「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(166ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, a layer that does not contain an impurity element giving the one conductivity-type or a layer of considerably lower concentration of an impurity element that gives the one conductivity-type than others is provided between a pair of semiconductor films functioning as a source region or a drain region and a layer containing an impurity element functioning as the channel formation region.例文帳に追加

また、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物元素を含む一対の半導体膜と、チャネル形成領域として機能する不純物元素を含む層との間に、一導電型を付与する不純物元素を含まない、もしくは他の層に比べて一導電型を付与する不純物元素の濃度が著しく低い層を設ける。 - 特許庁

It has a function layer formation process which forms a function layer 302 on an electrode 301 formed on a substrate 300, and a counter-electrode formation process which forms the counter electrode 303 which counters the electrode 301 on both sides of the function layer 302 by vacuum evaporation, then, the upper and lower sides of the substrate 300 are reversed between the both processes.例文帳に追加

基板３００上に形成された電極３０１上に機能層３０２を形成する機能層形成工程と、機能層３０２を挟んで電極３０１に対向する対向電極３０３を蒸着により形成する対向電極形成工程とを有し、両工程の間で、基板３００の上下を反転させる。 - 特許庁

The carrier 100 includes a core particle 101 and a thermosetting silicone resin layer 102 formed of a thermosetting silicone resin on the surface of the core particle 101, wherein the thermosetting silicone resin layer 102 contains a charge controlling agent having positive charging properties and is formed by a thermosetting process at a temperature lower than the melting point of the charge controlling agent included in the resin layer.例文帳に追加

キャリア１００は、コア粒子１０１と、コア粒子１０１の表面に熱硬化シリコーン樹脂で形成される熱硬化シリコーン樹脂層１０２とを有し、熱硬化シリコーン樹脂層１０２は、正帯電性の帯電制御剤を含み、前記樹脂層に含まれる帯電制御剤の融点未満の温度で熱硬化処理されることによって形成される。 - 特許庁

The MOS transistor 10 includes the channel body 18, which is formed on the semiconductor layer 13 of an SOI substrate, where an insulation film 12 and the semiconductor layer 13 are laminated, in this order starting from the side of the semiconductor substrate 11, and is electrically floating in an immediately lower part of a gate electrode 15 in the semiconductor layer 13.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０は、半導体基板１１上に絶縁膜１２および半導体層１３を半導体基板１１側からこの順に積層してなるＳＯＩ基板の半導体層１３に形成されており、半導体層１３のうちゲート電極１５直下の部位に、電気的に浮遊したチャネルボディ１８を有している。 - 特許庁

Afterwards, an upper electrode layer 5 is deposited on the ferrodielectric film 3, and the upper electrode layer 3, the ferrodielectric film 3 and the lower electrode layer 2 are successively patterned, and a capacitor 10a having the thick ferrodielectric film 3a is formed in the region formed into a thin film and a capacitor 10b having a thick ferrodielectric film 3b is formed in a region whose etching is not carried out.例文帳に追加

その後、強誘電体膜３の上に上部電極層５を堆積し、上部電極層３、強誘電体膜３及び下部電極層２を順次パターニングして、薄膜化した領域に厚い強誘電体膜３ａを有するキャパシタ１０ａを、エッチングされない領域に厚い強誘電体膜３ｂを有するキャパシタ１０ｂを形成する。 - 特許庁

In this polarizing plate having an adhesive layer, an average thickness of the adhesive layer in an in-plane peripheral part P2 including at least one part of at least one end face out of the upper, lower, left and right end faces is thinner than an average thickness of the adhesive layer in an in-plane central part P1, and this liquid crystal display has the polarizing plate.例文帳に追加

粘着剤層を有する偏光板であって、上下左右の少なくとも一つの端面の少なくとも一部を含む面内周辺部（Ｐ２）の粘着剤層の平均厚みが、面内中央部（Ｐ１）の粘着剤層の平均厚みよりも薄いことを特徴とする偏光板、及び該偏光板を有する液晶表示装置である。 - 特許庁

