「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Similarly, a vertical stripe pattern 51 is projected on the screen 1, the inclination of the vertical stripe pattern 51 is calculated by using vertical line sensors 41c and 41d, and a correction amount for correcting the trapezoid distortion is calculated.例文帳に追加

同様に縦縞パターン５１をスクリーン１に投影して、垂直方向ラインセンサ４１ｃ，４１ｄを利用して縦縞パターン５１の傾きを求め、台形歪みを補正する補正量を求めている。 - 特許庁

When the player performs stopping operation of the reel to stop a BB winning pattern and an RB winning pattern on a prize winning line, the control part 30a operates a lot drawing part 45 of winning role distribution.例文帳に追加

遊技者が、ＢＢ当選絵柄とＲＢ当選絵柄とが入賞有効ライン上に停止するようにリールの停止操作を行うと、制御部３０ａは当選役振り分け抽選部４４を作動させる。 - 特許庁

To provide a film deposition method which is favorably applied to the film deposition of a constitution film or the like of a photoelectric conversion element, and directly performs the pattern film deposition of a pattern film having a plurality of line-like patterns.例文帳に追加

光電変換素子の構成膜等の成膜に好ましく適用でき、複数のライン状パターンを有するパターン膜を直接パターン成膜することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To easily and rapidly generate discharge pattern data of each nozzle provided in a line on a plurality of functional liquid drop discharge heads.例文帳に追加

複数の機能液滴吐出ヘッドに列設された各ノズルの吐出パターンデータを容易且つ迅速に生成することを目的とする。 - 特許庁

The slot line formed on the inner layer of the mutlilayer substrate is connected to a GND pattern of a surface layer via a plurality of adjusting through holes.例文帳に追加

多層基板の内層に形成されたスロットラインを複数の調整用スルーホールを介して表層のＧＮＤパターンに接続する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves the profile of a resist pattern and suppresses a variation of line width due to laying in a vacuum chamber.例文帳に追加

レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型レジスト組成物が提供すること。 - 特許庁

Hereby, the line width is measured, while detecting only the pit, by imaging the pattern by using reflection illumination and transmission illumination.例文帳に追加

したがって、反射照明と透過照明を用いて撮像することによりピットのみを検出しながら線幅の測定することができる。 - 特許庁

To prevent the undesired maximum value of intensity of light from being caused on the upper side of a light-shade boundary line of a light distribution pattern of a motor vehicle headlamp.例文帳に追加

自動車ヘッドランプの配光パターンの明暗境界線より上で、望まれざる光強度最大値が生じるのを防止する。 - 特許庁

During reflow processing, the film thickness and/or the line width of a resist pattern is measured by means of a sensor 59 and the end point of reflow processing is detected.例文帳に追加

リフロー処理の間、センサ５９によりレジストパターンの膜厚および／または線幅を測定し、リフロー処理の終点検出を行う。 - 特許庁

To form a light distribution pattern having a clear cutoff line, in a vehicular lighting lamp using a light emitting element as a light source.例文帳に追加

発光素子を光源とする車両用照明灯具において、鮮明なカットオフラインを有する配光パターンを形成可能とする。 - 特許庁

The GND electrode 6 is connected to a conductor pattern 10 by a conductor line 12 and connected to the rear face GND 7 through a through hole 8.例文帳に追加

ＧＮＤ電極６を導体線路１２で導体パターン１０に接続し、スルーホール８を介して裏面ＧＮＤ７に接続する。 - 特許庁

The extending pattern is formed on the substrate or a substrate table and preferably extends 50 times as long as the width of the line.例文帳に追加

延在パターンは、基板又は基板テーブル上に形成され、好ましくは線の幅の少なくとも５０倍の長さにわたって延在する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition enabling production of a highly-sensitive and contrasty polyimide film pattern which can use an i line as its illuminant.例文帳に追加

