「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(174ページ目) - Weblio英語例文検索

The conductive layer 2a of the lower surface of the 2nd component 2 is soldered 3 and connected to the upper conductive surface 1a of the 1st component 1 by a fillet 3a formed along the rise surface 5a of the recessed part 5 of the 1st component 1 located under the 2nd component 2.例文帳に追加

第２の部品２の下面の導体層２ａは、第２の部品２の下に位置する第１の部品１の凹部５の立上がり面５ａに沿ったフィレット３ａで半田３付け接続する。 - 特許庁

Like the conventional technology, an air supply means 3 for back washing and a backwash water supply means 4 are disposed on the lower part of the packed layer 2 of an aerobic filter bed having a biological membrane formed on the surface thereof.例文帳に追加

表面に生物膜が形成された好気性ろ床の充填層２の下部に、従来と同様に逆洗用空気供給手段３と逆洗水供給手段４とを設ける。 - 特許庁

When a tapered angle at a lower end of a tapered surface of the bank is set up to be α, and the maximum value of the tapered angle of the bank at an counter electrode side rather than the organic layer is set up to be β, the relationship of these tapered angles is set up to be β<α.例文帳に追加

前記バンクのテーパ面の下端のテーパ角度をαとし、前記有機層よりも前記対向電極側の前記バンクのテーパ角度の最大値をβとしたとき、β＜αである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate with a plurality of layers exerting a function intrinsic to each layer by lamination coating without the laminar mixture of coating liquids having a viscosity of 100 mPa×S or lower, and to provide its manufacturing apparatus.例文帳に追加

粘度１００ｍＰａ・Ｓ以下の塗布液どうしを層混合することなく積層塗布し、各層固有の機能を発揮する複数層付き基材の製造方法、および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film element, which controls the width of the (lower) layer of a reverse side of a stacking direction in a layered structure formed on the element forming surface of a substrate.例文帳に追加

基板の素子形成面に形成された積層構造にあって積層される方向とは逆側の（下部の）層の幅をより小さく制御することが可能な薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive layer as the source 26 and the drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

またソース２６とドレイン２８と同一の導電層で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁

To provide a door lower molding enabling a chipping resistance and a sealability to co-exist with each other, a door closing load to be reduced, and the possibility of occurrence of wrinkles in a coated layer to be suppressed.例文帳に追加

耐チップ性とシール性とを両立させることができるとともに、ドア閉鎖荷重を低減させることができ、しかも、塗装層に皺が発生するおそれを抑制することができるドアロアモールを提供する。 - 特許庁

Then the connection hole 16 to the protective film 10, and the wiring groove 17 which communicates with the top of the connection hole 16, are formed in the first insulating film 11 and second insulating film 12 on the lower-layer wiring 9.例文帳に追加

次に、下層配線９上の第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２に、保護膜１０に達する接続孔１６と接続孔１６の上部に連通する配線溝１７を形成する。 - 特許庁

A cushion pad of the car seat pad 10 includes a pad body 20, a seat surface body 40 fitted to the recess 24 of the pad body 20, and a low-tensile layer 41 fixed to the lower surface of the seat surface body 40.例文帳に追加

車両用シートパッド１０のクッションパッドは、パッド本体２０と、該パッド本体２０の凹所２４に嵌合された座面体４０と、該座面体４０の下面に固着された低伸び層４１とからなる。 - 特許庁

When an overheated part is generated in the temperature distribution in the no-exposure region of the spread layer, remedical measures for preventing an overheating from occurring to be applied to lower the temperature of the overheated part are applied to the three-dimensionally laminated shaped object.例文帳に追加

散布層の非照射領域の温度分布において過熱部が発生しているときには、過熱部の温度を低くくする過熱防止対策を三次元積層造形物に施す。 - 特許庁

On the back of a semiconductor chip 1 having an element formed on the surface side, a plurality of holes 4 are made and filled with a thermal conductor layer 5 having a thermal resistance lower than that of the semiconductor chip.例文帳に追加