The anti-reflection film laminated with the filter layer containing the pigment and the polymer binder, the transparent support object, and a low-refractive index layer having the refractive index lower than the refractive index of the transparent support object in this order contains the condensed polycyclic organic pigment in the filter layer and has the only absorption peak at 551 to 600 nm.例文帳に追加

顔料及びポリマーバインダーを含むフィルター層、透明支持体、及び透明支持体の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率層がこの順に積層された反射防止膜において、前記フィルター層に縮合多環系有機顔料を含み、５５１〜６００ｎｍに唯一吸収ピークを有することを特徴とする反射防止膜。 - 特許庁

A manufacturing method of a piezoelectric element comprises: a process for forming seed titanium layer by coating Titanium (Ti) at least twice or more on a lower electrode formed on a substrate; and a process for forming a piezoelectric precursor film by coating piezoelectric material on the seed titanium layer, and thereafter calcining the piezoelectric precursor film so as to crystallize, thereby forming a piezoelectric material layer.例文帳に追加

基板上に形成した下電極上にチタン（Ｔｉ）を少なくとも２回以上塗布して種チタン層を形成する工程と、種チタン層上に圧電材料を塗布して圧電体前駆体膜を形成すると共に圧電体前駆体膜を焼成して結晶化させることで圧電体層を形成する工程とを設ける。 - 特許庁

This paper feeding conveying roller used in feeding or conveying sheets, comprises an inner layer 12 formed at a core metal 11 side and composed of a foamed elastic body, and an outer layer 13 formed on the inner layer, and composed of a low-foamed elastic body of a foaming magnification lower than that of the foamed elastic body.例文帳に追加

紙葉類の給紙または搬送に用いられる給紙搬送用ロールであって、芯金１１側に設けられ発泡弾性体からなる内層１２と、この内層１２上に設けられ前記発泡弾性体よりも低い発泡倍率の低発泡弾性体からなる外層１３を具備することを特徴とする給紙搬送用ロール１０とする。 - 特許庁

A plasma processing method includes a step of performing first plasma processing for a first layer A1 adsorbed on a substrate W under a first pressure P1 and a step of performing second plasma processing for a second layer A2 adsorbed on the first layer L1 for which the first plasma processing was performed under a second pressure P2 lower than the first pressure P2.例文帳に追加

本実施形態のプラズマ処理方法は、基板Ｗ上に吸着された第１層Ａ１に対して、第１圧力Ｐ１下で第１プラズマ処理を施す工程と、第１プラズマ処理を施された第１層Ｌ１上に吸着された第２層Ａ２に対して、第１圧力Ｐ１より低い第２圧力Ｐ２下で第２プラズマ処理を施す工程とを含む。 - 特許庁

At least one side of a steel sheet or a plated steel sheet is provided with a substrate layer, the surface is provided with a lower rust preventive coating film layer contg. rust preventive pigment, and, the surface is provided with an upper rust preventive coating film layer contg. rust preventive pigment simultaneously contg. an ion source emitting vanadic acid ions and an ion source emitting phosphoric acid ions.例文帳に追加

鋼板もしくはめっき鋼板の少なくとも片面に、下地処理層を有し、その上に防錆顔料を含む下層防錆塗膜層を有し、更にその上にバナジン酸イオンを放出するイオン源とリン酸イオンを放出するイオン源を同時に含む防錆顔料を含む上層防錆塗膜層を有することを特徴とするプレコート鋼板。 - 特許庁

The brazing filler metal 10 used for brazing members to be brazed is composed of a composite body with at least two layer structure, and also, a combination of a first layer 11 and the other layer 12 is the one of metallic layers capable of obtaining an alloy having a melting point lower than those of metals or an alloy constituting the respective layers 11, 12.例文帳に追加

