「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(184ページ目) - Weblio英語例文検索

The magneto-resistive film 5 is formed on the lower insulation layer 4, and magnetic bias layers 6 are formed so as to be brought into contact with both side surfaces of this magneto-resistive element film 5 in the direction parallel with the air bearing surface.例文帳に追加

そして、下部絶縁層４上において磁気抵抗効果膜５が形成し、この磁気抵抗効果膜５のエアベアリング面と平行な方向の両側面と接触するようにして磁気バイアス層６を形成する。 - 特許庁

Insulating layers 32 and 33 are formed on both upper and lower surfaces of a ground core 31 which keeps ground potential, respectively, and a semiconductor chip 35 is joined onto an exposed surface of the ground core 31 in a cavity 34 formed in the upper insulation layer 32.例文帳に追加

グランド電位に保たれるグランドコア３１の上下両面に絶縁層３２，３３を形成し、上側の絶縁層３２に形成したキャビティ３４内のグランドコア３１の露出面に半導体チップ３５を接合する。 - 特許庁

A VCSEL 10 has: a lower DBR(Distributed Bragg Reflector) 14 including a semiconductor oxidized layer 32 formed on a substrate 12 and whose constituent element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 processed on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

Further a first communication portion is secured on the outside of the girth, to allow communication between the intra-wall air layers on upper and lower stories, and a second communication portion is arranged on the upper surface of the girth, to allow communication between the attic space and the intra-wall air layer.例文帳に追加

また第１連通部を胴差の屋外側に設けて上下階の壁内空気層を連通し、胴差の上面に設けた第２連通部によって天井裏空間と壁内空気層とを連通させる。 - 特許庁

To provide a PPPoE (Point-to-Point Protocol over Ethernet (R)) bridge apparatus and a PPPoE session interruption method for reducing a time required for interrupting PPPoE sessions for PPPoE client apparatuses connected to a lower layer and carrying out the interruption at any time.例文帳に追加

下部に接続したＰＰＰｏＥクライアント装置のＰＰＰｏＥセッションの切断に要する時間を短縮し、切断を随時に行うＰＰＰｏＥブリッジ装置及びＰＰＰｏＥセッション切断方法を提供する。 - 特許庁

To form a fine pattern with a high aspect ratio by applying a layer which absorbs light to convert into heat on the lower and upper faces of a resist and processing the resist by heat when a fine pattern is formed on the objective substrate.例文帳に追加

被処理基板上に微細パターンを加工する際に、レジストの下面および上面に光吸収熱変換層を配し、熱によるレジストの加工を行うことで高アスペクト比の微細パターン加工を可能とする。 - 特許庁

To lower on-voltage of SiC-IGBT, whose inverted channel's channel resistance is high due to the influence from the surface level of the interface between a gate insulation film and a base layer, and whose on-voltage is high.例文帳に追加

ＳｉＣ−ＩＧＢＴは、ゲート絶縁膜とベース層との界面の表面準位の影響によって、反転型チャネルのチャネル抵抗が高くオン電圧が高いが、このオン電圧を低くすることが求められている。 - 特許庁

A wireless communication terminal 10 has an RLC layer 120 which receives transmission target SDUs from upper layers and generates one or more PDUs based on the SDUs to output them to lower layers.例文帳に追加

無線通信端末１０は、送信対象のＳＤＵを上位のレイヤから受け付けて、当該ＳＤＵから１つ以上のＰＤＵを生成して下位のレイヤに出力するＲＬＣレイヤ１２０を備える通信端末である。 - 特許庁

In the fluid control valve 2, each of the upper rod 24, the lower rod 25 and the valve body cover 32 is a two-color molding whose outer layer is formed of the resin not including the reinforcing glass fiber components.例文帳に追加

また、流体制御弁２は、上部ロッド２４と下部ロッド２５と弁本体カバー３２は、強化ガラス繊維の成分を包含しない樹脂にて外層を形成する２色成形品であることを特徴とする。 - 特許庁

