「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(188ページ目) - Weblio英語例文検索

The steam barrier film has at least one inorganic gas barrier layer on a substrate film of a polyalkylene naphthalate resin where the glass transition point (Tg) of the polyalkylene naphthalate resin is 70-150°C, and also the steam barrier film has at least one conductive layer having the resistance of 10^12 Ω (25°C, relative humidity 60%) or lower.例文帳に追加

ポリアルキレンナフタレート樹脂基材フィルム上に少なくとも一層の無機ガスバリア層を有する水蒸気バリアフィルムにおいて、該ポリアルキレンナフタレート樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）が７０〜１５０℃であり、かつ該水蒸気バリアフィルムが、抵抗が１０^12Ω（２５℃・相対湿度６０％）以下である導電性層を少なくとも一層有する。 - 特許庁

A thick film circuit component comprises: an insulated substrate 11; and thick film electrode wiring 12 disposed on the substrate, and the thick film electrode wiring 12 includes a bonding connection of an aluminum wire overlapping an Ag-Pt thick film 12a disposed in a lower layer, and an Ag-Pd thick film 12b disposed in an upper layer.例文帳に追加

絶縁性基板１１と、該基板上に配置された厚膜電極配線１２とを備えた厚膜回路部品であって、前記厚膜電極配線１２は、下層に配置されたＡｇ−Ｐｔ系厚膜１２ａと上層に配置されたＡｇ−Ｐｄ系厚膜１２ｂとを重ねた、アルミワイヤのボンディング接続部を含むものである。 - 特許庁

In an execution method repairing the existing road surface A1 such as a concrete pavement surface or a tile pavement surface A, permeable panels 1 previously integrally provided with pedestals 3 having the permeable block 2 of the upper layer and the drain means of the lower layer or/and a storing space 4 are laid.例文帳に追加

コンクリート舗装面あるいはタイル舗装面Ａ等の既存の路面Ａ１を改修する施工方法において、路面Ａ１上に、上層の透水性ブロック２と下層の排水手段および／または貯留空間４を有する基台３とを予め一体的に設けた透水性パネル１を敷き並べること。 - 特許庁

When plural photosensitive material layers 11, 12 each having a desired pattern are periodically laminated to obtain a laminated structure, the under surface of the upper layer side one of photosensitive material layers adjacent to each other in the laminating direction is formed apart from the substrate in the gaps in the pattern of the lower layer side one.例文帳に追加

所望のパターンを有する複数の感光材料層１１、１２が周期的に積層された積層構造体であって、積層方向で互いに隣接する感光材料層の下層側の感光材料層のパターン間において上層側の感光材料層の下面が下地から離間して形成されている。 - 特許庁

The average particle diameter of the dispersed phosphorescent particles is preferably 100-300 μm, and the dispersed phosphorescent particles can be produced by scattering a mixed glaze powder containing 0.5-5% phosphorescent material from a sieve on the upper surface of the lower glaze layer by dry process and forming a baked glaze layer.例文帳に追加

本発明において、点在する蓄光粒子の平均粒子径は、100〜300μmで有るのがよく、このような点在する蓄光粒子は、乾式法により前記下釉層の上面に質量%で蓄光材料を0.5〜5%含有する釉薬混合粉をふるい掛けして琺瑯焼成層を形成させることによって作製することができる。 - 特許庁

The nonwoven fiber aggregate layer 8 constituting the outer peripheral surface of the lower wound layer 3 is formed by impregnating a tape-like nonwoven fiber aggregate with a liquid thermosetting resin while successively transferring the nonwoven fiber aggregate obtained by bonding a fiber material mainly comprising inorganic fibers by a binder and winding the impregnated aggregate around the outer periphery of the roll core 2.例文帳に追加

