「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

A line-shapes semiconductor pattern 104 extending in the first direction is formed at a lower part of the conductive layer pattern 122 by etching the substrate 100 at a portion which is exposed due to the patterning of the conductive layer 120.例文帳に追加

導電層１２０をパターニングするとき露出する半導体用基板１００をエッチングして導電層パターン１２０の下部に第１方向に延長する線形の半導体パターン１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a polymer for a photoresist having high transmittance, etching resistance, thermal resistance, adhesiveness and low light absorbance, and high affinity for a developer in order to obtain a pattern improved of LFR (line edge roughness), and to provide a photoresist composition including the polymer, and a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＬＥＲが改善されたパターンを得るため透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度の高いフォトレジスト用重合体を提供する。 - 特許庁

A conductor pattern 23m of the ground layer 23 has stubs 23m-st1 to 23m-st4 formed at respective input/output-side end parts of a signal line 22a provided on the wiring layer 22 and connected to a ground pattern 25 by via holes 24-v of the insulating layer 24.例文帳に追加

接地層２３の導体パターン２３mには、配線層２２に設けた信号線路２２aの入出力側の各端部にスタブ２３m-st1〜２３m-st4を形成し、絶縁層２４のビア２４-vで接地パターン２５と接続する。 - 特許庁

When the cover body 28b is in a closing state (lower Fig.), a pattern display area not covered by the cover member 28a and the cover body 28b is an effective display area 29 displaying a pattern arranged on a winning line.例文帳に追加

カバー体２８ｂが閉状態である場合（図４の上図）にはカバー部材２８ａとカバー体２８ｂとで覆われない図柄表示領域が入賞ライン上に揃う図柄を表示する有効表示領域２９となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed-circuit substrate which can easily make line-up of members when a protruded circuit pattern of imprinting mold is pressed into the insulating substrate to form a corresponding recessed pattern.例文帳に追加

インプリンティングモールドの凸状回路パターンを絶縁基板に圧入して対応する凹状パターンを絶縁基板に形成する際、これら部材の整列を容易化できる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide copper foil which has a high etching factor, has the excellent straightness of the bottom line of a circuit pattern, leaves no copper grains in circuit pattern resin, can produce a fine pattern, has excellent visibility, and has a reduced high frequency transmission loss, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

本発明は、高いエッチングファクターを持ち、回路パターンのボトムラインの直線性に優れ、なおかつ回路パターンの樹脂中に銅粒子が残ることなく、ファインパターンが作製でき、視認性に優れ、高周波伝送ロスの少ない銅箔並びにその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

When the display control unit 214 receives a stop symbol pattern command that a prescribed symbol pattern should be finally displayed and stopped on a prescribed effective line, it can change ready-to-win symbol patterns so that a non-prescribed symbol pattern combination can be finally displayed and stopped.例文帳に追加

ここで、表示制御装置２１４は、所定の有効ラインに特定図柄の組み合わせを最終停止表示させることを示す停止図柄コマンドを受信した場合に、非特定図柄の組み合わせを最終停止表示させるようリーチ図柄を変更することが可能な構成となっている。 - 特許庁

To provide a pattern forming method excellent in line width variation (LWR), focus latitude (DOF) and pattern profile to more stably form a high-precision fine pattern for producing a highly integrated high-precision electronic device, and to provide a resist composition and a resist film suitable for the method.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ（ＬＷＲ）、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）及びパターン形状に優れるパターン形成方法、並びにこれに好適なレジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

The repair method for the paste pattern is implemented by the dot coating system which drips a paste droplet on the repair section, thereby obtaining the effect that the internal area of the paste pattern into which an accurate amount of liquid crystal is injected can be secured by keeping the line width of the paste pattern constant.例文帳に追加

本発明に係るペーストパターンのリペア方法は、リペア区間にペースト液滴を滴下する点形塗布方式により行われるので、ペーストパターンの線幅を一定に維持して正確な量の液晶が注入されるペーストパターンの内部面積を確保することができるという効果がある。 - 特許庁

A reticle 11 as a photomask is provided with a mask pattern 12 relating to fabrication of elements on a semiconductor wafer as well as with an auxiliary pattern 13 to correct the line degeneration due to at least the influences of exposure, which effectively functions for the pattern resolution for microfabrication of elements.例文帳に追加

