「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(165ページ目) - Weblio英語例文検索

The lower electrodes of the capacitance elements C1, C3 are formed of a common conductor pattern Me1a and connected to the potential V1, and the lower electrodes of the capacitance elements C2, C4 are formed of a conductor pattern Me1b in the same layer as the conductor pattern Me1a and connected to the potential V2.例文帳に追加

容量素子Ｃ１，Ｃ３の下部電極は共通の導体パターンＭｅ１ａにより形成されて電位Ｖ１に接続され、容量素子Ｃ２，Ｃ４の下部電極は導体パターンＭｅ１ａと同層の導体パターンＭｅ１ｂにより形成されて電位Ｖ２に接続されている。 - 特許庁

The paved body has a water retentive pavement structure constituted of permeable concrete, and the bottom face and the lower part of the side face is covered with an impermeable layer so that the lower section of the paved body can hold water.例文帳に追加

舗装本体が透水性コンクリートによって構成された保水性舗装構造であって、舗装本体の底面および側面下部が不透水層によって覆われたことにより該舗装本体の下部が貯水可能に構成されたことを特徴とする保水性舗装構造を解決手段とする。 - 特許庁

The ion-exchange resin 10 is constituted of an amphoteric ion-exchange resin 10b filled into a vessel 10a, layer type active carbons 11 provided at the fore stage (lower stage) as well as the rear stage (upper stage) of the ion-exchange resin 10b, and filters 12 respectively attached to the lower end as well as the upper end of the vessel 10a.例文帳に追加

イオン交換樹脂１０は、容器１０ａの内部に両性イオン交換樹脂１０ｂを充填し、その前段（下段）と後段（上段）とに活性炭１１をそれぞれ層状に設け、更に容器１０ａの下端部と上端部にフィルタ１２をそれぞれ取り付けて構成する。 - 特許庁

An image sensor comprises: a transistor circuitry on a substrate; a lower interconnection on the substrate; carbon nanotubes on the lower interconnection; a conductive polymer layer on the carbon nanotubes; and a transparent electrode on the carbon nanotubes.例文帳に追加

本発明に係るイメージセンサは、基板上に形成された回路（circuitry）と、上記基板上に形成された下部配線と、上記下部配線上に形成されたカーボンナノチューブと、上記カーボンナノチューブに形成された導電性高分子と、上記カーボンナノチューブ上に形成された透明電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A piezoelectric actuator unit 3 is equipped with: a lower actuator unit 3a fixed on the bulkhead 10a to close the pressure chamber 14; an intermediate layer 3c including a bulkhead 34c holding the lower actuator unit 3a together with the bulkhead 10a; and an upper actuator unit 3b fixed on the bulkhead 34c.例文帳に追加

圧電アクチュエータユニット３が、隔壁１０ａに固定されて圧力室１４を閉塞する下側アクチュエータユニット３ａと、隔壁１０ａと共に下側アクチュエータユニット３ａを挟み込む隔壁３４ｃを含む中間層３ｃと、隔壁３４ｃに固定された上側アクチュエータユニット３ｂとを有している。 - 特許庁

The plant raising device is such that a plant pot is installed through a fixed air layer, on the upper end of a pipe 30, the lower end of the pipe 30 is installed in a water container to have a gap between them, and an air stone producing bubbles and a bluish color LED light are equipped near the lower end in the pipe 30.例文帳に追加

パイプ３０の上端部に一定の空気層を介して植物の鉢を設置し、このパイプ３０の下端部は水の容器に隙間を空けて設置され、そのパイプ３０内の下端部付近には気泡を生じさせるエアーストーンと青色系ＬＥＤ照明とを備えるように構成した。 - 特許庁

Further, since upper and lower parts 186 and 187 meander very close to each other in the heat generation layer 80, a magnetic field generated by the upper part 186 and a magnetic field generated by the lower part cancel each other as the Ampere's right-handed screw law teaches.例文帳に追加

さらに、発熱層８０において、上り部１８６と下り部１８７とが互いに寄り添うようにして蛇行しているので、アンペールの右ねじの法則から分かるように、上り部１８６から発生する磁界と下り部１８７から発生する磁界とが、互いにうち消し合う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a capacitor comprising a cylinder interlayer insulating film made of a two-layer interlayer insulating film, a charge storage capacitance of which is increased in the lower of a cylinder hole by making a hole diameter at the lower of the cylinder hole larger than the hole diameter at the upper, and moreover, a leakage current of which is low.例文帳に追加

