「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(190ページ目) - Weblio英語例文検索

By separating the upper layer having the function of burning the particulate and the lower layer having the function of controlling NOX emission, the sulfur poison is suppressed, the activity deterioration of noble metal caused by the occlusion material is also suppressed, and the combustion of the particulate is accelerated by including the oxide having the oxygen storing/discharging capacity.例文帳に追加

パティキュレートを燃焼させる機能をもつ上層と、NO_x 浄化能をもつ下層とに分離することで硫黄被毒を抑制できるとともにNO_x 吸蔵材による貴金属の活性低下が抑制され、上層に酸素吸蔵放出能を有する酸化物を有することでパティキュレートの燃焼が促進される。 - 特許庁

In the ashing method, while irradiating a heating gas to a resist pattern 101 that is formed at the upper part of a silicon substrate 100 and having an alteration layer 101b formed at the surface layer in an oxygen-containing atmosphere, the silicon substrate 100 is cooled down to the temperature lower than the heating gas to remove the resist pattern 101.例文帳に追加

シリコン基板１００の上方に形成されて表層に変質層１０１ｂが形成されたレジストパターン１０１に対し、酸素含有雰囲気中において加熱ガスを照射しながら、加熱ガスよりも低い温度にシリコン基板１００を冷却してレジストパターン１０１を除去するアッシング方法による。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer 19 and/or an upper magnetic pole layer 21 is formed by plating of NiFe alloy composed of 76 to 90 mass% Fe in the composition ratio or NiFe alloy which is 130 to 175 Å in average crystal grain diameter and composed of 70 to 90 mass% Fe in the composition ratio.例文帳に追加

下部磁極層１９及び／または上部磁極層２１を、Ｆｅの組成比が７６質量％以上で９０質量％以下、あるいは平均結晶粒径が１３０Å以上で１７５Å以下で且つＦｅの組成比が７０質量％以上で９０質量％以下のＮｉＦｅ合金でメッキ形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

The electron emitting source has a lamination structure in which a lower electrode 1002, an electron emitting layer 1003, an insulating membrane 1004, and an upper electrode 1005 are laminated sequentially, and the insulating membrane 1004 and the upper electrode 1005 have numerous hole parts 1006, and the electron emitting layer 1003 is a thin film made of a carbonaceous material.例文帳に追加

下部電極１００２、電子放出層１００３、絶縁膜１００４、上部電極１００５とが順次積層した積層構造を有し、絶縁膜１００４、上部電極１００５は、多数の孔部１００６を有し、電子放出層１００３はカーボン系材料からなる薄膜であることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a felt facilitating the insertion of a selvage to a seam part by preventing the distance between yarns of the upper yarn layer and the lower yarn layer forming the loop at the seam part from being narrowed, and preventing a needle-punched web from being dropped by fixing the web to the seam part well.例文帳に追加

シーム部ループを形成する上糸層と下糸層との糸間隔が狭くなるのを防ぎ、また、ループ列の中心高さの波打ちを解消することによって、シーム部への耳糸の挿入を容易とすると共に、シーム部にニードルパンチしたウエブを良好に固定しその脱落を防ぐ事の出来るフエルトを得る。 - 特許庁

The method also includes the steps of then forming each convex part 12a and flanking GaN consisting of selecting growth layer 14 in air gap portion 12c between the lower surface and footprint of trench 12b like as elaborate on the seed layer 12.例文帳に追加

続いて、凸部１２ａ同士に挟まれてなる各凹部１２ｂの底面及び壁面上に窒化シリコンからなるマスク膜１３を形成し、その後、シード層１２の上に、各凸部１２ａと接するようにＧａＮからなる選択成長層１４をその下面と溝部１２ｂの底面との間に空隙部１２ｃが設けられるように形成する。 - 特許庁

In the inkjet recording sheet having a coloring material accepting layer on a support, the coloring material accepting layer includes a mordant and a betaine type surface-active agent under the condition that the employed mordant has not more than 1 % of content of lower molecular weight component having a molecular weight of not more than 500.例文帳に追加

支持体上に色材受容層を有するインクジェット記録用シートにおいて、該色材受容層が媒染剤とベタイン型界面活性剤を含有し、該媒染剤として分子量５００以下の低分子量成分含有量が１％以下のものを使用することを特徴とするインクジェット記録用シート。 - 特許庁

