「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(178ページ目) - Weblio英語例文検索

An affinity promoting surface layer 13 having a hardness lower than those of the spherical recessed and curved surface 10c and the spherical protruded and curved surface 14c is provided on the spherical recessed and curved surface 10c of the rocking member 10.例文帳に追加

揺動部材１０の球状凹曲面１０ｃ上には、球状凹曲面１０ｃ及び球状凸曲面１４ｃよりも低い硬さのなじみ促進表面層１３が設けられている。 - 特許庁

To provide a continuous casting method capable of preventing a γ grain boundary cracking on a cast slab surface layer part easily caused in a brittle temperature zone of a A_3 transformation temperature or lower appropriately in accordance with characteristics of steel grade.例文帳に追加

Ａ_3変態温度以下の脆化温度域において発生しやすい鋳片表層部のγ粒界割れを鋼種の特性に応じて的確に防止できる連続鋳造方法を提供する。 - 特許庁

Additionally, the reflux magnetic flux 30 flowing out of the main magnetic pole layer 24 is branched into lower and upper return yoke layers 18, 28, after passing the magnetic disk 2 for smoothly flowing in recording operation.例文帳に追加

また、記録動作時に主磁極層２４から流出した還流磁束３０は、磁気ディスク２を通過したのち下部および上部リターンヨーク層１８，２８に分流して円滑に流入する。 - 特許庁

The lower end layer 2a is formed at a first forming temperature of 900-1,100°C, and the remaining layers are formed at a second forming temperature of 1,100-1,280°C higher than the first forming temperature.例文帳に追加

下端層２ａは、９００℃〜１１００℃の第１形成温度にて形成し、残りの層は、これに連続して、第１形成温度よりも高い１１００℃〜１２８０℃の第２形成温度にて形成する。 - 特許庁

An upper transparent resin substrate 21 and a lower resin substrate 22 each formed by integrating a wavy layer with a substrate to obtain the light condensing property equal to that of a glass substrate and to simplify the multilayered structure are used.例文帳に追加

ガラス基板と同等の集光性を示し、多層構造の簡素化を図るため、凹凸層を基板に一体化して形成した上側透明樹脂基板２１と下側樹脂基板２２とを用いる。 - 特許庁

An amplifier chip 10 provided with a coil 11 is positioned so that the coil 11 fits in the hole 3 of the conductive board 2, and is fixed through an insulating layer to be tightly contacted with the lower side of the conductive board 2.例文帳に追加

また、コイル１１を備えた増幅器チップ１０は、コイル１１が導体板２の穴３に一致するように配置し、絶縁層を介して導体板２の下側に密着して固定する。 - 特許庁

By providing the air gap layer 6, it becomes difficult for the lower electrode 2 and the top electrode 4 to short-circuit, even when chipping occurs or a fatigue crack is produced in the manufacture of the thin film 3.例文帳に追加

空隙層６を設けることにより、圧電体薄膜３の製造時に欠損があったり疲労亀裂が発生した場合にも、下部電極２と上部電極４とが短絡しにくくなる。 - 特許庁

The particulate matter accumulating on the ceramic filter 9 can be removed even in a removal difficult place such as a lower layer part and the inside of pores, and removal failure can be prevented.例文帳に追加

これにより下層部や多孔内など除去が難しい部位であってもセラミックフィルタ９に蓄積した粒子状物質を除去することができるとともに、除去漏れがないようにすることができる。 - 特許庁

A p--channel area 50 with an effective concentration of acceptor of 1×1013-1×1016 cm-3 which is lower than that of the inside is provided on the surface layer of a p base area 42 just beneath a gate oxide film 45.例文帳に追加

ゲート酸化膜４５直下のｐベース領域４２の表面層に、実効的なアクセプタ濃度が１×１０^13〜１×１０^16ｃｍ^-3と内部より低濃度のｐ^- チャネル領域５０を設ける。 - 特許庁

Temperature control is performed so that the surface temperature of the optical fibers 10 becomes 130° or lower by interrupting heat to be transmitted from the jacket 8 to the optical fibers 10 with the heat insulation effect of the heat insulating layer 7.例文帳に追加