２層の層間絶縁膜からなるシリンダ層間絶縁膜を備え、シリンダ孔の下方の孔径を上方よりも大きくすることにより孔下方での電荷蓄積容量が増大されており、しかも、リーク電流の低いキャパシタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A light emitting element has a substrate, a plurality of lower electrodes disposed in a stripe shape, a plurality of transparent counter electrodes disposed in a stripe shape, and a luminescent layer disposed between the lower electrode and the transparent counter electrodes, and the display device has an auxiliary electrode disposed on the transparent counter electrodes and a first insulating layer below the auxiliary electrode and between the transparent counter electrode and the lower electrode.例文帳に追加

基板と、ストライプ状に配置される複数の下部電極と、複数の下部電極に交差し、ストライプ状に配置される複数の透明対向電極と、下部電極及び前記透明対向電極との間に配置される発光層と、を有する発光素子であって、透明対向電極上に配置される補助電極と、補助電極の下であって、透明対向電極と下部電極との間に設けられる第一の絶縁層とを有する表示装置。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with the trench capacitor formed in the trench of a semiconductor substrate, the transistor for driving the trench capacitor, a semicircular column type semiconductor layer constituting a part of an electric connection route between the trench capacitor and the transistor while being arranged above the trench, and a resistance layer embedded into the semicircular column type semiconductor layer and having a resistivity lower than that of the semicircular column type semiconductor layer.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体基板中のトレンチに形成されたトレンチキャパシタと、トレンチキャパシタを駆動するトランジスタと、トレンチキャパシタとトランジスタとの電気的接続経路の一部を構成するトレンチ上部の半円柱状半導体層と、半円柱状半導体層内に埋め込まれ、半円柱状半導体層よりも低い抵抗率を有する低抵抗層とを備えている。 - 特許庁

In a wiring structure having multilayered wiring layers, dielectric ratio of an insulating layer between wirings in a wiring width direction is relatively higher than the one in a wiring thickness direction in an upper wiring layer and the dielectric ratio of the insulating layer between wirings in the wiring thickness direction is relatively higher than the one in the wiring width direction in a lower wiring layer.例文帳に追加

多層配線層を有する配線構造において、上層配線層では、配線の幅方向の配線間絶縁層の誘電率を、配線の厚み方向の配線間絶縁層の誘電率より相対的に高くした配線構造を有し、下層配線層では、配線の厚み方向の配線間絶縁層の誘電率を、配線の幅方向の配線間絶縁層の誘電率より相対的に高くする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes steps of: forming the conductive plug connecting with an element on a semiconductor substrate on an insulation film of the semiconductor substrate; forming an oxygen barrier layer comprising titanium aluminum nitride on the conductive plug; forming a seed layer comprising titanium on the oxygen barrier layer, and forming a lower electrode film of the ferroelectric capacitor on the seed layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜に、前記半導体基板上の素子に接続する導電性プラグを形成する工程と、前記導電性プラグ上に、チタンアルミナイトライドから成る酸素バリア層を形成する工程と、前記酸素バリア層上に、チタンから成るシード層を形成する工程と、前記シード層上に、強誘電体キャパシタの下部電極膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To determine interface layer between two materials respectively located on top and bottom inside the vessel, especially the interface layer between slug layer and underlying molten steel, a sensor 7 for identifying variation in material is placed within the lower material, measurement signal of the sensor 7 is measured during casting or efflux of material from the vessel, then signal variation is established when the sensor 7 has contact with the interface layer between two materials.例文帳に追加

容器内の上下に配置された二つの材料間、特にスラグ層と下にある溶鋼との間の界面層を決定するため、材料の変化を特定するためのセンサー７が下方の材料内に配置され、容器からの材料の鋳込み又は流出の間にセンサー７の測定信号が測定され、センサー７が材料間の界面層と接する時に信号の変化が確立される。 - 特許庁

