「lead bonding」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device has such a bonding structure that a bonding layer essentially containing no sulfur is disposed between a base conductor layer and a lead-free solder layer, and between the bonding layer and the lead-free solder layer, an alloy layer containing elements contained in these layers is disposed.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。 - 特許庁

After performing the die bonding of an integrated circuit 14 onto a die pad 13a of a lead frame 13 by the use of an epoxy adhesive, two antenna lands 13b of the lead frame 13 and two antenna pads 14a of the integrated circuit 14 are subjected to bonding connection by a bonding wire 15.例文帳に追加

リードフレーム１３のダイパッド１３ａ上に集積回路１４をエポキシ系の接着剤を使用しダイボンディングした後、リードフレーム１３の２つのアンテナランド１３ｂと集積回路１４の２つのアンテナパッド１４ａをボンディングワイヤー１５でボンディング接続する。 - 特許庁

In the semiconductor device, between a ground conductor layer and a lead free solder layer, a bonding layer which does not contain sulfur substantially is prepared, and between the bonding layer and the lead free solder layer, the bonding structure forming an alloy layer with these elements is prepared.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。 - 特許庁

For connecting the lead 12 to a positive electrode connecting lead 30 formed of phosphor bronze, the lead 12 and the lead 30 are overlapped at a bonding position to pinch the lead 12 by the lead 30 to bond them through a burring process (a), a caulking process (b) and a pressing process (c).例文帳に追加

電池３の正極リード１２は箔状のアルミニウムスで形成され、これをリン青銅により形成された正極接続リード３０に接続するために、両者を接合位置で重ね合わせ、バーリング加工（ａ）、カシメ加工（ｂ）、圧縮加工（ｃ）して、正極接続リード３０により正極リード１２を挟み込んで接合する。 - 特許庁

Since Sn 12 diffused to the tape lead 13 largely melts on the metallic bump 11 and Sn 12 is largely extended on the metallic bump 11 in the thermo-compression bonding process of the metallic bump 11 and the tape lead 13, lead bonding wettability become satisfactory.例文帳に追加

この構成により、金バンプ１１とテープリード１３との熱圧着工程において、テープリード１３に拡散されたＳｎ１２が金バンプ１１上に大きく溶け出し、金バンプ１１上にＳｎ１２が大きく拡がるため、リードボンディング濡れ性が良好になる。 - 特許庁

In the bonding method, relative position of a lead frame 1 and a camera 31 is adjusted in the feeding direction of the lead frame 1, when the target 1A of the lead frame 1 located at a bonding position by means of a carrier 11, is not present in the visual field 31A of the camera.例文帳に追加

ボンディング方法において、搬送装置１１によってボンディング位置に位置付けられたリードフレーム１のターゲット１Ａがカメラ視野３１Ａにない場合、リードフレーム１とカメラ３１の相対位置をリードフレーム１の送り方向において調整するもの。 - 特許庁

There are provided a semiconductor chip 1 constituting an integrated circuit; a lead 2 which is an external connection terminal; a bonding wire 3 which connects the integrated circuit to the lead 2; and a base 4 for molding the semiconductor chip 1, the lead 2, and the bonding wire 3 with an insulating resin.例文帳に追加

集積回路を構成する半導体チップ１と、外部接続端子であるリード２と、集積回路とリード２とを接続するボンディングワイヤ３と、これら半導体チップ１、リード２及びボンディングワイヤ３を絶縁性の樹脂でモールドする基台４とを備える。 - 特許庁

To prevent warpage of a die pad part due to heat in wire bonding, in a semiconductor device composed by sealing, by a mold resin, a member formed by mounting a semiconductor chip on the die pad part of a lead frame, and wire-bonding it to a lead part.例文帳に追加

リードフレームのダイパッド部に半導体チップを搭載し、これをリード部にワイヤボンディングしたものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置において、ワイヤボンディング時の熱によるダイパッド部の反りを抑制する。 - 特許庁

To reduce a crushing margin of an initial ball to enhance bonding precision when bonded onto a pad face, and to enhance cuttability of a bonding wire fixed to a lead face when bonded onto the lead face.例文帳に追加

パッド面にボンディングする場合に、イニシャルボールの潰れ代を小さくしてボンディング精度を向上させ、リード面にボンディングする場合に、リード面に固着されたボンディングワイヤの切断性を向上させることができる。 - 特許庁

The emitter lead 4 is connected to the first emitter bonding pad 11a by a first emitter wire 14A, and therewith the emitter lead 4 is connected to the second emitter bonding pad 11b with a second emitter wire 14B.例文帳に追加