下巻層３の外周面を構成する不織繊維集合体層８は、無機繊維を主体とする繊維材料をバインダーで結合したテープ状の不織繊維集合体を順次移送しながら、該不織繊維集合体に液状の熱硬化性樹脂を含浸し、ロール芯２の外周に巻き付けることにより形成する。 - 特許庁

This adhesive tape for can sealing is prepared by laminating a rubber adhesive layer on one side of a polyolefin resin substrate layer, and has an adhesive force measured by 180 degree peeling method based upon JIS Z-0237 of not lower than 2 N/cm and a high speed winding back force of 1.5-4 N/cm.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂基材層の一方の面にゴム系粘着剤層が積層されてなり、且つ、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準拠して１８０度ひきはがし法で測定された粘着力が２Ｎ／ｃｍ以上であり、高速巻戻し力が１．５〜４Ｎ／ｃｍであることを特徴とする封缶用粘着テープ。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device includes preparing the semiconductor element 10 having a bump electrode 10b arranged on a principal surface, and the circuit substrate 20 having a conductive layer 20b on electrode terminals 10p and 20p, and coating at least a part of a surface of the bump electrode with a bonding material 30 having a lower melting point than the bump electrode and conductive layer.例文帳に追加

バンプ電極１０ｂを主面に配設した半導体素子１０と、電極端子１０ｐ・２０ｐ上に導電層２０ｂを配設した回路基板２０を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材３０を被覆する。 - 特許庁

In the state in which one end of the coaxial cable 24ai is supported by a connection substrate 20, having a conductive layer 20G, an outer conductor 24I thereof is connected to the conductive layer 20G, and an internal conductor 24C of the coaxial cable 24ai is connected directly to the lower end of the contact terminal 14ai in the IC socket 10.例文帳に追加

同軸ケーブル２４ａｉの一端が導電層２０Ｇを有する接続基板２０に支持されるもとで、その外部導体２４Ｉが導電層２０Ｇに接続され、かつ、同軸ケーブル２４ａｉの内部導体２４ＣがＩＣソケット１０におけるコンタクト端子１４ａｉの下端に直接的に接続されるもの。 - 特許庁

Since the conductive patterns 11b, 11b that become component junction electrodes provided at the component packaging surface of the circuit component 20 are buried to the component packaging surface of the conductive layer at the inner-layer side, the circuit component 20 is packaged on the component packaging surface with nearly no gap between the lower surface of the component and the component packaging surface.例文帳に追加

回路部品２０の部品実装面部に設けられた部品接合電極となる導電パターン１１ｂ，１１ｂが内層側導電層の部品実装面に埋設された構造であることから、回路部品２０は、部品下面と部品実装面部との間に殆ど隙間ができない状態で部品実装面に実装される。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor having a surface layer containing a charge transport material of a molecular weight 550 to 2,000 on a conductive base is characterized in that the surface layer of the electrophotographic photoreceptor contains domains to lower the surface energy of a number average grain size 1 to 100 nm.例文帳に追加

導電性基体上に分子量５５０〜２０００の電荷輸送物質を含有する表面層を有する電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面層が、数平均粒径１〜１００ｎｍの表面エネルギーを低下させるドメインを含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The liquid crystal layer 23 is formed by adding an additive composed of a solvent which is smaller in contact angle, higher in boiling point and lower in vapor pressure than a solvent used for the UV curing liquid crystal solution is added to the UV curing liquid crystal solution to be applied to the alignment layer 22 and irradiating the UV curing liquid crystal solution with UV rays.例文帳に追加

配向膜２２に塗布するＵＶ硬化型液晶溶液において、該ＵＶ硬化型液晶溶液に用いられる溶媒よりも接触角が小さく、沸点が高く、かつ蒸気圧が低い溶剤からなる添加剤を添加し、該ＵＶ硬化型液晶溶液にＵＶを照射することにより、液晶層２３を形成する。 - 特許庁