At the ink-jet recording paper having two or more layers of the porous layer on a support, the porous layer contains an inorganic particle and a hydrophilic binder bridged by ionizing radiation.The average secondary-particle diameter of the inorganic particle of the porous layer locating at upper section is smaller than the one of the inorganic particle of the above porous layer locating at the position lower than the former.例文帳に追加

支持体上に、多孔質層を２層以上有するインクジェット記録用紙において、前記多孔質層は、無機微粒子と電離放射線により架橋された親水性バインダーとを含有し、上部に位置する前記多孔質層の無機微粒子の平均二次粒径が、それよりも下部に位置する前記多孔質層の無機微粒子の平均二次粒径よりも小さいことを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

The barrier layer of a multiple quantum well semiconductor element is respectively formed of a plurality of internal barrier layers, and the height of a hetero barrier to a hole between the barrier layer and quantum well layer is changed in a step state, from higher hetero barrier to lower hetero barrier, in the respective barrier layers along the direction from a clad layer with a first conductivity toward one with a second conductivity.例文帳に追加

多重量子井戸半導体素子の障壁層をそれぞれ複数の内部障壁層で構成し、各障壁層内において当該障壁層と量子井戸層の間のホールに対するヘテロ障壁高さを、第１の導伝性を有するクラッド層から第２の導伝性を有するクラッド層の方向に沿って、大きいヘテロ障壁高さから小さいヘテロ障壁高さへと階段状に変化させる。 - 特許庁

Further, second polycrystalline semiconductor layers 122 and 124 and third polycrystalline semiconductor layer 126 are selectively grown on the portion of the p-type polycrystalline semiconductor film 106 exposed in the lower surface of the visor section without contacting the silicon nitride film 108, while the second semiconductor layers 112 and 114 and the third semiconductor layer 116 are grown, so that the third semiconductor layer is in contact with the third polycrystalline semiconductor layer.例文帳に追加

さらに第二の半導体層１１２、１１４、第三の半導体層１１６を成長させつつ、庇部の下面に露出したｐ型多結晶シリコン膜１０６の下方に第二の多結晶半導体層１２２、１２４、第三の多結晶半導体層１２６を、シリコン窒化膜１０８に接触しないように選択的に成長させ、第三の半導体層と、第三の多結晶半導体層を接触させる。 - 特許庁

To secure connection reliability between a lower-layer conductor circuit and an upper-layer conductor circuit as a whole in a multilayered wiring board, even when connection defects occur in some of a plurality of via holes by collectively forming the via holes at formation of via holes through the interlayer insulating layer, on which the upper-layer conductor circuit is formed by a semi-aditive method.例文帳に追加

セミアディティブ法により上層導体回路が形成された層間絶縁層にバイアホールを形成するに際して複数のバイアホールを集合して形成することにより、複数のバイアホールの内いくつかに接続不良が発生した場合においても、配線板全体として下層導体回路と上層導体回路との接続信頼性を確実に保持することが可能な多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

This light diffusion material for illumination and an illumination appliance using it have on the surface of a transparent substrate a light diffusion layer which contains as a light diffusion agent at least one kind of powder to be selected from titanium mica having a lower-grade titanium oxide layer on the surface, titanium mica having a titanium-based composite oxide layer on the surface and a silicone resin.例文帳に追加

透明基材表面に、光拡散性剤として、表面に低次酸化チタン層を有する雲母チタン、表面にチタン系複合酸化物層を有する雲母チタン、シリコーン樹脂から選ばれる少なくとも１種の粉体を含む光拡散層を有することを特徴とする照明用光拡散素材、及びそれを用いた照明機器。 - 特許庁

Inner electrodes 13 mutually opposed through a resistance layer 12a are provided in the interior of a thermistor element 12, composed of the resistance layer 12a having thermistor characteristics and insulation layers 12b laid on the upper and lower surfaces of the resistance layer 12a, and the electrodes 13 are electrically connected to outer electrodes formed on the thermistor element 12 ends.例文帳に追加

サーミスタ特性をもつ抵抗体層と、この抵抗体層の上下に配置された絶縁体層とからなる有機質サーミスタ素子の内部に、前記抵抗体層を介して互いに対向するように内部電極が設けられ、この内部電極は有機質サーミスタ素子端部に形成された外部電極にそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

