「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

When an extracted fluctuation pattern extracted from a received spread spectrum signal received by a leakage transmission line 14 for reception coincides with a pattern of a setting fluctuation pattern signal stored in a setting pattern storing means 23 and the fluctuation level of the extracted fluctuation pattern signal is higher than a prescribed value, an arithmetic means 24 decides that an obstacle 15 is in existence.例文帳に追加

受信用漏洩伝送路１４が受信した受信スペクトル拡散信号から抽出した抽出変動パターンと、設定パターン記憶手段２３に記憶された設定変動パターン信号とのパターンが一致して、抽出変動パターン信号の変動レベルが所定値以上のとき、演算手段２４において障害物１５が存在すると判定する。 - 特許庁

In the exposure mask 1 where a doughnut pattern 3 and a plurality of long patterns 5 are provided on a thin film membrane 2 as an opening-like exposure pattern, a crosslinking pattern 7 thinner than the minimum line width of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5 is stretched across the opposite sides at the opening part of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5.例文帳に追加

薄膜状のメンブレン２に開口状の露光パターンとしてドーナツパターン３および複数の長尺パターン５が設けられている露光マスク１であり、ドーナツパターン３および複数の長尺パターン５の開口部の対向辺間に、ドーナツパターン３および各長尺パターン５の最小線幅よりも細い線幅の架橋パターン７を掛け渡してなる。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having good strippability, excellent in resolution and tenting property, excellent also in developability, and ensuring little change in resist line width, profile, etc., irrespectively of a change in development time (large development latitude), and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

剥離性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、しかも現像性にも優れ、現像時間が変化してもレジストの線幅、プロファイルなどの変化が少ない（現像ラチチュードの広い）パターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び該パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having good strippability, excellent in resolution and tenting property, excellent also in developability, and ensuring little change in the line width and profile of resist even if developing time is varied (large development latitude), and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

剥離性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、しかも現像性にも優れ、現像時間が変化してもレジストの線幅、プロファイルなどの変化が少ない（現像ラチチュードの広い）パターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び該パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a pattern of a rectangular shape and ensures low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device and ensures a small dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

A PN pattern comparison section 16 and a bit number comparison section 17 compare number of the inserted error bits and number E of the error bits in the signal pattern P1 received by the PN pattern synchronization section 15 to conduct the quality test for a line between the transmitters.例文帳に追加

ＰＮパターン比較部１６及びビット数比較部１７により、その挿入したエラービットの数と、ＰＮパターン１５で受信した信号パターンＰ１におけるエラービットの数Ｅとが比較され、伝送装置間の回線の品質試験が行われる。 - 特許庁

A sub CPU (81) executes AT lottery based on a temporary stop display pattern, and when the temporarily stopped pattern displays symbols 7 along an AT determination line as the stop display pattern, and then, announces an internal winning symbol combination.例文帳に追加

サブＣＰＵ（８１）は、一時停止時の停止出目に基づいてＡＴ抽籤を行い、一時停止時の停止出目がＡＴ判定ラインに沿って７図柄が表示されている場合にはＡＴ抽籤に当籤とし、その後、内部当籤役の報知を行う。 - 特許庁

To provide a repair method for a paste pattern in which the line width of the paste pattern is kept constant in a repair section of the paste pattern where a defect occurs by applying paste by a dot coating system by an amount corresponding to the repair section.例文帳に追加

ペーストパターンの欠陥が発生したリペア区間に対して、リペア区間に対応する量のペーストを点形塗布方式により塗布することで、リペア区間でペーストパターンの線幅を一定に維持し得るペーストパターンのリペア方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method and a chemically amplified negative resist composition exhibiting a large depth of focus (DOF) and small line width roughness (LWR) and being capable of forming a pattern having a superior pattern shape and reduced bridge defects.例文帳に追加

フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、パターン形状に優れ、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及び化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを課題としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily form a contact connected to a pattern of a processing film on an upper layer of the pattern of the processing film serving as a line-and-space pattern less than an exposure resolution limit of the photolithography method.例文帳に追加

フォトリソグラフィ法の露光解像限界未満のラインアンドスペースパターンとなる被加工膜のパターンの上層に、その被加工膜のパターンと接続するコンタクトを容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional polygon surface pattern processing system which can reproduce a pattern conforming with deformation of a polygon without increasing the size of data even when the polygon deforms as a result of weighting of line points forming the pattern on the polygon surface.例文帳に追加