The powder for a lower layer of the coating type magnetic recording medium consists of the powder of acicular particles formed by adhering a phosphorus compound to the surface of iron oxyhydroxide particles so that the powder has 0. 01-3 wt.% P content.例文帳に追加

Ｐ含有量が０.０１〜３重量％となるようにオキシ水酸化鉄粒子の表面にリン化合物が被着した針状粒子の粉体からなる塗布型磁気記録媒体の下層用粉末である。 - 特許庁

A glass transition point of a dielectric paste that is used for forming the second dielectric layer 32B is set at a lower temperature than that of a sealing exhaust gas, and the softening point is set at a higher temperature than that of the sealing exhaust gas.例文帳に追加

第２誘電体層３２Ｂの形成に用いる誘電体ペーストのガラス転移点を封着排気温度よりも低い温度に設定し、かつ、軟化点を封着排気温度よりも高い温度に設定している。 - 特許庁

In succession, a heat treatment is executed to the substrate at a temperature which is higher than the formation temperature of the first laminate 17a and which is lower than the melting point of Al, and the reorientation of Al crystal particles in the AlCu layer 5 is promoted.例文帳に追加

続けて、基板上に、第１積層１７ａの形成温度よりも高く，Ａｌの融点よりも低い温度で熱処理を行なうことにより、ＡｌＣｕ層５におけるＡｌ結晶粒の再配向を促す。 - 特許庁

(2) For the multilayer cushion material, the compression displacement amount at the time of the load of 50 N/78.5 cm^2 of the lower layer cushion material is 1.5 times or more of the compression displacement amount at the time of the load of 50 N/78.5 cm^2 of the three-dimensional knitted fabric.例文帳に追加

(2) 前記下層クッション材の５０Ｎ／７８．５ｃｍ^2 負荷時の圧縮変位量が、前記立体編物の５０Ｎ／７８．５ｃｍ^2 負荷時の圧縮変位量の１．５倍以上である多層クッション材。 - 特許庁

Trenches 20 reaching an N-type silicon substrate 11 are formed on a SOI substrate 10 wherein a P-type silicon layer 13 is formed on the substrate 11 via a silicon oxide film 12, and trench capacitors C are formed in lower parts of the trenches 20.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１１にシリコン酸化膜１２を介してｐ型シリコン層１３が形成されたＳＯＩ基板１０に、基板１１に達する溝２０を形成し、その溝２０の下部にトレンチキャパシタＣを形成する。 - 特許庁

Carbon atom concentration of the silicon oxide film layer is preferably in the range of 6×10^19/cm^3 to 1×10^20/cm^3, and the concentration of nitrogen atoms is preferably 3×10^19/cm^3 or lower.例文帳に追加

該シリコン酸化膜層の炭素原子濃度は６×１０^19／ｃｍ^3〜１×１０^20／ｃｍ^3の範囲内であることが好ましく、また窒素原子濃度は３×１０^19／ｃｍ^3以下であることが好ましい。 - 特許庁

A scroll display processing part 26 scroll-displays a node group of the lower layer displayed in the branch part within the set scroll display area according to scroll operation to the scroll bar by the user.例文帳に追加

スクロール表示処理部２６は、枝部分に表示されていた下位階層のノード群を、ユーザによるスクロールバーに対するスクロール操作に応じて、設定されたスクロール表示領域内において当該ノード群をスクロール表示する。 - 特許庁

The PTC material layer 11 is sandwiched in between two metal foils 12, and contains a plurality of crystalline polymers and non-oxide conductive ceramic powder, with at least one polymer having a melting point of 115°C or lower.例文帳に追加

ＰＴＣ材料層１１は２枚の金属ホイル１２の間に挟み込まれ、複数の結晶性ポリマー及び非酸化物導電性セラミック粉末を含有し、少なくとも１つのポリマーの融点は１１５℃以下である。 - 特許庁

To laminate a memory cell longitudinally while improving controllability of drain current, and to lower difficulty in processing a control gate electrode and a charge storage layer even when a fin structure is used for the memory cells.例文帳に追加