本発明に係るろう材１０は、被ろう付け部材同士をろう付けするろう材において、少なくとも２層構造の複合体で構成され、かつ、第１の層１１とその他の層１２の組み合わせが、各層１１，１２を構成する金属又は合金の融点よりも融点の低い合金が得られる金属層同士の組み合わせである。 - 特許庁

In the corrosion resistant coated member 6 formed by depositing a coating layer 8 on the metallic base material 7, the coating layer 8 is composed of a material whose electrode potential in service environment is relatively lower than that of the metallic base material 7, and the difference in electrode potential between the metallic base material 7 and the coating layer 8 ranges from 0.05 to 0.5 V.例文帳に追加

金属基材７上にコーティング層８を形成した耐食コーティング部材６において、コーティング層８は、金属基材７よりも使用環境中での電極電位が相対的に低い材料からなり、金属基材７とコーティング層８との電極電位の差が０．０５Ｖから０．５Ｖの範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

In the VCSEL, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a current constricting layer 110, a p-type upper DBR 112, and a p-type GaAs contacting layer 114 are laminated on a substrate 102; and a p-side upper electrode 130 including an opening portion 132 specifying the outgoing region of its laser beam is formed on the contacting layer 114.例文帳に追加

本発明に係るＶＣＳＥＬは、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型上部ＤＢＲ１１２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１４を積層し、コンタクト層１１４上にレーザ光の出射領域を規定する開口部１３２を含むｐ側上部電極１３０が形成されている。 - 特許庁

A powder magnetic core comprises a soft magnetic particle, a first coating layer which is formed of heat-hardening silicon resin and covers the surface of the soft magnetic particle, and a second coating layer which is formed of low softening point glass having a lower softening point than the annealing temperature of the soft magnetic particle and covers the surface of the first coating layer, and has high specific resistance and strength.例文帳に追加

本発明の圧粉磁心は、軟磁性粒子と、加熱硬化型のシリコーン樹脂からなり軟磁性粒子の表面を被覆する第１被覆層と、軟磁性粒子の焼鈍温度よりも低い軟化点を有する低軟化点ガラスからなり第１被覆層の表面を被覆する第２被覆層と、からなる比抵抗および強度に優れることを特徴とする。 - 特許庁

The biaxially stretched polyester film is constituted by laminating a polyester layer (B), of which the melting point is not lower than that of a polyester layer (A), on both sides of the polyester layer (A) with a melting point of 240°C or below containing an ethylene naphthalate unit and a butylene terephthalate unit, wherein the end tear resistance values in the longitudinal and lateral directions of the film are 80 N or below.例文帳に追加

エチレンナフタレート単位およびブチレンテレフタレート単位を含む融点が２４０℃以下のポリエステル層（Ａ）の両面にポリエステル層（Ａ）の融点より高いポリエステル層（Ｂ）を積層したフィルムであり、当該フィルムの長手方向および幅方向の端裂抵抗値が８０Ｎ以下であることを特徴とする二軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The hard chrome plating layers forming the hard chrome laminated plating film are provided with fine cracks including a part opened to an outer face side and stayed in each hard chrome plating layer having the self-opening with respect to its depth direction, and a part extended to the hard chrome plating layer lower than the hard chrome plating layer having the self-opening, in a distributed state.例文帳に追加

硬質クロム積層めっき皮膜を形成する硬質クロムめっき層には、外面側に開口し、深さ方向に関し自己の開口が存在する各硬質クロムめっき層内に留まる部分と、自己の開口が存在する各硬質クロムめっき層よりも下層の硬質クロムめっき層内まで延びている部分を含む微細亀裂を分布させる。 - 特許庁

The double-sided printed circuit board includes a double insulating layers formed by folding one flexible insulative substrate, a circuit pattern formed over the folded side of the insulating layer and formed on the upper and lower sides of the insulating layer, a solder resist layer for protecting the circuit pattern, and a plurality of connection parts electrically connected by the circuit pattern and connected to the other substrate, chip or the like.例文帳に追加

