「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(170ページ目) - Weblio英語例文検索

The film for a heat-welding printed laminate has an ethylene adhesive resin layer showing a main peak fusion temperature of 90°C or lower, an amount of fusion heat of 50 J/g or less, and a melt viscosity of 90,000 poise or less at 90°C, laminated on one of the sides of the polypropylene base material layer.例文帳に追加

ポリプロピレンフィルム基材層の片面に、融解の主ピーク温度が９０℃以下で、融解熱量が５０Ｊ／ｇ以下で、９０℃での溶融粘度が９００００ポイズ以下であるエチレン系接着性樹脂層が積層されたことを特徴とする熱融着プリントラミネート用フィルム。 - 特許庁

Moreover, the molding substrate and a lower glass-fiber containing resin substrate are combined by direct joint using a mold resin without interposing an easily permeable adhesive layer such as prepreg, so that light leakage from the adhesive layer is eliminated and the structure of a recessed reflection board (reflector) is obtained suitable for a light emitting device.例文帳に追加

また、下方のガラス繊維入り樹脂基板との組み合わせもプリプレグなどの透過しやすい接着材層を介すことなしにモールド樹脂で直接接合できるため、接着材層からの光漏洩がなくなり発光装置に適した凹型反射板（レフレクター）構造となる。 - 特許庁

A surface emission laser element is formed, so as to have a polyimide layer 28 with a large thickness (d1) on the surface of a semiconductor layer of an outer peripheral region 54 separated from a mesa post 30 through an annular groove 52, to achieve a lower upper surface of the mesa post 30 in the center than the surface of the outer peripheral region 54.例文帳に追加

面発光レーザ素子は、環状溝５２を介してメサポスト３０と分離された外周領域５４の半導体積層の表面に、厚み（ｄ１）が大きなポリイミド層２８を有し、中央のメサポスト３０の上面が外周領域５４の表面よりも低くなるように形成される。 - 特許庁

An NOx absorption reduction upper catalyst layer 3 is formed on the surface of an NOx absorption reduction lower catalyst layer 2, in which an oxide carrier hard to adsorb sulfur oxides in comparison with alumina is used, by depositing Li and an NOx absorption material other than Li on alumina so that the molar ratio of Li to the NOx absorption material other than Li is ≥2.例文帳に追加

アルミナより硫黄酸化物を吸着しにくい酸化物担体を用いたNO_x 吸蔵還元型の下触媒層２の表面に、アルミナにLiとLi以外のNO_x 吸蔵材をモル比でLi／（Li以外のNO_x 吸蔵材）≧２となるように担持したNO_x 吸蔵還元型の上触媒層３を形成した。 - 特許庁

The method for manufacturing a vertical resonator surface light-emitting laser includes a process for allowing a lower Bragg reflector to adhere onto a substrate, a process for allowing an active layer to adhere, a process for allowing an upper Bragg reflector to adhere, and a process for forming an electric contact for applying voltage to the active layer.例文帳に追加

垂直共振器面発光レーザを製造する方法は、基板に下側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、活性層を付着させる工程、上側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、及び活性層に電圧を加える電気的接点を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the wiring correction method for forming a connecting hole 1 through converged ion beam working for pulling out correction wiring of a semiconductor device 11, a slope is formed at a side where the correction wiring for connecting lower-layer wiring 4 and upper-layer wiring 3 is pulled put on a lateral side of the connecting hole 1.例文帳に追加

半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。 - 特許庁

The optical waveguide chip 1 is equipped with a core part 6 as an optical waveguide, a clad part 3 consisting of a lower clad layer 4 and an upper clad layer 5, and an optical fiber guide part 7 integrally formed with the clad part 3 for the purpose of positioning a single mode optical fiber to be connected to the core part 6.例文帳に追加

光導波路チップ１は、光導波路であるコア部６と、下部クラッド層４と上部クラッド層５とからなるクラッド部３と、コア部６に接続されるシングルモード用光ファイバを位置決めするためにクラッド部３と一体的に形成されている光ファイバ用ガイド部７とを有する。 - 特許庁