ポリゴン表面上の模様を形成するライン点を重み付けすることによりポリゴンが変形した場合でもデータサイズを大きくすることなく変形に合わせた模様を再現することができる３次元ポリゴン表面模様処理方式を提供する。 - 特許庁

To provide a composition of an intermediate layer material for a three-layer resist process, which is soluble in an organic solvent, excellent in storage stability and free from problems of a tailing pattern during patterning the upper layer resist, peeling of the pattern and line edge roughness, and to provide a method for forming a pattern.例文帳に追加

有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、パターン剥れ、ラインエッジラフネスに問題のない３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive composition having excellent roughness characteristics such as LWR (line width roughness), DOF (depth of focus) for an isolated space pattern (trench pattern) and exposure latitude, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

ＬＷＲ等のラフネス特性、孤立スペースパターン（トレンチパターン）のＤＯＦ、及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which exhibits good sensitivity, resolution and pattern profile, small line edge roughness and good surface roughness as a composition for pattern formation with an active ray or radiation, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

活性光線又は放射線によるパターン形成用として、感度、解像力、パターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが小さく、更には、表面ラフネスが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the coplanar line consisting of a strip conductor pattern and a base conductor pattern on a dielectric, the base conductor pattern is notched and the upper part of the notch is connected with a golden ribbon, which is cut off on impedance adjustment.例文帳に追加

誘電体の上に、ストリップ導体パターンと、地導体パターンから構成されるコプレナー線路において、前記地導体パターンに切り欠きを設け、前記切り欠きの上部を金リボンにより接続し、インピーダンス調整の際に、前記金リボンを切断した。 - 特許庁

To provide a method of exposing which can control a pattern line width by correcting a proximity effect by making a dose in a small region on a substrate to be transferred uniform even when a pattern array on a master and a pattern array on the substrate to be transferred are different.例文帳に追加

原版上のパターン配列と被転写基板上のパターン配列が異なる場合にも、被転写基板上小領域内のドーズ量を一様にして近接効果を補正し、パターン線幅制御を行うことのできる露光方法等を提供する。 - 特許庁

Whenever a motor clock is inputted, a thinning judgment processing circuit 72 successively reads a thinning pattern from thinning pattern data RAM 61 and judges whether to perform thinning or not by the forming condition of a pattern obtained by referring during one line period to carry out it.例文帳に追加

間引き判定処理回路７２は、モータクロックが入力される度に、間引きパターンデータＲＡＭ６１より間引きパターンを順次読み出し、１ライン周期間中に参照したパターンの成立条件によって、間引きの実施／不実施を判断、実行する。 - 特許庁

An attitude angle instruction computer generates an attitude angle instruction for a pitch system and a yaw system from an angle between a hypothetical gimbal direction and an eye line direction of an inertia system, on the basis of a research pattern from search pattern setting means, to which a search pattern is set.例文帳に追加

姿勢角指令計算機は目標の捜索パターンを設定する捜索パターン設定手段の捜索パターンに基づき仮想ジンバル方向と慣性系の目視線方向との角度からピッチ系、ヨー系の姿勢角指令を生成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an embossed printed article capable of simply forming an embossed pattern consisting of a pattern of a recessed stripe or a projected stripe registered to a picture pattern printed on a raw material by in-line with printing when the printing is performed on the raw material by a gravure printing machine.例文帳に追加

グラビア印刷機で原反に印刷する際に、印刷とインラインで原反に印刷された絵柄に見当を合わせた凹条ないしは凸条の模様からなるエンボス柄を簡単に形成できるエンボス印刷物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first conductive pattern 15 functions as a transmission line with the conductive layer 17 as a ground layer and becomes the inductor of a high Q value, and the second conductive pattern 16 functions as the transmission line with the conductive layer 13 as the ground layer and becomes the capacitor of a high Q value.例文帳に追加

第１の導電パターン１５は導電層１７をグランド層として伝送線路として機能し、高いＱ値のインダクとなり、第２の導電パターン１６は導電層１３をグランド層として伝送線路として機能し、高いＱ値のキャパシタとなる。 - 特許庁

A 1st registration detecting pattern is formed only with a beam for a 2nd line of a 1st laser diode using the BD sensor to decide write-start timing, and a 2nd registration detecting pattern is formed only with a beam for the 2nd line of a 2nd laser diode which does not use the BD sensor.例文帳に追加

ＢＤセンサを用いて書き出しタイミングを決定する第１のレーザダイオードの、第２ライン用ビームのみで第１のレジスト検知用パターンを形成し、ＢＤセンサを用いない第２のレーザダイオードの、第２ライン用ビームのみで第２のレジスト検知用パターンを形成する。 - 特許庁

