「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(182ページ目) - Weblio英語例文検索

This underwater sinker 1 is made by attaching an elastic rust- resistant/corrosion-resistant layer 4 to the whole external surface of the parent material 3 made of a metal equipped with a lower hole 2a to form a fitting hole 2 for a cord, a rope, or the like.例文帳に追加

網、ロープ等の取付孔２を形成する下孔２ａを備えた金属製母材３の外表面全体に、弾性を有する防錆・防腐層４を重着して水中用錘１を構成する。 - 特許庁

By detecting and recognizing pressing operation in a right-side peripheral edge, display control of a right-side display area is enabled, and information of a lower layer belonging to the information of the decided hierarchy can be similarly switched and decided.例文帳に追加

右側周縁の押圧操作を検出して認識するにより、右側表示領域の表示制御可能とし、決定した階層の情報に属する下層の情報を同様に切替、決定可能とする。 - 特許庁

Stringing members 33 are disposed in tension to the lower section of the layer unit 21, centers are connected to hubs 8 positioned at sections just above the members 33 through bundle members 36 respectively, and tip sections are connected to hubs 8A, 8B, 8A0, 8B0 at end sections in the span directions.例文帳に追加

張弦部材３３をレイヤーユニット２１の下方に張設し、中央を真上に位置するハブ８に束部材３６を介してそれぞれ連結し、端部をスパン方向端部のハブ８Ａ，８Ｂ，８Ａ_0 ，８Ｂ_0 に連結する。 - 特許庁

The copper or copper alloy sheet/bar stock has a silane compound film having a coating weight of ≥0.5 mg/m^2 expressed in the terms of Si formed on the outermost surface, and an oxide film with a thickness of 1,000 to 2,000 Å formed on the lower layer thereof.例文帳に追加

最表面にＳｉ換算付着量で０．５ｍｇ／ｍ^２以上のシラン化合物被膜が形成され、その下層に厚さ１０００〜２０００Åの酸化皮膜が形成された銅又は銅合金板・条材。 - 特許庁

To provide an information processing unit that can simplify the storage structure of duplicating data or reduce the data transfer amount in the case of generating scan job data with a hierarchical structure, where data of a high-order layer can store a plurality of data of lower layers.例文帳に追加

上位の層のデータに下位の層のデータを複数保持できるような階層構造のスキャンジョブデータを作成する際に重複するデータの保持構造を簡素化あるいはデータ転送量を削減することである。 - 特許庁

Then metal plating is grown from the edge end of the feeding film from the opening by using the feeding film for an electrode, and the metal plating closely adhered to the lower layer wire is filled in the opening to form the conductor.例文帳に追加

そして給電膜を電極として開口部から前記給電膜の縁端部より金属めっきを成長させ、下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填し、導体部を形成する。 - 特許庁

When pressures for sucking the upper suction plate 10 and the lower suction plate 20 are made equal, the upper suction plate 10 is brought up, and the glass substrate 2 is peeled with a photocurable resin 3 layer from a mold 1.例文帳に追加

上吸着板１０及び下吸着板２０を吸着する圧力が等しくなったとき、上吸着板１０を上昇させ、ガラス基板２を光硬化性樹脂３の層とともに金型１から剥離する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing a crack from occurring on an insulating film at a lower layer of a pad electrode by a stress given to the pad electrode in the case of bonding in a semiconductor process, or in the case of probing at the time of inspection.例文帳に追加

半導体プロセスにおけるボンディング又は検査時のプロービングの際に、パッド電極にかかる応力によって、パッド電極の下層の絶縁膜にクラックが発生することを防止する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A wiring board 100 comprising, at its center, a metal plate 101, and first and second insulating layers 103 and 105 are formed on its upper and lower surfaces 101a and 101b while an in-hole insulating layer 107 is provided in a through hole 101h.例文帳に追加