フォトマスクとしてのレチクル１１において、半導体ウェハ上への素子形成に関するマスクパターン１２と共に、少なくとも露光時の影響によるライン縮退を補正する補助パターン１３が付加されており、微細な素子形成のためのパターン解像に有効に働く。 - 特許庁

The venous pattern authenticating device using the contactless IC card inputs the registration number of the venous pattern by using the IC card and stores venous pattern data on the contactless IC card, so that an off-line system can be structured without using any host computer.例文帳に追加

非接触ＩＣカードを用いた静脈パターン認証装置により、静脈パターンの登録番号の入力を非接触ＩＣカードを用いて行い、さらに静脈パターンデータを非接触ＩＣカードにメモリーさせることによりホストコンピューターを用いることなく、オフラインシステムの構築が可能となる。 - 特許庁

A stripe-like first transmissive pattern image PA1 can be formed in an image area of a liquid crystal display panel 31 in each line of a scanning electrode and a second transmissive pattern image PA2 in which the bright-dark patterns of the first transmissive pattern image PA1 are replaced can be also formed.例文帳に追加

液晶表示パネル３１の画像領域には、走査電極のライン単位でストライプ状の第１の透過パターン像ＰＡ１を形成することができ、第１の透過パターン像ＰＡ１の明暗パターンを入れ替えた第２の透過パターン像ＰＡ２を形成することもできる。 - 特許庁

To express a contour pattern from a delicate, clear and simple pattern up to a complicated pattern which can not be expressed by a method by engraving to a usual finishing mold, by applying an uneven parison molding and forming a contour line of a narrow concave at the outer surface of a bottle.例文帳に追加

本発明は、凹凸パリソン成形を応用し、びんの外表面に細い凹みの輪郭線を設けることで、通常の仕上げ型への彫刻による方法では表現することができない、繊細かつ明瞭で簡素な図柄から複雑な図柄に至るまでの輪郭模様を表現する。 - 特許庁

The electromagnetic shielding material 5 has a thin line shield pattern 4 of a lattice, stripe, honeycomb pattern, geometric pattern, or the like, consisting of a conductive metal film 2 and a print film 3 of ionizing radiation curing ink dispersed with black pigment formed sequentially on the surface of a transparent basic material 1.例文帳に追加

電磁波シールド材５は透明基材１の表面に導電性金属膜２と黒色顔料が分散された電離放射線硬化型インキの印刷皮膜３の２層からなる、格子、ストライプ、ハニカム模様、幾何学模様等の細線からなるシールドパターン４を備える。 - 特許庁

After the line width or the like of the resist pattern is measured (step 11) by recognizing the pattern after developing (step 10), the measured result is fed forward to etching (step 13) to be performed later and by performing etching in optimal treatment conditions, the precise circuit pattern can be finally formed.例文帳に追加

現像（ステップ１０）後のレジストパターンを認識してパターンの線幅等を測定した後（ステップ１１）、この測定結果をその後に行われるエッチング処理（ステップ１３）にフィードフォワードし、最適な処理条件でエッチング処理を行うことにより、最終的に精密な回路パターンを形成することができる。 - 特許庁

A cutoff line changing part 50 controls the widths of the light shielding regions of the shades so that a whole luminous intensity distribution pattern overlapped with the right side luminous intensity distribution pattern and the left side luminous intensity distribution pattern may constitute a light shielding region conformed to the vehicle position detected by the vehicle position detecting part 52.例文帳に追加

カットオフライン変更部５０は、左側配光パターンと右側配光パターンとを重ね合わせた全体配光パターンが、車両位置検出部５２により検出される車両位置に合わせた遮光領域を構成するように、ハイビーム形成用シェードの遮光領域の幅を制御する。 - 特許庁

Also, by arranging the main seal pattern 2 by bending it in the corrugated shape in the line width of a conventional straight pattern, the peeling load of the main seal pattern 2 per unit area of glass is improved and the serious defect of seal peeling is hardly induced in the process of cutting stuck glass into a panel individual piece size.例文帳に追加