The content ratio of the guest material to the host material is preferably 10 mol% or lower, and by this, an orange light having a complementary color relation with respect to blue light emitted from the blue light-emitting layer 13D is emitted from the orange light-emitting layer 13C, and as a result, the white light is taken out from the first electrode 12 side.例文帳に追加

ゲスト材料のホスト材料に対する含有率は、１０ｍｏｌ％以下が好ましく、これにより橙色発光層１３Ｃから、青色発光層１３Ｄから発光される青色光に対して補色の関係にある橙色光が発光され、その結果第１電極１２側からは白色光が取り出される。 - 特許庁

The uneven shape having a period of 6 to 500 nm is formed on the surface of the active layer by forming the active layer that is comprised of Al_xGa_1-xN not containing indium and has a film thickness between 3 nm and 500 nm at a low temperature below 950°C lower than conventional crystal growth temperature (1,040°C to 1,100°C).例文帳に追加

インジウムを含まないＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮよりなる活性層を従来の結晶成長温度（１０４０℃から１１００℃）より低温の、９５０℃以下で、且つ３ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚で形成することにより、活性層表面に周期が６〜５００ｎｍの凹凸形状を形成する。 - 特許庁

The PE flake precipitates to the lower layer part of the specific gravity liquid is received by a pipe conveyor 4E and conveyed from the bottom part of the specific gravity liquid tank 4C, and the PP flake surfacing to the upper layer part of the specific gravity liquid is scraped out by a conveyer 4F with a rake and conveyed from the upper part of the specific gravity liquid tank 4C.例文帳に追加

そして、比重液の下層部に沈降したＰＥフレークは、パイプコンベア４Ｅにより受け取られて比重液槽４Ｃの底部から搬出され、比重液の上層部に浮上したＰＰフレークは、レーキ付きコンベア４Ｆにより掻き出されて比重液槽４Ｃの上部から搬出される。 - 特許庁

In the compressing step, a portion of the precursor 4' corresponding to at least a part of the peripheral region of the upper layer 62 of the precursor 4' in plan view is compressed with stronger force than a portion corresponding to a central region of a width direction of the upper layer 62 of the precursor 4' in plan view, thereby integrating the upper and lower layers.例文帳に追加

圧縮工程において、前駆体４’のうち、該前駆体４’の平面視における上層６２の周縁域の少なくとも一部に対応する部位を、該前駆体４’の平面視における上層６２の幅方向の中央域に対応する部位よりも強く圧縮して、上層と下層とを一体化する。 - 特許庁

To provide a heat dissipating material which has little warpage after being bonded with a semiconductor insulating substrate and is more compact, by providing fins having satisfactory ebullient efficiency for cooling liquid on a heat dissipating layer side of the heat dissipating material and by making a heat receiving layer side have a lower thermal expansion coefficient, and to provide a method for manufacturing it at a low cost.例文帳に追加

放熱材の放熱層側の冷却液に対し沸騰効率の良いフィンを設け、放熱材の受熱層側はより低熱膨張率として、半導体用絶縁板と放熱材との接合後の反りが小さく、よりコンパクトな放熱材及びそれを廉価に製造する方法を提供する。 - 特許庁

Since the load applied to the fuel cell is shared by F1 and F2, the load by the elasticity of the coolant layer may bear only a load obtained by deducting a load by coolant pressure from the whole load, the stacking length of the elastic material is made shorter with lower load borne by elasticity of the coolant layer, and the fuel cell is made small.例文帳に追加

燃料電池にかかる荷重がF1とF2の双方で担われているため、冷媒層の弾性による荷重は、全荷重から冷媒圧力による荷重を差し引いた荷重を負担すればよく、冷媒層の弾性が担う荷重が小さいほど弾性材料の積層長は短くできるので燃料電池を小型化できる。 - 特許庁

In a click sense generation member for push button switch which includes a click sense generation layer 3 having a plurality of dome-like parts 4 of metal or resin material which is curved expanding in the up and down direction and is cased in the lower part of key top member 1 of the push switch device, a resilient body layer 9 is formed on the dome-like part 4.例文帳に追加

押釦スイッチ装置のキートップ部材１の下方に組込まれる、上方向に湾曲膨出する金属製もしくは樹脂製の複数のドーム状部４を有するクリック感発生層３を含んでなる押釦スイッチ用クリック感発生部材であって、ドーム状部４に弾性体層９が形成される。 - 特許庁

In a semiconductor chip CH2 that constitutes an LCD driver, input protection circuits 3a to 3c are arranged in a lower layer of part of a plurality of input bump electrodes IBMP and on the other hand, in a lower layer of the other part of the input bump electrodes IBMP, the input protection circuits 3a to 3c are not arranged but SRAMs 2a to 2c (internal circuits) are arranged.例文帳に追加

