「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(160ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes steps of: performing an RRC Connection procedure; and resetting or re-establishing a lower layer protocol entity for SRBs (Signalling Radio Bearers) when a cell re-selection occurs.例文帳に追加

方法は、ＲＲＣ接続プロセスを実行する段階と、セル再選択の発生時にＳＲＢ（シグナリング無線ベアラ）に対応する下位層プロトコルエンティティーをリセットか再確立する段階とを含む。 - 特許庁

The upper electrode of a transparent indium-tin oxide (ITO) is disposed on the Si-containing dielectric layer, and a photo band gap (PBG) Bragg reflector is disposed under the Si lower electrode.例文帳に追加

透明酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）上部電極がＳｉ含有誘電体層の上に配置されており、光バンドギャップ（ＰＢＧ）ブラッグ反射器がＳｉ下部電極の下に配置されている。 - 特許庁

After removing the external magnetic field, their entire are heat treated at a temperature higher than a blocking temperature of an AFM layer and lower than a Curie temperature of the first to third patterns 43A to 43 C.例文帳に追加

外部磁場を取り除いたのち、ＡＦＭ層のブロッキング温度よりも高く、かつ第１から第３のパターン４３Ａ〜４３Ｃのキュリー温度よりも低い温度で全体を熱処理する。 - 特許庁

A latent image erasing means 11 heats the layer 1b to lower the hydrophilicity of the hydrophilic region to the original level before light radiation and to erase the wet latent image.例文帳に追加

潜像消去手段１１は、光親水化層１ｂを加熱することにより親水性領域１８の親水性を光照射前の水準に戻し、濡れ潜像を消去する。 - 特許庁

To highly reproducibly manufacture with a high yield, a quartz optical waveguide device free from sinking or inclination of a core to a lower clad layer and having extremely low polarization dependency.例文帳に追加

コアの下部クラッド層への沈み込みや傾き等がなく、偏光依存性が極めて小さい石英系光導波路デバイスを再現性よく高歩留まりで作製することを目的とする。 - 特許庁

To provide a laminate substrate for shortening the time for forming with shortening of the time for adhering by using a thermoplastic resin fusing as an adhesive at a temperature lower than that of an insulating layer.例文帳に追加

接着剤として絶縁層よりも低温で溶融する熱可塑性樹脂を用い、接着時間の短縮に伴なって成形時間の短縮を図ったラミネート基板を提供する。 - 特許庁

The outer layer 3 comprises a water-soluble substance, e.g. the benzalkonium chloride or a substance having a molecular weight not lower than that, e.g. a polyethylene glycol and a soft or curing silicone resin.例文帳に追加

外層３は水溶性物質、たとえば塩化ベンザルコニウムまたはそれ以上の分子量を有する物質、たとえばポリエチレングリコールなどと、軟性または硬化形シリコーン樹脂とを含む。 - 特許庁

On the polycrystalline silicon film 30 on which the hemispherical swelling portion 31 is formed; an adhesive layer 32, a lower electrode 33, a ferroelectric film 34, and an upper electrode 35 are laminated in order.例文帳に追加

半球状の膨出部３１が形成された多結晶シリコン膜３０上に順次、密着層３２、下部電極３３、強誘電体膜３４及び上部電極３５を積層する。 - 特許庁

To provide a drawer-type resin-made housing case, provided with a coupling structure that enables easy and firm coupling of the upper and lower layer cases or adjacent cases.例文帳に追加

引き出しタイプの樹脂製収納ケースにおいて、上下積層ケースや、隣接ケースの連結を、簡単に操作でき且つ堅牢になされる連結構造を備えた収納ケースを提供する。 - 特許庁

A field plate electrode 14 is formed on a bottom side of a trench formed in the second semiconductor layer 12 so as to be embedded in a lower part of the trench via a first insulation film 13.例文帳に追加

フィールドプレート電極１４が第２半導体層１２に形成されたトレンチの底面側であって、第１絶縁膜１３を介してトレンチの下部を埋め込むように形成されている。 - 特許庁

(1) A method for forming a metal gettering layer by rubbing particulates having a concentration of copper of 10^14 (atoms cm^-3) or lower in sand particles into the ground surface of a thinned semiconductor wafer.例文帳に追加