Relating to a TFT substrate 1, a current supply bus line 26 which supplies current to a lower electrode of an organic EL layer is formed outside a display region 10 where the organic EL layer and a drive TFT are formed, and contact holes 28 for supplying current to an upper electrode of the organic EL layer are formed in its outside.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１には有機ＥＬ層、駆動ＴＦＴ等が形成されている表示領域１０の外側に有機ＥＬ層の下部電極に電流を供給する電流供給母線２６等が形成され、その外側には有機ＥＬ層の上部電極に電流を供給するためのコンタクトホール群２８が形成されている。 - 特許庁

The laminated ceramic capacitor has a structure, having the electrostatic capacity layer 5 alternately superimposing the internal electrodes 4 via ceramic dielectrics 3, superimposing the protective layers 6 on both upper and lower surfaces in the laminating direction of the electrostatic capacity layer 5 and forming a pair of external electrodes 7 to laminates 2, constituted of the electrostatic capacity layer 5 and the protective layers 6.例文帳に追加

セラミック誘電体３を介して内部電極４が交互に積み重ねられている静電容量層５を有し、この静電容量層５の積層方向上下両面に保護層６が重ねられており、この静電容量層５及び保護層６とで構成された積層体２に一対の外部電極７が形成された構造を有する。 - 特許庁

A label that is specifically for a glass bottle among the bottles includes: printed layers on upper and lower sides of the label base material; a filling layer for preventing an adhesive having adhesiveness to the glass bottle from penetrating into the label base material and the printed layers; and the adhesive layer on the surface of the filling layer.例文帳に追加

ボトルの中で、特にガラス瓶用のラベルにおいて、前記ラベル基材の上、及び下側に印刷層を設け、更に前記ラベル基材の下側に、前記ガラス瓶と接着性を有する接着剤が前記ラベル基材、前記印刷層へ浸透するのを防ぐ目止め層を設け、かつ、前記目止め層の面に、前記接着剤層を設けたことを特徴とするラベルである。 - 特許庁

A layered product 11 with built-in electronic component has a thermoplastic resin inner layer 6, in which an electronic component 4 is embedded, and a synthetic resin outer layer 7 surrounding the inner layer 6 and the fusion point of the thermoplastic resin is lower than the destruction temperature of the electronic component 4 and the fusion point of the synthetic resin.例文帳に追加

本発明の電子部品内蔵積層体１１は、電子部品４が埋設された熱可塑性樹脂製の内層６と、内層６の周囲を覆う合成樹脂製の外層７とを有し、上記熱可塑性樹脂の融点が電子部品４の破壊温度及び上記合成樹脂の融点より低温であることを特徴としている。 - 特許庁

The antireflective antidazzle film has an antidazzle layer having projections on the surface and recesses having flat faces and having 1 to 100 μm average interval of the projections on a transparent base film, and further has a low refractive index layer made of a material having a refractive index lower than that of the antidazzle layer.例文帳に追加

透明基材フィルム上に、表面凸部分と平坦凹部分とからなり、かつ当該表面凸部分の平均間隔が１〜１００μｍの防眩層が設けられており、さらに当該防眩層上に当該防眩層の屈折率より低い屈折率材料よりなる低屈折率層を有することを特徴とする反射防止防眩フィルム。 - 特許庁

In the translucent or transparent optical sheet that transmits light, a substrate layer 1, a light diffusing layer 2 that diffuses light and a prism layer 3 that aligns light through a prism structure are disposed in the order from the lower surface as an incident surface of transmission light to the upper surface as the opposite surface.例文帳に追加

光を透過させる半透明又は透明の光学シートにおいて、透過光の入光面たる下面からその反対面たる上面にかけて順に、基材層１と、光を拡散させる光拡散層２と、光をプリズム構造によって整光させるプリズム層３とを具備してなり、各層が密着して一体化成形されてなること。 - 特許庁

A nonwoven fabric laminate comprises a rigid layer of an entanglement type nonwoven fabric having at least 150 N/50 mm width in the average of longitudinal tensile strength and lateral tensile strength measured as a simple entanglement type nonwoven fabric whose shape is maintained only by the entanglement of fibers and a bulky layer of a nonwoven fabric of apparent density lower than that of the rigid layer.例文帳に追加