また、本シールパターン２を従来の直線パターンの線幅で波状に曲げて配置することにより、ガラスの単位面積当たりの本シールパターン２の剥離荷重が向上し、貼り合わせガラスをパネル個片サイズに切断する工程において、シール剥離という重大欠陥を誘発しにくくなる。 - 特許庁

In an area where the second transparent conductive pattern 19 overlaps with the auxiliary capacitance line 12, contact holes 41 and 51 through which the pixel electrode 61 and the first transparent conductive pattern 39 are made conductive are provided and an island shape pattern 35 including a semiconductor layer is provided on the gate insulating film 15.例文帳に追加

第２透明導電パターン１９が補助容量線１２と重なる個所には、画素電極６１と第１透明導電パターン３９とを導通させるコンタクトホール４１，５１が設けられるとともに、ゲート絶縁膜１５上に、半導体層を含む島状パターン３５が設けられる。 - 特許庁

Uneven picture lines 7 with a line pattern in which a picture pattern is expressed by partly changing the angles are formed by plowing or embossing on the surface of a base material 5 and printed picture lines 10 expressing the picture pattern by changing the widths are printed on the uneven picture lines 7 of this base material 5.例文帳に追加

基材５の表面に、部分的に角度を異にすることによって図柄を表した万線模様の凹凸画線７をすき入れ又はエンボスにより形成し、この基材５の凹凸画線７の上から幅を変化させることで図柄を表した印刷画線１０を印刷する。 - 特許庁

A main signal line is formed between through-holes 14, 15 formed in the digital and analog circuits by an internal layer pattern 16, and a helical return path pattern 17 is provided which includes a plurality of through-holes 18 formed along the longitudinal direction of the internal layer pattern 16.例文帳に追加

デジタル回路部およびアナログ回路部に形成されたスルーホール１４、１５間に内層パターン１６で主信号ラインを形成すると共にこの内層パターン１６の長手方向に沿って形成された複数のスルーホール１８を含む螺旋状のリターンパスパターン１７を設ける。 - 特許庁

In the pattern projection aligner or a method therefor, a first exposure mechanism for creating a pattern with thin width, and a second exposure mechanism for creating a pattern with a line width thicker than that of the first exposure mechanism are provided, the relative positional relation between the first and second exposure mechanisms is detected, and pattern exposure is made, based on the detected positional relation.例文帳に追加

パターン露光装置または方法において、線幅の細いパターンの作製が可能な第１の露光機構と、該第１の露光機構よりも線幅の太いパターンの作製を行う第２の露光機構とを備え、該第１の露光機構と該第２の露光機構との相対位置関係を検出し、該検出した位置関係に基づいてパターン露光するように構成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which a pattern excellent in exposure latitude (EL) and line width variance (LWR) or CD (critical dimension) uniformity (CDU) is formed; to provide a pattern formed by the same; to provide a chemically amplified resist composition used in the pattern forming process; and to provide a resist film formed from the resist composition.例文帳に追加

露光ラチチュード（ＥＬ）と、線幅バラツキ（ＬＷＲ）又はＣＤ（クリティカルディメンジョン）均一性（ＣＤＵ）とに優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該レジスト組成物により形成されたレジスト膜を提供する。 - 特許庁

A dispersion of line widths of a first pattern and a second pattern occurring due to dispersion occurring in resist patterns (an opening 111, an opening 211) due to dispersion of lithography when forming a first pattern and a second pattern in the first region 110 and the second region 210 of an etching object material 105, respectively, is suppressed by adjusting the thickness of a mask material 106.例文帳に追加

被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 - 特許庁

When the pattern printed film 3 is thermally bonded to the resin substrate sheet 1 under pressure, the pattern 2 of the pattern printed film 3 is partitioned and a positioning line 1 drawn on the surface of the pattern printed film 3 in a vertical direction from the end part thereof in a shape recognizable easily and certainly at a glance is added to be used.例文帳に追加

絵柄印刷フィルム３を樹脂基材シート上に熱圧着する際に、少なくとも１ヶ所以上の一定間隔毎に上記絵柄印刷フィルム３の絵柄２を区切り、容易、かつ、確実に一目で認識できる形状で、同絵柄印刷フィルム３の表面上にその端部から垂直方向に描かれる位置決め線１を付加して使用する。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent and a resist composition for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating due to the freezing process and the formation of the second resist pattern and resist composition and to provide a pattern formation process by use of them.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤、レジスト組成物およびそれらを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating owing to the freezing process and the formation of the second resist pattern, and also to provide a pattern formation method by use of it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅とＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれおよびそれを用いたパターン形成方法を提供すること - 特許庁