エミッタリード４と第１のエミッタ・ボンディングパッド１１ａとが第１のエミッタワイヤ１４Ａにより接続されていると共に、エミッタリード４と第２のエミッタ・ボンディングパッド１１ｂとが第２のエミッタワイヤ１４Ｂにより接続されている。 - 特許庁

To obtain a chip-size semiconductor device, employing a highly reliable lead frame in which the outer connection terminals have high positional accuracy and bonding work to a semiconductor chip is carried out with high workability, without causing deformation of the lead at the time of die bonding.例文帳に追加

リードがダイボンディング時に変形することなく半導体チップとのボンディングが作業性よくなされ、外部接続端子の位置精度が高く、信頼性にすぐれたリードフレームを用いたチップサイズの半導体装置を得る。 - 特許庁

Also, a continuous level difference 17 is provided on the boss 7 so as to surround a joint portion between the source lead 14 and the bonding wire 4, so that disconnection of the bonding wire 4 resulting from delamination between the resin 6 and the source lead 14 is prevented.例文帳に追加

また、ソースリード１４とボンディングワイヤ４との接続部を取り囲むように、突起７上に連続的な段差１７を設け、樹脂６とソースリード１４のはく離に起因したボンディングワイヤ４の断線を防止する。 - 特許庁

In a collection process, the magazine 71 of the buffer unit 62 is taken out by a lower hand 113, a lead frame accommodation is moved to a pass line 32, and the lead frame after bonding is accommodated in the lead frame accommodation.例文帳に追加

回収工程にてバッファーユニット６２のマガジン７１を下部ハンド１１３で取り出してリードフレーム収容部をパスライン３２へ移動し、ボンディング後のリードフレームをリードフレーム収容部に収容する。 - 特許庁

To provide a lead wire connection apparatus configured so that during a permanent pressure-bonding of a lead wire against semiconductor cells, a conductive tape with the lead wire temporarily pressure-bonded against the next semiconductor cell is not affected by thermal effect.例文帳に追加

半導体セルにリード線を本圧着する際、つぎの半導体セルにリード線を仮圧着した導電性テープが熱影響を受けないようにしたリード線の接続装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an inexpensive lead frame which has a noble metal film formed only at a joint portion of an inner lead for a bonding wire by noble metal plating as a lead frame for semiconductor element mounting, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体素子搭載用リードフレームにおいて、インナーリードのボンディングワイヤとの接合部のみに貴金属めっきによる貴金属被膜を形成した安価なリードフレームとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lead frame which is composed of an inner lead having a bonding pad part, an outer lead as an external terminal, a die pad for mounting a semiconductor element thereon, and a suspension lead for supporting the die pad, prevents deformation of the inner lead and electrical short-circuit, and has superior wire bondability.例文帳に追加

ボンディングパッド部を有するインナーリード、外部端子となるアウターリード、半導体素子を搭載するダイパッドおよびダイパッドを支える吊りリードからなるリードフレームにおいて、インナーリードの変形および電気的短絡を防止し、かつ優れたワイヤボンディング性を有するリードフレームを提供する。 - 特許庁

METHOD OF BONDING LEAD FRAMES IN PACKAGE ASSEMBLY, MANUFACTURE OF CHIP LAMINATED PACKAGE, AND CHIP LAMINATED PACKAGE例文帳に追加

パッケージ組立体においてリードフレームを接合する方法、チップ積層パッケージの製造方法及びチップ積層パッケージ - 特許庁

To provide a lead frame and a semiconductor device, capable of improving connection reliability to a bonding wire.例文帳に追加

ボンディングワイヤとの接続信頼性を向上させることのできるリードフレーム及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor chip, the inner lead 4, a plurality of bonding wires and the support 8 are sealed by a quadrate sealing material.例文帳に追加

半導体チップ、インナーリード４、複数のボンディングワイヤ及び支持体８は、四辺形の封止体で封止されている。 - 特許庁

To stabilize bonding of a narrow lead pitch and to prevent a package of a semiconductor device provided with a heat-radiation plate from cracking.例文帳に追加

狭リードピッチのボンディングを安定させ、かつ放熱板を設けた半導体装置のパッケージクラックを防止する。 - 特許庁

Then the ends of the lead terminals are bonded to the base ends of the resistor body by the thermal diffusion bonding.例文帳に追加