そして、断熱層７の断熱効果によって、外被８から光ファイバ心線１０に伝わる熱を遮断して、光ファイバ心線１０の表面温度が１３０℃以下となるように温度管理する。 - 特許庁

This floor member 1 is constituted by stacking at least a resin-made decorative sheet 2 arranged in the uppermost layer and having a smooth surface and a base material 3 arranged on a lower side of the resin-made decorative sheet 2 and has flexibility.例文帳に追加

床材１は、少なくとも、最上層に配置される表面平滑な樹脂化粧シート２と、樹脂化粧シート２の下側に配置される基材３とが積層されてなり、可撓性を有する。 - 特許庁

The insulating member 20 is provided with at least one resin thread 22 wound around the outer periphery of the internal conductor 10, and a resin layer 25 which has a melting point lower than that of the resin thread 22 and covers the resin thread 22.例文帳に追加

絶縁部材２０は、内部導体１０の外周に巻かれる少なくとも１本の樹脂糸２２と、樹脂糸２２よりも低融点でなり、樹脂糸２２を被覆する樹脂層２５とを備える。 - 特許庁

When the object is a directory, a prior-read command information generating section 111 records look-ahead command information acquiring the list of the object names in one lower layer and attribute information in a look-ahead command buffer 121.例文帳に追加

先読指示情報生成部１１１は、そのオブジェクトがディレクトリの場合、一下位層のオブジェクト名の一覧と属性情報を取得する先読指示情報を先読指示バッファ１２１に記録する。 - 特許庁

By means of a self-alignment system using a spacer, an ONO dielectric layer (500) on the lower part of a gate is formed to have a twin ONO dielectric structure, of which the middle portion is separated and the both separated sides are symmetric.例文帳に追加

スペーサを使用した自己整合方式でゲート下部のＯＮＯ誘電層（５００）を、中間部分が分離され、分離された両側が対称的なツインＯＮＯ誘電層構造に形成する。 - 特許庁

A lower resist layer 5 is formed on a substrate 1 by spin coating with a photosensitive resist in about 5.5 μm thickness and the resulting sample is baked at 110-130°C.例文帳に追加

基材１上に感光性レジストを５．５μｍ程度の厚さになるように回転塗布することによって下部レジスト層５を形成した後、この試料を１１０℃〜１３０℃の温度で試料をベークする。 - 特許庁

The bearing sleeve 8 includes a body 81 cylindrically formed of a porous body of sintered metal, and a resin layer 82 formed from an inner periphery to a lower end face of the body 81.例文帳に追加

軸受スリーブ８は、焼結金属からなる多孔質体で円筒状に形成された母体８１と、母体８１の内周面から下側端面にかけて形成された樹脂層８２とで構成される。 - 特許庁

The organic insulation layer 12 or the substrate 11 in contact with upper and lower sides of the short-circuit portion 23 are made to remain, and on the other hand, a cavity 25 is generated in the laser irradiation area 24 (a part where the short-circuit 23 disappears).例文帳に追加

短絡部２３の上下に接する有機絶縁層１２または基板１１は残されている一方、レーザ照射領域２４（短絡部２３が消失した部分）には空洞２５が生じる。 - 特許庁

To lower volume resistivity and provide positive temperature coefficient characteristic and satisfactory adhesive bonding with a metal by forming an adhesive resin layer on a surface of a film, comprising a conductive resin composition.例文帳に追加

体積抵抗率が低く、良好なＰＴＣ特性を有し、なおかつ、金属との接着力に優れたＰＴＣ型サーミスタ用導電性樹脂複合体およびＰＴＣ型サーミスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a flattened semiconductor integrated circuit having a multilayered wiring structure such that the pattern of its lower wiring layer can be observed, and to provide a method for detecting secondary charged particle image.例文帳に追加