In the evaluation pattern 10, as the thicknesses of a first line and a second line are the same and the sizes of blanks between the lines are the same, it appears that two regions with the same densities are juxtaposed.例文帳に追加

評価パターン１０では、第１ラインと第２ラインの太さが同じであり、ラインの間に設けられた空白の大きさも同じであるため、視覚的には同濃度の領域が２つ並んでいるように見える。 - 特許庁

After that, when a predetermined time according to the variable display pattern is elapsed, determinate patterns are stationarily displayed on a variable display part on a second combination effective line except for the first combination effective line (step S417).例文帳に追加

この後、可変表示パターンに応じた所定時間が経過すると、第１の組合せ有効ライン以外の第２の組合せ有効ライン上の可変表示部に確定図柄を停止表示させる（ステップＳ４１７）。 - 特許庁

Consequently, when the placement-laying mat is laid on a line carpet made of a tufted carpet laid all over a motor vehicle floor, the pattern sinks into the obverse of the line carpet and prevents the placement-laying mat from easily slipping and skidding.例文帳に追加

したがって、この置き敷きマットを、自動車に敷き詰められたタフトカーペットからなるラインカーペット上に敷くと、柄模様がラインカーペット表面に食い込み、置き敷きマットが滑りにくくなり、ずれるのを防止しうる。 - 特許庁

The first electrode pattern 16 is formed over the second reference lines L2 on both sides, end parts 16a are connected to each other, and it is provided with a pull-out part 16b pulled out along the second reference line L2 to the first reference line L1.例文帳に追加

第１の電極パターン１６は、両側の第２の基準線Ｌ２に亘り、端部１６ａ同士が連結し、第１の基準線Ｌ１まで第２の基準線Ｌ２に沿って引き出された引き出し部１６ｂを有する。 - 特許庁

Prior to starting printing, the image line ratio data of a pattern printed this time is acquired from a pre-press process and the function corresponding to the acquired image line ratio data and printing condition data is searched from the data base.例文帳に追加

そして、印刷開始に先立ち、プリプレス工程から今回印刷する絵柄の画線率情報を取得して、取得した画線率情報及び印刷条件情報に応じた関数をデータベースから検索する。 - 特許庁

The harmonic removing filter 10 for removing second and third harmonics is inserted into one branch point in the middle of the distribution constant line pattern 4 of a main signal transmission line between a high power amplifier 1 and an output connector 5.例文帳に追加

高出力増幅器１と出力コネクタ５との間の主信号伝送路の分布定数線路パターン４の途中の１つの分岐点に、２倍波・３倍波の高調波除去フィルタ１０が挿入される。 - 特許庁

If it is determined that division is required, an operator group for describing the dashed line pattern 70 (specific drawing object) is replaced with a plurality of operator groups for describing the plurality of sub-dashed line patterns 106 and 114, respectively.例文帳に追加

分割を要すると判別された場合、破線パターン７０（特定描画オブジェクト）を記述するオペレータ群を、複数のサブ破線パターン１０６、１１４をそれぞれ記述する複数のオペレータ群に置換する。 - 特許庁

This group of the plurality of unit patches is printed one line by one line in each part of the front end, the center and the rear ends of a head in the reference and comparison nozzle arrays 15A and 15B, to form a pattern 40 for adjusting a head mounting position.例文帳に追加

この複数対の単位パッチ群を、基準ノズル列１５Ａと比較ノズル列１５Ｂにおけるヘッド前端、中央、後端の各部分で１列ずつ印刷したものをヘッド取付位置調整用パターン４０とする。 - 特許庁

The parking frame partition line space 2 is formed by applying a coating material on the whole surface of the parking frame partition space 2 provided on a parking paved surface 1 or nearly the whole surface thereof, in which the pattern and the like are provided in the parking frame partition line space.例文帳に追加