Gradation correction by a method of gradation correction for laser scanning exposure is performed on the basis of measured density values of a test print including a horizontal stripe test pattern comprising horizontal line groups extending in a main scanning direction and a vertical stripe test pattern comprising vertical line groups extending in a sub scanning direction.例文帳に追加

主走査方向に延びる横ライン群からなる横縞テストパターン及び副走査方向に延びる縦ライン群からなる縦縞テストパターンを有するテストプリントの測定濃度値に基づいて、レーザ走査露光のための階調補正方法階調補正が行われる。 - 特許庁

The SF data output from the conversion LUT 840 to the data line driving circuit 101 is output to the data line driving circuit 101 as a code pattern that is a digital signal formed by coding the corrected image signal VIDc in accordance with SF code pattern 1 or 2.例文帳に追加

変換ＬＵＴ８４０からデータ線駆動回路１０１に出力されるＳＦデータは、補正済みの画像信号ＶＩＤｃをＳＦコードパターン１或いは２に応じてコード化してなるデジタル信号であるコードパターンとしてデータ線駆動回路１０１に出力される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank and a mask, wherein the linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (real dimensional difference) between a design dimension of a line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of a line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Ｌｉｎｅａｒｉｔｙを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Before forming a data pattern, a projection of a semiconductor, and an amorphous silicon pattern, a gate insulating film 140 that exists on the straight portion of the gate line end portion, a sustain electrode line 131 near a sustain electrode fixed end, and the free end of the sustain electrode is removed partially.例文帳に追加

データパターン、半導体の突出部及び非晶質シリコンパターンを形成する前に、ゲート線端部、維持電極固定端付近の維持電極線１３１、維持電極の自由端の直線部分上に存在するゲート絶縁膜１４０を部分的に除去する。 - 特許庁

In the case of designing a reticule aligning a 70 nm line 12A at an upper right end of the chip for which the chips are present in all directions, back-scattering from a large pattern 11 of the chips present at upper, upper right and right parts of the line 12A is taken into consideration, and the reticule pattern is designed.例文帳に追加

八方にチップの存在するチップの右上端の70nmライン１２Ａを露光するレチクルを設計する場合、ライン１２Ａの上方、右上方、右方にあるチップの大パターン１１からの後方散乱を考慮して、レチクルパターンを設計するようにする。 - 特許庁

The pattern shape is formed such that a ratio occupying in a direction parallel to the dicing line 4 is larger than a ratio occupying in a direction vertical to the dicing line 4, and includes a flowage region 13 facilitating flow of an etchant for forming the pattern shape.例文帳に追加

このパターン形状は、ダイシングライン４に平行な方向に占める比率が、ダイシングライン４に垂直な方向に占める比率よりも大きく形成され、パターン形状を形成するためのエッチング液の流動を促す流動領域１３を含んでいる。 - 特許庁

A K(black) test pattern is obtained by arranging a plurality of lines in parallel, and a C(cyan) test pattern is obtained by arranging a plurality of patterns in a step state obtained by providing level differences in a direction orthogonally crossing with a K line in a direction in parallel with the K line.例文帳に追加

Ｋ（ブラック）のテストパターンは、複数のラインを平行に並べられたパターンであり、Ｃ（シアン）のテストパターンは、Ｋのラインに直交する方向に段差を設けて形成された階段状のパターンを、Ｋのラインと平行な方向に複数並べたパターンである。 - 特許庁

Each line of a logic pattern is read, and when there is any code indicating the presence of an instruction (S12, Yes), the data of the line are read (S14), and when there is any collation pattern corresponding to the instruction (S16, Yes), the instruction is recorded in an instruction recording part 16.例文帳に追加

ロジックパターンの各行を読み込み、インストラクションの存在を示すコードがあれば（Ｓ１２、Ｙｅｓ）、その行のデータを読み込み（Ｓ１４）、インストラクションに対応した照合パターンがあれば（Ｓ１６、Ｙｅｓ）、インストラクション記録部１６にインストラクションを記録していく。 - 特許庁

In addition, the processor 4 detects the flashing pattern of the luminescent spot by finding out AND between the pixel value of a current frame line and that of a line of one frame before (or after) and binariging it in each unit period of the flashing pattern of a luminescent spot having a margin of one frame.例文帳に追加