ＬＣＤドライバを構成する半導体チップＣＨＰ２は、複数の入力用バンプ電極ＩＢＭＰのうち一部の入力用バンプ電極ＩＢＭＰの下層には入力保護回路３ａ〜３ｃが配置されている一方、複数の入力用バンプ電極ＩＢＭＰのうち他の一部の入力用バンプ電極ＩＢＭＰの下層には入力保護回路３ａ〜３ｃが配置されずにＳＲＡＭ２ａ〜２ｃ（内部回路）が配置されている。 - 特許庁

The electroluminescent device has a pair of electrodes comprising an upper electrode 102 and a lower electrode 108 between which a silicon phosphor layer 106 including a phosphor is formed, where the lower electrode 102 has a nanostructure, in which a plurality of micro-protrusions 104 in the order of nanometers are formed, and the silicon phosphor layer 106 is formed so as to cover the micro-protrusions 104.例文帳に追加

本発明の電界発光素子は、下部電極１０２と上部電極１０８とからなる一対の電極を有し、下部電極１０２と上部電極１０８との間に蛍光体を含むシリコン蛍光体層１０６が設けられた電界発光素子であって、下部電極１０２には、ナノメートルオーダーの微小突起１０４が複数設けられたナノ構造を有し、シリコン蛍光体層１０６は、微小突起１０４を覆うように設けられている。 - 特許庁

At the bonding part C, upper layer part of the plurality of polishing cloths 11 including the upper surface for polishing an object are disposed in proximity to each other or touching each other and are not bonded to each other whereas lower layer part including the lower surface not polishing the object are butt boded through adhesive T.例文帳に追加

前記研摩マット１は複数枚の研摩布１１同士が同一平面に沿って互いに接合されており、前記接合された接合部Ｃにおいて、前記複数枚の研摩布１１は対象物を研摩するための上面を含む上層部が互いに近接ないし接触していると共に接着されておらず、かつ、前記対象物を研摩しない下面を含む下層部においては互いに接着剤Ｔにより突き合わせ接合されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the vertical alignment liquid crystal display device including the pixel electrode formed on a lower substrate, the counter electrode formed on an upper electrode and a vertical alignment layer vertically aligning liquid crystal molecules in a liquid crystal layer, the counter electrode is formed vertically overlapping with the pixel electrodes and moved away from the pixel electrodes to the lower substrate or upper substrate in parallel at a fixed interval.例文帳に追加

下部基板に形成された画素電極と、上部基板に形成された対向電極と、液晶層内の液晶分子を垂直配向させる垂直配向膜を含む垂直配向モードの液晶表示装置において、前記対向電極は、前記画素電極と上下に一部重畳するように形成されていて、前記画素電極に対して前記下部基板または上部基板面の方向に一定間隔で平行移動している。 - 特許庁

The field emission type electron source comprises a lower electrode, a multiple tunnel conductive layer including conductive fine particles and inter-particle insulation bodies intercalated between the conductive fine particles, and a surface electrode formed on the multiple tunnel conductive layer, and emits electron by the voltage impressed between the surface electrode as a positive electrode and the lower electrode.例文帳に追加

下部電極、前記下部電極上に形成され、導電性微粒子とこれら導電性微粒子間に介在する粒子間絶縁体とを含む多重トンネル伝導層、及び前記多重トンネル伝導層上に形成された表面電極を備え、前記表面電極を正極として前記表面電極及び前記下部電極間に電圧を印加することにより前記表面電極から電子を放射する電界放射型電子源。 - 特許庁

The thin-film solar battery cell 5 is made by forming a lower conductive layer 2, semiconductor layer 3, and upper transparent conductive layer 4 in order on the metal substrate 1.例文帳に追加

金属基板１上に下部導電層２と半導体層３と上部透明導電層４とを順次形成した薄膜太陽電池セル５を複数個直列接続した薄膜太陽電池モジュールを、薄膜太陽電池セル５ごとに金属基板１を分離し、互いに隣接する一方の薄膜太陽電池セル５の上部透明導電層４を他方の薄膜太陽電池セル５の下部導電層２と金属基板１の少なくとも一方に接続した構造とする。 - 特許庁