光源としてｉ線が使用可能であり、高感度で、コントラストのよいポリイミド膜パターンの形成が可能な感光性組成物を得る。 - 特許庁

To provide an exposure method by which the best focus of an isolated line pattern can be measured for a short time, and to provide a correcting method of lens aberration.例文帳に追加

短時間に、孤立線パターンのベスト・フォーカスを測定することができる露光方法およびレンズ収差補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of giving a pattern in which a change in the line width is low, while maintaining high sensitivity even when a recycled developing solution is used.例文帳に追加

リサイクル現像液を用いても、高感度を維持しながら、線幅変化が低いパターンを与えるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplifying positive resist composition excellent in decrease in line edge roughness, resolution and a cross-sectional profile of the resist pattern.例文帳に追加

ラインエッジラフネスの低減、解像性及びレジストパターン断面形状に優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A slot is opened around the center of a ground layer, and a feeding point is formed around the center of a body pattern through a micro strip line.例文帳に追加

グランド層のほぼ中央にスロットを穿設し、胴体パターンのほぼ中央に舞いクロスとストリップ・ラインを通じて給電点を設ける。 - 特許庁

In this way, it has the high lighting intensity zone at the center part and is suitable to obtain the light distribution pattern P which is long in the right and left on the horizontal line.例文帳に追加

このように、中央部に高光度帯を有しかつ水平線上に左右に長い配光パターンＰを得るのに適している。 - 特許庁

To provide a phase shift mask for forming a fine line pattern at a relatively low cost and to provide an exposure method using the mask.例文帳に追加

比較的低コストで微細なラインパターンを形成することが可能な位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法を提供する。 - 特許庁

To generate an omni-directional scan pattern having high scan line density without dead zones, especially in the upper part and the lower part of a vertical window.例文帳に追加

高い走査線密度をもち、特に垂直型ウィンドウの上部及び下部にデッドゾーンがない全方向性走査パターンを生成すること。 - 特許庁

Moreover, the second loop pattern 15 is connected between the square U shaped loop patterns 11 and 12 in series to form one conductor line CL.例文帳に追加

また、コ字形ループパターン１１，１２の間には第２のループパターン１５を直列に接続し、１本の導体線路ＣＬを形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition formable of a pattern having excellent resolution and line edge roughness (LER).例文帳に追加

優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a salt giving a pattern having excellent line edge roughness, and to provide a resist composition using the salt.例文帳に追加

優れたラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができる塩及びこれを用いたレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device preventing an increase of manufacturing process time and capable of forming a fine line and space pattern.例文帳に追加

製造工程時間の増加を抑制して、微細なラインアンドスペースパターンを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The swirl-shaped coil conductor 52 is pattern-formed on an insulating layer 34, and connected to a D- line 42 and a D- terminal 42a in series.例文帳に追加

渦巻き状コイル導体５２は絶縁層３４にパターン形成され、Ｄ−線路４２，Ｄ−端子４２ａに直列接続される。 - 特許庁

To provide a resin for a resist composition capable of preparing a resist pattern having an excellent line edge roughness and an excellent top shape.例文帳に追加

優れたラインエッジラフネス及び優れたトップ形状を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物用の樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide a ground component mounting structure small in impedance of a ground line and high in degree of freedom of pattern wiring on a substrate.例文帳に追加

グランドラインのインピーダンスが小さく、かつ、基板におけるパターン配線の自由度が高い接地部品実装構造を提供すること。 - 特許庁

This electrostatic sensor 12 is equalized in the resistance value of the electrode pattern 14 on the right-left of the center line 2 in the vehicle longitudinal direction.例文帳に追加

この静電センサ１２は、車両前後方向の中心線２の左右で電極パターン１４の抵抗値が同等とされている。 - 特許庁

To suppress variations in the heat processing temperature between substrates and uniformize the line width of a wiring pattern between the substrates and within a surface of the substrate.例文帳に追加

基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。 - 特許庁

To provide a pattern having excellent resolution and excellent line edge roughness by using a salt for a resist composition.例文帳に追加

