| 意味 | 例文 |
line patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3472件
A plurality of test patterns prepared by varying the layout area of line-and-space pattern in different levels of factors are formed on a mask substrate by lithographic processes (S1, S2).例文帳に追加
リソグラフィー処理により、ラインアンドスペースパターンの展開面積を水準振りした複数のテストパターンをマスク基板上に形成する(S1,S2)。 - 特許庁
In the 2D pattern calculating part 3, the intersection of the inputted vector and a scan line and various flags are calculated by an intersection calculating part 6.例文帳に追加
2次元パターン計算部3では、交点計算部6により入力されたベクトルとスキャンラインとの交点及び各種フラグが計算される。 - 特許庁
On both sides of the bending part W, a center conductor connecting pattern 21 and a shield connecting pad 22 are arranged so as to be aligned in one line.例文帳に追加
折り曲げ部Wの両側には、中心導体接続用パターン21とシールド接続用パッド22とが一列に並ぶ様に配置される。 - 特許庁
Therefore the line pattern can be formed by the simple operation, quickly and advantageously in cost, and this is suitable for the small-lot production of a wide variety of products.例文帳に追加
このため、簡単な操作で迅速かつコスト的に有利に線模様を形成することができて多品種少量生産に好適となる。 - 特許庁
Upper and lower antenna conductors of the loop pattern 12 vertically exist in an area at an equal distance from a center line 16 of the side glass in its lateral direction.例文帳に追加
ループパターン12の上側および下側アンテナ導体は、サイドガラスの横方向中心線16から上下に等距離に振り分けられている。 - 特許庁
To solve the problem of the conventional products being unable to form complicated magnetic flux density pattern (asymmetric magnetic flux pattern for magnetic flux density peak), because the extending line of the side surface of a sector type magnet piece passes the center of a magnet roller.例文帳に追加
従来品では、扇形状マグネットピース側面の延長線がマグネットローラ中心を通る為、複雑な磁束密度パターン(磁束密度ピークに対して非対称な磁束密度パターン)を形成することができない。 - 特許庁
Moreover, a uniform pattern can be obtained on the wafer by measuring an opening/closing ratio within the region influenced by flare can be measured based on the amount of flare of lens and then correcting (S8) the line widths of the mask pattern based on this opening/closing ratio.例文帳に追加
また、レンズのフレア量により、フレアの影響を受ける領域内にて開閉比を測定し、この開閉比により、マスクパターンの線幅を補正(S8)することにより、ウェーハ上部に均一なパターンが得られる。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition with which it is possible to form a high resolution resist pattern with low line edge roughness, and which is used as an upper layer resist of a two layer resist process and a method for forming the resist pattern.例文帳に追加
低ラインエッジラフネスで、高解像度なレジストパターンを形成することが可能となり、2層レジストプロセスの上層レジストとして用いることができる感光性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
Otherwise, the wiring pattern for taking out the potential difference between both ends of the shunt resistance is drawn out from a land fringe part positioned on the prolonged line of a wiring pattern for the current to be detected connected to the shunt resistance mounting land.例文帳に追加
又はシャント抵抗両端の電位差を取り出すための配線パターンを、前記シャント抵抗取付け用ランドにつながれた被検出電流用配線パターンの延長線上に位置するランド外縁部から引き出す。 - 特許庁
After a resistance heating element pattern with wave-like changing line width is formed in a prescribed range in a surface of the ceramic substrate, a part of the resistance heating element pattern is trimmed in this method of manufacturing the ceramic heater.例文帳に追加
セラミック基板表面の所定領域に波状に線幅が変わる抵抗発熱体パターンを形成した後、前記抵抗発熱体パターンの一部をトリミングすることを特徴とするセラミックヒータの製造方法。 - 特許庁
To form a pattern (e.g., a print character, a design) having good printing reproducibility in terms of thin line, on a resin screen printing plate with a laser beam with hardly affecting a resin screen gauze used for the formation of the pattern.例文帳に追加
レーザ光により樹脂スクリーン印刷版にパターン(印刷文字、図案など)を形成させる際、樹脂スクリーン紗にほとんど影響を与えることなく、かつ細線の印刷再現性のよいパターンを形成する。 - 特許庁