配線基板１００は、中心に金属板１０１を有し、その上下面１０１ａ，ｂには、第１，第２絶縁層１０３，１０５が形成され、貫通孔１０１ｈ内には、孔内絶縁層１０７を備える。 - 特許庁

The steam sealing layer 13 is formed by steam sealing treatment in a pressure of 200 kPa or higher but 400 kPa or lower, for 10 minutes or longer but 120 minutes or shorter.例文帳に追加

蒸気封孔処理膜層１３は、蒸気封孔処理の圧力を２００ｋＰａ以上４００ｋＰａ以下として形成され、かつ蒸気封孔処理の時間を１０分以上１２０分以下として形成されている。 - 特許庁

The beams 12a and 12b fixing both steel plates 10a and 10b are shifted from each other by one layer, and the lower half parts and upper half parts of both steel plates are lapped to hold a viscoelastic body between them in an adhesive state.例文帳に追加

双方の鋼板を固定する梁を互いに１層分ずらして各階において双方の鋼板の下半部と上半部とを重ね合わせてそれらの間に粘弾性体１１を接着状態で挟み込む。 - 特許庁

An amount of the carbide or the like of which an average particle diameter of the carbide or the like on the skin layer part is set to 3 μm or lower and the minimum diameter/the maximum diameter are 0.6 or higher is set to 70% or higher of the whole amount of the carbide or the like.例文帳に追加

表層部の炭化物等の平均粒径を３μｍ以下とし、かつ、最小径／最大径の値が０．６以上となる炭化物等の量が、炭化物等の全体量の７０％以上であるようにする。 - 特許庁

In a multilayer integrated circuit device, the lower layer of insulated flattening metal circuit lines 4 is allowed to function as a substrate 2, a perpendicular metal stud 8 is formed in the substrate 2, and at the same time a dielectric material 6 is buried between the flattening metal circuit lines 4 for formation.例文帳に追加

本発明の方法により製造される集積回路装置は、（ｉ）基体，（ｉｉ）基体の上に配置された金属回路線、および（ｉｉｉ）回路線の上に配置された誘電体材料から成る。 - 特許庁

A liner insulating film 106 is formed on the top of the interlayer dielectric 101 and on the top of the lower layer wiring 105, and an interlayer dielectric 108 is formed on the top of the liner insulating film 106.例文帳に追加

層間絶縁膜１０１の上面および下層配線１０５の上面にはライナー絶縁膜１０６が形成されており、ライナー絶縁膜１０６の上面には層間絶縁膜１０８が形成されている。 - 特許庁

In order not to produce a lateral electric field in the region (D) 71, a portion of a pixel electrode, being the lower electrode layer, corresponding to the region (D) 71 is removed while the shape of the slit 61 is left as it is.例文帳に追加

この領域（Ｄ）７１において、横方向電界を生じさせないためには、スリット６１の形状はそのままにして、下部電極層である画素電極において、領域（Ｄ）７１に対応する部分を除去する。 - 特許庁

Then, a TFT array substrate (10) configured by successively forming upper layers of the lower capacitive electrode (71) and a counter substrate (20) are stuck to each other through a liquid crystal layer (50) to manufacture a liquid crystal device (1).例文帳に追加

その後、下部容量電極（７１）の上層部分を順次形成してなるＴＦＴアレイ基板（１０）と、対向基板（２０）とを液晶層（５０）を介して貼り合せることによって、液晶装置（１）を製造する。 - 特許庁

The emitter 15 is formed by the use of a mold (mold layer 33') that is constructed of porous silicon formed by an anodizing method on the surface of a silicon substrate 31, and, thereafter, is transferred to a lower substrate 11 side.例文帳に追加

エミッタ１５は、シリコン基板３１の表面に陽極化成法により形成された多孔質シリコンよりなる鋳型（鋳型層３３′）を用いて形成され、その後、下地基板１１側に転写されたものである。 - 特許庁