By moving the first mold 3 during the process wherein the thermoplastic resin solidifies in the cavity 11, to the direction to enlarge the cavity volume and expanding the thermoplastic resin, the sound absorbing material 29 is obtained in which a sound absorbing layer 35 having a lower resin density is formed inside a skin layer 33 having a higher resin density.例文帳に追加

キャビティ１１内で熱可塑性樹脂が固化する過程で第１型３をキャビティ容積が拡大する方向に移動させて熱可塑性樹脂を膨張させることにより、樹脂密度の高いスキン層３３の内側に樹脂密度の低い吸音層３５が形成された吸音材２９を得る。 - 特許庁

An I/O signal current of a semiconductor chip internal circuit and a power supply current, that flow in a bonding wire, is divided into a metal wiring layer at a lower layer than pad metal from the pad metal through a via, thus relieving the concentration of the current at the drawing wiring part from a pad opening part.例文帳に追加

ボンディングワイヤーを流れる半導体チップ内部回路の入出力信号電流や電源電流を、パッドメタルからビアを経由してパッドメタルより下層のメタル配線層に分流させることにより、パッド開口部からの引出し配線部における電流の集中を緩和させる。 - 特許庁

The top emission type organic EL display device comprising an organic EL element with a reflecting lower electrode, a functional layer and a light transmitting upper electrode laminated in this order, adopts a structure comprising the auxiliary wiring 5 joined by an indium-based soldered layer 6, on the upper electrode 15.例文帳に追加

反射性の下部電極と機能層と光透過性の上部電極とが順に積層された有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型の有機EL表示装置において、上部電極１５の上に、インジウム系の半田層６により接合された補助配線５を備えた構造を採用する。 - 特許庁

A rubber material in the inner tube layer 12 and the intermediate rubber layer 16 is a blended material of IIR of 40-88 wt.% and EPDM for the remaining part, the upper yarn is PVA, the lower yarn is PET, and their tensile strength per unit dtex is 6.5 g or more, and their ductility under a load of 2.7 g is 2.6±1%.例文帳に追加

内管ゴム層１２および中間ゴム層１６のゴム材料は、ＩＩＲが４０〜８０重量％、残部ＥＰＤＭがブレンド材であり、上糸はＰＶＡであり、下糸はＰＥＴであり、単位デシテックス当たりの引張り強さが６．５ｇ以上で、２．７ｇ伸度が２．６±１％である。 - 特許庁

The combustion plate 20 consists of a first layer 21 being a lamination molded product of silicon carbide fiber; and a second layer 22 formed of ceramic fiber consisting mainly of one of silica or alumina or both of the two having thermal conductivity lower than that of the silicon carbide fiber laminated on its back.例文帳に追加

燃焼プレート２０を、炭化珪素繊維の積層成形体である第１の層２１と、その裏面に積層した炭化珪素繊維よりも熱伝導率の低い例えばシリカまたはアルミナの一方または双方を主成分とするセラミック繊維からなる第２の層２２とで構成する。 - 特許庁

Further, the emitter electorode 11 is forme din two-layered structure comprising a non-doped polysilicon film 12 as a lower layer and the phosphorus-doped silicon film as an upper layer and then the bipolar transistor is realized which has small emitter resistance, the small variance in the current amplification factor of the adjacent transistor, and high performance.例文帳に追加

また、エミッタ電極１１を下層がノンドープポリシリコン膜１２と上層が燐ドープポリシリコン膜１３からなる２層構造とすることにより、エミッタ抵抗が低く、且つ隣接したトランジスタの電流増幅率のばらつきが小さい高性能のバイポーラトランジスタを実現する。 - 特許庁

Plate-like circuit pattern plates 14, 18, 24, 28 which are made of metal, thick, and large in cross section are used, and the upper-layer circuit patterns and lower-layer circuit patterns are connected to each other through metal plates 16 of large cross section, so the large current of ≥100A is caused to flow.例文帳に追加

金属製で厚く断面積の大きい板状の回路パターン板１４、１８、２４、２８を用い、上層の回路パターン板と下層の回路パターン板とを断面積の大きい金属板１６を介して接続してあるため、１００Ａ以上の大電流を流すことができる。 - 特許庁

In addition, the organic EL element has a transparent substrate 31a which is placed at the bottom part of the lower plate of the liquid crystal display panel, a first electrode 31b which is formed on the transparent substrate, an organic EL layer 31c which is formed on the first electrode and a second electrode 31d which is formed on the organic EL layer.例文帳に追加