表面側に素子が形成された半導体チップ１の裏面には、複数個の穴４が形成され、この穴４に半導体チップより熱抵抗の小さい熱伝導体層５が埋め込まれる。 - 特許庁

Radial support members 70 within the intermediate layer 52 prevent collapse of the vascular access graft and may be formed of a material that has a lower melting temperature than the other components of the graft.例文帳に追加

中間層内部における放射状支持部材７０は、血管アクセス移植片の崩壊を阻止するが、移植片の他の成分よりも低い融解温度を持つ材料から形成されてもよい。 - 特許庁

In a vapor-phase growth process, by supplying monosilane gas at a level not lower than 550°C to less than 750°C to the principal surface of the silicon substrate W in the reaction vessel, the silicon epitaxial layer is formed in vapor phase growth.例文帳に追加

反応容器内のシリコン基板Ｗの主表面上に、５５０℃以上７５０℃未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。 - 特許庁

The surface of a conductor pattern 3 except the lower electrode forming region 17 of a thin film capacitor element 12 is covered with a first resist film 13, and a metal film layer 5 is formed on all the surface of the conductor pattern 3.例文帳に追加

導体パターン３の表面を、薄膜コンデンサ素子１２の下部電極形成領域１７を除いて、第１のレジスト膜１３で覆い、導体パターン３の全面に金属被膜層５を形成する。 - 特許庁

To restore a relation of an application and a lower stage layer using small loss, when line break and reconnect on active line occur during operation of application in a portable terminal enabling communication, and the like.例文帳に追加

通信可能な携帯端末などで、アプリケーション実行中に、回線の状態で回線の切断、再接続が行なわれてしまった時のアプリケーションとの下位層の関係修復を少ないロスで行う。 - 特許庁

Subsequently, an additional high-density and low-energy plasma treatment is processed, so that a top surface of the lithium alloy oxide layer forms uniform, dense, and inter-necked nano grains, and an inside/lower part remains unchanged.例文帳に追加

続いて、付加的な高密度、低エネルギーのプラズマ処理を実行して、リチウム合金酸化層の上表面が、均一、緻密、緊密に接合したナノ粒子を形成し、内部/下方は、そのまま維持する。 - 特許庁

A surface light-emitting laser 100 is formed by laminating a lower mirror 112, an active layer 114, and an upper mirror 116 on a semiconductor substrate 110, and a step structure 150 in a convex shape is provided on the upper mirror.例文帳に追加

面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。 - 特許庁

A second insulating film 11 having a specific permittivity of 3.5 or lower is formed on the first insulating film, and the interconnect layer 16 connected to the through-substrate contact plug and the contact plug is formed in the second insulating film.例文帳に追加

第1の絶縁膜上に比誘電率が３．５以下の第2の絶縁膜１１を形成し、第2の絶縁膜中に基板貫通コンタクトプラグ及びコンタクトプラグに接続された配線層１６を形成する。 - 特許庁

To sufficiently suppress dispersion of a composition on a surface of lower-layer Cu wiring by sufficiently obtaining processing controllability of a via hole regardless of an opening size of the via hole when a SiOCH film is used as a wiring insulation film.例文帳に追加

配線絶縁膜としてＳｉＯＣＨ膜を用いる場合に、ビアホールの開口径に依らず、その加工制御性を十分に得て、下層Ｃｕ配線の表面の組成のバラツキを十分に抑制する。 - 特許庁

In a functional element region 2, an upper wiring 29 connected to a lower wiring 25 and a cap metal layer 32 are formed between the surface of a third interlayer insulating film 27 and a passivation film 33.例文帳に追加

機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer has a characteristic structure that upper and lower layers in its channel formation region are silicon oxide/nitride films of at least 3 atom% and not more than 30 atom% in nitrogen content.例文帳に追加

また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が３原子％以上３０原子％以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 - 特許庁

To provide a dielectric formation glass paste for a plasma display panel which can be sufficiently baked at ≤600°C, and can obtain a dielectric layer having a lower dielectric constant and a higher transmittance.例文帳に追加

６００℃以下の温度で十分に焼成でき、より低い誘電率と高い透過率を有する誘電体層を得ることが可能なプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストを提供することである。 - 特許庁