[１] サンド粒子中の銅濃度が10^14 atoms・cm^-3以下の微粒子を、薄厚化した半導体ウェーハ研削面に擦り込むことで研削面に金属ゲッタリング層を形成する方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a piezoelectric element exhibiting excellent ferroelectric characteristics and piezoelectric characteristics in which the bonding strength of a lower electrode layer is enhanced while using a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を用いながら、強誘電特性および圧電特性に優れ、かつ下部電極層の接合強度が向上された、圧電素子を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The lower alignment layer 1132 is formed, not using a polyamide acid derived from PMDA (pyromellitic dianhydride) as a raw material but using a polyamide acid having a sulfonic acid group or carboxyl group as a precursor.例文帳に追加

下層配向膜１１３２は、ＰＭＤＡを原料とするポリアミド酸を前駆体として用いず、かつ、スルホン酸基またはカルボキシル基を含むポリアミド酸を前駆体として形成されている。 - 特許庁

A conductive intermediate layer 3 is provided between the ramp ride-over part 5 of an upper electrode 4 and a lower electrode 2 constituting a ramp edge joint employing an oxide superconductor.例文帳に追加

酸化物超伝導体を用いたランプエッジ接合を構成する上部電極４のランプ乗り越え部分５と下部電極２との間に、導電性の中間層３を設ける。 - 特許庁

Use of a ceramic interposer having such functions ensures an improvement of power supply capability to the upper layer semiconductor chip noise interference reduction between the upper and lower semiconductor chips.例文帳に追加

このような機能を有するセラミックインターポーザを利用することで、上層の半導体チップへの給電能力向上と上下の半導体チップ間のノイズ干渉低減を実現する。 - 特許庁

To provide a pn-junction compound semiconductor light emitting diode including a p-type boron-phosphide-based semiconductor layer by which an LED with a lower forward voltage is stably provided.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層を備えてなるｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、順方向電圧の低いＬＥＤを安定して提供できる様にする。 - 特許庁

The terminal devices are logically connected in a multilayer in a hierarchy structure on a network having a log management server at a top and receives log data from other terminal devices logically connected to a lower layer.例文帳に追加

端末装置は、ログ管理サーバを頂点としてネットワーク上において階層構造で多層に論理接続し、下層に論理接続されている他の端末装置からログデータを受信する。 - 特許庁

A planar common electrode (not shown in Fig.) is formed through an insulating film in the lower layer of a pixel electrode 110 having an interdigital electrode and having a laterally-extending trapezoidal profile.例文帳に追加

櫛歯状の電極を有し、外形が横向きの台形である画素電極１１０の下層には絶縁膜を介して図示しない面状の共通電極が形成されている。 - 特許庁

To improve the brightness of steel-made parts when a nitrogen-rich layer is formed in primary heat treatment and quenching is applied in secondary heat treatment, at the lower temperature than the heating temperature in the primary heat treatment.例文帳に追加

一次熱処理で窒素富化層を形成し、二次熱処理で一次熱処理での加熱温度よりも低温で焼入れするにあたり、鋼製部品の光輝性を向上させる。 - 特許庁

In addition, since the Mo has a low contact resistance to the carbon nanotube 6, the good carbon nanotube 6 can be formed by securing a low-resistance connection with the lower-layer Cu wiring 1.例文帳に追加

さらに、Ｍｏはカーボンナノチューブ６との間の接触抵抗が低いため、下層Ｃｕ配線１との低抵抗接続を確保しつつ、良好なカーボンナノチューブ６を形成することができる。 - 特許庁

Photoresist layers are formed on the upper surface and lower surface of the substrate, and a periodic grating formed by interference of two laser beams is used for exposing the photoresist layer of the upper surface.例文帳に追加

フォトレジスト層を基板の上表面および下表面に形成し、２つのレーザービームの干渉により形成される周期性格子を上表面のフォトレジスト層を露光することに用いる。 - 特許庁

After removing the sacrifice layer 105, a substrate 101 formed with a lower electrode 141 and an upper electrode structure 171 is arranged in hydrogen fluoride gas for a prescribed time.例文帳に追加