また、有機ＥＬ素子は、液晶表示パネルの下板の底部に配置される透明基板31aと、透明基板上に形成される第１電極31bと、第１電極上に形成される有機ＥＬ層31cと、有機ＥＬ層上に形成される第２電極31dとを有する。 - 特許庁

The EL element 1 has EL functional element layers 6, 10 made of Ga_2O_3:Eu and a luminous layer 8 made of MgGa_2O_4 formed between them arranged between a thick insulator layer 16 and an upper electrode 12 fitted on a base plate 2 with a lower electrode 4 formed.例文帳に追加

ＥＬ素子１は、下部電極４が形成された基板２上に設けられた厚膜絶縁体層１６と上部電極１２との間に、Ｇａ_２Ｏ_３：Ｅｕから成るＥＬ機能層６，１０及びそれらの間に形成されたＭｇＧａ_２Ｏ_４から成る発光体層８が設けられたものである。 - 特許庁

If a Vcc is supplied to the n-type semiconductor lower layer 105a, a pn joint normal current does not run in the p-type semiconductor upper layer 105b, even when the potential is made to vary from the ground potential to Vcc, the structure can be made to function as a signal wiring.例文帳に追加

ｎ型半導体下部層１０５ａにＶｃｃを供給した場合には、ｐ型半導体上部層１０５ｂは、グランド電位からＶｃｃまで電位を変動させても、ｐｎ接合順方向電流は流れないので、信号配線として機能させることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the huge single crystal represented by general formula [I] comprises forming two layers consisting of an upper layer of a solution of a metal salt of the organic carboxylic acid having a conjugated system and a lower layer of a solvent immiscible with the solution, and introducing vapor of a substituted pyrazine to form the single crystal at the interface.例文帳に追加

一般式[I]で示される巨大単結晶の製造方法であって、共役系を有する有機カルボン酸金属塩の溶液を上層とし、該溶液と混じり合わない溶媒を下層として２層を形成し、置換ピラジン蒸気を導入して界面に単結晶を生成させる。 - 特許庁

In this GaN system semiconductor layer light emitting element of flip chip type, a laminate 2 including a light emitting layer 23 consisting of a GaN system semiconductor is formed on an upper surface of a substrate 1 being a structure on which flip chip mounting can be mounted, and rugged structure 3 is formed on a lower surface of the substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体からなる発光層２３を含んだ積層体２が基板１の上面に形成され、フリップチップ実装可能な構成とされた、フリップチップ型のＧａＮ系半導体発光素子であって、該基板１の下面には、凹凸構造体３が形成されている。 - 特許庁

The container body 10 is made of the composite material 20 having the base material 21 and the peelable layer 22, and has a rack part 15, which is formed to be one step lower than the flange 14 and on which a cutting line 23 for separating the peelable layer 22 is formed.例文帳に追加

容器本体１０は、基材２１と剥離層２２との複合材２０で形成されており、フランジ部１４よりも一段低い棚部１５に剥離層２２を分離する切断線２３が形成され、フランジ部１４において、剥離層２２と蓋材３０とがヒートシールされている。 - 特許庁

For example, the tactile sensor element 13 has two layers, the matrix resin forming an upper layer 24 for receiving contact pressure has a hardness of 10-30 in JIS A hardness and is soft, and the matrix resin forming a lower layer 23 has a hardness of 30-100 in JIS A hardness and is hard.例文帳に追加

例えば、触覚センサ素子１３が２層で構成され、触圧を受ける上層２４を形成するマトリックス樹脂の硬度がＪＩＳ Ａ硬度で１０〜３０であって軟らかく、下層２３を形成するマトリックス樹脂の硬度がＪＩＳ Ａ硬度で３０〜１００であって硬くなるように構成される。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

A lens sheet 50 has a lens layer 51 having a lens array 59 formed thereon, on the lower surface of a translucent substrate 55 and has a light diffusing layer 53 which includes light diffusing material particles 57 and a translucent resin 56 and has a rugged surface and has a haze of 60 to 95%, on the upper surface of the translucent substrate.例文帳に追加

