「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(163ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, propagation of the defect to a P^+ diamond semiconductor layer 11 and a P^- diamond semiconductor layer 12 is suppressed, so hillock density and abnormal particle density can be made low and generation of a leakage current can be deterred at a level lower than the level of a Schottky barrier.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋ダイヤモンド半導体層１１及びＰ^−ダイヤモンド半導体層１２への欠陥の伝播が抑制されるので、ヒロック密度や異常粒子密度を低くでき、ショットキー障壁のレベルよりも低いレベルでのリーク電流の発生を抑止できる。 - 特許庁

A capacitor C11 and capacitors C13 and C14 are embedded in the insulating connecting members 18 in the lower face of the core insulating layer L12 of the block B11 and the upper face of he core insulting layer L13 of the block B12 immediately below and above the semiconductor parts 12a.例文帳に追加

半導体部品１２ａの真下及び真上のブロックＢ１１のコア絶縁層Ｌ１２下面及びブロックＢ１２のコア絶縁層Ｌ１３上面に、コンデンサＣ１１及びコンデンサＣ１３、Ｃ１４が共に絶縁性接合材１８に埋め込まれて形成されている。 - 特許庁

For a hybrid integrated circuit, the connection of fixed potential of the earth or the like of each integrated circuit chip 106 is performed through a through connection 110 made in a through hole piercing a lower insulating layer 102, an interlayer insulating layer 104, and a through hole 110.例文帳に追加

各集積回路チップ１０６の接地などの固定電位の接続を、下部絶縁層１０２および層間絶縁層１０４を貫通するスルーホール内に形成された貫通接続部１１０を介し、そしてアイランド１０１ａを介して行うようにした。 - 特許庁

To provide an elastic body for supporting an axle box interposed between the axle box and a coil spring as a device capable of avoiding inconvenience such as peeling, cracking, etc. of a rubber layer caused by a compressive load even in a lower flange-less structure made of an upper flange and the rubber layer.例文帳に追加

軸箱とコイルバネとの間に介装される軸箱支持用弾性体が、上フランジとゴム層とで成る下フランジレス構造のものでも、圧縮荷重に起因してゴム層の剥離や亀裂等の不都合が回避され、良好に機能できるものとして提供する。 - 特許庁

An air supply hose 50 arranged in a lattice shape and T-shaped joints 54 provided at connection parts each positioned at a corner of each lattice of the air supply hose 50 are disposed in a planar shape between opposing surfaces of a lower-layer mat 20 and an intermediate-layer mat 30.例文帳に追加

下層マット２０と中層マット３０との対向面間に、格子状に配索されたエアー供給ホース５０と、エアー供給ホース５０の各格子の角となる接続部分に設けられたＴ字状のジョイント５４とを平面状に配置している。 - 特許庁

The card-shaped medium has a structure wherein block-shaped or layer-shaped fluorescent glass or a member having the powder of the fluorescent glass mixed in is provided on the upper, lower or lateral side of a layer- shaped or small-piece-shaped optical change element.例文帳に追加

層状若しくは小片状の光学変化素子の上側若しくは下側又は側面にブロック形状若しくは層状の蛍光ガラス若しくは蛍光ガラスの粉体が混入された蛍光ガラス混入部材を配設した構造のカード状媒体である。 - 特許庁

Moreover, after a secondary slit 29 is formed to the large size substrate 12A and each single chip body 30 is isolated from the supporting board 25 by cleaning the protection layers 23, 24, a plating layer 22 is formed to the lower electrode layer 19 of the single chip body 30 to obtain a completed chip resistor 11.例文帳に追加

そして、大判基板１２Ａに二次スリット２９を形成し、保護層２３，２４を洗浄して各チップ単体３０を支持台２５から剥離した後、チップ単体３０の下地電極層１９にめっき層２２を形成してチップ抵抗器１１の完成品を得る。 - 特許庁