To provide a gradation interpolation circuit for eliminating a stripe pattern by detecting a border line (step difference) of the stripe pattern caused in a gradation region or the like in a display image caused by roughness of quantization applied to a video signal.例文帳に追加
映像信号の量子化の粗さに起因して表示画像中のグラデーション領域等に生じる縞模様の境界線(段差)を検出して縞模様を解消する階調補間回路を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern profile detecting device or method that is capable of detecting at a high-speed a shaping defect in a pattern profile of a patterned media surface and a stamper as well as a production line for patterned media disks.例文帳に追加
本発明は、本高速でパターンドメディア表面やスタンパのパターン形状の整形不良を検査できるパターン形状検査装置または検査方法並びにパターンドメディアディスク製造ラインを提供することである。 - 特許庁
To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition excellent in resolution, line edge roughness and etching resistance, and excellent in sensitivity and a pattern profile; and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加
解像度、ラインエッジラフネスおよびエッチング耐性に優れ、かつ感度及びパターン形状に優れる感活性光線性または感放射線性組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a comparatively inexpensive aligner which maintains high productivity even in such constitution that a high density and high thin line pattern partially coexists in the ordinary circuit pattern of a substrate in future.例文帳に追加
将来的に基板の通常の回路パターン内に、部分的に高密度・高細線パターンが混在する構成となっても、高い生産性を維持し、あわせて比較的安価な露光装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
Further, the correction value is acquired based on the density of pixels determined by printing a correction pattern on the medium and measuring the density of the pixels located on the same line of the correction pattern.例文帳に追加
そして、補正値は、補正用パターンを媒体上に印刷するとともに、補正用パターンの同じライン上の位置にある複数画素の濃度を測定し、この測定された複数画素の濃度に基づいて、取得される。 - 特許庁
In addition, the pattern of each unit memory cell in the memory cell array region 1 and the pattern of the dummy cell in a piling region 2 are made equal to each other and both patterns have an axisymmetrical relation with respect to their boundary line BC2.例文帳に追加
加えて、メモリセルアレイ領域1の1メモリセル単位のメモリセルのパターンと杭打ち領域2のダミーセルのパターンとは同一で、かつ両者のパターンは境界線BC2に対してに線対称な関係を呈している。 - 特許庁
To provide a printer capable of coping with the case in which a gradation vector is horizontal or vertical to a scanning line, easily generating a gradation pattern, and printing the gradation pattern at a high speed.例文帳に追加
本発明は、グラデーション・ベクトルが走査線に対して水平、又は垂直の場合にも対応でき、グラデーションパターンの生成を容易に行い、グラデーションパターンの印刷を高速に行う印刷装置を提供するものである。 - 特許庁
To obtain the resolution sufficiently coping with the fining tendency in the case of exposing a pattern by using extreme ultraviolet light, and to avoid defects such as a difference from line width and positional deviation of the pattern.例文帳に追加
極短紫外光を用いて露光を行う場合に、微細化の進展に十分に対応可能な解像性を得られるようにし、さらには線幅の相違やパターンの位置ずれ等といった不具合を招かないようにする。 - 特許庁
A contact brought into contact with an electrode on a semiconductor device 200 is provided on a film substrate 70 and a line pattern on the film substrate 70 and a wiring pattern on a side of a tester board 101 are directly connected by pressure welding.例文帳に追加
半導体デバイス200の電極と接触させる接触子をフィルム基板70上に設け、フィルム基板70の線路パターンとテスタボード101側の配線パターンとを圧接により直接接続する。 - 特許庁
The first terminal electrode 17 is connected to a feeding line formed on the printed board 20 and connected to a ground pattern formed on the printed board 20 through an inductance pattern formed on the printed board 20.例文帳に追加
第1の端子電極17は、プリント基板20上に形成された給電ラインに接続されると共に、プリント基板20上に形成されたインダクタンスパターンを介してプリント基板上のグランドパターンに接続されている。 - 特許庁