レンズシート５０は、透光性基材５５の下面に、レンズ列５９が形成されたレンズ層５１を付し、更に、上面に、光拡散材粒子５７と透光性樹脂５６とを有し凹凸表面を持ちヘーズが６０％以上９５％以下の光拡散層５３を付してなる。 - 特許庁

The p^+-layers 15 project to inside of an n^--layer 5, and an electric field around the p^+-layers 15 can be intensified, so that breakdown voltage at a Zener diode structure of pn junction composed of the p^+-layers 15 and the n^--layer 5 can be dropped to be lower than the breakdown voltage in the cell region.例文帳に追加

Ｐ＋層１５は、Ｎ−層５の内部に突き出ており、Ｐ＋層１５の周囲の電界を強くすることができるので、Ｐ＋層１５およびＮ−層５からなるＰＮ接合のツェナーダイオード構造部分の降伏電圧をセル領域の降伏電圧よりも下げることができる。 - 特許庁

In addition, since the antiglare layer includes a region B having a smaller average diameter than the polymer region A in a lower part of the antiglare layer, the antiglare film is obtained which has high weather resistance and high surface hardness in addition to excellent antiglare property and ensures improved workability and safety in the production and process of the film.例文帳に追加

加えて、防眩層中の下部にポリマー領域Ａに比べ平均径が小さい領域Ｂを含有していることにより、優れた防眩性に加えて、高い耐候性、高表面硬度およびフィルム製造・加工時の作業性・安全性を向上させた防眩フィルムが得られる。 - 特許庁

When the heat developing photosensitive material 12 is fed between the boxes 20 and 22 by a pair of insertion rollers 16 by making the photosensitive layer thereof face upward, it is guided to the guide plate 24 of the lower heater box and carried so that an air layer is always formed between the upper heater box.例文帳に追加

熱現像感光材料１２は、感光層が上方へ向けられた状態で挿入ローラ対によってヒータボックスの間へ送り込まれると、下側のヒータボックスのガイド板２４に案内され、常に上側のヒータボックスとの間に空気層が形成された状態で搬送される。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus having a wiring structure under a bump for reducing the probability of the occurrence of a crack in a semiconductor chip to solve the problem of delamination of interlayer film due to the occurrence of a crack in an LSI wiring layer in a UBM lower layer immediately under the solder bump in an outer periphery of the LSI chip.例文帳に追加

ＬＳＩチップ外周の半田バンプ直下のＵＢＭ下層の、ＬＳＩ配線層に、クラックが発生し、層間膜の剥離が発生する問題を解決するため、半導体チップに発生するクラックの確率を低減する、バンプ下の配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

After forming a metallic layer (diffusion preventing layer) 150 of a nickel by cladding the nickel on each surface mutually faced in a first and a second plates 111, 112, a copper is heated to not lower than the m.p. of the copper as a brazing filler metal to join the first and the second plates 111, 112 with brazing.例文帳に追加

第１、２プレート（１１１、１１２）のうち互いに面するそれぞれの面に、ニッケルをクラッドしてニッケルの金属層（拡散防止層）１５０を形成した後、銅をろう材として銅の融点以上まで加熱して第１、２プレート１１１、１１２をろう付け接合する。 - 特許庁

An upper surface and a lower surface of a band-like reinforcement member 9 constituting the belt cover layer are offset and continuously wound on an outer peripheral side of a belt layer such that both side surfaces 9s, 9s are inclined in a width direction and the adjacent side surfaces 9s, 9s are superposed on each other.例文帳に追加

ベルトカバー層を構成する帯状補強部材９の上面と下面とをオフセットさせて、両側面９ｓ、９ｓを互いに幅方向に傾斜させると共に、相隣接する側面９ｓ、９ｓ同士を互いに重ね合わせるようにベルト層の外周側に連続巻回した。 - 特許庁

The microwave circuit has: a transformation element 111 made of metal on a lower layer of a dielectric substrate 102; and an upward downward moving mechanism 110 increasing and decreasing an air layer in a gap 112 between the dielectric substrate 102 and the transformation element 111 by moving upward and downward the transformation element 111.例文帳に追加