A pressure shutoff mechanism 23 retaining the thickness of the lubricant layer 24 is provided in the whole periphery of the upper end, the lower end, and the middle to form a plurality of lubricant layer chambers 25 in the immersion direction, in which the lubricant is pressurized in respectively different pressures.例文帳に追加

また、ケーソン躯体外表面の上端部、下端部、中間部に、潤滑剤層２４の厚さを保持する圧力遮断機構２３を全周に設けて沈設方向に複数個の潤滑剤層室２５を形成し、各潤滑剤層室で異なる圧力で加圧する。 - 特許庁

Consequently, the occurrence of leak caused by BPD can be suppressed at a PN junction formed between an n-type drift layer 2 and the lower layer portion 3a of a p-type base region 3, i.e. a PN junction requiring a high voltage holding function.例文帳に追加

これにより、ｎ型ドリフト層２とｐ型ベース領域３の下層部３ａとの間に形成されるＰＮ接合部、つまり高電圧を保持する機能が要求されるＰＮ接合部において、ＢＰＤ起因のリークが発生することを抑制することが可能となる。 - 特許庁

The acrylic laminated film is constituted of a first layer comprising an acrylic material (A) containing 50 wt.% or above of a methacrylic resin and a second layer comprising an acrylic material (B) containing acrylic rubber particles and having a Vicat softening temperature lower than that of the acrylic material (A) at least by 5°C.例文帳に追加

メタクリル樹脂を５０重量％以上含有するアクリル材料（Ａ）からなる第１層と、アクリルゴム粒子を含有し、アクリル材料（Ａ）よりビカット軟化温度が少なくとも５℃低いアクリル材料（Ｂ）からなる第２層とから、アクリル積層フィルムを構成する。 - 特許庁

To provide down-sizing of a device and simplification of a manufacturing process by continuously film-forming with an identical mask in formation of total five layers from a lower electrode current collector layer to an upper electrode current collector layer in the manufacturing process of a thin film solid lithium secondary battery.例文帳に追加

薄膜固体リチウム二次電池製造工程中の、下部電極集電体層から上部電極集電体層までの計５層の形成において、同一マスクで連続的に成膜することにより、装置の小型化及び製造工程の簡素化を提供する。 - 特許庁

The n-type compound semiconductor layer 16 of either one of the light-emitting chips which are adjacent to each other and the p-type compound semiconductor layer 18 of the other light-emitting chip 13 are electrically connected to each other in series through upper surface wiring 15, vertical wiring 14 and the lower surface wiring 12.例文帳に追加

そして、互いに隣接する発光チップ１３の一方のｎ型化合物半導体層１６と他方のｐ型化合物半導体層１８とを、上面配線１５,上下配線１４及び下面配線１２を介して、電気的に直列に接続する。 - 特許庁

Then the plate portions 12 of the connection fittings 1a, 1b are fitted into slits formed in end faces of the columns 3, 4, respectively, and the pipe portions 13 are fitted into respective mortises 51 formed in the beam 5, whereby the upper-layer column 3 and the lower-layer column 4 are connected together via the two connection fittings 1a, 1b.例文帳に追加

柱３，４の端部のスリットに接合金物１ａ，１ｂのプレート部１２が嵌入され、梁５のほぞ孔５１にパイプ部１３が嵌入されて上層部の柱３と下層部の柱４とを２個の接合金物１ａ，１ｂを介して接合する。 - 特許庁

In the positive temperature coefficient thermistor element 10, a gap from the periphery of a silver metallized layer 34 to that of a nickel plate layer 32 can be uniquely determined by the height H1 of a standing wall 20 which can be formed uniformly using a mold and the width W1 of the lower end face 22 of the standing wall 20.例文帳に追加

正特性サーミスタ素子１０は、銀メタライズ層３４の外周からニッケルめっき層３２の外周までのギャップが、型を用いて均一に形成できる立壁２０の高さＨ１及び下端面２２の幅Ｗ１により一義的に決めることができる。 - 特許庁