The wavelength conversion element has at least one wavelength conversion layer comprising a matrix layer composed of a curable resin material or an inorganic material having a band gap of 3 eV or larger, and particles having grain size of 3-20 nm composed of a wavelength conversion composition provided in the matrix layer and performing wavelength conversion to the light having energy lower than that of the light absorbed, for a specific wavelength region of the light absorbed.例文帳に追加

波長変換素子は、バンドギャップが３ｅＶ以上の硬化樹脂材または無機材からなるマトリクス層と、このマトリクス層内に設けられ、吸収した光の特定の波長領域に対して、この吸収した光よりも低いエネルギーの光に波長変換する波長変換組成物からなり、かつ粒経が３ｎｍ〜２０ｎｍである粒子とを備える波長変換層を少なくとも１層有する。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor free-standing substrate can be manufactured by forming the semiconductor layer 12 having a crystallinity lower than the group III-V nitride semiconductor crystal 14 on the ground substrate 11, after forming the inorganic particles 13 on the semiconductor layer 12, forming the group III-V nitride semiconductor crystal 14 by selective growth, and separating the ground substrate 11 at the semiconductor layer 12.例文帳に追加

下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上に無機粒子１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離することにより、３−５族窒化物半導体自立基板を製造することができる。 - 特許庁

The electrode is constituted of a support filament 110 coupled onto a substrate 124, and the intercalation layer, including a donor acceptor material configured to receive a reactant of an electrochemical reaction deposited thereon, and the electrode includes a region of the intercalation layer which is close to the substrate and includes a lower amount of donor acceptor material compared with a region of the intercalation layer distal with respect to the substrate.例文帳に追加

この電極は基板１２４上に結合された支持フィラメント１１０と、その上に堆積された電気化学的反応の反応物を受容するように構成されたドナーアクセプタ材料を含む層間層より構成され、前記層間層の前記基板に対して遠位にある領域に比べて低量のドナーアクセプタ材料を含む前記層間層の前記基板に近接した領域とを具えている電極。 - 特許庁

A structure is constituted of a base made of a metal and an inorganic material surface layer made of crystalline and amorphous inorganic materials, wherein, the thermal conductivity of the inorganic material surface layer is lower than that of the base, the infrared emissivity of the inorganic material surface layer is higher than that of the base, and the base is an annular body.例文帳に追加

金属からなる基材と、結晶性及び非晶質無機材からなる無機材料表面層とから構成される構造体であって、上記無機材料表面層の熱伝導率が上記基材の熱伝導率より低く、上記無機材料表面層の赤外線放射率が上記基材の赤外線放射率より高く、かつ、上記基材は環状体であることを特徴とする構造体。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises a silicon substrate 109 containing a p-type impurity in a first concentration, an epitaxial layer 108 formed on the substrate 109 and containing a p-type impurity in a second concentration lower than the first concentration, a storage area 191 provided on the layer 108, and a logic circuit region 192 provided at a different position from the area 191 on the layer 108.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ｐ型の不純物を第１の濃度で含むシリコン基板１０９と、シリコン基板１０９に形成され、第１の濃度よりも低い第２の濃度でｐ型の不純物を含み、有するエピタキシャル層１０８と、エピタキシャル層１０８の上に設けられた記憶領域１９１と、エピタキシャル層１０８の上で記憶領域１９１と異なる位置に設けられた論理回路領域１９２とを備える。 - 特許庁

An image sensor comprises a first conductive type semiconductor substrate on which a trench is formed in a specified region, a second conductive type impurity region for a photo diode formed on the substrate at a lower part of the bottom surface of the trench, a second conductive type first epitaxial layer for the photo diode embedded in the trench, and a first conductive type second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer.例文帳に追加

所定領域にトレンチが形成された第１導電型の半導体基板と、前記トレンチの底面下部の前記基板内に形成されたフォトダイオード用第２導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれたフォトダイオード用第２導電型の第１のエピタキシャル層と、該第１のエピタキシャル層上に形成された第１導電型の第２のエピタキシャル層とを備えるイメージセンサが提供される。 - 特許庁

The basic molding 1 formed to emit metal color from a metal color layer 15 formed by vapor deposition of indium is installed in a predetermined mold, and a surface coating layer 5 formed of a thermoplastic synthetic resin material comprising PC, PMMA, or the like transparent and lower in fusing point than the basic molding 11 is provided on the surface side of the metal color layer 15 assuming the metal color.例文帳に追加