犠牲層１０５を除去した後、下部電極１４１および上部電極構造体１７１が形成されている基板１０１を、フッ化水素ガス中に所定の時間配置する。 - 特許庁

When an application element is designated, locations of customized items corresponding to the application element and application elements being in the lower layer of the application element are retrieved from the database.例文帳に追加

そして、業務要素が指定されると、その業務要素及びその業務要素の下層にある業務要素に対応するカスタマイズ項目の所在がそのデータベースから検索される。 - 特許庁

The width of the scanning electrode 17 is set up so as to cover the upper part of the plural of upper data electrodes 14 arranged on the lower layer data electrodes 12 of each groups GA, GB, and GC.例文帳に追加

走査電極１７の幅は各グループＧＡ，ＧＢ，ＧＣの下層データ電極１２上に配置された複数の上層データ電極１４の上方を覆うように設定される。 - 特許庁

The area of low emissivity can be formed by mounting a radial-direction control plate, or forming a coating layer having the emissivity lower than that of the inner wall material of the furnace.例文帳に追加

低い放射率を有する領域は、放射方向制御板を配設または炉の内壁材の放射率より低い放射率を有する塗料層を被成することにより、形成できる。 - 特許庁

A pair of opposed comb-type electrodes 13 and 14 are formed on the thin film thermistor, and the thin film capacitor has a lower electrode 17, a dielectric layer 18 and an upper electrode 19.例文帳に追加

薄膜サーミスタ上に相対向する一対の櫛型電極１３，１４が形成され、薄膜コンデンサが下部電極１７と誘電体層１８と上部電極１９を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor memory element comprises a switching element and the storage node connected to the switching element while the storage node has the lower electrode, the data storage layer, and the upper electrode.例文帳に追加

下部電極と、前記下部電極上に形成された一つの照射されたデータ保存層と、前記データ保存層上に形成された上部電極と、を含むストレージノードである。 - 特許庁

A surface-emitting laser element includes: a resonator structure including an active layer 105, and a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107 which are disposed through the resonator structure.例文帳に追加

活性層１０５を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３と上部半導体ＤＢＲ１０７を備えている。 - 特許庁

To ash a resist film without deteriorating an organic low dielectric film and without reducing processing speed even if the organic low dielectric film exists as the lower layer of the resist film.例文帳に追加

有機系低誘電体膜がレジスト膜の下層として存在する場合でも、有機系低誘電体膜の劣化を招くことなく、しかも処理速度を低下させずにレジスト膜をアッシングする。 - 特許庁

To provide an exhaust gas purifying catalyst which controls migration of rhodium(Rh) to a lower layer and sintering and exerts high NO_x purifying performance over a wide temperature range including high-temperature ranges.例文帳に追加

ロジウム（Ｒｈ）の下層への移動及びシンタリングが抑制され、高温域を含めた広範な温度領域にわたって高いＮＯ_ｘ浄化性能を有する排ガス浄化触媒を提供する。 - 特許庁

In the resonator 3, a piezoelectric layer 32 is formed cylindrically, and the respective lower and upper electrodes 31, 33 are formed into a coil-spring shape (conical-coil shaped) of spring shape.例文帳に追加

共振子３は、圧電層３２が円柱状に形成され、下部電極３１および上部電極３３それぞれが、コイルばね状（円錐コイルばね状）のばね形状に形成されている。 - 特許庁

The stepped floor slab structure (10) includes a pair of upper and lower precast concrete plates (12, 14) which are arranged stepwise, and a layer (16) formed of concrete placed on both the precast concrete plates.例文帳に追加

段差付き床スラブ（１０）は、段違いに配置された上下一対のプレキャストコンクリート板（１２，１４）と、両プレキャストコンクリート板上に打設されたコンクリートからなる層（１６）とを含む。 - 特許庁

To provide the transistor of a semiconductor element for which an oxygen ion implantation layer is formed at the lower part of an LDD region, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、ＬＤＤ領域の下部に酸素イオン注入層が形成された半導体素子のトランジスタ及びその製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

Holding capacitance increases by an amount of the additional capacitor C2 as compared with a conventional capacitor simply having a dielectric layer sandwiched between the upper and lower electrode layers.例文帳に追加