駐車舗装面１に設ける駐車枠区画スペース２全面、もしくは、ほぼ全面に、塗料を塗布して駐車枠区画線スペースとし、その駐車枠区画線スペースに図案等を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the device in which a wiring pattern including fine line patterns in a line-and-space form and pad patterns is formed at a low cost with high accuracy, and to provide a photomask used for the manufacture.例文帳に追加

微細なラインアンドスペース状の線パターンと、パッドパターンとを有する配線パターンが低コストで精度良く形成された半導体装置およびその製造方法、ならびにその製造に用いるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a device for setting laser beam machining data with which a working pattern for forming a working line or a working face having a wider width than the width of the working line by a laser beam is generated easily.例文帳に追加

レーザ光による加工線幅よりも広い幅を有する加工線又は加工面を形成するための加工パターンを容易に生成することができるレーザ加工データ設定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

After drawing a line that appears to be horizontal or vertical by a mouse, and performing raster rotation by making the line to coincide with a close axis, the stage is moved horizontally, to adjust the angle by performing pattern-matching with the image of the position where it should be located originally.例文帳に追加

マウスで水平又は垂直と思われる線を引き近い軸に合わせてラスタローテーションを行った後ステージを水平に移動させ本来あるべき位置の像とパターンマッチングを行い角度調整する。 - 特許庁

When big winning patterns for indicating that the result of the big winning drawing is big winning are displayed on the finally displayed pattern display line (valid line), a player can play a big winning game.例文帳に追加

最終的に表示された図柄表示ライン（有効ライン）上に大当たり抽選の結果が大当たりであることを表す大当たり図柄が表示されていれば、遊技者は大当たり遊技を行うことができる。 - 特許庁

A wiring pattern 12 is formed so that spirals 20a and 20b, etc., for which a power line 14 clamped by a ground line 16 turns from the outer periphery to the center side and is folded over on the center side are disposed so as to cover the wall surface of a base material 10.例文帳に追加

グランドライン１６で挟まれた電源ライン１４が外周から中心側ヘ向かい、中心側で折り返す渦巻き２０ａ、２０ｂ、・・を基材１０の壁面覆うように配置して配線パターン１２とする。 - 特許庁

A first proposed signal transmission line 102 and a second proposed signal transmission line 103 are formed according to the varied specifications such as a pattern width and the like, so as to enable a printed wiring board to have a target characteristic impedance when printed wiring boards are manufactured.例文帳に追加

印刷配線板製造の際に、第一の信号伝送路候補１０２及び第二の信号伝送路１０３をパターン幅などの条件を変え、特性インピーダンスの目標値を変えて作成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is excellent in line edge roughness in normal exposure and liquid immersion exposure and with which the variation of the line width caused by time delay between exposure-PEB is reduced; and a method for forming a pattern using the same.例文帳に追加

通常露光時及び液浸露光時に於ける、ラインエッジラフネスに優れ、且つ、露光−ＰＥＢ間の引き置きによる線幅の変動が低減されたポジ型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A preson looking the front covering coloress resin panel 20 from the front thereof is more strongly impressed by a large number of the vertical lines 27 for forming the vertical stripe pattern than the weld line 15 and the weld line 15 is made inconspicuous.例文帳に追加

正面被覆用無色樹脂パネル２０を正面から見る人は、ウェルドライン１５より複数本の縦縞模様形成用縦線２７の方に強く印象付けられ、これにより、ウェルドライン１５は目立たなくなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a relief pattern using the precursor of polybenzoxazole for suppressing the deterioration of the heat-resistance and mechanical characteristics of final polybenzoxazole resin while achieving high solubility and i line and g line permeability.例文帳に追加

高い溶解度及びｉ線、ｇ線透過率を有しながら最終的なポリベンズオキサゾール樹脂の耐熱性及び機械特性を損わないポリベンズオキサゾールの前駆体を使用したレリーフパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

For example, one pixel by the first pixel arrangement pattern is composed of the combination of two sub-pixels on the n-th horizontal pixel line and one sub-pixel on the (n+1)-th horizontal pixel line.例文帳に追加

例えば第１の画素配列パターンによる１つの画素を、第ｎ番目の水平画素ライン上の２つのサブピクセルと、第ｎ＋１番目の水平画素ライン上の１つのサブピクセルとの組み合わせにより構成する。 - 特許庁