１つのフレキシブル絶縁性基板を折って形成された２重の絶縁層と、前記絶縁層の折られた辺部を過ぎて前記絶縁層の上下面に設けられた回路パターンと、前記回路パターンの保護のためのソルダーレジスト層と、前記回路パターンによって電気的に連結され、他の基板又はチップなどに接続される複数の接続部とを含む。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

The optical fiber 1 includes a glass fiber 10 having a core 11 and a clad 12, a first coating layer 13 provided on the outer circumferential surface of the glass fiber 10 and composed of a transparent resin having a refractive index lower than that of the clad 12, and a second coating layer 14 provided on the outer circumferential surface of the first coating layer 13 and composed of an opaque resin.例文帳に追加

光ファイバ１は、コア１１およびクラッド１２を有するガラスファイバ１０と、ガラスファイバ１０の外周面に設けられクラッド１２の屈折率より低い屈折率を有する透明樹脂からなる第１被覆層１３と、第１被覆層１３の外周面に設けられ不透明樹脂からなる第２被覆層１４と、を備える。 - 特許庁

In the thermal head, heat resistant resin is employed as the material of a heat insulation layer, a large number of heating resistors 4 are formed on the upper surface of the organic heat insulation layer 3b, and a heat spreading layer is formed on the upper surface of the heating resistors 4 through an electric insulation film or on the lower surface of the heating resistors through an electric insulation film.例文帳に追加

サーマルヘッドにおいて、保温層の材料として耐熱性樹脂を用い、この有機保温層３ｂの上面に多数の発熱抵抗体４を形成するとともに、発熱抵抗体４の上面に電気絶縁膜を介して熱拡散層を形成したこと、又は、前記発熱抵抗体の下面に電気絶縁層を介して熱拡散層を形成した。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an antireflection film made of a two-layer film of a lower layer as a reflection film and an upper layer as an interference film to an exposure light on the substrate, emitting a pattern inspecting light via the antireflection film in the case of exposing a desired pattern on a photosensitive thin film coating the antireflection film, thereby aligning a photomask with the substrate.例文帳に追加

露光光に対して下層は反射膜であり、上層は干渉膜である二層膜からなる反射防止膜を基板上に形成し、その反射防止膜上に塗布した感光性薄膜に所望のパターンを露光する際に、反射防止膜を介してパターン検出光を照射することにより、ホトマスクと基板とのアライメントを行う。 - 特許庁

On the reception side, in a layer for processing the reception frame of lower node layer than the layer where the priority packets and the non-priority packets are processed, the priority packets and the non-priority packets are selected from among a communication protocol header of the reception packet stored in the reception frame, so that the processing of the priority packets is performed independently of the processing of the non-priority packets.例文帳に追加

受信側では、優先パケットおよび非優先パケットが処理されるレイヤよりも下位レイヤの受信フレームを処理するレイヤにおいて、当該受信フレームに格納されている受信パケットの通信プロトコルヘッダから優先パケットと非優先パケットを選別して、前記優先パケットの処理と前記非優先パケットの処理を独立とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a substrate 10 for electro-optical devices includes: forming reflection patterns 7z and 9z for a monitor on a same layer of a pixel electrode 9a or a lower layer side than the pixel electrode 9a; and forming a first translucent film 181 and a second translucent film 182 on an upper layer side of the reflection patterns 7z and 9z for the monitor.例文帳に追加

電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。 - 特許庁

This ink jet recording paper has an ink accepting layer comprising a lower layer including a synthetic amorphous silica and a silicon emulsion resin having a group reacting or hydrogen-bonding with the silanol group held by the silica and an upper layer including a hydrophilic binder and a synthetic amorphous silica having the average particle diameter of 3 to 200 nm.例文帳に追加

多孔質基材上の少なくとも片面に、合成非晶質シリカ及び該シリカが有するシラノール基と反応し得る基、又は水素結合し得る基を有するシリコンエマルジョン樹脂を含む下層と、親水性バインダーと平均粒径３〜２００ｎｍの合成非晶質シリカを含む上層とを有するインク受容層を有することを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