An adhesive is coated to the surface of the flat board panel at the lower layer, the flat board panels in the upper layer are densely adhered and laminated by shifting back and forth and right and left directions of the flat board panel, and forming a predetermined size of a face body by repeating pluralities of sheets of lamination as the feature of the overlapped flat board panels.例文帳に追加

下層の平板パネル表面に接着剤を塗布し、該平板パネルの前後、左右方向に各々ずらして上層の平板パネルを密着積層し、それら複数枚の積層を繰り返すことにより所定の大きさの面体を形成してなることを特徴とする平板パネルの重ね構造。 - 特許庁

The technical idea lies in a configuration in which respective film thicknesses of silicon nitride films SN1 to SN3 to be formed by lamination are not a fixed value but become smaller in order from the silicon nitride film SN3 in the upper layer to the silicon nitride film SN1 in the lower layer while the total film thickness thereof is kept constant.例文帳に追加

本発明の技術的思想は、積層形成される窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３のそれぞれの膜厚を一定値ではなく、トータルの総膜厚を一定に保ちながら、上層の窒化シリコン膜ＳＮ３から下層の窒化シリコン膜ＳＮ１にしたがって膜厚を薄くするように構成している点にある。 - 特許庁

The semiconductor layers 3a, 3b are formed to local areas on the buffer layer 2, and a channel layer 4 is formed in the dopant concentration lower than the semiconductor layers 3a, 3b using the same semiconductor material as the semiconductor substrate 1 on the opposing edges of the semiconductor layers 3a, 3b, or between the opposing edges thereof.例文帳に追加

そして、緩衝層２上に夫々局所的に半導体層３ａ及び３ｂを形成し、この半導体層３ａ及び３ｂの対向する端部上及びこれらの間に、半導体基板１と同じ半導体材料を使用し、半導体層３ａ及び３ｂよりもドーパント濃度が低いチャネル層４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for substrate treatment which obtains successful connection between lower layer Cu wiring and upper layer Cu wiring in a damascene method by simultaneously carrying out reduction treatment to an oxidized Cu exposure surface and degassing an SOD film by the same process in spite of reducing wiring resistance by using the SOD film.例文帳に追加

本実施形態の基板処理方法によれば、ＳＯＤ膜を用いて配線抵抗の低減化を図るも、酸化したＣｕ露出表面の還元処理及び当該ＳＯＤ膜の脱ガスを同一工程で同時に実行し、ダマシン法における下層Ｃｕ配線と上層Ｃｕ配線との間の良好な接続を実現する。 - 特許庁

The stacked common mode choke coil comprises a coil formation layer 20 where a first coil 21 and a second coil 22 are formed by bifilar winding on the circumferential surface of a magnetic body in the lateral winding direction orthogonal to the thickness t of the magnetic body, and insulator layers 12 formed on the upper and lower surfaces of the coil formation layer 20.例文帳に追加

磁性体の周面に形成された第１コイル２１及び第２コイル２２が磁性体の厚さｔと直交する横巻方向のバイファイラー巻きに形成されているコイル形成層２０と、該コイル形成層２０の上下両面にそれぞれ形成された絶縁体層１２とを備えている。 - 特許庁

A conductive part 25A for inspection of the common electrodes is formed on the lower layer side of the insulating film and electrically connected to all the common electrodes 9 of odd numbers, while a conductive part 25B for inspection of the common electrodes is formed on the upper layer side of the insulating film 10 and electrically connected to all the common electrodes 9 of even numbers.例文帳に追加

また、絶縁膜の下層側に全ての奇数本目のコモン電極９と電気的に接続されたコモン電極検査用導電部２５Ａが形成され、絶縁膜１０の上層側に全ての偶数本目のコモン電極９と電気的に接続されたコモン電極検査用導電部２５Ｂが形成されている。 - 特許庁

The optical waveguide manufacturing method is characterized in that a film of an SiN layer is formed on a lower clad and that ultraviolet rays are emitted onto the SiN layer, through an exposure mask having an ultraviolet non-transmitting region in the same shape as the planar shape of a target optical waveguide core and having an ultraviolet transmitting region in other regions.例文帳に追加