インジウムの蒸着にて形成される金属色層１５から金属色の発せられるようになった基礎成形体１を所定の型内に設置するとともに、その金属色を呈する金属色層１５の面側に、透明性を有するものであって基礎成形体１１よりも低融点のＰＣまたはＰＭＭＡ等からなる熱可塑性合成樹脂材にて形成される表面被覆層５を設ける。 - 特許庁

The ferroelectric fim 13 contains a first ferroelectric layer 17, formed on the lower electrode 12 by a metallo-organic chemical vapor deposition and made of a first ferroelectric material, having a peropvskite crystal structure, and a second ferroelectric layer 18 formed on the first ferroelectric layer 17 through chemical solution deposition and is made of a second ferroelectric material having a perovskite crystal structure.例文帳に追加

強誘電体膜１３は、下部電極１２上に有機金属化学気相堆積法で形成された、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第１強誘電体材料からなる第１強誘電体層１７と、第１強誘電体層１７上に化学溶液堆積法で形成された、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第２強誘電体材料からなる第２強誘電体層１８と、を含む。 - 特許庁

The thin film acoustic resonator comprises a substrate 21; a sound reflector 24 formed by laminating a low acoustic impedance layer 23, and a high acoustic impedance layer 22 having an acoustic impedance higher than that of the low acoustic impedance layer 23 alternately on the substrate 21; and an acoustic resonator 28 formed by laminating a lower electrode 25, a piezoelectric film 26, and an upper electrode 27 sequentially on the sound reflector 24.例文帳に追加

薄膜音響共振器は、基板２１と、基板２１の上に低音響インピーダンス層２３と低音響インピーダンス層２３と比べて音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層２２とが交互に積層されてなる音響反射部２４と、音響反射部２４の上に下部電極２５と圧電膜２６と上部電極２７とが順次積層されてなる音響共振部２８とを備えている。 - 特許庁

By coating, drying and pressing cathode mixture paint on both sides of the cathode collector 1, the peeling strength of the cathode plate with a cathode mixture layer 2a formed on the surface the cathode collector 1 and a cathode mixture layer 2b formed on the rear face from the cathode mixture layer is so constituted to be smaller as the active material density gets higher, and larger as the active material density gets lower.例文帳に追加

正極集電体１の両面に正極合剤塗料を塗布し乾燥した後にプレスして正極集電体１の表面に正極合剤層２ａおよび裏面に正極合剤層２ｂを形成した正極板の正極集電体と正極合剤層との剥離強度を活物質密度が高くなれば小さく、活物質密度が低くなれば大きくなるように構成する。 - 特許庁

The lower side of a high dielectric member 4 having a specific dielectric constant of 20 or more with an electrode 5 provided at the upside is adhered through a resin layer 3 to a wiring conductor layer 2 formed on a dielectric substrate 1, to thereby form a capacitance element C1 with the wiring conductor layer 2 and the electrode 5 used as opposite electrodes and the high dielectric member 4 used as a dielectric for generating capacitance.例文帳に追加

誘電体基板１上に形成された配線導体層２上に、上面に電極５が設けられた比誘電率が２０以上の高誘電性部材４の下面を、樹脂層３を介して接着させたことにより、配線導体層２と電極５とを対向電極としかつ少なくとも高誘電性部材４を静電容量発生用の誘電体とする容量素子Ｃ１を形成した。 - 特許庁

The fixing belt performs fixing by passing a recording material between a heating means and a pressing means while facing it against the plane of the fixing belt having a mold releasing layer formed on a basic material wherein the basic material has a surface processing layer having a hardness not lower than the pencil hardness HB and the mold releasing layer contains silicone resin.例文帳に追加

加熱手段と加圧手段との間を記録材料と、基材上に少なくとも離型性層を有する定着ベルトの該離型性層を有する面とを対向させながら通過させ、定着を行う定着ベルトにおいて、該基材が表面処理層を有し、該表面処理層の硬度が鉛筆硬度ＨＢ以上であり、且つ、前記離型性層がシリコーン樹脂を含有することを特徴とする定着ベルト。 - 特許庁

Since the crystallized area 8 exhibits a laser absorptance lower than that of the glass layer 3, the glass layer 3 is gradually heated when the laser beam L2 is moved along the region R to be fused from the irradiation-initiating point, while the glass layer 3 is gradually cooled when the laser beam L2 is moved along the region R to be fused to the irradiation-ending point.例文帳に追加