また、画像処理装置４は、１フレームのマージンを持たせられた輝点の点滅パターンの単位周期に、現在のフレームラインと１フレーム前（または１フレーム後）のラインの画素値との論理積をとって２値化することにより輝点の点滅パターンを検出する。 - 特許庁

SOLID DATA, FILE FOR SOLID SHAPE CONTROL, SOLID SHAPE PROJECTION FILE, OR LINE DRAWING RELIEF PATTERN GENERATING METHOD AND ITS DEVICE, SOLID DATA, FILE FOR SOLID SHAPE CONTROL, SOLID SHAPE PROJECTION FILE, OR RECORDING MEDIUM WITH RECORDED LINE DRAWING RELIEF PATTERN GENERATING PROGRAM例文帳に追加

立体データ、立体形状制御用ファイル、立体形状投影ファイル、又は線画レリーフ模様作成方法とその装置、並びに立体データ、立体形状制御用ファイル、立体形状投影ファイル、又は線画レリーフ模様作成プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

The directional coupler includes: a main line 11 provided on a dielectric substrate; a loop-shaped sub line 12 which is patterned on the dielectric substrate and a part of which is spaced from the main line; and a pair of correction pattern 13 disposed on both ends of a coupled portion of the main line to the sub line.例文帳に追加

本実施形態に係る方向性結合器は、誘電体基板に設けられる主線路１１と、前記誘電体基板上にパターン形成され、その一部が前記主線路と一定の空隙をもって配置されるループ形状の副線路１２と、前記主線路と前記副線路との結合部の両端に配置される一対の補正パターン１３とを具備する。 - 特許庁

In the expression of gloss, the first and second numerous-line uneven patterns not perfectly same but almost same in the extending directions of numeral lines are pref. and a fluctuation segment numeral-line uneven pattern comprising patterns wherein a large number of line elements irregularly different in line length are arranged so as to become parallel relation having fluctuation between vicinal line elements is pref.例文帳に追加

照り表現には、第１と第２の万線状凹凸模様の双方には、その万線の伸びる方向が完全同一ではな無いが略同一のものが良く、更に、線長が不規則に異なる多数の線素を、近傍の線素間に於いては、揺らぎを有する平行関係となる様に配置したパターンから成る揺らぎ線分万線状凹凸模様が良い。 - 特許庁

The above alignment pattern is structured of a line direction X with the protrusions 2 linearly arrayed at equal intervals, and a column direction Y with line units 4 consisting of a group of protrusions 2 aligned in a line direction in parallel with each other at equal intervals.例文帳に追加

上記配列パターンは、突起２が等しいピッチで直線状に並ぶ行方向Ｘと、行方向Ｘに並ぶ一群の突起２からなる行単位４が互いに平行に所定間隔で配置される列方向Ｙとにより構成されている。 - 特許庁

Expressing a straight line with a medium density at an oblique angle of 45-degrees by using only a diagonal line part (pixel 121-pixel 125) of a pixel pattern consisting of 5×5 pixels causes a dotted line visually when the resolution is as high as 600 dpi or over.例文帳に追加

５×５の画素パターンの対角線部（画素１２１〜画素１２５）のみを用いて、中間濃度の斜め４５度の直線を表現すると、解像度が６００ｄｐｉ以上の高解像度の場合には視覚的には点線となってしまう。 - 特許庁

The light source 15 makes the alignment arrangement where a lengthwise demarcation line 33 between the adjoining luminous elements 30 crosses the turning direction of the mirror 22, and the horizontal demarcation line 35 runs in line with the same, getting rid of horizontal stripes or dark spots from the light distribution pattern.例文帳に追加

光源１５は、隣接する発光素子３０の縦方向の境界線３３をミラー２２の回動方向と交差させ、横方向の境界線３５を回動方向から遮る素子配列を備え、配光パターンから横縞や暗部を解消する。 - 特許庁

On the basis of the created traffic line data, a main traffic line indicating a common access pattern of users in the Web site is created, and a Web page composing the Web site is displayed along with the created main traffic line in a display part 16 as an analysis result.例文帳に追加

そして、作成された動線データに基づいて、Ｗｅｂサイト内におけるユーザの一般的なアクセスパターンを示す主動線が作成され、作成された主動線と共にＷｅｂサイトを構成するＷｅｂページが分析結果として表示部１６に表示される。 - 特許庁

The initial resist pattern 22 in the lattice shape is anisotropically etched by using a method for plasma etching etc., to form a lattice-shaped resist pattern 23 which is reduced in line width and further the plasma etching is carried on to form a resist pattern 24 in a pillar shape and a pillar-shaped resist pattern 25 of desired shape at an intersection part.例文帳に追加