To provide a patterning process without causing a deformation of a resist pattern and an increase in LWR (line width roughness) in forming a silicon oxide film on a photoresist pattern, in a sidewall spacer method.例文帳に追加
側壁スペーサー法において、フォトレジストパターン上に珪素酸化膜を形成したときのフォトレジストパターンの変形やLWRの増大を防ぐことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a resist composition superior in line width roughness, and further in resolution and defocusing latitude in contact hole pattern formation and superior in exposure margin, and to provide a pattern forming method using it.例文帳に追加
ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
On a polysilicon film 4 on a semiconductor substrate 1, a resist pattern 5a of a line shape is formed in a memory cell region S, and a dummy resist pattern 5b is formed on a region P excepting the memory cell region S.例文帳に追加
半導体基板1上のポリシリコン膜4上において、メモリセル領域Sではライン状のレジストパターン5aが形成され、メモリセル領域S以外の領域Pではダミーのレジストパターン5bが形成される。 - 特許庁
To prevent wiring from being reduced in reliability and manufacturing yield due to it that a wiring pattern, which is formed resting on single minimum line width data in the formation of a wiring mask pattern, is used in a semiconductor device or the like.例文帳に追加
配線マスクパターン発生において、単一最小線幅データで発生させた配線パターンを半導体装置等で使用することに起因する配線の信頼性低下や製造歩留り低下を抑制する。 - 特許庁
The game board 501 is provided with a segment display part 10 and a surface light emitting part 18, and three special pattern display parts 551 are disposed in a line as a display unit (a display device 11) displaying a single pattern.例文帳に追加
遊技盤501には、セグメント表示部10と面発光部18とを備え1つの図柄を表示する表示ユニット(表示装置11)として特別図柄表示部551が3個一列状に配置されている。 - 特許庁
The dielectric substrate 25 for the antenna and the ground pattern 22 are set up together, and the distance between the ground pattern 22 and the side margin portion is increased continuously and in a saturated manner, as it separates farther from a straight line, passing through a load-dispatching position of the planar element 21.例文帳に追加
アンテナ用誘電体基板25とグランドパターン22とは併置され、グランドパターン22と側縁部との距離は、平面エレメント21の給電位置を通る直線から離れるに従い、連続的且つ飽和的に増加する。 - 特許庁
An image sensor controlling part makes an image sensor read each end part 71a of each line pattern 71 at a charge storage time T2 and a partial pattern 71b except each end part 71a at a charge storage time T1.例文帳に追加
画像センサ制御部は、画像センサに、電荷蓄積時間T2において各ラインパターン71の各端部71aを、電荷蓄積時間T1において各端部71aを除く部分パターン71bをそれぞれ読み取らせる。 - 特許庁
To enable to carry out proper light distribution control of a light distribution pattern even if there is some variation in arrangement of a plurality of light-emitting parts, and enable to obtain a cutoff line with a clear light distribution pattern.例文帳に追加
複数個の発光部の配列において多少のばらつきがあっても、配光パターンの適正な配光制御を行うことができ、かつ、配光パターンの明瞭なカットオフラインを得ることができることが重要である。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a resist composition, restraining the occurrence of a defect in a resist pattern after development, especially fine scum and micro-bridge and having small line edge roughness, and to provide a resist composition and a pattern forming method using the same.例文帳に追加
現像後のレジストパターンのディフェクト、特に微細なスカムやマイクロブリッジの発生を抑制でき、またラインエッジラフネスの小さいレジスト組成物の製造方法、レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁
The position of a dark line 120 which occurs at a boundary K1 of each area differed in surface roughness of the gradation blast pattern 100 is matched to the position of a boundary K2 with higher contrast on the pattern 110.例文帳に追加
そして、グラデーションブラストパターン100の表面粗さが互いに異なる各領域の境界K1に発生する暗線120と、図柄110上のより高いコントラストの境界K2との位置を合わせる。 - 特許庁