そして、前記リード端子の端部が前記抵抗体の基部端部に熱拡散接合により接合されている。 - 特許庁

The lead frame 10, the semiconductor element 21 and the bonding wires 22 are encapsulated by an encapsulation resin part 23.例文帳に追加

リードフレーム１０、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂部２３によって封止されている。 - 特許庁

The solid imaging element has a plurality of pads for bonding the lead on a semiconductor substrate at predetermined intervals.例文帳に追加

半導体基板上にリードをボンディングするための複数のパッド部を所定の間隔で備えているものである。 - 特許庁

Following to the required wiring by a bonding wire 34, the lead frame 30 is mounted upside-down on a heating pedestal 35.例文帳に追加

必要なボンディングワイヤ３４による配線後、リードフレーム３０を上下反転して加熱受け台３５に載せる。 - 特許庁

A semiconductor element 13 is mounted on the lead frame base 12, and the entire is resin-sealed after wire bonding.例文帳に追加

このリードフレームベース１２に半導体素子１３を搭載し、ワイヤーボンディングを行って、全体を樹脂封止する。 - 特許庁

LEAD FRAME, WIRE BONDING METHOD IN MANUFACTURING OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND RESIN SEALING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

リードフレーム、それを用いた半導体装置の製造におけるワイヤーボンディング方法及び樹脂封止型半導体装置 - 特許庁

A substrate, first semiconductor element, second semiconductor element, bonding wire, and inner lead 68a are sealed with a resin 70.例文帳に追加

基板、第１半導体素子、第２半導体素子、ボンデイングワイヤ、インナーリード６８ａは樹脂７０で封止される。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes a process of bonding the lead 20 to the pad 12 of a semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０のパッド１２にリード２０をボンディングすることを含む。 - 特許庁

Besides a bonding pad 11 to bond an electrical source lead, a ground lead, or a signal lead, a non-bonding pad used only to check a structure defect of its chip 10, i.e., a plurality of test pads 12 are connected to a required circuit point in the IC chip.例文帳に追加

電源線、接地線及び信号線のいずれかにボンディングするためのボンディングパッド１１の他に、そのチップ１０の構造不良を検査するためにのみ使用される非ボンディングパッド、すなわちテストパッド１２を、ＩＣチップ中の所要の回路ポイントに接続して複数設ける。 - 特許庁

On a lead 21a on which a semiconductor chip 23 is mounted, a lead terminal portion and an island 22 are constructed so as not to exist in line with a lead 28 for ground-bonding, on the opposite side of island and side of island 22 of a wire bonding area 28a on a longitudinal section along a ground-bonded gold wire 25a.例文帳に追加

半導体チップ２３が搭載されたリード２１aについて、グランドボンドされた金線２５aに沿った縦断面におけるワイヤーボンド領域２８aの反アイランド部側及びアイランド部２２側において、グランドボンド用リード部２８に連なってリード端子部及びアイランド部２２が存在しないようにしている。 - 特許庁

A boss 7 is provided on a source lead 14 by a stamping processing, and a support pillar 16 is provided in a concave portion 20 on a rear side of the source lead 14 in order to prevent ultrasonic damping upon joining the bonding wire 4 onto the boss 7, so that an insufficiency of the joint strength between the bonding wire 4 and the source lead 14 is prevented.例文帳に追加

ソースリード１４上にダボ加工により突起７を設け、突起７上にボンディングワイヤ４を接続する際に超音波の減衰を防止する目的で、ソースリード１４の裏側の凹部２０に支柱１６を設けることで、ボンディングワイヤ４とソースリード１４の接続強度不足を防ぐ。 - 特許庁

To provide a carriage assembly for a hard disk drive in which a flying lead of a long tail suspension substrate can be uniformly and surely coupled with a bonding terminal of a flexible printed circuit board and the flying lead is prevented from being cut off when removing the flying lead from the bonding terminal.例文帳に追加

ロングテールサスペンション基板のフライングリードとフレキシブルプリント基板の接合端子との結合が均一かつ確実に行えるとともに、フライングリードを接合端子から引き剥がす際にフライングリードが切れてしまうといった問題の発生することのない、ハードディスクドライブのキャリッジアセンブリを提供する。 - 特許庁

The bonding part 34 of the lead 18 is positioned higher than the island part 28, and this positioning separates the thin metal wires 26 connecting to the bonding part 34 from each other.例文帳に追加

リード１８のボンディング部３４は、アイランド部２８よりも上方に配置されることにより、ボンディング部３４に接続される金属細線２６同士が離間される。 - 特許庁

To provide a dual die package manufacturing method that can secure satisfactory bonding reliability by bonding a first and second lead frames without going through the solder dipping process.例文帳に追加