本発明の塩をレジスト組成物に用いることにより、優れた解像度及びラインエッジラフネスを有するパターンを得ることを目的とする。 - 特許庁

To form a fine pattern of uniform line width with high accuracy by reducing focus error caused by flexure of mask.例文帳に追加

マスクの撓みに起因するフォーカス誤差を低減することにより、均一な線幅の微細なパターンを高い精度で形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a technique that improves accuracy of alignment for an object having a repetition pattern and a similar line segment.例文帳に追加

繰り返しパターンや類似した線分を有する物体に対する位置合わせの精度を向上させる為の技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing system capable of highly accurately controlling the line width of a pattern formed on a substrate.例文帳に追加

基板に形成するパターンの線幅を精度よく制御することができる基板処理装置および基板処理システムを提供する。 - 特許庁

A fourth mask layer is formed on the first mask layer, and the first mask layer is formed in a line pattern shape with the fourth mask layer as a mask.例文帳に追加

第１マスク層上に第４マスク層を形成し、第４マスク層をマスクにして第１マスク層をラインパターン形状に成形する。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having improved balance of the dense and coarse patterns of a resist pattern, improved line edge roughness and an improved margin for exposure.例文帳に追加

レジストパターンの密／粗パターンのバランスが改良され、ラインエッジラフネスや露光マージンが改良されたポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor pattern and a method for manufacturing an inductor, by which a fine high aspect line can be formed stably.例文帳に追加

微細高アスペクトラインを安定して形成することができる導体パターンの形成方法およびインダクタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a line estimate value to be multiplied with an error is averaged by each frequency direction spread factor and interleaved by the same pattern as the data.例文帳に追加

また、誤差と乗算するための回線推定値は、周波数方向拡散率毎に平均化し、データと同じパターンでインタリーブを行う。 - 特許庁

To form a wiring pattern which is free from cracks and is superior in line width reproducibility, adhesion, and conductivity and furthermore is superior in decapping.例文帳に追加

ひび割れが発生しない、線幅再現性、接着性、導電性に優れ、更にはデキャップ性に優れる配線パターンを形成すること。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure method and a charged particle beam exposure system in which nonuniformity of CD (line width of pattern) due to fogging is improved.例文帳に追加

かぶりによるＣＤの不均一性を改善した荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

The ultra-short variation pattern is set so that the number of symbols moving on a valid line during variation is smaller than normal variation.例文帳に追加

超短縮変動パターンは、変動中に有効ラインを移動する図柄の数が通常の変動よりも少なくなるよう設けられる。 - 特許庁

Constraints on a calibration printing output are translated into commands on a pattern being printed and a line time used during a printing process.例文帳に追加

校正印刷出力に対する制約が、印刷されているパターン及び印刷過程中に使用されるラインタイムの指令に翻訳される。 - 特許庁

The resist film is subjected to exposure processing according to a conventional method and then developed to form a resist pattern 18 of a specified line width.例文帳に追加

次いで、従来の方法に従ってレジスト膜に露光処理を施し、現像して、所定線幅のレジストパターン１８を形成する。 - 特許庁

The first direction is defined to a predetermined angle toward the normal line of the plane of the base plate 101 in a side of the stripe pattern 103a extending to the central part.例文帳に追加

第１方向を、ストライプパターン１０３ａの中心部に向かう側に基板１０１の平面の法線と所定の角度とする。 - 特許庁

After the copied patterns are displayed, the two patterns of '7' in the left and the middle pattern display columns make a winning chance line.例文帳に追加

複写図柄表示後は、左図柄表示列１１０及び中図柄表示列１３０の２つの図柄「７」でリーチラインが形成される。 - 特許庁

A main controller 28 changes a control factor of the system 100 contributing to the throughput, in response to a minimum line width of the pattern.例文帳に追加

また、主制御装置２８が、パターンの最小線幅に応じてスループットに寄与する露光システム１００の制御ファクタを変更する。 - 特許庁