「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The needle traverse data corresponding to plurality of needle traverse patterns (two-point zigzag, three-point zigzag, four-point zigzag) is stored, the base line standard (S, R, L) and the base line position are inputted for each needle traverse pattern, and the data is stored in the table form corresponding to each needle traverse pattern (A).例文帳に追加

複数の針振りパターン（２点千鳥、３点千鳥、４点千鳥）に対応する針振りデータが記憶され、これらの各針振りパターンに対してそれぞれ基線基準（Ｓ、Ｒ、Ｌ）と基線位置が入力され、これらのデータが各針振りパターンに対応してテーブルの形で記憶される（Ａ）。 - 特許庁

An end of the first extended portion 30 of the current blocking layer 32 terminates at a position closer to a central side without reaching the outer fine-line pattern 37, and the second extended portion 31 of the current blocking layer 32 is extendedly formed up to a lower portion of the conductor of the outer fine-line pattern 37.例文帳に追加

そして、前記電流阻止層の第１の延長部３０は、前記電極層の外郭細線パターン３７よりも中央側において終端し、前記電流阻止層の第２の延長部３１は、前記電極層の外郭細線パターン３７導体下部にまで延長形成されている。 - 特許庁

Then, the lag time t2 of the write-start timing between the beam for the 2nd line of the 1st laser diode and the beam for the 2nd line of the 2nd laser diode is calculated according to the detecting time (x) of the 1st registration detecting pattern and the detecting time (y) of the 2nd registration detecting pattern detected by a registration detecting sensor.例文帳に追加

そして、レジスト検知センサで検知した、第１のレジスト検知用パターンの検知時間ｘと第２のレジスト検知用パターンの検知時間ｙにより、第１のレーザダイオードの第２ライン用ビームと第２のレーザダイオードの第２ライン用ビームの書き出しタイミングのずれ時間ｔ２を算出する。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition that is satisfactory with respect to high sensitivity, high resolution of a dense pattern and an isolated line, sufficient exposure latitude, proper line width roughness, proper bridge margin and high resolution of isolated space, and to provide a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加

高感度、密集パターンおよび孤立ラインの高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、良好なブリッジマージン、孤立スペースの高解像性を同時に満足する感活性光線または感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The display device also includes, in the periphery of the active matrix circuit, a discharge pattern which intersects a gate line or a source line composing the active matrix circuit and the length of the discharge pattern is longer than the length of a pixel pitch of the active matrix circuit.例文帳に追加

また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。 - 特許庁

A first reference line is formed by cleaving the semiconductor wafer in a position having a first distance from the pattern region in a first direction, and a second reference line is formed by cleaving the semiconductor wafer in a position having a second distance from the pattern region in a second direction (S7).例文帳に追加

パターン領域から第１の方向に第１の距離を有する位置で半導体ウエハを劈開して第１の基準ラインを形成し、パターン領域から第２の方向に第２の距離を有する位置で前記半導体ウエハを劈開して第２の基準ラインを形成する（Ｓ７）。 - 特許庁

Firstly, a transparent conductive film 3 and a pattern of metal 2 are formed first on the motherboard 1 not on the cutting line 4, and in a spot passing area 5 of the laser beam, the transparent conductive film 3 and the pattern of the metal 2 are disposed to the left and light symmetrically about the cutting line 4.例文帳に追加

まず、切断線４以外のマザー基板１上に透明性導電膜３、及びメタル２のパターンを形成して、レーザー光のスポット通過領域５において、透明性導電膜３、及びメタル２のパターンを切断線４を中心として左右対称に配設する。 - 特許庁

Consequently, the size uniformity of a gate film 2 to be worked in the surface of the wafer can be improved easily, by increasing the implanted quantity of ions into the thick line regions of the pattern 3a and reducing the implanted quantity of ions into the thin line regions of the pattern 3a (step ST17).例文帳に追加

これによって、ウエハ面内のレジストパターン３ａの太い領域のイオン注入量を多くし、細い領域のイオン注入量を少なくすることによって、容易にウエハ面内における被加工ゲート膜２の寸法の均一性の向上が図れる（ステップＳＴ１７）。 - 特許庁

A first conductive pattern 30 extending from the other end of a first line bypass capacitor 9 to a through-hole 40c for connecting to a case 1, and a second conductive pattern 36 extending from the other end of a second line bypass capacitor 13 to a through-hole 40a for connecting to the case 1, are separately provided on a wiring board 17.例文帳に追加