Moreover, after a secondary slit 29 is formed to the large size substrate 11A and each single chip body 30 is isolated from the supporting board 25 by cleaning the protection layers 23, 24, a plating layer 22 is formed to the lower electrode layer of the single chip body 30 in order to obtain a completed chip resistor 50.例文帳に追加

そして、大判基板１１Ａに二次スリット２９を形成し、保護層２３，２４を洗浄して各チップ単体３０を支持台２５から剥離した後、チップ単体３０の下地電極層にめっき層２２を形成してチップ抵抗器５０の完成品を得る。 - 特許庁

In this case, the layer 2 has a laminated structure including an upper insulating film 22 and a lower insulating film 21, and the film 22 which is in contact with the layer 3 is made of a material, having substantially the same lattice constant as that of single-crystal silicon, CaF2, for example.例文帳に追加

この場合、下地層２を上層絶縁膜２２と下層絶縁膜２１の積層構造とし、シリコン層３に接する上層絶縁膜２２として、単結晶シリコンの格子定数と略同一の格子定数をもつ材質、例えば、ＣａＦ_２を用いる。 - 特許庁

In the semiconductor device, at least one of the plurality of electric elements could contain a metal that is to be silicided and the lower-layer protection insulation film could serve to prevent a contact between the metal contained in the electric element and the silicon contained in the upper-layer protection insulation film.例文帳に追加

上記半導体装置において、複数の電気素子要素の少なくとも一つは、シリサイド化される金属を含有でき、下層保護絶縁膜は、電気素子要素に含有される金属と上層保護絶縁膜に含有されるシリコンとの接触を阻害できる。 - 特許庁

Thus, since it is not necessary to reduce the impurity concentration of the drain layer 12 to secure a high withstand voltage unlike in a conventional device, the impurity concentration of the drain layer 12 can be made higher and the conducting resistance of the transistor 1 can be made lower than the conventional device.例文帳に追加

従って、従来のように高い耐圧を確保するために、ドレイン層１２の不純物濃度を低くする必要がないので、ドレイン層１２の不純物濃度を従来に比して高くすることができ、トランジスタ１の導通抵抗を小さくすることが可能になる。 - 特許庁

By the combined action between the specific surface treatment film as a lower layer film and the upper layer film obtained by blending the rust preventive additive and the specific solid lubricant to the solvent based organic resin, particularly excellent corrosion resistance both in a flat plate and after processing and adhesion joinability can be achieved.例文帳に追加

下層皮膜である特定の表面処理皮膜と、溶剤系有機樹脂に防錆添加剤と特定の固形潤滑剤を配合した上層皮膜との複合作用により、特に優れた平板および加工後の耐食性と接着接合性が得られる。 - 特許庁

An epitaxial layer 12 having an (000-1) off-face as a major surface is obtained by growing a silicon carbide layer epitaxially on the major surface of a silicon carbide substrate 11 having the (000-1) off face as the major surface (upper surface) and an (000-1) off face as a rear surface (lower surface).例文帳に追加

（ ０ ０ ０ −１ ）オフ面を主面（上面）として（ ０ ０ ０ １ ）オフ面を裏面（下面）とする炭化珪素基板１１の主面上に炭化珪素層をエピタキシャル成長させることにより、（ ０ ０ ０ −１ ）オフ面を主面とするエピタキシャル層１２を得る。 - 特許庁

This method for planting a cutting comprises the following process: charging a square pot 1 made from a biodegradable polymer with a medium 3 comprising vermiculite 3c for an intermediate layer, and rock wools 3a and 3b each for upper and lower layers, and thrusting a plant stem 7 down into the rock wool 3a for the upper layer so as to reach the vermiculite 3c.例文帳に追加

生分解性の高分子材料で形成される四角形のポット１内に中間層をバーミキュライト３ｃ、上下層をロックウール３ａ、３ｂとした培地３を入れ、植物の茎７を上層のロックウール３ａを通してバーミキュライト３ｃまで突き刺す。 - 特許庁