The TFTs are provided with, interposing respective channel regions, respective source regions 9 and drain regions 10, first regions 6a, 6b, 6c, 6d having an impurity concentration lower than those of the source and drain regions, all formed in the same continuing semiconductor layer 2, and further a gate insulating layer 3 formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

ＴＦＴはそれぞれ、チャネル領域を挟んで、同一の連続する半導体層２に形成されたソース領域９およびドレイン領域１０と、ソース領域およびドレイン領域よりも低い不純物濃度を有する第１低濃度不純物領域６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄと、半導体層上に形成されたゲート絶縁層３とをさらに備える。 - 特許庁

A gate electrode 131 is formed by using a dual metal layer consisting of copper and a metal which has satisfactory contact characteristics with the substrate and whose pattern solution does not affect the substrate and a source electrode 149 and a drain electrode 151 are formed by using a dual metal layer consisting of copper and a metal by which reaction of a lower ohmic contact layer and copper is prevented.例文帳に追加

ゲート電極１３１は、銅及び基板と接触特性が良好であってパターン溶液が基板に影響を与えない金属の二重金属層で形成し、ソース電極１４９及びドレイン電極１５１は、銅及び下部オーミックコンタクト層と銅との反応を防ぐことができる金属の二重金属層で形成する。 - 特許庁

The composition for the alignment layer is used for manufacturing an optical element composed of a support 1, an alignment layer 2, and an optical function layer consisting of the liquid crystalline compound and contains at least a polymer having one or more primary amino groups and/or secondary amino groups (A) and water and/or a lower alcoholic solvent (B).例文帳に追加

支持体１、配向膜２、及び液晶性化合物からなる光学機能層３で構成される光学素子の製作に使用される配向膜用組成物であって、配向膜用組成物はＡ）１級アミノ基及び／又は２級アミノ基を１個以上有するポリマー、及び、Ｂ）水及び／又は低級アルコール系溶剤を少なくとも含む。 - 特許庁

A metallic wiring 5, which is at a ground potential GND, is provided between the shield layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 and an inductor 8 formed with a spiral metallic wiring while the metallic wiring 5 is connected to the shield layer 3 to lower a resistance value in the shield layer while reducing the parasitic capacitance between the inductor and shield layers.例文帳に追加

半導体基板１表面上のシールド層３と渦巻き状に形成された金属配線からなるインダクタ８との間に、接地電位ＧＮＤが与えられた金属配線５を設け、この金属配線５をシールド層３に接続することで、インダクタ−シールド層間の寄生容量を小さくしつつ、シールド層での抵抗値を低く抑える。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 11, an encapsulation layer 25 provided above one surface of the semiconductor substrate 11, a low elastic material 26 filled in recesses 26 provided on a surface side of the encapsulation layer 25 and having an elastic modulus lower than that of the encapsulation layer 25, and bumps 27 provided above the one face of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置１が、半導体基板１１と、半導体基板１１の一方の面の上方に設けられた封止層２５と、封止層２５の表面側に設けられた凹部２６に充填され、封止層２５よりも弾性率が低い低弾性材２６と、半導体基板１１の一方の面の上方に設けられたバンプ２７と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device of the present invention comprises an n-type InP substrate 1, an n-type InP lower cladding layer 3 formed in stripe shape on the n-type InP substrate 1, an activity layer 4 having a resonator resonating in parallel direction against the above-mentioned n-type InP substrate 1, and a stripe structure 10 including the n-type InP upper cladding layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１と、このｎ型ＩｎＰ基板１上にストライプ状に形成された、ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層３、前記ｎ型ＩｎＰ基板１に対して平行な方向の共振器を有している活性層４、およびｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５を含むストライプ構造１０とを備えている。 - 特許庁