第１のラインバイパスコンデンサ９の他端から、ケース１に接続するスルーホール40ｃに至る第１の導電パターン30と、第２のラインバイパスコンデンサ13の他端から、前記ケース１に接続するスルーホール40ａに至る第２の導電パターン36を、配線基板17にそれぞれ別個に設ける。 - 特許庁

The radial line pattern 22 approaching the line pattern 21 of the multiple spiral shape of the multiple spiral resonator acts like adding a static capacitance to the multiple spiral resonator to reduce the occupied area of the resonator on the board and to enhance the loss reduction effect.例文帳に追加

この多重スパイラル状線路による多重スパイラル共振器に対する放射状線路パターン２２の近接によって、多重スパイラル共振器に静電容量が付加されたように作用し、基板上の共振器の占有面積の縮小化および損失低減効果の向上が図れる。 - 特許庁

To provide an image forming device and an image forming method by which a desired consecutive line segment can be obtained by changing dot data of a target pixel when a consecutive pixel pattern unable to be visually expressed as a consecutive line segment exists in a pixel pattern around the target pixel.例文帳に追加

注目画素の周辺の画素パターンに視覚的に連続した線分として表現できない連続した画素パターンが存在する場合に、注目画素のドットデータを変更することにより、所望の連続した線分を得ることができる画像形成装置および画像形成方法を提供する。 - 特許庁

The line pattern 8 is detected through the slit 157 having an aperture 157a parallel with a main scanning direction, whereby errors in detection timing of the line pattern 8 associated with the variation (caused by vibration or temperature change or the like) of the attaching position of the photosensor 12 are drastically decreased.例文帳に追加

ラインパターン８の検出を、主走査方向に平行な開口部１５７ａを持つスリット１５７を通して行うことにより、光センサ１２の取り付け位置の変動（振動や温度変化等による）に伴うラインパターン８の検出タイミング誤差を大幅に低減することができる。 - 特許庁

Particularly, when providing the performance display device near the upside of the pattern display window on the front panel whose upside is inclined backwards, the performance display device is provided to position its display screen on approximately a same perpendicular line K as the surface of the pattern display window of the front panel on the lateral center line.例文帳に追加

特に、演出表示装置を、上側が後方に傾斜した前面パネルの図柄表示窓の上側近傍に設ける場合、この演出表示装置の表示面を、前面パネルの図柄表示窓の横中心線上の表面と略同じ鉛直線Ｋ上に位置するように設ける。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a striped light shielding pattern 24 formed on a first substrate 18 and a plurality of colored layers 38 of different colors extending in parallel with a second straight line L_2 crossing a first straight line L_1 formed on the first substrate 18 and the light shielding pattern 24.例文帳に追加

液晶表示装置は、第１の基板１８に形成されたストライプ状の遮光パターン２４と、第１の基板１８及び遮光パターン２４上に形成された第１の直線Ｌ_１に交差する第２の直線Ｌ_２に平行に延びる異なる色の複数の着色層３８と、を有する。 - 特許庁

Then, the terminating end of the loop 312 of the second round of the mesh pattern 321 of the second column is advanced along the loop 212 of the second round of the mesh pattern 221 of the first column and a second straight line part 431 is formed at the bend part at a position shifted by a half pitch to the first straight line part 331.例文帳に追加

そして、第２列目の網目パターン３２１の２周目のループ３１２の終端を第１列目の網目パターン２２１の２周目のループ２１２に沿って進行させ、第１の直線部３３１に対して半ピッチずれた位置の屈曲部にて第２の直線部４３１を形成する。 - 特許庁

The setting of the length of the optical path of an illumination light IL at this parallel flat board 47 is changed, by changing the said parallel flat board 47 into the one of different thickness, based on the difference of line width between the image of an isolated line pattern Pa and the image of an L/S pattern Pb being measured in advance.例文帳に追加

予め計測された孤立線パターンＰａの像とＬ／ＳパターンＰｂ像との線幅差に基づいて、前記平行平面板４７を異なる厚さのものに変更することにより、この平行平面板４７における照明光ＩＬの光路長を設定変更する。 - 特許庁