半田ディッピング工程を使用せず第１、２リードフレームを接合しながら、良好な接合信頼性を確保することができるデュアルダイパッケージの製造方法を提供すること。 - 特許庁

As a lead frame can be dispensed with, an optically coupled device can be reduced in thickness, and die-bonding and wire-bonding operation can be more easily carried out in this board than in a normal recessed insulated board.例文帳に追加

リードフレームを用いなくてもよいので、光結合素子の薄型化を図ることができ、従来の凹状の絶縁性基板に比べてダイボンドやワイヤボンドが容易である。 - 特許庁

This pressure-bonding is carried out for a plurality of the LCD 1 repeatedly, and the position difference of the outer lead and the electrode, occurring with press bonding, is measured in a position difference inspection part F.例文帳に追加

この圧着を多数枚のＬＣＤ１について繰り返し行い、圧着にともなって生じるアウターリードと電極の位置ずれを位置ずれ検査部Ｆで測定する。 - 特許庁

To provide an LOC lead frame which is superior in die-bonding characteristic and a wire bonding characteristic and by which a crack is not generated in a semiconductor package, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ダイボンディング特性及びワイヤボンディング特性に優れ、かつ、半導体パッケージにクラックを生じさせないＬＯＣリードフレーム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The bump B is formed by integrally bonding the tip part of the terminal 4 and a tip part of the lead terminal LT to each other by using a wire bonding device such as a ball bonder.例文帳に追加

バンプＢはボールボンダなどのワイヤボンディング装置を用いて、端子４の先端部とリード端子ＬＴの先端部とを一括してボンディングして形成されている。 - 特許庁

To provide an electronic component provided with high heat resistance and having excellent bonding properties in bonding by soldering, wire bonding, etc. in an IC package comprising either a lead frame, an organic substrate, or a ceramic substrate.例文帳に追加

リードフレーム、オーガニック基板、セラミック基板のいずれかかからなるＩＣパッケージにおける、半田やワイヤボンディングなどによる接合において、高い耐熱性を備え、優れた接合特性を有する電子部品を提供する。 - 特許庁

A heat block 24 for heating a lead frame is provided on an underside of the rail 23, and a bonding point 25 at which a chip is to be bonded to the lead frame is set in the path 17.例文帳に追加

搬送レール２３の下部に、リードフレーム１６を加熱するヒートブロック２４を設け、搬送路１７に、リードフレーム１６にチップをボンディングするボンディングポイント２５を設定する。 - 特許庁

To provide an adhesive film for a semiconductor that inhibits connection failures and an inner lead from getting peeled off at wire bonding, misregistration of substrate for mounting a lead frame and a semiconductor device, etc.例文帳に追加

ワイヤボンディング時の接続不良、インナーリードの剥がれ、リードフレームや半導体装置搭載用基板の位置ずれ等を防止する半導体用接着フィルムの提供。 - 特許庁

A pair of semiconductor elements 4 are mounted on the heatsink 2 so that the long groove 21 is located between them, and the semiconductor elements 4 and the lead portion 33 of the lead frame 3 are bonded together by wire bonding.例文帳に追加

長溝２１を挟むように一対の半導体素子４をヒートシンク２上に取り付け、半導体素子４とリードフレーム３のリード部３３とをワイヤボンディングする。 - 特許庁

In addition, a wire bonding area A on the upper surface 4c of the inner lead 4A is separated from the taping area C on the back side 4d of the top section 4e in the inner lead 4a.例文帳に追加

また、インナーリード４ａの上面４ｃのワイヤボンディング領域Ａと、インナーリード４ａの先端部４ｅの裏面４ｄにテーピング領域Ｃとが分離されている。 - 特許庁

To provide a lead frame having high reflectance between an ultraviolet region and a near-infrared region, good wire bonding performance and excellent corrosion resistance, and a method for manufacturing the lead frame.例文帳に追加

紫外域から近赤外域における反射率が良好で、かつワイヤボンディング性が良好であり、耐食性に優れるリードフレームおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an open failure off which an inner lead and a metal bump electrode jointed once are peeled by a shrinking force and a restoring force of a film in an inner lead bonding process.例文帳に追加

インナーリードボンド工程において、フィルムの収縮力、復元力によって、一旦接合されたインナーリードと金属突起電極が引き剥がれるオープン不良を防止する。 - 特許庁