A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas.例文帳に追加

配線用薄膜を、ＣｒＮターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するＣｒ膜を下層膜２とし、Ｃｒターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないＣｒ膜を上層膜１とした二層構造とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, in which the threshold voltage of a MOSFET is controlled with ions 112 implanted in an SOI layer 104, the concentration peak value of threshold voltage control ions 112 is implanted in the concentration distribution located at the position between the 1/2 depth position (1/2TSOI) of the SOI layer 104 and the lower interfacial position (TSOI) of the SOI layer 104.例文帳に追加

ＳＯＩ層１０４に注入されたイオン１１２によりＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧が制御される半導体装置において，しきい値電圧制御イオン１１２は，その濃度ピーク値がＳＯＩ層１０４の１／２深さ位置（１／２Ｔ_ＳＯＩ）とＳＯＩ層１０４の下部界面位置（Ｔ_ＳＯＩ）との間に位置する濃度分布で注入されている。 - 特許庁

A recording head includes a lower magnetic pole layer 8, an upper magnetic pole layer 13, a recording gap layer 12 which is formed between the magnetic pole parts of layers 8 and 13 and the thin film coils 10 and 14 which are placed between the layers 8 and 13 and insulated from these layers.例文帳に追加

記録ヘッドは、下部磁極層８および上部磁極層１３と、この下部磁極層８の磁極部分と上部磁極層１３の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１２と、下部磁極層８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１０，１４とを有している。 - 特許庁

The ceramic structure includes the substrate 10, an intermediate layer 11 having a first porosity formed by ejecting a ceramic powder to the substrate to deposit the same and a thick film layer 12 formed by ejecting the ceramic powder toward the intermediate layer 11 to deposit the same and having a second porosity lower than the first porosity.例文帳に追加

このセラミックス構造物は、基板１０と、セラミックス粉体を基板に向けて噴射して堆積させることにより形成された第１の空隙率を有する中間層１１と、セラミックス粉体を中間層１１に向けて噴射して堆積させることにより形成された、第１の空隙率よりも低い第２の空隙率を有する厚膜層１２とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optical device in which electrical connections with a lower-layer-side conductive layer formed below a gate insulating layer can be made efficiently, by using constitution for increasing the capacity value per unit area of retention capacitor, the electro-optical device, and to provide electronic equipment equipped with the electro-optical device.例文帳に追加

保持容量の単位面積当たりの容量値を高めるための構成を利用して、ゲート絶縁層の下層側に形成された下層側導電層への電気的な接続を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

This biodegradable flat yarn is characterized by comprising a laminate of a monoaxially drawn base layer comprising a biodegradable aliphatic polyester with a surface layer comprising a biodegradable aliphatic polyester having a lower melting point by ≥10°C than the melting point of the biodegradable aliphatic polyester of the base layer and/or an amorphous biodegradable aliphatic polyester not having a melting point.例文帳に追加

生分解性脂肪族ポリエステルからなり一軸延伸された基層と、該基層の生分解性脂肪族ポリエステルより融点が１０℃以上低い生分解性脂肪族ポリエステル、及び／又は、非晶性で融点を有しない生分解性脂肪族ポリエステルからなる表層との積層体であることを特徴とする生分解性フラットヤーン。 - 特許庁

When the glass material is softened, the heat conductive layer 3, both end parts applied mostly with an external stress are reinforced, because the fellow heat conductive layer 3 materials are fusion-bound, the heat conductive layer 3 central part is lower in the glass content than those of the both end parts, and the best gas responsiveness is attained thereby without disturbing gas flowability and the thermal conductivity.例文帳に追加

ガラス材料が軟化したとき、熱伝導層３材料同士が結着するため、外部応力が最も働きやすい熱伝導層３両端部が強化され、また、熱伝導層３中心部は両端部よりガラスの含有率が低く、ガス流動性や熱伝導性を阻害することが無く、最良のガス応答性が得られる。 - 特許庁

A magnetic reproducing head 1 is provided with a stopper layer 12 having a core width length corresponding to magnetic domain control films 17 provided at both sides of a core width direction of a magneto-resistance effect film 13A between a lower part shield layer 11 and the magneto-resistance effect film 13A, the stopper layer 12 is formed by using a soft magnetic material having etching durability for reactive ion etching.例文帳に追加