A third auxiliary reflection surface 18 for forming a part P4 except for the part P2 in a periphery of a lower horizontal cutoff line CL3 of the light distribution pattern LP 3 is provided in an area 15 of the first reflection surface 11 for mainly forming the part P2 in the periphery of the lower horizontal cutoff line CL3 of the light distribution pattern LP3.例文帳に追加

また、配光パターンＬＰ３の下水平カットオフラインＣＬ３付近の部分Ｐ２を主に形成する第１反射面１１のエリア１５に、配光パターンＬＰ３の下水平カットオフラインＣＬ３付近の部分Ｐ２以外の部分Ｐ４を形成する第３補助反射面１８を設ける。 - 特許庁

It is the presence of faults 16, 17 in an expanding or contracting direction to increase the distance between coordinates of respective boundary points of a boundary line 14 of the reference pattern image and of a boundary line 15 of the pattern image to be detected, and the fault is decided by detecting a predetermined threshold value of the maximum distance.例文帳に追加

基準パターン画像の境界線１４と対象パターン画像の境界線１５との各境界点座標間の距離が大きくなるのは、膨張方向または縮小方向の欠陥１６、１７があるためで、最大距離を所定の閾値で検出して欠陥を判定する。 - 特許庁

In a line image pattern formed by deviating the writing timing in a main scanning direction and/or a sub scanning direction, a toner image of line Y formed by an image forming means for Y in the test pattern is formed so as to be superposed within a matte patch range by M or C toner.例文帳に追加

主走査方向及び／又は副走査方向について書き込みタイミングをずらして形成した線像パターンで、該テストパターン内でＹの画像形成手段によって形成されたＹ線のトナー像はＭ又はＣトナーによるマット状のパッチ範囲内に重ねて形成されている。 - 特許庁

The nanocarbon material compound substrate includes the substrate, a three-dimensional structure line pattern including recessed parts and protruding parts formed on the substrate and the nanocarbon material formed on the surface of the substrate on which the three-dimensional structure line pattern is formed.例文帳に追加

本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。 - 特許庁

The portable wireless device 100 includes: a shield pattern 170 covering a microphone 150 and a microphone signal line 140; blocking circuits L1, L3, L4 loaded on the microphone signal line 140; and a blocking circuit L2 loaded between the shield pattern 170 and a GND of a circuit board 130.例文帳に追加

携帯無線装置１００は、マイク１５０とマイク信号線１４０を覆うシールドパターン１７０と、マイク信号線１４０上に装荷された遮断回路Ｌ１，Ｌ３，Ｌ４と、シールドパターン１７０と回路基板１３０のＧＮＤの間に装荷された遮断回路Ｌ２と、を備える。 - 特許庁

An image including at least a part of a head area of the driver in a vehicle is inputted by an image input part 1, a pattern generating part 2 generates an input pattern from the inputted image, calculates similarity by collating the input pattern with a dictionary pattern registered in a dictionary part 4, in a pattern collation part and detects the visual line of the driver by the similarity.例文帳に追加

画像入力部１により車両中の運転者の頭部領域の少なくとも一部を含む画像を入力し、パターン生成部２は、入力された画像から入力パターンを生成し、この入力パターンと辞書部４に登録しておいた辞書パターンとをパターン照合部において照合して類似度を求め、その類似度により運転者の視線を検出する。 - 特許庁

The fine pattern with a pitch a half of that of the lithography is formed by forming a resist pattern using a lithography technology (a), making small the line width of the resist pattern using a sliming technology (b), forming a new mask pattern in a space widen by sliming by anisotropic etching under a low pressure environment (c), and carrying out etching of the under layer film using the mask pattern (d).例文帳に追加

リソグラフィ技術によりレジストパターン７を形成し（ａ）、スリミング技術によりレジストパターン７のライン幅を細くし（ｂ）、低圧環境下で異方性エッチング処理を行うことによってスリミングにより広くなったスペースに新たなマスクパターンを形成し（ｃ）、そのマスクパターンを利用して下層の膜のエッチングを行って（ｄ）、リソグラフィパターンの１／２倍のピッチの微細パターンを形成する。 - 特許庁

Within a scribe line 13, a dummy pattern 14 is formed in the vicinity of an overlap accuracy measuring mark comprising a first layer pattern 11 formed on a semiconductor substrate and a second layer pattern 12 as a resist pattern and, as the result, the resist pattern 10 in the vicinity of the overlap accuracy measuring mark is arranged to be symmetrical to the overlap accuracy measuring mark.例文帳に追加