不織布積層体は、繊維の絡合のみにより形状を維持した単純絡合不織布の状態で測定した縦方向引張り強さと横方向引張り強さとの平均値が１５０Ｎ／５０ｍｍ幅以上である絡合系不織布からなる剛性層と、前記剛性層よりも見掛密度の低い不織布からなる嵩高層とを含む。 - 特許庁

A memory element 10 is constituted by laminating an oxide layer 13 consisting mainly of an oxide of at least one kind of element selected from Zr and Hf; and a conductive nitride layer 12 and 14 consisting of at least one kind of element and nitrogen, selected from Ti, Zr, Hf and Ta on the lower and upper of the oxide layer 13.例文帳に追加

Ｚｒ，Ｈｆから選ばれる少なくとも一種以上の元素の酸化物を主体とする酸化物層１３と、この酸化物層１３の下層及び上層に、それぞれＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａから選ばれる少なくとも一種以上の元素と窒素とから成る導電性窒化物層１２，１４が積層されて成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The operations of feeding the water to a prescribed water level at the lower side of the surface of the soil layer in the enclosure, leaving them for a prescribed time, draining the water therefrom, and feeding the water to the prescribed water level again are repeated when cultivating the plant by forming the soil layer having 3-20 cm thickness on the sand layer having 5-30 cm thickness.例文帳に追加

こうして、５〜30ｃｍ厚の砂の層の上に３〜20ｃｍ厚の土壌の層を設けて植物を栽培し、前記の囲い内に、前記土壌の層の表面より下側の所定の水位まで給水した後、所定時間放置し、次いで排水した後、再度、前記の所定の水位まで給水する、という操作を繰り返す。 - 特許庁

An electrode film 109 in the lower part of a capacitor is left on a wiring layer 108c above a dummy transistor DTr, and when the capacitor is processed by removing an electrode film 111 and a ferroelectric film 110 at its top, the wiring layer 108c is prevented from being removed so as to ensure that a diffused layer 102c and a bit line of a selected transistor STr are connected.例文帳に追加

ダミートランジスタＤＴｒ上方の配線層１０８ｃ上にキャパシタ下部電極膜１０９を残しておき、キャパシタ上部電極膜１１１及び強誘電体膜１１０の除去によるキャパシタ加工の際に、配線層１０８ｃが除去されることを防止し、選択トランジスタＳＴｒの拡散層１０２ｃとビット線との接続を確保する。 - 特許庁

To provide a non-volatile storage device in which a simplified resistance change layer with good reproducibility is formed by oxidizing only an area exposing in contact holes among metal thin-film layers formed on a lower electrode layer and converting it into a resistance change layer, and which can be furthermore microfabricated and has stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

下部電極層上に形成した金属薄膜層のうち、コンタクトホールに露出した領域のみをイオン注入法により酸化して抵抗変化層に変換することにより、簡単で、かつ再現性のよい抵抗変化層を形成して、より微細化が可能で、かつ安定な特性を有する不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the superconductive current lead 20, a plurality of current lead units 1 in each of which a protective layer side of a high temperature superconductive tape wire 2 having the protective layer 15 formed on a superconductive layer 13 is electrically connected with the metallic electrode 3 via first solder 4 are electrically connected via second solder 5 with a lower melting point than that of the first solder 4.例文帳に追加

本発明に係る超電導電流リード２０は超電導層１３上に保護層１５が形成された高温超電導テープ線材２の保護層側を第一のハンダ４で金属電極３に電気的に接続した電流リードユニット１を第一のハンダ４より融点が低い第二のハンダ５で複数電気的に接続したことを特徴とする。 - 特許庁

To make a grease small in thickness under a lower load in connecting a semiconductor module with a housing via the grease on the other surface side of an insulating layer in the semiconductor module formed by: disposing a lead frame on one surface of the insulating layer; mounting a circuit element on the lead frame; and molding them with a resin to expose the other surface of the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層の一面上にリードフレームを設け、そのリードフレームに回路素子を搭載し、絶縁層の他面を露出させるように、これらを樹脂でモールドしてなる半導体モジュールにおいて、当該半導体モジュールを絶縁層の他面側にて、グリースを介して筐体に接続する際に、より低い荷重でグリースを薄くできるようにする。 - 特許庁