The lower layer of the organic protective film 27 is provided with an inorganic protective pattern 21 in the shape of covering the elements such as the transistor Tr configured using a semiconductor material including a semiconductor substrate 11 among the elements.例文帳に追加

有機保護膜２７の下層には、素子のうち半導体基板１１を含む半導体材料を用いて構成されたトランジスタＴｒなどの素子上を覆う形状で無機保護パターン２１が設けられている。 - 特許庁

The gate electrode is formed along the inner wall of a contact hole (810) bored at the side of a part overlapping the semiconductor layer in the interlayer dielectric, so that it is electrically connected to the lower light shielding film.例文帳に追加

ゲート電極は、層間絶縁膜のうち半導体層に重なる部分の脇に開孔されたコンタクトホール（８１０）の内壁に沿って形成されることにより、下側遮光膜に電気的に接続されている。 - 特許庁

A structure connected by a dummy Cu pattern 43B and a dummy via plug 47D of the lower wiring layer is added to a region of a tip relative to the extension 47B in order to prevent a poor connection by stress migration at the connection thereof.例文帳に追加

この接続部でのストレスマイグレーションによる接続不良を防止するため延出部４７Ｂより先端部の領域に下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄで接続する構造を追加する。 - 特許庁

To prevent a communication velocity of a transport layer from being considerably reduced to be lower than that of a controlled band in a network of a high error rate when controlling a communication band between communication apparatuses by means of a relay apparatus on the network.例文帳に追加

通信装置間の通信帯域を，ネットワーク上の中継装置で制御する際，誤り率が高いネットワークにおいて，トランスポートレイヤーの通信速度が，制御した帯域よりも著しく低下することを防ぐ。 - 特許庁

The biaxially oriented polyester film is provided which has at least one layer A containing 1 to 10 mass% of a crystalline thermoplastic resin (A) other than a polyester the melting point of which is 280 to 400°C, and a haze of 10% or lower.例文帳に追加

融点が２８０℃〜４００℃である、ポリエステル以外の結晶性熱可塑性樹脂（Ａ）を１〜１０質量％含有するＡ層を少なくとも１層有し、ヘイズが１０％以下である二軸配向ポリエステルフィルムとする。 - 特許庁

By this, a memory cell array area and a predetermined pad can be connected within a shorter distance by using a wiring formed in an upper layer that has lower electrical resistance, and power potential can be stably supplied to the memory cell array area.例文帳に追加

これにより、上層の低抵抗配線を用いてメモリセルアレイ領域と所定のパッドとを短距離で接続できるため、メモリセルアレイ領域に電源電位を安定的に供給することが可能となる。 - 特許庁

A laminate structure 20 formed on lower-layer Cu wiring 3 includes a cap insulation film 4 containing silicon and carbon, and a SiOCH film as a wiring insulation film 5 formed on the cap insulation film 4.例文帳に追加

下層Ｃｕ配線３上に形成されている積層構造２０は、シリコンと炭素を含有するキャップ絶縁膜４と、キャップ絶縁膜４上に形成されている配線絶縁膜５としてのＳｉＯＣＨ膜を有する。 - 特許庁

Thus, the dangling bond in the gate nitride film 4 is terminated by an Si-F combination to lower an interface level between the gate nitride film 4 and the N-type well layer 2.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート窒化膜４の中のダングリングボンドをＳｉ−Ｆ結合によって終端させることができ、ゲート窒化膜４とＮ型ウェル層２との界面における界面準位を低減することができる。 - 特許庁

To provide a phase change memory element for preventing degradation and heat loss in a programming region by forming a lower electrode contact layer from a phase change material in order to solve the problem of element degradation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子の劣化問題を解決するために、下部電極コンタクト層を相変化物質から形成し、プログラミング領域での劣化及び熱損失を防止した相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an article stocker that does not damage a packaging box, wrapping paper, or a film for wrapping of the articles, by minimizing cumulative load applied to articles on the lower layer side, and easily load many articles.例文帳に追加