The deaerator 10 exhausting gas generated from the lower face of a waterproof coated film layer applied onto a concrete surface into the atmosphere, includes a base plate 11 installed on the concrete surface.例文帳に追加

コンクリート面上に塗布された防水用塗膜層の下面から発生するガスを大気中に排気する脱気装置１０であり、コンクリート面に設置されるベースプレート１１を備えた構成とする。 - 特許庁

A light collecting device includes a laminate of two or more wavelength conversion layers 3 and a low refractive index layer 4 having a lower refractive index than that of the wavelength conversion layers on both sides of the wavelength conversion layers in the thickness direction thereof.例文帳に追加

集光装置であって、２以上の波長変換層３と、波長変換層の厚さ方向両側に、波長変換層よりも屈折率の低い低屈折率層４が積層されている。 - 特許庁

Then, a surface layer of the base region 2 is removed until the surface of the base region 2 becomes lower than the interface between the gate electrode 5 and the interlayer insulation film 7 by etching to form a first recess 6.例文帳に追加

そして、エッチングによって、ベース領域２の表面がゲート電極５と層間絶縁膜７との界面より低い位置になるまで、ベース領域２の表面層を除去し、第１凹部６を形成する。 - 特許庁

To provide a material enabling surface treatment of an inorganic filler which can form a conductor layer having high peeling strength, even if roughness of an insulating film surface after being roughened is lower than hitherto.例文帳に追加

従来以上に粗化後の絶縁層表面の粗度が低くても、高いピール強度を有する導体層の形成が可能な無機充填剤を表面処理しうる素材を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element capable of improving a bonding force between layers positioned in the lower part of a light emitting structure including a compound semiconductor layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体層を含む発光構造物の下部に位置される各層の間の接着力を向上させることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An upper-stage metal conductor portion 45b constituting the mother substrate connection terminal 45 is formed on the lower-stage metal conductor portion 45a and resin insulating layer 21 to cover an opening edge of the opening 37.例文帳に追加

母基板接続端子４５を構成する上段金属導体部４５ｂは、開口部３７の開口縁を覆う状態で下段金属導体部４５ａ及び樹脂絶縁層２１の上に形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified.例文帳に追加

水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence device allowing an anode being a lower electrode to be formed with a single metal layer, in a front luminescent structure; and to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

前面発光構造において、下部電極であるアノードを単一の金属層で形成することができる有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To strengthen adhesive power of a sealant with a lower plate in a high aperture ratio liquid crystal panel to which an organic insulation layer is applied.例文帳に追加

本発明は有機絶縁膜が適用された高開口率液晶パネルでシーリング剤と下板の接着力を強化させることができる液晶表示装置とその製造方法に関することである。 - 特許庁

This tire house 1 provided above the tire 5 of the vehicle 4 is provided with a tire house body 2 and a water adsorption layer 3 formed of a foaming polymeric material stuck to the lower face of the tire house body 2.例文帳に追加

タイヤハウス１は、車両４のタイヤ５の上方に設けられており、タイヤハウス本体２と、タイヤハウス本体２の下面に貼られた発泡高分子材料からなる水吸着層３とを備えている。 - 特許庁

This invention provides offload of the processor control of a plurality of network communications containing a long life and short life connection at once partly by the similarity in the condition of a lower software layer.例文帳に追加

一部は下位ソフトウェア層の状態における共通性により、本発明では、長命および短命接続を含む、複数のネットワーク通信のプロセッサ制御を一度にオフロードすることを提供する。 - 特許庁

(2) The metal having a lower standard electrode potential than Ag is contained in the grain boundaries of Ag and/or Ag alloy of the light reflecting layer.例文帳に追加

（２）Ａｇより標準電極電位の小さい金属が、光反射層のＡｇ及び／又はＡｇ合金の結晶粒界に含まれていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。 - 特許庁

Then, an electronic component is connected to the lower-layer rewiring 24 and mounted to make electronic equipment smaller in size, and the wiring length is made shortest to suppress circuit characteristic deterioration.例文帳に追加

そして、下層再配線２４に電子部品を接続させて搭載するようにして、電子機器のより一層の小型化が可能で、且つ、配線長を最短として回路特性劣化を抑制することができる。 - 特許庁