To provide a method for forming a pattern for fabricating a semiconductor elements without requiring an exposure process where misalignment takes places as the design rule becomes fine and the minimum line width of a pattern decreases.例文帳に追加
デザインルールが微細になりパターンの最小線幅が減少するにつれてミスアラインメント発生しやすくなる露光工程を行うことなく、半導体素子を製造するためのパターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁
The camouflage pattern P of the dial 5 is formed into one piece with the line pattern of the solar cell as a whole, gives a camouflage effect in a harmony, and operates so that it does not make every body feel the presence of the solar cell 7.例文帳に追加
文字板5のカムフラージュパターンPは太陽電池の筋目模様と全体的に一体化し、1つのまとまりのある調和したカムフラージュ効果を与え、太陽電池7の存在を感じさせない作用をする。 - 特許庁
Since the two pieces of light distribution patterns P1 (P2) are symmetrically synthesized as for this light distribution pattern P, it has a high light intensity zone at the center part, and becomes to have a long light distribution pattern in the right and left on the horizontal line HL-HR.例文帳に追加
この配光パターンPは、2個の配光パターンP1(P2)を対称に合成したので、中央部に高光度帯を有しかつ水平線HL−HR上に左右に長い配光パターンPとなる。 - 特許庁
The pitch pattern deciding part 202 corrects a point pitch pattern by using a value proportional to the component exceeding a pitch inclination straight line passing through a point pitch positioned at the head of the words and a point pitch at the end of the words.例文帳に追加
ピッチパタン決定部202は、単語先頭に位置する点ピッチと単語終端に位置する点ピッチとを直線で結んだピッチ傾斜線を超える成分に比例した値を用いて点ピッチパタンを修正する。 - 特許庁
To provide a method for forming a resist pattern by which a high- density resist pattern the line width of which can be controlled excellently on the surface of a wafer and between wafers can be formed, a semiconductor manufacturing apparatus a semiconductor device, and a portable information terminal.例文帳に追加
ウェハ面内,ウェハ間の線幅制御性の良好な高密度レジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法および半導体製造装置および半導体装置および携帯情報端末を提供する。 - 特許庁
When the film pack is manufactured, the flap 14 adheres to a discharge port in a specified adhering pattern with the hotmelt by a melting iron on which the protrusion of a fixed pattern is formed in a line, so that an adhering part 14b is formed.例文帳に追加
遮光フラップ14は、フイルムパック1の製造時に、一定パターンの突起が並んだ溶融コテにより、一定の接着パターンで排出口7aにホットメルト接着され、接着部14bが形成される。 - 特許庁
To provide a noise filter circuit for a switching power source in which the width of a conductor pattern can be made small and the conductor pattern can be prevented from being burnt when a line bypass capacitor short-circuits.例文帳に追加
この発明は、導体パターンの幅を小さくでき、しかもラインバイパスコンデンサが短絡した場合において、導体パターンが焼損しないようにできるスイッチング電源用のノイズフィルタ回路を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a device which vividly illuminates and displays drawings disposed in close contact with a rear surface of a light guide plate, freely selectively without a striped pattern, a narrow line pattern, or the like by a light source on a side face in a front light system.例文帳に追加
フロントライト方式で、側面の光源からその導光板でこの背面に密着配設された図画を選択自由に縞模様、細線模様等なしで鮮明に照明表示する装置を提供する。 - 特許庁
A line-shapes semiconductor pattern 104 extending in the first direction is formed at a lower part of the conductive layer pattern 122 by etching the substrate 100 at a portion which is exposed due to the patterning of the conductive layer 120.例文帳に追加
導電層120をパターニングするとき露出する半導体用基板100をエッチングして導電層パターン120の下部に第1方向に延長する線形の半導体パターン104を形成する。 - 特許庁
To provide a polymer for a photoresist having high transmittance, etching resistance, thermal resistance, adhesiveness and low light absorbance, and high affinity for a developer in order to obtain a pattern improved of LFR (line edge roughness), and to provide a photoresist composition including the polymer, and a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加