誘電体基板１０２の下層に金属により構成される変成子１１１と、変成子１１１と変成子１１１を上下させることにより誘電体基板１０２と変成子１１１との空隙１１２の空気層を増減させる上下移動機構１１０を有する。 - 特許庁

In order to avoid contact with the main wiring 36, relay wiring 45 is formed in the same layer as a lower electrode 25 of the X-detection element D_X, and the relay wiring 45 is utilized to detour a circuit composed of the inter-element wiring 43 to the inside of the second inter-layer film 20.例文帳に追加

これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 - 特許庁

To provide a photoelectron integrated circuit device which has a lower resistance in interconnections to keep a resistance value of a CNT layer sufficiently low and which enables operating the CNT layer as a photo detecting element.例文帳に追加

光電子集積回路装置に関し、ＣＮＴ層の抵抗値を充分に低く維持できるようにして配線を低抵抗化した光電子集積回路装置を実現し、また、ＣＮＴ層を受光素子として動作させることができる光電子集積回路装置を実現する。 - 特許庁

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板１の下主面表面内には、ｎ型バッファ層３が選択的に形成され、ｎ型バッファ層３の表面内にはｎ型不純物を比較的高濃度に含んだｎ型半導体層で構成されたｎ型カソード領域６が選択的に形成されている。 - 特許庁

A light storage sheet is constituted of a prism film 2 adhered onto a sheet 1, a light storing agent layer 4 formed around the prism film through a clearance 3, transparent resin layers 5 formed on the surfaces of the prism film and the light storing agent layer, and an adhesive double coated tape 6 stuck on the lower surface of the sheet.例文帳に追加

シート１上に接着されたプリズムフィルム２と、プリズムフィルムの周囲にクリアランス３を介して形成された蓄光剤層４と、プリズムフィルムおよび蓄光剤層の表面に形成された透明樹脂層５と、前記シートの下面に貼着された両面接着テープ６とからなる構成。 - 特許庁

This Tatami mat floor is formed by arranging a synthetic resin foam body in a lower layer part by arranging straws in an upper layer part, and is integrated by the sewing thread, and is characterized by joining a membrane for preventing biting of the sewing thread in the synthetic resin foam body to an under surface of the synthetic resin foam body.例文帳に追加

上層部に藁が配置され、下層部に合成樹脂発泡体が配置されて成り、縫糸によって一体化された畳床において、合成樹脂発泡体の下面に、同合成樹脂発泡体への縫糸の食い込みを防止する膜材が接合されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the apparatus for removing phosphorus in water at high speed and maximally, the fluidized layer of the flocculated particles of the iron hydroxide or the aluminum hydroxide is formed in the fluidized layer type flocculating apparatus consisting of a cylindrical body the lower part of which has an inverse conical shape and is provided with an overflow part of treated water at the upper end thereof.例文帳に追加

下部が逆円錐形状である筒体からなり、上端に処理水の溢流部を設けた流動層型凝集装置内に水酸化鉄又は水酸化アルミニウム凝集粒子の流動層を形成させた水中リンの高速、高度除去装置。 - 特許庁

In a lower layer part on the wire surface in the flux cored wire for gas-shield arc welding, 0.05-1.5g/10kg of wire, of nitrocellulose containing 5-30 mass% of molybdenum disulfide, is contained, and in an upper layer part on the wire surface, 0.3-2.5g of liquid lubricating oil at the ordinary temperature is contained.例文帳に追加

ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤのワイヤ表面下層部に、二硫化モリブデンを５〜３０質量％含むニトロセルロースをワイヤ１０ｋｇあたり０．０５〜１．５ｇ、ワイヤ表面上層部に常温で液体の潤滑油を０．３〜２．５ｇ有することを特徴とする。 - 特許庁

For a resin for filling the openings, by mixing an inorganic filler beforehand to reduce a heat expansion rate to be a half or lower and hardening it before laminating a core material where the wiring layer is formed, peeling from the metal core, disconnection of the internal wiring layer and crack generation due to the heat expansion of the filled resin are suppressed.例文帳に追加

開口を充填する樹脂は、予め無機フィラーを混合し熱膨張率を半分以下に低減し、配線層を形成したコア材を積層する前に硬化しておくことにより、充填樹脂の熱膨張によるメタルコアとの剥離、内部配線層の断線やクラック発生を抑制する。 - 特許庁