スクライブライン１３内において、半導体基板上に形成された第１層のパターン１１とレジストパターンで形成される第２層のパターン１２とからなる重ね合わせ精度測定マークの周辺にダミーパターン１４を形成することにより、重ね合わせ精度測定マークの周辺のレジストパターン１０を重ね合わせ精度測定マークに対して対称に配置する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match step of exposure using at least two exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match process where exposure is performed using at least two kinds of exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A template to be collated is retrieved from a template storage part 28 storing plural templates by photographing the partial image in the form of horizontal line of the recognition object with a line CCD camera 22 and horizontally slicing the pattern such as character or symbol of this image in a line form.例文帳に追加

ラインＣＣＤカメラ２２により認識対象の水平なライン状の一部の画像を撮影し、この画像を文字や記号などのパターンを水平にライン状にスライスしてなる複数のテンプレートを記憶したテンプレート記憶部２８から照合するテンプレートを検索する。 - 特許庁

When drawing a virtual line segment 26 parallel to a line segment drawn from the light emitting part to the corner of the surface light emitting region of the light guide plate 13 from the end of the hollow 22A, the V-shaped groove 22B and the second diffusing pattern 23 are provided so as not to exceed the virtual line segment 26.例文帳に追加

発光部から導光板１３の面発光領域の隅に引いた線分と平行な仮想線分２６を窪み２２Ａの端から引いたとき、Ｖ溝２２Ｂ及び第２の拡散パターン２３は当該仮想線分２６を超えないように設けられる。 - 特許庁

Also, an invalid line is set during BB game, and when skill-stop operation is performed at the time of an internal winning of special RB winning combination, a predetermined image pattern combination is won on the invalid line and the reel is stopped so that the symbol combination of a special RB winning combination is won on the prize winning line.例文帳に追加

また、ＢＢ遊技中は無効ラインを設定し、特殊ＲＢ役に内部当選時に目押しすると、特定図柄組合せが無効ライン上に揃うと共に、特殊ＲＢ役の図柄組合せが入賞ライン上に揃うように回胴を停止させる。 - 特許庁

Then, by reducing the winding up length A for the scooping pattern from the standard scooping line length for controlling the scooping and performing the fishing line-winding up in the scooping actions until the delivered fishing line length agrees with the reduced value (S905: No, S907, S909; S905: Yes, S921).例文帳に追加

そして、当該シャクリ制御基準糸長からシャクリパターンの巻上げ長さＡを減算し、釣糸繰出し糸長が当該減算値と一致するまでシャクリ動作における釣糸巻上げを行う（Ｓ９０５：Ｎｏ、Ｓ９０７、Ｓ９０９、Ｓ９０５：Ｙｅｓ、Ｓ９２１）。 - 特許庁

A surface of a core material 12 is formed with a dashed linear spindle-shape groove 14 formed of a plurality of vertical dashed lines and a plurality of lateral dashed lines formed into a pattern that a solid line part of the lateral (vertical) dashed line enters a part wherein a vertical (lateral) dashed line is broken.例文帳に追加

芯材１２の表面に、複数の縦方向の破線と複数の横方向の破線が、縦（横）方向の破線の線がとぎれた部分に横（縦）方向の破線の実線部分が入り込むようなパターンになっている破線状の紡錘形の溝１４を設けた。 - 特許庁

The flexible board (20) is equipped with a microstrip line having a flexible insulating substrate, a signal line pattern arranged on one side of the insulating substrate, and a grounding film arranged on the other side of the insulating substrate, and impedance matching is taken by the microstrip line.例文帳に追加

また、フレキシブル基板(20)は、可撓性を有する絶縁基体とこの絶縁基体の一方面側に配置された信号線パターンと絶縁基体の他方面側に配置された接地膜とを有するマイクロストリップラインを備え、当該マイクロストリップラインがインピーダンス整合機能を担う。 - 特許庁

A transmission line amplitude and phase estimation part 105 finds as a transmission estimated value 301 an amplitude and phase estimation error due to variation of a transmission line through a transmission line amplitude and phase estimation part 105 by using a pilot symbol whose transmission pattern is already known among signals spread reversely by a reverse spreading filter 103.例文帳に追加