多層配線構造を有し平坦化された半導体集積回路において、下層配線層のパターンを観察できる半導体集積回路の構造及び２次荷電粒子像検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its method for manufacturing which has a MOSFET with a high quality and high performance multi gate, wherein the processing accuracy of a support is enhanced to support the lower plane of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の下面を支える支持部の加工精度が高められた高品質かつ高性能なマルチゲートを持つＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The lower part magnetic shield 10 is formed so that it is arranged laterally symmetrically with respect to a track width region and have a hollow region, in which an insulating patch layer 18 for ensuring additional insulation is embedded.例文帳に追加

トラック幅領域に対して左右対象に配置され、付加的な絶縁性を確保するための絶縁パッチ層１８が埋め込まれた窪み領域を有するように、下部磁気シールド１０を形成する。 - 特許庁

A voltage applied to the liquid crystal layer in end side areas is made lower than that in the other areas in pixel areas due to dielectric walls formed in end side areas.例文帳に追加

端辺領域に形成された誘電体壁によって、端辺領域の液晶層に印加される電圧が、絵素領域内の他の領域の液晶層に印加される電圧よりも小さくなる。 - 特許庁

After the duct has been hung on the floor layer, the de-coiler, the duct pipe making machine and the run-off table are disconnected, and are moved to the upper or lower subject floor with skipping one floor by using a construction elevator 4.例文帳に追加

当該階層のダクト吊り込みを終了したのち、デコイラ、ダクト製筒機及びランオフテーブルの連結を解き、工事用エレベータ４を利用して１つおいて上または下の対象フロアに移動する。 - 特許庁

In the semiconductor device cut into individual pieces along a scribe line from a wafer, TEG elements 12 for monitoring are arranged in an empty region in the lower layer of an assembly pad 11 provided in each individual piece.例文帳に追加

ウェハからスクライブ線に沿って個片に切り出される半導体装置において、各個片に設けた組み立てパッド１１の下層の空いた領域に、モニタ用のＴＥＧ素子１２を配置した。 - 特許庁

A contact 5 of each side wall 4 in contact with the side peripheral edge of the substrate W, the first support piece 20, and the second support piece 24 are coated with a resin layer 30 with lower friction than the container body 1.例文帳に追加

そして、基板Ｗの側部周縁と接触する各側壁４の接触部５、第一の支持片２０、及び第二の支持片２４を容器本体１よりも低摩擦性の樹脂層３０で被覆する。 - 特許庁

The unit cell U has a plate-like positive current collector 1a and a positive active material layer 1b formed on a part of each of the upper surface and a lower surface of the positive current collector 1a.例文帳に追加

単位電池Ｕは、板状の正極集電体１ａと、正極集電体１ａの上面および下面の各一部の上に形成された正極活物質層１ｂとを有している。 - 特許庁

The thickness and location of the resist layer region of photosensitivity with respect to the reflective layer are selected to include from within the interference pattern higher contrast portions of the interference pattern in the direction of the resist thickness, to exclude lower contrast portions of the interference pattern in the resist thickness direction from the resist layer region of photosensitivity, and to improve contrast of the aerial image in the resist layer region of photosensitivity.例文帳に追加

レジスト層の感光性領域での空中像のコントラストを向上させるため、レジスト層の感光性領域の反射層に対する厚さおよび位置は、干渉パターンのうち、レジスト層の厚さの方向において相対的にコントラストが高い干渉パターンの部分を含み、レジスト層の厚さの方向において相対的にコントラストが低い干渉パターンの部分を前記レジスト層の前記感光性領域から除外するように選択される。 - 特許庁

On the CPP structured magnetoresistive effect head, the deformation adjacent to the plane facing the medium to occur in machine polishing for a floating plane machining process can be reduced by arranging deformation preventing layers 13, 14 with a shearing modulus larger than a first ferromagnetic layer 19 and a second ferromagnetic layer 17 between a magnetoresistive effect film 50 and at least either a lower shield layer 11 or un upper shield layer 12.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜５０と、少なくとも下部シールド層１１あるいは上部シールド層１２の何れか一方との間に、第１の強磁性層１９および第２の強磁性層１７よりも大きなずれ弾性率を有する変形防止層１３、１４を設けることにより、浮上面加工工程で機械研磨加工を行った際に発生する媒体対向面近傍における変形を低減できる。 - 特許庁