下部クラッド上にＳｉＮ層を成膜し、該ＳｉＮ層上に、作製すべき光導波路コアの平面形状と同じ形状の紫外線不透過領域を持ち、それ以外の領域は紫外線透過領域となっている露光マスクを通して、紫外線を照射する、ことを特徴とする光導波路作製方法。 - 特許庁

The electrode layer 3 comprises a film state electrode 31 having light-transmitting property and a conductive portion 32 electrically connected to the electrode 31; and the conductive portion 32 includes a plurality of wiring lines 322 disposed so as to overlap the display layer 5 and comprises materials having an electric resistance lower than those of the structural material of the electrode 31.例文帳に追加

電極層３は、光透過性を有する膜状の電極３１と、電極３１に電気的に接続された導電部３２とを有し、導電部３２は、表示層５と重なるように設けられた複数の配線３２２を有し、かつ、電極３１の構成材料よりも電気抵抗の低い材料で構成されている。 - 特許庁

A light which enters from the upper part to be reflected at the upper surface of a transparent substrate 23 or the light shielding film 24 is prevented from reaching the TFT 11 while suppressing the light shielding area of the signal wiring 22 functioning as the light shielding film of the upper layer part and the light shielding film 24 of the lower layer part to the minimum size in this manner.例文帳に追加

こうして、上層部の遮光膜として機能する信号配線２２および下層部の遮光膜２４の遮光領域を最小限の大きさに抑えつつ、上部から入射して透明基板２３あるいは遮光膜２４の上面で反射した光がＴＦＴ１１へ到達するのを防止する。 - 特許庁

Then the dielectric sheet 2h at the lowermost layer is placed at the lower face of the partial laminated product 20, the partial hole 10 of the dielectric sheet 2h is matched with the continuous partial hole 11, through conduction paths, I, O, G are formed and the electrode paste is absorptively coated to form a 2nd conduction layer 25b and they are integrally baked.例文帳に追加

しかる後、最下層の誘電体シート２ｈを部分積層体２０の下面に配置し、連続部分孔１１に誘電体シート２ｈの部分孔１０が一致する貫通状導電路Ｉ，Ｏ，Ｇに、さらに電極ペーストを吸引塗布して第二導電層２５ｂを形成し、一体焼成した。 - 特許庁

An upper-layer wiring pattern 19, having a via hole 18 interposed with the in-cell power line 11a, is formed covering an in-cell ground line 12a, and consequently a capacity part 20 is formed which has the in-cell ground line 12a as a lower electrode and the upper-layer wiring pattern 19 as an upper electrode.例文帳に追加

セル内電源線１１ａとの間にヴィア１８を介在させた上層配線パターン１９が、セル内グランド線１２ａの上方にこれを覆うように形成され、その結果、セル内グランド線１２ａを下部電極とし、上層配線パターン１９を上部電極とする容量部２０が形成される。 - 特許庁

The high corrosion-resistant member composed of a stainless steel base material with its surface layer part nitrided and the amorphous carbon film with which at least a part of the surface of the intermediate layer is coated, is formed by nitriding the base material and forming the amorphous carbon film at a low temperature of 450°C or lower on at least the surface of the base material.例文帳に追加

表層部が窒化処理されたステンレス鋼製の基材と、基材の表層部の表面の少なくとも一部に被覆された非晶質炭素膜と、を備える高耐食性部材は、少なくとも基材の表面の温度が４５０℃以下の低温で、窒化処理および非晶質炭素膜の形成が行われてなる。 - 特許庁

In the electronic paper EP, a mask driving means 45 makes a mask layer 41 in a partially transparent state based on the display mode information and a part of the document image which is held in a display section 2 of a lower layer can be seen through from the transparent section and the document image according to the user authority is displayed.例文帳に追加