To provide an impact absorption floor material excellent in impact absorption that is directly laid on a concrete slab floor face such as in a gymnasium, by three-layered structure composed of a surface veneer on an upper layer, a core material in which many openings are disposed in the longitudinal direction along the width direction on a middle layer, and a cushioning material of closed cells excellent in elasticity on a lower layer.例文帳に追加

本発明は、上層に表面単板と、中間層に幅方向に沿って長手方向に多数個の隙間を配設した芯材と、下層に弾力性に優れた独立気泡のクッション材との三層構造によって、体育館等のコンクリートスラブ床面等に直接敷設する衝撃吸収に優れた衝撃吸収床材を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a thickness of a rubber layer is partly reduced or an adhesive is fluidized to lower its adhesive force by preferentially fluidizing a rubber layer of an uppermost site to be most easily heated to other rubber layer when a rubber support for elastically supporting an upper structure is compression vulcanization molded in a bridge or the like.例文帳に追加

橋梁等において上部構造体を弾性支持するゴム支承を圧縮加硫成形するに際し、最も加熱され易い最上位のゴム層が他のゴム層よりも優先して流動することにより、同ゴム層の肉厚が部分的に薄くなったり接着剤を流動させて接着力を低下させる問題を解決する。 - 特許庁

The capacitor contact 152 consists of a first metal plug 150 connected electrically with the metal lower electrode 124, a first silicide layer 148 provided from the bottom of the contact, across the sidewall thereof in contact with the first metal plug 150, and a first silicon layer 146 provided at least on the bottom of the contact, while touching the first diffusion layer 108.例文帳に追加

容量コンタクト１５２は、メタル下部電極１２４と電気的に接続される第１メタルプラグ１５０と、コンタクト底部からコンタクト側壁部にわたって設けられ、第１メタルプラグ１５０と接している第１シリサイド層１４８と、少なくともコンタクト底部に設けられ、第１拡散層１０８と接している第１シリコン層１４６とからなる。 - 特許庁

Brazing joint processing is executed by setting the brazing joint processing temperature of a constituent member such as a hydrogen permeable metal layer having hydrogen permeability at a processing temperature Tk satisfying T1>Tk>T2 when it is assumed that the recrystallization temperature of the hydrogen permeable metal layer is T1 and the upper limit temperature of a use environment of the hydrogen permeable metal layer is T2 lower than the recrystallization temperature T1.例文帳に追加

水素透過性を有する水素透過性金属層などの構成部材のロウ付け接合処理温度を、水素透過性金属層の再結晶化温度をＴ１とし、電池やモジュールの使用環境の上限温度を再結晶化温度Ｔ１より低いＴ２としたとき、Ｔ１＞Ｔｋ＞Ｔ２を満たす処理温度Ｔｋで実行することとした。 - 特許庁

The optical element comprises a resin layer and a preform having a lower coefficient of linear expansion than that of the resin layer, wherein the resin layer is formed on at least part of the surface of the preform as a single body by photo-curing a photo-curing resin disposed in the gap between a mold member and the preform with light projected through the mold member.例文帳に追加

本発明の光学素子は、樹脂層と前記樹脂層よりも線膨張係数が低い母材とを具え、樹脂層が、型部材と母材との間隙に配置された光硬化型樹脂を前記型部材を通して照射された光により光硬化させ、母材表面上の少なくとも一部に一体的に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This electro-optic circuit substrate is constituted by forming the optical waveguide of an organic system having a layer consisting of an organic optical material having a hydroxyl group or alkyl group as a lower clad layer 4 on the electric circuit substrate formed with the wiring conductor 2 atop the same by disposing an intermediate layer 3 consisting of silicon oxide or silicon between the substrate and the wiring conductor 2.例文帳に追加

上面に配線導体２が形成された電気回路基板上に、配線導体２との間に酸化珪素または珪素から成る中間層３を介在させて、水酸基またはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層４とした有機系の光導波路を形成した光電気回路基板である。 - 特許庁

When a data linking part 2 holds radio bearer information, that is, when user data is not transmitted from the upper layer after the radio bearer is set, a common flag 23 is off and at that time, a handler part 3 transmits corresponding dummy data (synchronous frame, etc.) stored beforehand in a memory area 33 from the lower layer closer to hardware to the upper layer.例文帳に追加