A base material is obtained by laminating a second film layer having a lower stress relaxation than that of the first film layer made of a thermoplastic resin except one or more types of olefin thermoplastic elastomer on any of a polymer alloy of an amorphous polyolefin, an olefin resin and a thermoplastic elastomer, a copolymer and an acrylic urethane copolymer so that the first film layer made of the olefin thermoplastic elastomer becomes the skin laminating side outermost layer.例文帳に追加

非晶質ポリオレフィン、オレフィン系樹脂と熱可塑性エラストマーとのポリマーアロイや共重合物、アクリル／ウレタン共重合体の何れかに一種以上のオレフィン系熱可塑性エラストマーからなる第１のフィルム層が皮膚貼付側最外層となるように、前記オレフィン系熱可塑性エラストマー以外の熱可塑性樹脂からなり前記第１のフィルム層よりも応力緩和性の低い第２のフィルム層を積層して、基材フィルムを得る。 - 特許庁

To prevent bubbles, etc. from entering openings for vertical continuity which is formed in a base plate when forming a lower-layer interconnection by electrolytic plating, in a semiconductor apparatus wherein a semiconductor structure having a columnar electrode is mounted face down on the base plate and the lower-layer interconnection is formed below the base plate in such a state that it is electrically connected to the columnar electrode of the semiconductor structure.例文帳に追加

ベース板上に柱状電極を有する半導体構成体がフェイスダウンとされた状態で設けられ、ベース板下に下層配線が半導体構成体の柱状電極に電気的に接続されて設けられた半導体装置において、下層配線を電解メッキにより形成するとき、ベース板に形成された上下導通用の開口部内に気泡などが全く入り込まないようにする。 - 特許庁

The method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element includes steps of forming a lower electrode 26 on a conductive layer, forming an STO thin film 27 as a first dielectric material on the lower electrode, forming a BST thin film 28 as a second dielectric material on the STO thin film with the STO thin film used as a seed layer, and forming an upper electrode 29 on the BST thin film.例文帳に追加

半導体素子のキャパシタ製造方法は、導電層上に下部電極２６を形成するステップと、前記下部電極上に第１誘電体としてＳＴＯ薄膜２７を形成するステップと、前記ＳＴＯ薄膜上に前記ＳＴＯ薄膜をシード層にして第２誘電体としてＢＳＴ薄膜２８を形成するステップと、前記ＢＳＴ薄膜上に上部電極２９を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The material related to this invention includes a support and at least one layer based on a hydrophilic binder and, in at least one layer based on the hydrophilic binder, the hydrophilic binder includes a heat-sensitive part in LCST and the heat-sensitive part is selected so as to become lower than a temperature for drying the material by LCST (lower part critical solution temp.).例文帳に追加

本発明に係る材料は、支持体および親水性バインダーをベースとする少なくとも１種の層を含んでなり、前記親水性バインダーをベースとする少なくとも１種の層において、前記親水性バインダーがＬＣＳＴにおいて感熱性である部分を含んでなり、前記感熱性部分が、それらのＬＣＳＴが上記材料を乾燥させる温度よりも低くなるように選ばれたものであることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the piezoelectric element includes processes of forming a lower electrode 20 above a base 10; forming the dielectric layer by carrying out a pair of a first process of forming a laminar portion 311a above the lower electrode 20 and a second process of making the laminar portion 311a thin by chemical polishing once or a plurality of times; and forming an upper electrode above the dielectric layer.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子の製造方法は、基体１０の上方に下部電極２０を形成する工程と、下部電極２０の上方に層状部３１１ａを形成する第１工程、および、層状部３１１ａを化学的機械研磨により薄くする第２工程の組を１または複数回行い、誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上方に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The electrophoresis display device 20 includes a substrate 12, a microcapsule containing layer 400 provided on the lower surface side of the substrate 12 and containing microcapsules 40 each including electrophoresis dispersion liquid 10 formed by dispersing two kinds of electrophoretic particles 51 and magnetic particles 52 having a hue different from that of the electrophoretic particles 51 in a liquid phase dispersant 6 and a counter substrate 11 provided on the lower surface side of the microcapsule containing layer.例文帳に追加