電子ペーパーＥＰでは、表示態様情報に基づいてマスク駆動手段４５がマスク層４１を部分的に透過状態とし、下層の表示部２に表示保持されているドキュメント画像の一部を透過部分から透視できるようにして、当該ユーザの権限に応じたドキュメント画像部分を表示する。 - 特許庁

A first layer 7 coming into contact with the base member 2 and third layers 13 being lower most layers in the plurality of bosses 10 in the electroconductive layer 9 are formed by functional plating respectively, and fourth layers 14 being the layers other than the third layers 13 in the plurality of bosses 10 are formed by electroforming.例文帳に追加

導電層９においてベース部材２に接する第１の層７と複数の突起１０における最下層である第３の層１３とは各々機能めっきによって形成され、複数の突起１０における第３の層１３以外の層である第４の層１４は電鋳によって形成されている。 - 特許庁

On the lower layer wire 103 and the insulating film 102, a Si-rich SiO_2 film 104A, a SiO_2 (FSG) film 104B including fluorine, a plasma SiO_2 film 104C, and a plasma SiON film 104D are formed sequentially, and these four layer films make up a first interlayer insulating film 104.例文帳に追加

下層配線１０３及び絶縁膜１０２上には、ＳｉリッチＳｉＯ_2膜１０４Ａと、弗素を含んだＳｉＯ_2（ＦＳＧ）膜１０４Ｂと、プラズマＳｉＯ_2膜１０４Ｃと、プラズマＳｉＯＮ膜１０４Ｄとが順次形成されており、これらの４層膜により第１の層間絶縁膜１０４が構成されている。 - 特許庁

The insulation material layers 30 and 30 are provided on a lower electrode layer 22, so that, when the multilayer T1 is subject to grinding formation by ion milling, re- adhesion of material in each layer comprising the multilayer to the side end surfaces T1s and T1s in the widthwise direction of track of the multilayer T1 can be suppressed.例文帳に追加

絶縁材料層３０，３０が下部電極層２２上に設けられることにより、多層膜Ｔ１をイオンミリングなどで削り出し形成するときに、多層膜Ｔ１のトラック幅方向の側端面Ｔ１ｓ，Ｔ１ｓへの、多層膜を構成する各層の材料の再付着を低減することができる。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The image display device is provided with an undercut part 25 in between layers insulation film 14 arranged between an image signal wiring 8 and the scanning signal wiring 9 and the scanning signal wiring 9 is made to be a laminated structure of a lower layer film 92 composed of an aluminum film and an upper layer film 94 composed of aluminum alloy film with aluminum as a main component.例文帳に追加

映像信号配線８と走査信号配線９間に配置された層間絶縁膜１４にアンダーカット部２５を設けると共に、前記走査信号配線９をアルミニウム膜からなる下層膜９２と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなる上層膜９４の積層構造とした。 - 特許庁

In the manufacturing method of the fluorescent lamp emitting ultraviolet light, a glass layer (14) having a softening point lower that of than the quartz glass is formed beforehand on a tube formed of quartz glass, and the suspension of a phosphor mixing the phosphor and a binder is coated on the glass layer (14), and the phosphor (15) is calcined.例文帳に追加

また、紫外線を放射する蛍光ランプの製造方法であり、石英ガラスからなる管に、石英ガラスよりも軟化点が低いガラスの層（１４）を予め形成し、このガラスの層（１４）の上に蛍光体とバインダ剤とを混合した蛍光体の懸濁液を塗布して当該蛍光体（１５）を焼成する。 - 特許庁

To provide a gas-barrier film superior in transparency and physical strength, having a high gas-barrier property also not lower the gas-barrier property and interlayer adhesive properties in each of a substrate, a vapour deposition thin-film layer and an adhesive layer even if it is under severe situations such as a boiling sterilization and heating-pressurizing sterilization.例文帳に追加