プラズマエッチングなどの手法を用いて、格子状の初期レジストパターン２２を等方的にエッチングし、線幅が縮小された格子状レジストパターン２３を、さらに、プラズマエッチングをさらに進め、交点部にピラー形状のレジストパターン２４及び所望の寸法のピラー形状レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition enabling a pattern to be formed, the pattern having improved line width roughness, remedied development defects and pattern collapse and exhibiting good conformability to an immersion liquid in immersion exposure, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス、現像欠陥並びにパターン倒れが改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which, in double patterning, can form a second resist pattern while retaining a first resist pattern without dissolving the first resist agent in the second resist agent, and which can suppress a line width variation of the first resist pattern and is suitably adopted even for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

ダブルパターニングにおいて、第二のレジスト剤に第一のレジスト剤が溶解することなく、第一のレジストパターンを保持したまま第二のレジストパターンを形成することができ、更には第一のレジストパターンの線幅変動を抑制することができ、液浸露光プロセスにも好適に採用されるレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In an apparatus for forming a circuit pattern 11 by a liquid discharge head 10, a pattern forming solution is discharged while controlling a relative position between the liquid discharge head 10 and a base member 1, such that a scanning direction of the liquid discharge head 10 is coincident with a longitudinal direction of each line segment pattern of the circuit pattern 11 in the formation.例文帳に追加

液体吐出ヘッド１０によって回路パターン１１を形成する装置において、液体吐出ヘッド１０の走査方向が、形成中の回路パターン１１の各線分パターンの長手方向と一致するように液体吐出ヘッド１０と基材１の相対位置を制御しながらパターン形成用溶液の吐出を行う。 - 特許庁

These three patterns is made up of one referential pattern (pattern by contact regions 13b-17b), and a pair of patterns having a symmetrical (line symmetry) relation with respect to a reference (axis of symmetry), namely a pattern by contact regions 13a-17a and a pattern by contact regions 13c-17c.例文帳に追加

これら３つの同一パターンは、１つの基準パターン（コンタクト領域１３ｂ〜１７ｂによるパターン）と、これを基準（対称軸）にして互いに対称（線対称）な関係をもつパターン対、すなわちコンタクト領域１３ａ〜１７ａによるパターンとコンタクト領域１３ｃ〜１７ｃによるパターンとによって構成されている。 - 特許庁

The pattern of the signal line 4 formed in an inside or a surface of a dielectric layer 1 is formed not to intrude within pattern intrusion-impermissible ranges 6a, 6b by branch parts 7a, 7b with the pattern branched in the pattern intrusion-impermissible ranges 6a, 6b provided in the dielectric layer 1, in the printed board 10 for the high-frequency circuit.例文帳に追加

高周波回路用プリント基板１０で、誘電体層１の内部または表面に形成された信号線路４のパターンを、誘電体層１に設けられているパターン不可侵範囲６ａ、６ｂに対してパターンを分岐した分岐部７ａ、７ｂによりパターン不可侵範囲６ａ、６ｂに侵入しないように形成する。 - 特許庁

A transfer layer pattern 3 is formed by pressing a mold; then, a patterned film 4 is formed on the transfer layer pattern 3; and thereafter, the transfer layer pattern 3 is removed, and etching is performed from the association interface (indicated by a dotted line) at the formation of the patterned film 4 to etch the patterned film 4 into a final pattern 7.例文帳に追加

モールドを押し付けて形成した転写層パターン３を形成し、転写層パターン３に被パターン形成膜４を形成し、その後、転写層パターン３を除去して、被パターン形成膜４形成時の会合界面（点線部）からエッチングを進行させて、被パターン形成膜４をエッチングして最終パターン７を形成する。 - 特許庁

The spiral conductor pattern 8 which is closer to the capacitor part 5 than the spiral conductor pattern 10 constituting the inductor part 13 with the other spiral conductor pattern is less in number of turns or/and narrower in line width than the other spiral conductor pattern 10.例文帳に追加

インダクタ部１３を構成する複数のスパイラル状導体パターン８，１０のうち、最もコンデンサ部５に近いスパイラル状導体パターン８は、他のスパイラル状導体パターン１０よりも巻回数が少ない構成と、他のスパイラル状導体パターン１０よりもライン幅が狭い構成とのうちの一方又は両方を有する。 - 特許庁