下層側の物品にかかる累積荷重をできるだけ軽減して物品の包装箱や包装紙や包装用フィルムを損傷させることがなく、多数の物品の積載も容易な物品ストッカを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing the occurrence of a via-defect such as high resistance in a plasma etching step for forming a hole conducting to floating lower-layer metal wiring.例文帳に追加

フローティングしている下層金属配線に通じるホール形成のためのプラズマエッチング工程において、高抵抗などのビア不良の発生を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitance insulating film 28 is constituted by using a lamination film wherein a first tantalum oxide film 28a, a first titanium oxide film 28b, a second tantalum oxide film 28c and a second titanium oxide film 28d are laminated in order from a lower layer.例文帳に追加

第１酸化タンタル膜２８ａ、第１酸化チタン膜２８ｂ、第２酸化タンタル膜２８ｃおよび第２酸化チタン膜２８ｄが下層から順に堆積された積層膜で容量絶縁膜２８を構成する。 - 特許庁

In the solar cell which is formed on a metal substrate, solar cell elements are formed linearly at prescribed intervals, and the contact surface of a transparent insulating layer under a lower-part element is formed as an uneven face.例文帳に追加

金属基板上に設ける太陽電池であって、太陽電池素子を所定の間隔を有して線状に形成し、下部電極下の透明絶縁層の接触表面を凹凸面に形成してなること。 - 特許庁

In the preprocessing, the device exposes the photoconducting layer 20, by using writing light with the first intensity lower than the second intensity required for an initializing process in which the writing process is performed without the preprocessing.例文帳に追加

また、前処理では、初期化処理において前処理を行わずに書込処理を行う場合には必要であった第２の強度より小さい第１の強度の書込光を光導電層２０に露光する。 - 特許庁

The VCSEL 10 includes: a lower DBR 14 formed on a substrate 12 and including a semiconductor oxidized layer 32 whose constitution element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 worked on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

Or, if antifouling paint layer is formed thereon, the pollutant hardly attaches to the surface and is easily cleaned by the rain water, so that the the lower frame material 1 is prevented from being stained by the water flowing down from the face plate.例文帳に追加

また防汚塗料層を形成すれば、その表面に汚染物質が付着しにくく且つ雨水により容易に洗浄され、面板２から流下してきた水により下枠材１が汚れることを防止できる。 - 特許庁

A metal layer 1b is opposite to the upper surface part 10 and the lower surface part 11 of the piezoelectric resistance raw material 1, and the piezoelectric resistance raw material 2 is held between the metal deposited films 1 for electrodes to form three-layered structure.例文帳に追加

圧電抵抗素材２の上面部１０及び下面部１１には共に金属層１ｂが対向しており、圧電抵抗素材２が電極用金属蒸着フィルム１に挟まれた３層構造となっている。 - 特許庁

To solve the problem in which securing of a lower seal layer is uncertain in the installation situation of the conventional drain material for vacuum consolidation.例文帳に追加

本発明は真空圧密用ドレーン材に関するものであり、従来の真空圧密用ドレーン材の打設状況における下部シール層の確保が不確実であることが課題であって、本発明によりそれを解決することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer without generating irregularity on an epitaxial layer at a position facing a lift pin even when an output ratio of upper and lower lamps is changed or depositing silicon on the back face of a silicon wafer.例文帳に追加

上側及び下側ランプの出力比を変量しても、リフトピンに対向する位置のエピタキシャル層に凹凸を発生させず、シリコンウェーハ裏面にシリコンを堆積させないエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

This radiation detector has a pixel electrode 57 mounted on an upper part of a TFT circuit board 5 to form a photoconductive layer 3, including a lower photoelectric transfer membrane 37, a conductive intermediate membrane 35 and an upper photoelectric transfer membrane 33.例文帳に追加