透明性・物理的な強度物性に優れ、且つ高いガスバリア性を有すると共に、高温、高湿、煮沸殺菌や加熱・加圧殺菌などの厳しい状況下であっても、ガスバリア性や基材、蒸着薄膜層、接着剤層のそれぞれの層間密着性が低下しないガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer on a conductive base is characterized in that the surface layer of the electrophotographic photoreceptor contains domains to lower the surface energy of a number average grain size 1 to 100 nm and particles of a number average primary particle size 3 to 300 nm.例文帳に追加

導電性基体上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面層が、数平均粒径１〜１００ｎｍの表面エネルギーを低下させるドメインと、数平均一次粒子径３〜３００ｎｍの粒子とを含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The ultrasonic probe includes a semiconductor substrate, on which a cMUT type vibrator placed on a backing layer is formed, and a wiring board for external wiring, and electrode terminals of the vibrator and lead electrodes of the wiring board are bonded in order from the terminal side having higher height from a placing face of the backing layer to the terminal side having lower height.例文帳に追加

バッキング層上に載置されたｃＭＵＴ型の振動子が形成された半導体基板及び外部配線の配線基板とを備え、振動子の電極端子と配線基板のリード電極のボンディングは、バッキング層の載置面からの高さが低い端子側から高い端子側にボンディングされてなる構成とする。 - 特許庁

An image formation material comprises a lower layer containing a polymer which has a carboxylic group in a side chain and at least a part of which forms a salt structure together with a univalent basic compound, and an infrared absorbent; and an upper layer of which solubility in alkali aqueous solution is increased by heating; which are sequentially arranged on a substrate.例文帳に追加

支持体上に、カルボン酸基を側鎖に有し、該カルボン酸基の少なくとも一部が一価の塩基性化合物と塩構造を形成しているポリマー及び赤外線吸収剤を含む下層と、熱によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する上層とを、順次備える画像形成材料。 - 特許庁

To provide a method for slitting laser melting thermal transfer recording media each having at least a photothermal conversion layer and an ink layer on a support which is carried out with the use of an upper edge and a lower edge without using a cover sheet and without separating a film of an application face thereby suppressing generation of dust.例文帳に追加

支持体上に少なくとも光熱変換層とインク層とを有するレーザー溶融熱転写記録媒体を上刃と下刃を用いて行うスリッティング方法において、カバーシートを使用することなしに、塗布面の膜剥がれを生じさせることなく、ゴミの発生を抑えたスリッティング方法の提供。 - 特許庁

To provide a hardmask composition for a resist underlayer film that has high etching selectivity, sufficient resistance to multiple etchings, and an antireflective property to minimize the reflectivity between the resist and a lower layer, and a method of patterning a backside material layer on a substrate using the hardmask composition.例文帳に追加

エッチング選択性が高く、 多重エッチングに対する耐性が十分であり、レジストと下部層間の反射性を最小化する反射防止能を有するレジスト下層膜用ハードマスク組成物を提供すること、および該ハードマスク組成物を用いて、基板上の裏面材料層をパターン化させる方法を提供すること。 - 特許庁

This light-emitting diode enables suppression of electric current flowing in a light-emitting layer 5 of the lower part of an upper electrode 11 of the side of the upper electrode 11 (light extraction side) and to reflect a radiating light from a lightemitting layer 5 to a light extracting side.例文帳に追加

半導体多層膜からなる電流ブロック層７を上部電極１１と発光層５との間に挿入することにより、上部電極１１側（光取出し側）の上部電極１１下方部分の発光層５に電流が流れるのを抑制し、かつ発光層５からの放射光を光取出し側へ反射させることができる。 - 特許庁

The semiconductor sensor module 10 comprises a semiconductor sensor element 25 having an extraction electrode 29, a lower-layer substrate 34 having a through space 38 formed to store the semiconductor sensor element 25, and an intermediate-layer substrate 24 to which the through space for storing the sensor element 25 and the extraction electrode 29 are connected one over the other.例文帳に追加