下部電極層と上部電極層との間に誘電絶縁層が配設された構成のみを有する従来のキャパシタと比較して、追加のキャパシタＣ２の分だけ保持容量が増加する。 - 特許庁

A lower wiring layer A is composed of a first titanium film 102, a first titanium nitride film 103, a first Al-Cu film 104, a second titanium film 105, and a second titanium nitride film 106.例文帳に追加

下層配線Ａは、第１のチタニウム膜１０２、第１の窒化チタン膜１０３、第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４、第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６からなる。 - 特許庁

To control ion in a semiconductor device with the SOI structure such that, when implanting ion, it does not penetrate an isolation oxide film to mix into the lower layer of the isolation oxide film.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、イオン注入時にイオンが分離酸化膜を突き抜けて、分離酸化膜下層に混入するのを抑えることができるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate and a ferroelectric layer 3 provided on the semiconductor substrate and sandwiched between a lower electrode 1 and an upper electrode 5.例文帳に追加

半導体基板、および、前記半導体基板上に設けられ、下部電極１と上部電極５とによって挟持された強誘電体層３を具備する半導体装置である。 - 特許庁

The upper electrode power feed line 16 is formed on the lower layer of the upper electrodes 13, and the upper electrodes 13 are surely connected to the upper electrode power feed line 16 on connection electrodes 15.例文帳に追加

上部電極１３の下層に上部電極給電線１６が形成され、上部電極１３は接続電極１５で上部電極給電線１６に確実に接続される。 - 特許庁

Further a cushioning section 16 formed of a high-hardness second rubber member, which is formed in one body with the first rubber member, is arranged on a lower side of the bottom plate cored bar 12 under the shear rubber layer 132.例文帳に追加

剪断ゴム層１３２において、底板芯金１２の下側には、第１のゴム部材と一体的に成形される高硬度の第２のゴム部材からなる緩衝部１６が設けられる。 - 特許庁

A low-temperature tank 15 and a high-temperature vessel 16 are installed in parallel via an insulating layer 17 in a lower part of a device main body 14 of the liquid tank type thermal shock testing device 13.例文帳に追加

液槽式冷熱衝撃試験装置１３の装置本体１４の下方に低温槽１５及び高温槽１６が断熱層１７を介して並列状態に設置されている。 - 特許庁

An external terminal plate is protruded from the other end of the mainbody 2 and a metal layer electrically connected to the proximity sensor 22 is laminated on the lower face of the external terminal plate.例文帳に追加

一方、本体２の他端縁には、外部端子板４が突設されており、外部端子板４の下面には、近接センサ２２と電気的に繋がった金属層５ａ，５ｂが積層されている。 - 特許庁

To provide a magnetooptical spatial light modulator, in which use of a reactive metal for improving adhesiveness is unnecessary, limiting a film-forming area of a piezoelectric element layer is unnecessary, and peeling of a lower electrode is prevented.例文帳に追加

密着性向上のために反応性金属を使用する必要がなく、且つ圧電素子層の成膜面積を制限する必要もなく、下部電極の剥離が生じないようにする。 - 特許庁

To provide a photoreceptor which permits the control of the sensitivity to exposure light to a desired value without entailing the deterioration of images accompanying the increase of a residual potential and the lower resistance of a photosensitive layer.例文帳に追加

残留電位の上昇や、感光層の低抵抗化に伴う画像劣化を招くことなく、露光光に対する感度を、所望の値にコントロール可能な感光体を提供する。 - 特許庁

Here, by accumulating charges in traps, existing between each nitride film 12, 14, 16 and its lower layer, and each of the oxide films 11, 13, 15, 17, information of four values ("00", "01", "10", "11") is stored.例文帳に追加

ここで、各窒化膜１２，１４，１６とその下層の各酸化膜１１，１３，１５，１７との間に存するトラップに電荷を蓄積することで、４値（"００"，"０１"，"１０"，"１１"）の情報が記憶される。 - 特許庁

The percentage of the area of a juncture interface 15 present in the surface layer 12 is 50% or higher to 100% or lower in terms of a plane projected on one surface of the plate member.例文帳に追加

接合界面１５が表面層１２内に存在する面積割合は、板状部材の一方表面への投影平面に換算して５０％以上１００％以下である。 - 特許庁