This antireflection base material 1 includes a low refractive index layer 5 provided on the base material 2 and containing a low refractive index material 3 and having a refractive index lower than that of the base material 2, and a light absorbing material 4.例文帳に追加

反射防止基材１は、基材２上に設けられ、この基材２よりも屈折率が低い低屈折率材料３と、光吸収材料４とを含む低屈折率層５を備える。 - 特許庁

Since the joined upper-lower waterproof floor members 1 and 2 have drain gradients, the waterproof floor F having a similar drain gradient can be constructed only by arranging the surface layer material P having a substantially uniform thickness.例文帳に追加

接合した上下の防水床部材１，２が排水勾配を持つから、厚みが実質的に均一の表層材Ｐを配置するだけで同様の排水勾配を有する防水床Ｆを構築できる。 - 特許庁

An information recording layer is formed on at least either of the upper disk substrate 3a and the lower disk substrate 3b within a range between the inner peripheral segment and outer peripheral segment of the disk substrates.例文帳に追加

上側ディスク基板３ａおよび下側ディスク基板３ｂの少なくといずれか一方には、ディスク基板の内周部分と外周部分との間の範囲内で情報記録層が形成されている。 - 特許庁

In a primary heat treatment apparatus 1, after heating bearing parts at the temperature exceeding A_1 transformation point with a heating machine 11, the nitrogen-rich layer is formed on the surfaces of the bearing parts by cooling them lower than A_1 transformation point.例文帳に追加

一次熱処理装置１は、加熱機１１で軸受部品をＡ_1変態点を越える温度に加熱した後、Ａ_1変態点未満に冷却して軸受部品の表面に窒素富化層を形成する。 - 特許庁

The electrode part 7 and the elastic part 15 can be formed by one layer and the actuator 6 can be formed by two structural layers together with a lower electrode 8 to be formed on a substrate 20.例文帳に追加

１層で電極部分７と弾性部分１５とを作りこむことが可能となり、基板２０の上に形成される下電極８とあわせて２層の構造層でアクチュエータ６を作ることが可能となる。 - 特許庁

Window glass 17 having a heat insulating effect is used for the additional window, and opening parts 19b and 19a are respectively arranged on the vertical directional lower side and upper side in the intermediate space layer.例文帳に追加

付加窓には遮熱効果を有する窓ガラス１７が用いられ、中空間層にはその鉛直方向下側及び上側にそれぞれ開口部１９ｂ及び１９ａが設けられている。 - 特許庁

By using a lift-off mask 40, a groove 42 is formed in a lower magnetic pole 11B by etching, and a nonmagnetic embedded layer 50 is formed by sputtering so as to embed at least the groove 42.例文帳に追加

リフトオフマスク４０を用いて、エッチング処理により下部磁極１１Ｂに溝４２を形成すると共に、スパッタリングにより少なくとも溝４２を埋め込むように非磁性埋込層５０を形成する。 - 特許庁

When a read-out current is made to flow to a lamination direction through a lower part electrode 11 and an upper part electrode 14, reduction of resistance variation quantity caused by a second magnetization fixing layer 233 can be suppressed.例文帳に追加

下部電極１１および上部電極１４を介して積層方向に読出電流を流した場合、第２の磁化固着層２３３に起因する抵抗変化量の減少を抑制することができる。 - 特許庁

Signal lines La1, La2, Lb1 and Lb2 are formed on the upper surface of an upper dielectric layer 1, and signal lines La3 and Lb3 are formed on the upper surface of intermediate and lower dielectric layers 2 and 3.例文帳に追加

上部誘電体層１の上面に信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２が形成され、中間及び下部誘電体層２、３の上面に信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３が形成される。 - 特許庁

To provide a laser beam welding method by which defective welding is not developed in the welding of a metallic material having an intermediate layer composed of a metal having lower boiling point than the melting point of a metal to be welded.例文帳に追加

溶接される金属の融点より低沸点の金属よりなる中間層を有する金属材の溶接において溶接不良が生じないレーザー溶接方法を提供すること。 - 特許庁