放射線検出器は、ＴＦＴ回路基板５の上部に画素電極５７を置き、下部光電変換膜３７、導電性中間膜３５、上部光電変換膜３３とを含む光導電層３を形成する。 - 特許庁

The first semiconductor layer has the first region 2 of a first conduction type, and the second region 3 of a first conduction type formed on the first region 2 and having impurity concentration lower than that of the first region 2.例文帳に追加

第１半導体層は、第１導電型の第１領域２と、該第１領域２の上に形成され、第１領域２よりも不純物濃度が低い第１導電型の第２領域３とを有している。 - 特許庁

To obtain a lower driving voltage, higher luminance, higher efficiency of light emission, and longer service life by using a nitrogen-containing heterocyclic derivative useful as the constituent of the organic EL device for at least one organic layer.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の構成成分として有用な含窒素複素環誘導体を有機層の少なくとも１層に用いることにより、低駆動電圧化、高輝度化、高発光効率化、長寿命化が達成できる。 - 特許庁

The multilayer wiring board 7 with a built-in inductor is provided with a spiral inductor 1, a ground conductor layer 2, dielectric layers 5 formed on the upper and lower layers of it and a via hole or a through hole for connection with a circuit pattern.例文帳に追加

インダクタ内蔵多層配線板７は、スパイラルインダクタ１と、接地導体層２と、その上層および下層に形成された誘電体層５と、回路パターンと接続するためのビアホールまたはスルーホールとを備えている。 - 特許庁

After the TiN film 16 is removed, an H_2SO_4 solution is used, for example, to clean the silicon substrate 1 so that the respective etching rates of the tungsten and Co silicide layer 17 become 0.3 nm/min or lower.例文帳に追加

ＴｉＮ膜１６を除去した後、タングステン及びＣｏシリサイド層１７のそれぞれのエッチングレートが０．３ｎｍ／分以下となるように、シリコン基板１に対して例えばＨ_2ＳＯ_4溶液を用い洗浄を行なう。 - 特許庁

The second prism layer 23 is formed on the surface 212 of the base film 21, includes a plurality of prisms 230 juxtaposed in the same direction as the juxtaposed direction of the prisms 220 and has a refractive index lower than that of the base film 21.例文帳に追加

第２プリズム層２３は、ベースフィルム２１の表面２１２上に形成され、プリズム２２０の並設方向と同じ方向に並設された複数のプリズム２３０を含み、ベースフィルム２１よりも低い屈折率を有する。 - 特許庁

To simultaneously realize a higher breakdown voltage between the gate and the drain, a higher current density in the channel region, and a lower contact resistance of the source/drain electrode, as to a hetero-junction transistor using a nitride based compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層を用いたヘテロ接合トランジスタについて、ゲート・ドレイン間の高耐圧化、チャネル領域での高電流密度化、及びソース／ドレイン電極の低コンタクト抵抗化を同時に実現すること。 - 特許庁

To provide a large-capacitance electrochemical capacitor which has a specific capacitance higher than that of a prior art electric double layer capacitor and which is lower in manufacturing cost than a pseudo-capacitance capacitor using fine particles of ruthenium oxide.例文帳に追加

従来の電気二重層キャパシタより比容量値が高く、しかも酸化ルテニウム微粒子を使用した疑似容量によるキャパシタに比べて製造コストが安い大容量の電気化学キャパシタを提供する。 - 特許庁

Additionally, the first electrode layer is connected to the third one by a connection hole 311, and the drain electrode of the switch TFT is directly connected to the MIS type PD lower electrode 303, thus achieving the low-resistance contact.例文帳に追加

また、第１の電極層と第３の電極層を接続孔３１１で接続し、スイッチＴＦＴのドレイン電極とＭＩＳ型ＰＤ下部電極３０３とを直接接続することで、低抵抗のコンタクトを実現する。 - 特許庁