逆拡散フィルタ１０３で逆拡散した信号のうち送信パターン既知のパイロットシンボルを用いて、伝送路振幅・位相推定部１０５において、伝送路の変動に起因する振幅・位相誤差を求め伝送路推定値３０１とする。 - 特許庁

At least one line of the turned inner lines 71b is a display line 710 painted with a different color or pattern according to the longitudinal direction and the display line 710 is partially exposed from an outer layer 72a to form the display part 80.例文帳に追加

折り返された内層線７１ｂの少なくとも一本は、長さ方向位置に応じて異なる色彩または模様に塗り分けられた表示線７１０であり、この表示線７１０が部分的に外層７２ａから露出されて表示部８０を構成する。 - 特許庁

To perform hatching along the contour of a graphic preventing a line end of a hatching line from being protruded outside the contour of the graphic and the line end from being missed inside the graphic near the intersection of contours of the graphic by clipping hatching pattern with image data.例文帳に追加

ハッチングパターンを画像データによってクリップすることにより、図形の輪郭線の交点付近において、ハッチングラインの線端が図形の輪郭線からはみ出たり、図形内で欠けたりすることがなく、図形の輪郭線に沿ったハッチングを行うことができるようにする。 - 特許庁

This diffraction grating 10 for hologram recording is so constructed that a shielding line 12 of a line and space pattern is formed on the surface of a transparent substrate 11 formed of glass, and a protective film 13 having the index of refraction equal to the index of refraction of the transparent substrate 11 is formed on the surface of the transparent substrate 11 including the shielding line 12.例文帳に追加

ガラスでなる透明基板１１の表面にラインアンドスペース・パターンの遮光ライン１２が形成され、遮光ライン１２を含む透明基板１１の表面に透明基板１１の屈折率と同等な屈折率を有する保護膜１３を形成する。 - 特許庁

EQUIPMENT AND METHOD FOR STORING FUNCTIONAL LIQUID DEVICE AND METHOD FOR FORMING INTERCONNECT LINE PATTERN, WIRING BOARD, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

機能液保管装置、機能液保管方法、配線パターン形成装置、配線パターン形成方法、配線基板、電気光学装置および電子機器 - 特許庁

Thus, the capacitance to ground with respect to the substrate surface can be easily varied in the conductive pattern layer 17 that serves as a signal line.例文帳に追加

これにより、信号線路としての導電体パターン層１７において、基板面に対する対地容量を容易に変化させることができる。 - 特許庁

A test pattern forming part makes an inkjet head print a plurality of the line patterns 71 which extend in a paper conveyance direction with respect to each delivering opening.例文帳に追加

テストパターン形成部が、インクジェットヘッドに、各吐出口に関して用紙搬送方向に延在する複数のラインパターン７１を印刷させる。 - 特許庁

By combining the outer and inner drums, the performances as if to increase an identical pattern in a same line visually recognizable by the player is realized.例文帳に追加

外ドラムと内ドラムとで、遊技者が視認可能な同一ラインの中で同じ図柄が増えていくような演出を実現することができる。 - 特許庁

To provide method and device especially suitable for determining irregularity of line & space pattern formed on sample.例文帳に追加

本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。 - 特許庁

To enhance the emission efficiency of the h-line of a discharge lamp used for a direct exposure drawing apparatus to obtain a trapezoid cross section of a resist pattern.例文帳に追加

ダイレクト露光描画装置に用いる放電ランプのｈ線の発光効率を高めて、レジストパターンの断面が台形になるようにする。 - 特許庁

A projection optical system 150 of a projector 100 projects a pattern image MI for measurement which includes a measurement line LM1 onto a projection screen SC.例文帳に追加

プロジェクタ１００の投写光学系１５０は、測定線ＬＭ１を有する測定用パターン画像ＭＩを、投写スクリーンＳＣに投写する。 - 特許庁

To carry out the evaluation of the defect inspection or the like of a test piece having a pattern of a minimum line width of 0.2 μ or less by using a multiple beam at high throughput.例文帳に追加

最小線幅０．２ミクロン以下のパターンを有する試料の欠陥検査等の評価を、マルチビームを用いて高スループットで行なう。 - 特許庁

The patterning method comprised of such steps has a benefit that the pattern line width can be adjusted by adjusting the surface energy of the substrate.例文帳に追加

このように構成された本発明は、基板の表面エネルギーを調整してパターンの線幅を調整することができるという利点がある。 - 特許庁