ドレイン電流の制御性を向上させつつ、メモリセルを縦方向に積層するとともに、メモリセルにフィン構造を用いた場合においても、制御ゲート電極および電荷蓄積層の加工の難易度を低下させる。 - 特許庁

The adhesive connector 1 comprises a double-sided adhesive layer sheet 2 and a thin film 5 made of gold affixed to cover upper and lower surfaces of the sheet and one side of a rectangular hole 2a formed in several places of the sheet.例文帳に追加

粘着式コネクタ１は、両面粘着層シート２と、同シートの上下両面と同シートの数箇所に設けられた長方形の孔２ａの一面とにわたって張付された金製の薄膜５とから構成される。 - 特許庁

To provide a producing method for silver coated copper powder equipped with an alloy layer of silver and copper which realizes low resistance as much as that of silver coated copper powder and moreover makes paste viscosity lower when being fabricated into a conductive paste.例文帳に追加

銀コート銅粉と同様の低抵抗を実現でき、しかも、導電ペーストに加工したときのペースト粘度を低くできる銀と銅との合金層を備えた銀コート銅粉の製造方法等を提供する。 - 特許庁

A ground improvement body 4 reaching a non-liquefaction layer 2 having no possibility of liquefaction at the lower end is constructed in a ground 1 under the structure 3 having possibility of liquefaction to prevent liquefaction of the ground.例文帳に追加

構造物３下の液状化する可能性のある地盤１中に、下端を液状化する可能性のない非液状化層２まで達した地盤改良体４を構築して地盤の液状化防止を図っている。 - 特許庁

The specific resistance of the plurality of electrodes 1 is gradually increased from a lower electrode side 7 to a phase change film side 3, so that the heater electrode layer 1-6 of a region 2 contacting the phase change film 3 can obtain the maximum specific resistance.例文帳に追加

複数のヒータ電極層１の比抵抗を下部電極側７から相変化膜側３へと徐々に高くし、相変化膜３と接触する領域２のヒータ電極層１−６の比抵抗を最大とする。 - 特許庁

On an N type silicon substrate (first substrate) 110, an epitaxial silicon layer (second substrate) 111 is formed at an impurity concentration lower than that of the silicon substrate 110, e.g. a concentration of 1E14 or less, thus completing a silicon substrate.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板（第１基板）１１０の上に、このシリコン基板１１０より不純物濃度の低い、例えば１Ｅ１４以下の濃度でエピタキシャルシリコン層（第２基板）１１１を形成してシリコン基板を完成する。 - 特許庁

An organic SOG film is used as the polishing stopper film 44 with the low dielectric constant and a flattening interlayer insulating film 47 is formed on the lower-layer wiring pattern 46A is dished owing to chemical mechanical polishing.例文帳に追加

前記低誘電率の研磨ストッパ膜４４として有機ＳＯＧ膜を使い、化学機械研磨によってディッシングが生じている下層配線パターン４６Ａ上に平坦化層間絶縁膜４７を形成する。 - 特許庁

Unless the light is rotated, the light is transmitted through the reflection polarizing element layer toward a reflective dial surface disposed on the lower side and is reflected by the dial surface, by which the timepiece surface is provided with a second color.例文帳に追加

光が回転されなければ、光は下方に配設された反射的文字盤表面に向かって反射偏光素子層を透過し、文字盤表面により反射されて時計面に第２色を提供する。 - 特許庁

A second flux layer 8 boiling at a temperature lower than the melting point of the solder ball 2 is then formed on the surface of the solder ball 2 and the contact pad is bonded thermally to a conductive perform thus forming a bump 3.例文帳に追加

次に、はんだボール２表面に、はんだボール２の溶融温度よりも低温で沸騰する第２のフラックス層８を形成した後、接続パッドと導電性プリフォームとを加熱して接合させ、バンプ３を形成する。 - 特許庁