This roof module for the automobile has an internal shell molded out of a plastic foam material and is divided at the vicinity of a support part of the module to a body frame into an upper layer supportable to the body frame and a lower layer useful for adjustment to the line of the body frame.例文帳に追加

プラスチック発泡材から成型された内部シェルを持つ自動車用ルーフモジュールであり、本体枠組へのモジュールの支持部の近くで、本体枠組に支持できる上側層と本体枠組の線と合わせるのに役立つ下側層に分割されている。 - 特許庁

A semiconductor chip 16 is mounted on the dent 9, and a bonding wire 18 is connected between an electrode 17 of a semiconductor chip 16 and an outside conductive layer 10 and an inside conductive layer 11 of upper stage region and a lower stage region of the step part 20, respectively.例文帳に追加

窪み９に半導体チップ１６を搭載して、半導体チップ１６の電極１７と段部２０の上段領域及び下段領域それぞれの外側導電層１０及び内側導電層１１との間にボンディングワイヤ１８を接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose wiring capacitance can be reduced effectively, by excluding a stopper film of an SiON film, and by forming its wiring layer in a portion separated, e.g. by 20 nm or more, from its lower-layer insulation film having a high dielectric constant.例文帳に追加

ＳｉＯＮなどのストッパー膜を使用しない構造であって、しかも、例えば、下層の比誘電率の高い絶縁膜から20ｎｍ以上、離れた部分に配線層を構成することにより、配線間容量低減を有効に達成できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A TiN film is formed through a PVD method where a Ti reactive sputtering is carried out in a nitrogen atmosphere, and the TiN film is high in density and impurity to protect the TiN-type layer 102 of lower density against fluorine contamination while a W metal layer is deposited through a CVD method.例文帳に追加

窒素雰囲気内でのＴｉ反応性スパッタリングによって作られたＰＶＤによるＴｉＮ被膜は、高い密度及び純度を持ち、ＣＶＤによるタングステン・デポジッションの間、弗素汚染に対して密度が一層低いＴｉＮ形層を保護する。 - 特許庁

The entire balloon, in which a material forming at least one outer layer is constituted of a resin whose melting point is lower than that of a material forming a base material layer, is covered with knitted or coiled fibers and the fibers are fixed or integrated on a balloon surface.例文帳に追加

少なくとも１つの外層を形成する材質が基材層を形成する材質よりも融点が低い樹脂によって構成されたバルーン全体を、ファイバーで編組またはコイル状に覆い、そのファイバーをバルーン表面に固着または一体化させること。 - 特許庁

In this method for operating the open showcase cooling the inside of a display chamber 4 by a two-layer air curtain, air distribution from an inner layer fan 8 is controlled to be lower in a time zone with a load on the showcase 1 reduced, acquired from predetermined season information and time information.例文帳に追加

二層エアカーテンによって陳列室４内を冷却するオープンショーケースの運転方法において、あらかじめ設定された季節情報及び時間情報から得られるショーケース１の負荷が低くなる時間帯に、内層ファン８の送風量を低く制御する。 - 特許庁

In this case, when fine transparent anodized oxide films 8 with thin nearly biconvex lens shapes are formed on the upper surface of the reflection layer 7, the recessing parts 9 with shapes corresponding to the lower surfaces of the anodized oxide films 8 are uniformly formed on the upper surface of the reflection layer 7.例文帳に追加

この場合、反射層７の上面に微細で透明なほぼ薄い両凸レンズ状の陽極酸化膜８を形成すると、陽極酸化膜８下の反射層７の上面に陽極酸化膜８の下面に応じた形状の凹部９が均一に形成される。 - 特許庁

To provide a resist pattern causing no intermixing on an interface between an upper resist layer and a lower resist layer and thereby, having a favorable profile, and to provide a method for forming a resist pattern, and a method for patterning a thin film using the resist pattern, and a method for manufacturing a thin film magnetic head.例文帳に追加

上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of forming metal thin layers on the inner wall of a capacitor hole and the inner wall of a contact hole, forming the lower part electrode of a polysilicon capacitor inscribed with the metal thin layer in the capacitor hole, and forming the connecting plug of the polysilicon inscribed with the metal thin layer in the contact hole.例文帳に追加