LERが改善されたパターンを得るため透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度の高いフォトレジスト用重合体を提供する。 - 特許庁
A conductor pattern 23m of the ground layer 23 has stubs 23m-st1 to 23m-st4 formed at respective input/output-side end parts of a signal line 22a provided on the wiring layer 22 and connected to a ground pattern 25 by via holes 24-v of the insulating layer 24.例文帳に追加
接地層23の導体パターン23mには、配線層22に設けた信号線路22aの入出力側の各端部にスタブ23m-st1〜23m-st4を形成し、絶縁層24のビア24-vで接地パターン25と接続する。 - 特許庁
When the cover body 28b is in a closing state (lower Fig.), a pattern display area not covered by the cover member 28a and the cover body 28b is an effective display area 29 displaying a pattern arranged on a winning line.例文帳に追加
カバー体28bが閉状態である場合(図4の上図)にはカバー部材28aとカバー体28bとで覆われない図柄表示領域が入賞ライン上に揃う図柄を表示する有効表示領域29となる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a printed-circuit substrate which can easily make line-up of members when a protruded circuit pattern of imprinting mold is pressed into the insulating substrate to form a corresponding recessed pattern.例文帳に追加
インプリンティングモールドの凸状回路パターンを絶縁基板に圧入して対応する凹状パターンを絶縁基板に形成する際、これら部材の整列を容易化できる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide copper foil which has a high etching factor, has the excellent straightness of the bottom line of a circuit pattern, leaves no copper grains in circuit pattern resin, can produce a fine pattern, has excellent visibility, and has a reduced high frequency transmission loss, and to provide a production method therefor.例文帳に追加
本発明は、高いエッチングファクターを持ち、回路パターンのボトムラインの直線性に優れ、なおかつ回路パターンの樹脂中に銅粒子が残ることなく、ファインパターンが作製でき、視認性に優れ、高周波伝送ロスの少ない銅箔並びにその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a pattern forming method excellent in line width variation (LWR), focus latitude (DOF) and pattern profile to more stably form a high-precision fine pattern for producing a highly integrated high-precision electronic device, and to provide a resist composition and a resist film suitable for the method.例文帳に追加
高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、フォーカス余裕度(DOF)及びパターン形状に優れるパターン形成方法、並びにこれに好適なレジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁
The repair method for the paste pattern is implemented by the dot coating system which drips a paste droplet on the repair section, thereby obtaining the effect that the internal area of the paste pattern into which an accurate amount of liquid crystal is injected can be secured by keeping the line width of the paste pattern constant.例文帳に追加
本発明に係るペーストパターンのリペア方法は、リペア区間にペースト液滴を滴下する点形塗布方式により行われるので、ペーストパターンの線幅を一定に維持して正確な量の液晶が注入されるペーストパターンの内部面積を確保することができるという効果がある。 - 特許庁
A reticle 11 as a photomask is provided with a mask pattern 12 relating to fabrication of elements on a semiconductor wafer as well as with an auxiliary pattern 13 to correct the line degeneration due to at least the influences of exposure, which effectively functions for the pattern resolution for microfabrication of elements.例文帳に追加
フォトマスクとしてのレチクル11において、半導体ウェハ上への素子形成に関するマスクパターン12と共に、少なくとも露光時の影響によるライン縮退を補正する補助パターン13が付加されており、微細な素子形成のためのパターン解像に有効に働く。 - 特許庁
The venous pattern authenticating device using the contactless IC card inputs the registration number of the venous pattern by using the IC card and stores venous pattern data on the contactless IC card, so that an off-line system can be structured without using any host computer.例文帳に追加
非接触ICカードを用いた静脈パターン認証装置により、静脈パターンの登録番号の入力を非接触ICカードを用いて行い、さらに静脈パターンデータを非接触ICカードにメモリーさせることによりホストコンピューターを用いることなく、オフラインシステムの構築が可能となる。 - 特許庁
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