When a label name is inputted (selected) by an operator, the inputted objective label name or a label name associated (in an upper layer, a lower layer, or the same phase) with the objective label name can be retrieved, and a display state to identify them is set (S164 or S165).例文帳に追加

操作者によりラベル名が入力（選択）されると、その入力された目的ラベル名またはその目的ラベル名に関連付け（上位層・下位層・同位相）されたラベル名を検索でき、それぞれを判別可能な表示状態が設定される（Ｓ１６４又はＳ１６５）。 - 特許庁

In the optical element in which an inorganic compound layer is laid over an optical element substrate composed of a polymer containing an alicyclic structure, after the inorganic compound layer is laid over, they are thermally processed at temperatures 30 to 40°C lower than the glass-transition temperature of the polymer containing the alicyclic structure, for 24 to 200 hours.例文帳に追加

脂環構造含有重合体からなる光学素子基板に無機化合物層を積層してなる光学素子であって、無機化合物層を積層した後に、脂環構造含有重合体のガラス転移温度より３０〜４０℃低い温度で２４〜２００時間熱処理されてなる光学素子。 - 特許庁

The plastic optical fiber consists of an inner layer having a graded refractive index structure made of a noncrystalline fluorine-containing polymer (a) having no C-H bond and an outer layer made of a fluorine- containing polymer material (c) having a refractive index lower than that of the fluorine-containing polymer (a) and having affinity with the polymer (a).例文帳に追加

Ｃ−Ｈ結合を有しない非結晶性の含フッ素重合体（ａ）を材料とする屈折率分布型構造を有する内層と、含フッ素重合体（ａ）よりも低屈折率でかつそれと親和性を有する含フッ素重合体材料（ｃ）からなる外層を有するプラスチック光ファイバ。 - 特許庁

The lower layer pixel electrode 4 is formed on a section surrounded in plan view by the source wires 2, 2' and the gate wires 1, 1', and further has a portion extending in plan view from the upper layer pixel electrode 3 at least to the one side of either the source wires 2, 2' or the gate wires 1, 1'.例文帳に追加

下層画素電極４は、平面視においてソース配線２，２’とゲート配線１，１’に囲まれた部分に形成され、且つ、平面視において上層画素電極３よりソース配線２，２’およびゲート配線１，１’の少なくとも一方側に延在している部位を有している。 - 特許庁

An insulator film 2, a lower electrode film 3, a dielectric film 4 and an upper electrode film 5 are sequentially formed on a semiconductor substrate 1 to form a laminated layer structure, and a photo resist is coated on the laminated layer structure by a photolithography technique to form a photo resist pattern 6 for processing of an upper electrode.例文帳に追加

半導体基板１上に絶縁体膜２、下部電極膜３、誘電体膜４、上部電極膜５を順に積層させた積層構造の形成後に、フォトリソグラフィ技術を用いて積層構造上にフォトレジストを塗布し、上部電極加工用のフォトレジストパターン６を形成させる。 - 特許庁

The transmission line is composed by a pair of signal lines that are embedded adjacent to the same wiring layer of a dielectric layer, and has thickness larger than width, and at the same time, the coupling impedance between the signal lines is set lower than that between the lines and the conductor of other wiring layers.例文帳に追加

伝送線路を、誘電体層の同一配線層に隣接して埋め込まれた厚みが幅より大なる一対の信号線路によって構成し、かつ信号線路間の結合インピーダンスを前記線路と他の配線層の導体間との結合インピーダンスより低くなるように構成する。 - 特許庁

Between a punch-through stopper layer 7 and an n-type semiconductor region 2D forming a drain of a memory cell MC, an n- type semiconductor region 8 whose impurity concentration is substantially lower than the n-type semiconductor region 2D is provided, to relax the electric field at a junction of the punch-through stopper layer 7.例文帳に追加

メモリセルＭＣのドレインを形成するｎ型半導体領域２Ｄとパンチスルーストッパ層７との間に、ｎ型半導体領域２Ｄより実質的に不純物濃度の低いｎ^-型半導体領域８を設けることにより、パンチスルーストッパ層７の接合部の電界を緩和させる。 - 特許庁