電気泳動表示装置２０は、基板１２と、基板１２の下面側に設けられ、２種の電気泳動粒子５１と、各電気泳動粒子５１とそれぞれ色相が異なる磁性粒子５２とを液相分散媒６に分散してなる電気泳動分散液１０を内包するマイクロカプセル４０を含有するマイクロカプセル含有層４００と、その下面側に設けられた対向基板１１とを備える。 - 特許庁

A printed circuit board 30 is provided, with a thin film capacitor incorporated therein, sequentially including: a lower electrode 33 on an insulating base material 31a; an amorphous paraelectric film 35 formed on the lower electrode; a metal seed layer 37 formed on the paraelectric film; and an upper electrode 39 with surface roughness Ra of 300 nm or more formed on the metal seed layer.例文帳に追加

絶縁基材３１ａ上に順次下部電極３３と、上記下部電極上に形成された非晶質常誘電体膜３５と、上記常誘電体膜上に形成された金属シード層３７と、上記金属シード層上に形成されたその表面粗度Ｒａが３００ｎｍ以上である上部電極３９と、を形成して薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板３０とする。 - 特許庁

The group III nitride-based semiconductor light emitting element has a light emitting part of pn junction double heterostructure obtained by forming a lower barrier layer 104 of n-type group III nitride-based semiconductor, a light emitting layer 105 of III nitride semiconductor, and a p-type upper barrier layer 106 sequentially on a crystal substrate 101.例文帳に追加

結晶基板１０１上に、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなる下部障壁層１０４とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層１０５とｐ形の上部障壁層１０６とを順次積層したｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の発光部を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、上部障壁層を、ｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体とする。 - 特許庁

In the inkjet recording medium having on a support at least two or more porous ink receiving layers containing silica fine particles, the fine pore distribution curve of each layer has at least one peak within a range of 8 to 70 nm of fine port diameters and the fine pore diameter peak of the upper layer is larger than that of the lower layer.例文帳に追加

支持体上に少なくとも２層以上のシリカ微粒子を含有した多孔質インク受容層を設けたインクジェット記録媒体であり、各層の細孔分布曲線が細孔径８〜７０ｎｍの範囲に少なくとも１つのピークを持ち、上層の細孔径ピークが下層の細孔径ピークより大きいことを特徴とするインクジェット記録媒体及びその製造方法。 - 特許庁

A polypropylene resin sheet for PTP packing comprises two or more polypropylene resin layers consisting of one layer (first layer) containing a filler in the maximum content Cmax (5 weight%≤Cmax≤50 weight%) and one or more layer containing a filler in content C (C≥0) lower than Cmax.例文帳に追加

ポリプロピレン系樹脂からなる２以上の層からなり、該ポリプロピレン系樹脂からなる層が、これらの層の中で最高の含有率Ｃmax（ただし、５重量％≦Ｃmax≦５０重量％）で充填剤を含有する一つの層（第一層）、およびＣmaxよりも低い含有率Ｃ（ただし、Ｃ≧０）で充填剤を含有する１層以上の層であることを特徴とするＰＴＰ包装用ポリプロピレン系樹脂シート。 - 特許庁

A hydrophobic mask layer 13 having water wettability lower than that of a conductive surface 12a is formed in at least a part on the conductive surface 12a of a substrate 12, a metal oxide is electrolytically deposited on the conductive surface 12a by an electrolytic deposition method, the metal oxide deposited on the hydrophobic mask layer 13 is removed to form a pattern of a metal oxide layer 14.例文帳に追加

基体１２の導電性表面１２ａ上の少なくとも一部に、水の濡れ性が導電性表面１２ａよりも低い疎水性マスク層１３を形成し、電解析出法により、導電性表面１２ａ上に金属酸化物を電解析出させるとともに、疎水性マスク層１３上に析出した金属酸化物を除去して、金属酸化物層１４をパターン形成する。 - 特許庁