キャパシタホールの内壁とコンタクトホールの内壁にメタル薄層を形成し、キャパシタホール内にこのメタル薄層に内接するポリシリコンのキャパシタ下部電極を形成し、併せて、コンタクトホール内にメタル薄層に内接するポリシリコンの接続プラグを形成する。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fourth word line conductive layers 32a-32d on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction separating from the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸から離れる方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

To prevent increase of conduction resistance by restraining spreading of an upper surface solder layer for mounting a semiconductor laser element such as a pump LD of high output and a lower surface solder layer for jointing a submount to an external device such as a base.例文帳に追加

高出力のポンプＬＤ等の半導体レーザ素子を搭載するための上面半田層、およびサブマウントを台座等の外部装置に接合するための下面半田層の濡れ広がりを抑えることにより、導通抵抗の増大を防ぐことのできるものとすること。 - 特許庁

An antifreezing solution layer 16 is formed outside an inside surface wall 14 of a pure water layer 15 for storing pure water; and an antifreezing solution which has a solidification point lower than the lowest temperature of a use environment and in which the more the temperature drops, the more its density increases is stored in the solution tank 16.例文帳に追加

純水が収容される純水層１５の内側面壁１４の外側に不凍液層１６を設け、この不凍液層１６に使用環境最低温度より凝固点が低く、且つ、低温になればなるほど密度が増加する不凍液を収容した。 - 特許庁

To prevent peeling and cracking of an antireflection film at the end face of a harmonics generating element which is structured to hold a wavelength conversion layer between upper and lower substrates with an organic resin adhesive, and to prevent combustive destruction of an adhesive layer near the end face of the element.例文帳に追加

波長変換層を有機樹脂接着剤によって上下の基板間に挟んだ構造の高調波発生素子において、素子の端面における反射防止膜の剥離やクラックを防止し、かつ素子の端面近傍での接着層の燃焼破壊を防止する。 - 特許庁

The flexible wire grid polarizer is completed by forming metal grid patterns (235, 236) having a fixed period is formed by etching the thin metal layer and by dicing the whole of the wafer and by separating the lower substrates (237, 238) including the non-adhesive layer from the diced wafer.例文帳に追加

金属薄膜をエッチングして一定の周期を持つ金属格子パターンを形成し（２３５、２３６）、 ウェハ全体をダイシングして、前記ダイシングされたウェハから前記非接着層が形成された下部基板を分離して（２３７、２３８）、フレキシブルワイヤーグリッド偏光子を完成する。 - 特許庁

To provide a fractionally analyzing method of plating layers in which a zinc-iron alloy two-layer plated steel plate is immersed in a mixed aqueous solution made by blending a neutral salt, an Fe-ion oxidant, and an Fe-ion chelator, and the lower plating layer is dissolved/peeled off in a short time while applying ultrasonic wave to it.例文帳に追加

亜鉛−鉄合金系二層メッキ鋼板を、中性塩とＦｅイオン酸化剤とＦｅイオンキレート化剤を配合した混合水溶液中に浸漬して超音波をかけながら下層メッキを、短時間で溶解剥離するメッキ層分別分析法を提供する。 - 特許庁

The first electrode 26a is constituted of an N-type diffusion layer 26, having a high impurity concentration so as to prevent breakdown, even when a high voltage is applied to the first electrode 26a; and an N-type well 25, having impurity concentration lower than that of the N-type diffusion layer is formed around the first electrode 26a.例文帳に追加

第１の電極２６ａに高い電圧が印加されてもブレークダウンしないように、第１の電極２６ａは、不純物濃度の高いＮ拡散層２６からなり、その周囲にＮ拡散層よりも不純物濃度が低いＮウエル２５が形成されている。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor circuit device and a method for manufacturing the same having a wire composed of a lower layer made of aluminum base alloy and an upper layer made of molybdenum base alloy, in which the molybdenum base alloy is hard to corrode in the atmosphere.例文帳に追加