The sand pump, the slime removing machine, the first feed pipe, the auxiliary sand pump, the second feed pipe connected as above are inserted from the upper part of a surface layer casing 3 toward the lower part of an excavated hole 2 in the direction of an arrow.例文帳に追加

前記のように連結されたサンドポンプ、スライム処理機、第１の送出管、補助サンドポンプ及び第２の送出管を、表層ケーシング３の上部から掘削孔２の下部に向って矢印方向に挿入する。 - 特許庁

An data analyzer is used in an energy management system managing an amount of use of energy in a plurality of management objects and is provided with a lower layer grouping means, a hierarchy grouping means and an analysis means.例文帳に追加

このデータ解析装置は、複数の管理対象におけるエネルギ使用量を管理するエネルギ管理システムに用いられる装置であって、下層グルーピング手段と、階層グルーピング手段と、解析手段とを備えている。 - 特許庁

To form a nano-structure layer through a mask comprising a block copolymer finely patterned in a temperature atmosphere lower than the glass transition temperature of a workpiece, and to contribute to the fine patterning technique field.例文帳に追加

加工対象物のガラス転移温度よりも低い温度雰囲気下にて微細パターン化されたブロック共重合体から成るマスクを介してナノ構造層を形成することができ、微細パターン化技術分野に貢献する。 - 特許庁

The catalytic component of ≥90% is carried in the outermost surface layer part 4 of the partition wall 3, for example, at a distance of ≤30 μm from the uppermost surface, which reduces the catalytic component that does not contribute a purifying reaction to lower the catalyst cost.例文帳に追加

触媒成分の９０％以上を隔壁３の最表層部４、例えば最表面から３０μｍ以下に担持し、浄化反応に寄与しない触媒成分を減らして、触媒コストを低減する。 - 特許庁

This has advantages for some types of multimedia transport that may be able to make use of slightly damaged datagrams, rather than having them discarded by lower-layer protocols. 例文帳に追加

このプロトコルが効果を発揮するのは、少しだけ壊れたデータグラムがあった場合に、そのデータグラムを下位レイヤーのプロトコルに廃棄させるのではなく、それを利用することができるような、ある種のマルチメディア転送においてである。 - JM

The precious metal coating film is formed on the surface of a substrate material through a lower coating film layer formed by a triazine thiol compound containing at least an alkoxy silyl group or a thiol compound.例文帳に追加

基材表面に、少なくともアルコキシシリル基含有のトリアジンチオール化合物またはチオール化合物で作成された下層被膜を介して形成されていることを特徴とする貴金属被膜を製造提供する。 - 特許庁

When the nitrogen-containing epoxy resin is used as the epoxy resin of the surface layer and the nitrogen-containing novolac resin as the curing agent thereof, tracking properties lower slightly but more excellent fire retardancy can be ensured.例文帳に追加

上記において、表面層のエポキシ樹脂として窒素含有エポキシ樹脂、その硬化剤として窒素含有フェノールノボラック樹脂を用いると、耐トラッキング性は多少低下するもののより優れた難燃性を確保できる。 - 特許庁

Moreover, a wiring electrode 108 for connecting the lower electrode 102 and the upper electrode 103 to an input/output electrode 107 is prepared on one side principal plane and the other side principal plane of the piezoelectric material layer 101, respectively.例文帳に追加

また、下部電極１０２及び上部電極１０３を入出力電極１０７に接続するための配線電極１０８が、圧電体層１０１の一方主面及び他方主面にそれぞれ設けられる。 - 特許庁

In this case, frustum-shaped protruding electrodes 17 formed integrally on the lower surface of the upper-layer rewiring 16 encroach on the insulating film 15 to make them contact respectively to the upper surface centers of pillar-shaped electrodes 12.例文帳に追加

この場合、上層再配線１６の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極１７は、絶縁膜１５に食い込むように柱状電極１２の上面中央部に接続する。 - 特許庁

The prism layer 23 is formed on the surface 212 of the base film 21, includes a plurality of prisms 230 juxtaposed in the same direction as the juxtaposed direction of the cylindrical lenses 220 and has a refractive index lower than that of the base film 21.例文帳に追加

