加

表面金属層４８は、厚さ約０．０５μｍのパラジウムからなり、銀層４５上に形成される。 - 特許庁

A layer thickness of the carbon layer 22 is preferred to be thicker than that of the solid polymer electrolyte film 20.例文帳に追加

カーボン層２２の層厚は、固体高分子電解質膜２０の層厚より厚いことが望ましい。 - 特許庁

A layer of 20 μm thickness comprising phthalocyanine may be provided as the upper shielding layer 4.例文帳に追加

上部遮蔽層４として例えばフタロシアニンからなり、厚さ２０μｍの層を設けることができる。 - 特許庁

The diamond like carbon layer constituting one layer of the optical multi-layered film has 2-10 nm thickness.例文帳に追加

光学多層膜の一層を構成するダイヤモンドライクカーボン層は、厚みが２ｎｍ乃至２０ｎｍである。 - 特許庁

As a result, the catalyst layer having the uniform layer thickness is formed on the solid electrolyte membrane 10.例文帳に追加

この結果、固体高分子電解質膜１０に層厚が均一な触媒層を形成することができる。 - 特許庁

The lens array layer 201 and the flat layer 203 have nearly the same thickness and made thinner than the glass substrate 202.例文帳に追加

レンズアレイ層２０１と平坦層２０３は略同一の厚さを有し、ガラス基板２０２より薄い。 - 特許庁

The thickness Tu of the resist layer being the lowest layer is made approximately equal to that of the electrode film to be formed.例文帳に追加

最下層のレジスト層の厚みＴｕを、形成すべき電極膜の厚みと略同等にする。 - 特許庁

The layer 3 comprises nickel or the like and the thickness of the layer 3 is 20-50 μm.例文帳に追加

金属薄膜層３をニッケル等から構成し、その厚みを２０μｍ以上５０μｍ以下としている。 - 特許庁

The film thickness of a thin film coil 24 in the second layer is made thicker than that of a thin film coil 21 in the first layer.例文帳に追加

２層目の薄膜コイル２４は１層目の薄膜コイル２１よりも膜厚が厚くなっている。 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

Accordingly, etching of a semiconductor layer hardly progresses from the boundary surface between an impurity layer and the semiconductor layer, because the semiconductor layer is hardly exposed on the boundary surface due to the thickness of the impurity layer, for example even when the impurity layer is etched rapidly.例文帳に追加

したがって、例えば不純物層が速くエッチングされても、その厚さ分、境界面において半導体層が露出しにくくなるので、境界面から半導体層のエッチングが進行しにくい。 - 特許庁

The semiconductor laser element is installed between SiN layers formed on a p-type layer via a heat sink layer and a solder layer (approximately 4 μm in layer thickness), in addition to a Ti layer and Au layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、ｐ型層上に形成されたＳｉＮ膜との間に、Ｔｉ層およびＡｕ層に加えてヒートシンク層およびはんだ層（層厚４μｍ程度）を介して載置されている。 - 特許庁

The thickness T6 of the thickness adjusting layer 102 is made equal to the reduction quantity T4 of thickness due to re-grinding or re-polishing to keep the thickness T o the whole of the core block 56 constant.例文帳に追加

この厚さ調整層102の厚さT6を前記再研削または再研磨による厚さの減少分T4と等しくすることにより、コアブロック56全体の厚さＴを一定に維持する。 - 特許庁

The first layer 4 and the third layer 6 are nitride semiconductors, having a composition in which the difference in a lattice constant to the Si substrate 1, is smaller than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, the film thickness is larger than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, and the first layer 4 has a larger film thickness than that of the third layer 6.例文帳に追加

第１の層４及び第３の層６は、第２の層５及び第４の層７のいずれよりもＳｉ基板１との格子定数差が小さな組成の窒化物半導体であり、且つ、第２の層５及び第４の層７のいずれよりも膜厚が大きく、第１の層４は、第３の層６よりも膜厚が大きい。 - 特許庁

The main part of the waveguide 20 is laminated structure consisting of an InP layer 22, an AlInAs layer 23 having 100 nm thickness, a GaInAsP layer 24, an AlInAs layer having 50 nm thickness, a GaInAsP layer 26, an AlInAs layer 27 having 100 nm thickness, and an InP layer 28 and formed on the InP substrate as a ridge 30.例文帳に追加