下層にアルミニウム系合金、上層にモリブデン系合金の構成の配線を有する薄膜トランジスタ回路装置において、モリブデン系合金の大気中における腐食が進行し難い薄膜トランジスタ回路装置及びその製造方法が要求される。 - 特許庁

At least two catalyst layers are formed on a cell wall of a honeycomb carrier, solid oxide powder carrying catalyst metal is arranged at the upper layer, and hollow ceria based or alumina based oxide powder carrying catalyst metal is arranged at the lower layer.例文帳に追加

ハニカム状担体のセル壁に少なくとも２つの触媒層を形成し、上層には触媒金属を担持した中実状の酸化物粉末を配置し、下層には触媒金属を担持した中空状のセリア系又はアルミナ系の酸化物粉末を配置する。 - 特許庁

To provide a building for arranging a number of effective spaces as residence spaces with no parking space in an upper layer superior in a view, natural lighting and ventilation by intensively arranging a parking space in a lower layer in the building.例文帳に追加

建築物における下層部に駐車スペースを集中配置し、眺望、採光及び通風等に優れた上層部においては、該駐車スペースの無い居住空間として有効な空間を多く配置することのできる建築物を提供するものである。 - 特許庁

The polarizing plate 10 is equipped with: a polarizer 2; an incident side protective film 3 disposed on the lower side face of the polarizer 2 via an adhesive layer 4; and an emission side protective film 1 disposed on the upper side face of the polarizer 2 via the adhesive layer 4.例文帳に追加

本発明の偏光板１０は、偏光子２と、偏光子２の下側の面に接着層４を介して設けられる入射側保護フィルム３と、偏光子２の上側の面に接着層４を介して設けられる出射側保護フィルム１とを備える。 - 特許庁

A body region is formed in the single crystal Si layer below the gate electrode, a body contact region 26 joined to the body region for electrical connection is formed in the single crystal Si layer, and one portion of the body contact region is positioned at the lower portion of the hammer head.例文帳に追加

ゲート電極下の単結晶Ｓｉ層にはボディー領域が形成され、ボディー領域に繋げられ電気的に接続されたボディーコンタクト領域２６が単結晶Ｓｉ層に形成され、ボディーコンタクト領域の一部は前記ハンマーヘッド部分の下方に位置する。 - 特許庁

To be concrete, the lower layer crossover magnetic anisotropic film 2 and the upper layer crossover magnetic anisotropic film 3 are arranged through an insulating film 4 in a designated area such as a square area 6 or an elongated area like an X-shape in diagonal lines.例文帳に追加

具体的な構造は、非磁性体上に下層側交差型磁気異方性膜２、上層側交差型磁気異方性膜３が、絶縁膜４を介し、所定領域を正方領域６又長方領域として、対角線上にＸ字状で配置されている。 - 特許庁

A drain material for vacuum consolidation 1 is provided with: a drain material 2 connected to a drainage hose 4 at its upper end; and interval holding means 5a for maintaining a length corresponding to the layer thickness of a lower seal layer 10, below the drain material 2 through an airtight cap 3.例文帳に追加

排水ホース４を上端部に連結したドレーン材２と、該ドレーン材２の下に気密キャップ３を介して下部シール層１０の層厚さに対応した長さを維持する間隔保持手段５ａが設けられている真空圧密用ドレーン材１としたものである。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric element is forming a resist layer 35 on a laminated film 34 in which a lower electrode 31, a piezoelectric film 32, and an upper electrode 33 are laminated on a silicon substrate 30 in this order from the bottom and removing the laminated film 34 that is not covered with the resist layer 35 by ion milling.例文帳に追加

シリコン基板３０上に下から下部電極３１、圧電膜３２及び上部電極３３の順に積層された積層膜３４上にレジスト層３５を形成し、レジスト層３５に覆われていない積層膜３４をイオンミリングで除去する。 - 特許庁