プリズム層２３は、ベースフィルム２１の表面２１２上に形成され、シリンドリカルレンズ２２０の並設方向と同じ方向に並設された複数のプリズム２３０を含み、ベースフィルム２１よりも低い屈折率を有する。 - 特許庁

The upper electrode extends so as to at least run on the spacer insulating film, and the existence of the spacer insulating film increases an inter-layer distance between an end face of the lower electrode and that of the upper electrode.例文帳に追加

上側電極は、スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、スペーサ絶縁膜の存在によって、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大されている。 - 特許庁

To provide a laser beam machining device which is capable of stably machining only the desired thin-film material without damaging a thin-film material of a lower layer and facilitates position checking and a laser beam machining method.例文帳に追加

下層の薄膜材料には損傷を与えずに目的の薄膜材料だけを安定して加工することができ、位置確認が容易にできるレーザー加工装置およびレーザー加工方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a tunnel oxide film with less electric leakage by sufficiently reforming an HTO film with an oxygen annealing treatment without oxidizing a polysilicon film of a lower layer.例文帳に追加

下層のポリシリコン膜を酸化させることなく、酸素アニールによりＨＴＯ膜を十分に改質させ、電気的にリークが少ないトンネル酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Using barium titanate strontium, for example, an oxide dielectrics film 7 of 300-600 Å is formed, over which a first platinum layer 81 is deposited, for example, by a sputtering method at 250°C or lower to 250-500 Å.例文帳に追加

チタン酸バリウムストロンチウムを用いて例えば３００〜６００オングストロームの酸化物誘電体膜７を形成し、その上に第１白金層８１を例えばスパッタリング法で２５０℃以下にて２５０〜５００オングストローム堆積する。 - 特許庁

A three-layer film of first metal, a metal nitride film and second metal is formed beneath the lower electrode of the ferroelectric capacitive element wherein the metal nitride film is composed of a nitride of the first or second metal.例文帳に追加

強誘電体容量素子の下部電極の下に、第１の金属、金属窒化膜、第２の金属を順に積層した３層膜を形成し、該金属窒化膜を第１の金属または第２の金属の窒化物で構成する。 - 特許庁

To provide a wiring method capable of reducing an effect of a crosstalk between adjacent wirings in the same wiring layer or between the upper and lower wirings concerning a semiconductor integrated circuit having not less than two wiring layers.例文帳に追加

２層以上の配線層を有する半導体集積回路の同一配線層あるいは上下の配線層間で隣接する配線間のクロストークの影響を低減させることのできる配線方法を提供する。 - 特許庁

The intensity of the auxiliary laser beam is set higher than that of the reproducing laser beam and also a heating temperature of the medium irradiated by the auxiliary laser beam is adjusted so as to be lower than the Curie temperature of a recording layer.例文帳に追加

補助レーザー光の光強度を再生用レーザー光よりも高くするとともに、補助レーザー光の照射による媒体の加熱温度が記録層のキュリー温度よりも低くなるように調整する。 - 特許庁

A multilayer gate of different kinds of grain is formed by forming the gate insulation film 22 on the semiconductor substrate 21, and then forming the lower polysilicon germanium layer 23 having a columnar crystal structure on the gate insulation film 22.例文帳に追加

異種結晶粒積層ゲートを形成する方法は、半導体基板２１上にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲート絶縁膜２２上に柱状結晶構造を有する下部ポリシリコンゲルマニウム層２３を形成する。 - 特許庁

In this case, preferably, the magnet layer 4 is constituted by providing the magnet capsules 5 with connection links 7 at upper and lower parts and vertically connecting many magnet capsules 5 by passing a connection thread 9 through the links 7.例文帳に追加

好ましくは、前記磁石層４は、前記磁石カプセル５が上下に連結リングを備えていて、そこに連結糸を通すことによって多数の磁石カプセルが縦向きになって連結されて構成される。 - 特許庁