磁気再生ヘッド１は、下部シールド層１１と磁気抵抗効果膜１３Ａとの間に、磁気抵抗効果膜１３Ａのコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜１７に対応したコア幅長さを有するストッパ層１２を備え、ストッパ層１２は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成される。 - 特許庁

The magnetic head device is constituted by providing a short-circuit mechanism 3 between a grounded substrate 20 and a laminated film pattern 12A, electrically connecting each of a magnetic pole layer 18, a lower shield layer 10 and an upper shield layer 8 in a recording head with the substrate 20 and adjusting all the capacitances C28-C30 among those so as to be equal.例文帳に追加

この磁気ヘッドデバイスは、接地された基体２０と積層膜パターン１２Ａとの間に短絡機構３を設け、記録ヘッドにおける磁極層１８、下部シールド層１０および上部シールド層８の各々と基体２０とを電気的に接続し、かつ、それら相互間のキャパシタンスＣ２８〜Ｃ３０が全て等しくなるように調整したものである。 - 特許庁

The invention provides an in-plane switching mode liquid crystal display device that uses a ferroelectric liquid crystal layer, having superior response speed as a dynamic alignment layer for a twisted nematic liquid crystal layer on the upper substrate and a lower substrate, and has superior viewing angle and no decrease in the aperture ratio and the luminance which are disadvantages of a general lateral field type liquid crystal display device.例文帳に追加

従って、本発明は、応答速度の優れた強誘電性液晶層を上部基板及び下部基板において、ツイストネマティック液晶層のダイナミック配向膜として利用した、視野角が優れて、一般的な横電界型の液晶表示装置の短所である開口率及び輝度低下のない面駆動方式の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The first memory cell array 30 includes a lower electrode 36 formed into a stripe shape, an upper electrode 38 formed in a stripe shape in a direction intersecting the lower electrode 36, a ferroelectric capacitor 34 arranged at the intersecting portion of the lower electrode 36 and the upper electrode 38, and an embedded insulation layer 32 formed between the ferroelectric capacitors 34.例文帳に追加

第１メモリセルアレイ３０は、ストライプ状に形成された下部電極３６と、下部電極３６と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極３８と、下部電極３６と、上部電極３８との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ３４と、強誘電体キャパシタ３４の相互間に形成された埋め込み絶縁層３２とを含む。 - 特許庁

The attracting device 3 has a positive electrode disposed on the lower face of the working arm 12, a negative electrode disposed adjacent to the positive electrode on the lower face of the working arm 12, an insulating layer to cover the positive electrode and the negative electrode on the lower face of the working arm 12, and a voltage source to generate a potential difference between the positive electrode and the negative electrode.例文帳に追加

吸着装置３を、加工用アーム１２の下面に設けられた正電極と、加工用アーム１２の下面に正電極と隣接して設けられた負電極と、加工用アーム１２の下面に正電極及び負電極を覆うようにして設けられる絶縁層と、正電極と負電極との間に電位差を生じさせる電圧源とを有する構成とする。 - 特許庁

Routing wiring 17 for scanning electrodes are arranged via an insulating film on a lower layer side of the scanning electrodes 8 on a lower side substrate 5; these scanning electrodes 8 are electrically connected with the routing wiring 17 for the scanning electrodes; and one end of the routing wiring 17 for the scanning electrodes extends to one side of the lower side substrate 5 and is connected with a driving IC 13 on the side of the scanning electrodes.例文帳に追加

下側基板５上の走査電極８の下層側に絶縁膜を介して走査電極用引き廻し配線１７が設けられ、これら走査電極８と走査電極用引き廻し配線１７とが電気的に接続され、走査電極用引き廻し配線１７の一端が下側基板５の一辺に向けて延び、走査電極側駆動用ＩＣ１３に接続されている。 - 特許庁