ハンドラ部３は、データリンク部２が無線ベアラ情報を保持したとき、すなわち無線ベアラ設定後、上位レイヤからユーザデータが送信されていない場合は、共通フラグ２３がオフであり、そのときにはよりハードウェアに近い下位レイヤから上位レイヤに対応した、メモリ領域３３に予め格納されているダミーデータ（同期フレーム等）の送信を行う。 - 特許庁

The manufacturing method of the lower panel for the plasma display panel includes a process for preparing a base substrate, a process for forming a material layer for a barrier rib on the base substrate, a process for forming the barrier rib pattern by irradiating the X-ray on the material layer for the barrier rib, a process for developing and patterning the material layer for the barrier rib.例文帳に追加

基底基板を準備する工程と、基底基板上に隔壁用素材層を形成する工程と、隔壁用素材層上にＸ線を照射することによって隔壁パターンを形成する工程と、隔壁用素材層を現像してパターン化する工程と、を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用下部パネルの製造方法が提供される。 - 特許庁

A simplified structure and lower cost in phase change memory can be achieved by arranging an intermediate layer 20, which contains silicon and at least one kind of element constituting a phase change material, between a recording layer 18 comprising the phase change material and an n^+ type polysilicon film 15 and reducing a contact resistance between the recording layer 18 and the n^+ type polysilicon film 15.例文帳に追加

相変化材料からなる記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との間に、相変化材料を構成する元素の少なくとも一種とシリコンとを含有する中間層２０を配置し、記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との接触抵抗を低減することにより、相変化メモリの構造の簡素化と低コスト化を実現する。 - 特許庁

Light incident from an upper face is diffracted by a diffraction grating layer 2, comprising a single dimensional periodical pattern formed in parallel so as to resonate with incident light wavelength in reflection; and when the propagation constant matches the propagation mode of a high-refractivity index two-dimensional waveguide (wave guide layer 3) formed on a lower part, the diffracted waves are propagated through the wave guide layer 3.例文帳に追加

上面から入射した光は、入射波長に共鳴反射するように平行に形成された１次元周期パターンからなる回折格子層２で回折され、その伝播定数が下部に形成された高屈折率の２次元導波路（導波層３）の伝播モードに一致するとき、回折波は導波層３を伝播する。 - 特許庁

Each layer of the plurality of hollow cylindrical bodies arranged in parallel is inclined in a state that inlet-side opening parts of the hollow cylindrical bodies are inclined downward, and the upper layer is shifted from the lower layer axially toward an outlet side opening part side by a specific distance by every specific number of layers of the vertically-stacked layers.例文帳に追加

複数本の中空筒体が並列されている各層は、前記中空筒体の入り口側開口部を下側に向けて傾斜させ、上下に積層される層は所定の数の層毎に、上側に配置される層が下側に配置される層に対して軸方向で出口側開口部側に向けて予め定めてある距離分ずらして配置する。 - 特許庁

The heat radiation reflecting arrangement structure with an improved high heat resistance to the temperature of 500°C or lower includes a substrate, a heat reflecting layer (A) on at least one side of the substrate which contains indium tin oxide (ITO), and a barrier layer (B) that covers the heat reflecting layer (A), which contains at least one metal oxide and at least one metal nitride.例文帳に追加

５００℃以下の温度に対して高耐熱性である熱反射配列構造体を、基板と、基板の少なくとも片面上に設けられるインジウム酸化錫（ＩＴＯ）含有熱反射層(Ａ)と、熱反射層（Ａ）を被覆するためであって、少なくとも１種の金属酸化物及び少なくとも１種の金属窒化物を含有するバリア層（Ｂ）から構成する。 - 特許庁

On the lower ITO transparent film 12, a nickel oxide film 32 constituting an oxidation coloring layer, a tantalum oxide film 16 constituting a solid-state electrolyte layer, a mixture film 34 of tungsten oxide and titanium oxide constituting a reduction coloring layer and an upper ITO transparent electrode film 20 constituting an upper electrode film are deposited and laminated sequentially.例文帳に追加

下部ＩＴＯ透明電極膜１２の上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成する上部ＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。 - 特許庁