引出用電極２９を備えた半導体センサ素子２５と、半導体センサ素子２５を収納するための貫通空間３８が形成された下層基板３４と、センサ素子２５を収納する貫通空間及び引出用電極２９が重ねられ接続される電極パッド３２が形成された中層基板２４を備える。 - 特許庁

The wing part 20 is assembled from a lower layer to an upper layer while being supported by the needles 30A-30C and the rods 40A-40D, and in the assembly step, a wind resistant beam 21 at the uppermost part of the wing part 20 in the middle of assembly is temporarily supported by the connection plate 15B of the building by a temporarily provided rod 60.例文帳に追加

ウイング部２０をニードル３０Ａ〜３０Ｃおよびロッド４０Ａ〜４０Ｄで支持しながら下層から上層に向かって組み立てるとともに、この組み立て工程では、組み立て途中のウイング部２０の最上部の耐風梁２１を仮設ロッド６０で建物の接続プレート１５Ｂに仮支持させておく。 - 特許庁

In a process for mounting the semiconductor chip 10 on the substrate 30, the ball bump 20 is heated to a temperature which is lower than the melting point of the solder layer 36, and brought into contact with the electric connection part 32, and the ball bump 20 and the electric connection part 32 are heated to a temperature which is higher than the fusing point of the solder layer 36.例文帳に追加

半導体チップ１０を基板３０に搭載する工程では、ボールバンプ２０をはんだ層３６の融点よりも低い温度に加熱して電気的接続部３２に接触させた後に、ボールバンプ２０及び電気的接続部３２をはんだ層３６の融点よりも高い温度に加熱する。 - 特許庁

The inkjet head 41 is equipped with a pressure chamber member 7 where an ink discharge opening and a pressure chamber 8 that communicates with the ink discharge opening are formed, a vibrating layer 6 set to have a part of a lower face faced to the pressure chamber 8, and the piezoelectric element which is set on the vibrating layer 6 and applies a pressure to ink in the pressure chamber 8.例文帳に追加

インクジェットヘッド４１は、インク吐出口とインク吐出口に連通する圧力室８とが形成された圧力室部材７と、下面の一部が圧力室８に臨むように設けられた振動層６と、振動層６上に設けられかつ圧力室８内のインクに圧力を付与する圧電素子とを備えている。 - 特許庁

Then, as shown in Figure 2 (a), N-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask, so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, and the lower electrode 118 of a capacitive element is formed.例文帳に追加

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｎ型不純物をイオン注入し、容量素子の下部電極１１８を形成する。 - 特許庁

Next, the via hole forming region of the copper foil 1 is selectively removed by etching to form an opening 9, Then, the insulating resin layer 2 exposed in the opening 9 is removed by etching by using an alkaline etching solution until the conductive layer 4 positioned at the lower part is exposed, to form a via hole 10.例文帳に追加

次いで、銅箔１のビアホール形成部位を選択的にエッチング除去して開口部９を形成した後、この開口部９に露出する絶縁樹脂層２を、その下部に位置する導体層４が露出するまでアルカリ性エッチング液を用いてエッチング除去してビアホール用穴１０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, holes are made in the adhesive layer of uncured or semicured thermosetting resin when the wiring layers are laminated, and the thermosetting resin layer is cured by imparting a thermal load after the upper and lower wiring layers are connected through a metal while simultaneously dissipating the heat therefrom.例文帳に追加

更に、該配線層を積層する際に、未硬化または半硬化の熱硬化型の樹脂を接着層とし、該接着層に孔部を形成し上下の配線層を金属により層間接続した後に、熱負荷を付与し該熱硬化型樹脂を硬化させ、かつ層間接続の金属を同時に熱拡散させることも含まれる。 - 特許庁