本半導体光導波路２０の要部は、ＩｎＰ基板２１上に形成され、ＩｎＰ層２２、厚さ１００ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２３、ＧａＩｎＡｓＰ層２４、厚さ５０ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２５、ＧａＩｎＡｓＰ層２６、厚さ１００ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２７、及び、ＩｎＰ層２８の積層構造であって、リッジ３０として形成されている。 - 特許庁

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer.例文帳に追加

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

The multi-layer silicon carbide stack has a seed layer of thin silicon carbide layer (for example, a seed layer of silicon carbide having a thickness of less than about 100 Å) having a thicker silicon carbide layer formed thereon ( for example, a silicon carbide layer having at least a thickness of 300 Å).例文帳に追加

多層炭化ケイ素スタックは、その上に形成されたより厚い炭化ケイ素層（例えば、少なくとも３００オングストロームの厚さの炭化ケイ素層）を有する薄い炭化ケイ素シード層（例えば、約１００オングストローム未満の厚さの炭化ケイ素シード層）を有する。 - 特許庁

Although the intermediate layer 5 of the film thickness of monomolecular level is formed between the ITO layer 3 and CU layer 8, the film thickness of the intermediate layer 5 causes the intermediate film to lose its original insulation, and the ITO layer 3 and Cu layer 8 are electrically connected to each other.例文帳に追加

ＩＴＯ層３とＣｕ層８との間には単分子膜レベルの膜厚で中間層５が形成されているが、この膜厚では中間層５がもつ本来の絶縁性が失われ、ＩＴＯ層３とＣｕ層８とを電気的に接続することが可能となる。 - 特許庁

A flux solution layer 5 for the concentration of flux in the layer 5 becomes lower along towards the overlaying layer from the underlying layer which is a solid-state water soluble flux layer 4 formed into a uniform thickness is formed by applying water in uniform thickness to the layer 4.例文帳に追加

均一厚さに形成した固形状で水溶性のフラッスク層４上に水を均一膜厚で塗布することにより、フラックス層４上に、フラックス濃度がフラッスク層４側である下層から上層に向かって低下するフラックス溶液層５を形成する。 - 特許庁

The first conductive layer 28 has a thickness of 600 nm or above.例文帳に追加

第１導電層２８の厚みは、600nm以上であることを特徴としている。 - 特許庁

Coercive force which decreased by making thickness of the 1st magnetic layer 3 thin is compensated by the 2nd magnetic layer 4 having high coercive force even if the thickness is thin.例文帳に追加

第１磁性層３の厚みを薄くすることにより低下した保磁力を、厚みが薄くても高い保磁力を有する第２磁性層４により補う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI wafer, capable of reducing the thickness of an SOI layer at a low cost without reducing the accuracy of the thickness of the SOI layer.例文帳に追加

ＳＯＩ層の厚さの精度を低下させることなく低コストでＳＯＩ層の薄膜化を行うことができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A thickness of the thin film metal layer is preferably 1 nm or less.例文帳に追加

そして、薄膜金属層の厚さは１ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

The outer layer 2 has preferably a thickness of 5 μm or thicker on average.例文帳に追加

外周層２の厚みは平均で５μｍ以上であることが好ましい。 - 特許庁

When the thickness of the semiconductor ceramic layer 14 is set as S and the thickness of the inner electrode layer 16 is set as I, S/I is set to at least 10 and at most 50.例文帳に追加

半導体セラミック層１４の厚みをＳとし、内部電極層１６の厚みをＩとしたときに、Ｓ／Ｉが１０以上５０以下に設定される。 - 特許庁

To control a thickness of a bare chip with superior precision when grinding a resin layer.例文帳に追加

樹脂層を研削する場合にベアチップの厚さを精度良く制御する。 - 特許庁

Thus, the adhesive applied to the adhesion parts of the layer thickness regulating blade and the holding member is welded, and the layer thickness regulating blade and the holding member are welded.例文帳に追加

これにより、層厚規制ブレードと保持部材との接着部に塗布された接着剤が溶着し、層厚規制ブレードと保持部材とが溶着する。 - 特許庁