A dyed layer formed by making a sublimating dye to be fixed, and a reflection enhancing film layer made of a dielectric thin film of a metal oxide in which thin films having a higher refractive index than the refractive index of a base material film and thin films having a lower refractive index are laminated alternately on the dyed layer are formed on the base material film made of a resin having transparency.例文帳に追加

透光性を有する樹脂からなる基材フィルム上に、昇華性染料が定着されることにより形成される染色層と、染色層の上に基材フィルムの屈折率に対して高い屈折率を持つ薄膜と相対的に低い屈折率を持つ薄膜とが交互に積層され金属酸化物の誘電体薄膜からなる反射増加膜層とが形成されている。 - 特許庁

The expansion slit type seismic control structure includes the two adjacent structural bodies 2, 3 vibrating independently, wherein the bodies 2, 3 are separated at one section close to a lower layer in the full layers without connection, connected at one section close to an upper layer, causing the two structural bodies 2, 3 to integrally behave through the section close to the connected upper layer.例文帳に追加

互いに独立して振動可能な、隣接する二つの構造体２、３を有し、この二つの構造体２、３が全層の内、下層寄りの一部の区間において互いに連結されずに分離し、上層寄りの一部の区間において互いに連結され、この連結された上層寄りの区間を介して二つの構造体２、３が一体的に挙動する状態にする。 - 特許庁

The solar cell module is provided having an i-type layer of the microcrystalline silicon film as a photovoltaic layer in a photovoltaic unit 14, the i-type layer has a first region 30 and a second region 32 having a lower crystallization percentage than the first region 30 in the surface, and a tab electrode 22 to a terminal box 24 of the solar cell module 100 is formed overlapping the second region 32.例文帳に追加

光電変換ユニット１４に微結晶シリコン膜のｉ型層を発電層として含み、そのｉ型層は、面内において第１の領域３０と、第１の領域３０より結晶化率が低い第２の領域３２とを有しており、太陽電池モジュール１００の端子ボックス２４へのタブ電極２２を第２の領域３２に重畳させて配置する。 - 特許庁

In a manufacturing method for a photoelectric conversion element, the photoelectric conversion element consists of a laminated structure, including a porous semiconductor fine particle layer, a charge transport layer and an opposite electrode, and the porous semiconductor fine particle layer is manufactured with a process of applying and heating a particle dispersion liquid, wherein the content of an additive excluding semiconductor fine particles and a dispersion solvent is 1 mass% or lower of the dispersion liquid.例文帳に追加

多孔質半導体微粒子層と電荷輸送層および対極を含む積層構造からなり、該多孔質半導体微粒子層が、半導体微粒子と分散溶媒を除く添加剤の含量が分散液の１質量％以下の粒子分散液を塗布し加熱する工程によって製造されることを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 特許庁

The sealing structure of the compound optical element includes: the compound optical element which has a plurality of layers and in which a layer of a hydrophilic material is formed in an intermediate layer; and a sealing member which is composed of a material with a water absorption rate lower than the hydrophilic material, and which covers the circumference of the compound optical element so that the layer of the hydrophilic material is separated from an external air.例文帳に追加

本発明の複合光学素子シール構造は、複数の層を有し、中間の層に親水性材料の層が形成された複合光学素子と、前記親水性材料よりも吸水率の低い材料で構成され、前記親水性材料の層が外気から隔離されるように、前記複合光学素子の外周を覆うシール部材と、を備える。 - 特許庁

After forming a wiring electrode 1 on the upper surface of an aluminum substrate 3 while interposing a seed metal layer 4, anodization is performed according to the time corresponding to the width of a predetermined wiring electrode 1 thus obtaining a circuit board in which an alumite layer of a predetermined thickness is formed entirely on the upper layer of the aluminum substrate 3 including the lower part of the wiring electrode 1.例文帳に追加

アルミニウム基板３の上面にシードメタル層４を介して配線電極１を形成した後、所定の配線電極１の幅に対応した時間に応じて陽極酸化処理を行うことにより、配線電極１の下部も含めて、アルミニウム基板３の上層部全域に所定の厚みのアルマイト層を形成した回路基板であることを特徴とする。 - 特許庁