このとき、結晶化部８におけるレーザ光の吸収率がガラス層３におけるレーザ光の吸収率よりも低いため、溶着予定領域Ｒに沿って照射開始位置からレーザ光Ｌ２を移動させた際にはガラス層３が徐々に加熱され、一方、溶着予定領域Ｒに沿って照射終了位置までレーザ光Ｌ２を移動させた際にはガラス層３が徐々に冷却されることになる。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor includes a first ferroelectric layer in which a ferroelectric is sandwiched between a pair of electrodes and the ferroelectric has a surface roughness (RMS), measured by an atomic force microscope, of not lower than 10 nm; and a second ferroelectric layer which is formed on the first ferroelectric layer and has a surface roughness (RMS), measured by the atomic force microscope, of not higher than 5 nm.例文帳に追加

一対の電極間に強誘電体を挟持させてなり、該強誘電体が、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が１０ｎｍ以上である第１強誘電体層と、該第１強誘電体層上に形成され、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が５ｎｍ以下である第２強誘電体層とを有する強誘電体キャパシタである。 - 特許庁

The antireflection film is constituted by laminating a transparent supporting body and the low refractive index layer having a lower refractive index than the transparent supporting body, and further laminating an overcoat layer including a graft copolymer (GP) incorporating repetition units [component (A), component (B) and component (C)] shown by an expression (I) by at least one kind respectively on the low refractive index layer.例文帳に追加

透明支持体および透明支持体よりも低い屈折率を有する低屈折率層が積層されている反射防止膜であって、該低屈折率層の上に式（Ｉ）で示される各繰り返し単位（成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｃ））を、各々少なくとも一種含有するグラフト共重合体（ＧＰ）を含むオーバーコート層がさらに積層されていることを特徴とする反射防止膜を用いて画像表示装置を得る。 - 特許庁

This organic EL display includes: a substrate 12; the plurality of organic EL elements 16 arranged on the substrate 12; insulation members 14 disposed between the adjacent organic EL elements 16; and a first protection layer 18 which is sequentially formed from a region between the lower layer electrode 24 and the function layer 26 of the organic EL element 16 to the surface of the insulation member 14 and composed by containing fluorine.例文帳に追加

基板１２と、基板１２上に配列される複数の有機ＥＬ素子１６と、隣接する有機ＥＬ素子１６間に配置される絶縁部材１４と、有機ＥＬ素子１６が有する下層電極２４と機能層２６との間の領域から絶縁部材１４の表面にかけて連続的に形成され、フッ素を含んで構成される第１保護層１８と、を備えている有機ＥＬディスプレイ。 - 特許庁

In this manufacturing method of a group 3-5 nitride semiconductor independent substrate having this structure, a semiconductor layer 12 having lower crystallinity than the group 3-5 nitride semiconductor crystal 14 is formed on the base substrate 11, a mask 13 is formed on the semiconductor layer 12, then the group 3-5 nitride semiconductor crystal 14 is formed by selective growth, and finally the base substrate 11 is separated at semiconductor layer 12.例文帳に追加

この構成を有する３−５族窒化物半導体自立基板の製造は、下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上にマスク１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離する。 - 特許庁

The method for manufacturing a ferroelectric memory 1000 includes a step (a) wherein a lower electrode layer 20, a ferroelectric layer 30, and a first upper electrode layer 40 are stacked in sequence on a substrate 10; a step (b) to anneal the ferroelectric lamination; and a step (c) to pattern the ferroelectric lamination into a specified shape.例文帳に追加

本発明にかかる強誘電体メモリ１０００の製造方法は、（ａ）基体１０の上方に下部電極層２０、強誘電体層３０、および第１の上部電極層４０を順次積層することにより強誘電体積層体を形成する工程と、（ｂ）前記強誘電体積層体にアニール処理を行う工程と、（ｃ）前記強誘電体積層体を所定の形状にパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

In the multi layered magnetic recording medium suitable for high recording density and digital recording, having excellent electromagnetic recording characteristics in the entire range of a recording wavelength, excellent mechanical characteristics, improved surface smoothness and flat frequency response, an upper side magnetic recording layer having <0.5 μm layer thickness and at least one lower side layer containing magnetically soft pigment are formed.例文帳に追加

高記録密度及びディジタル記録に適し、そして全記録波長範囲で優れた電磁記録特性及び良好な機械特性を有し、改良された表面平滑性を有し、さらにフラットな周波数レスポンスを有する記録媒体で、層厚が０．５μｍ未満の上側の磁気記録層、及び磁気的に柔かい顔料を含む、少なくとも１層の下側層が設けられた多層磁気記録媒体。 - 特許庁

The antireflection film comprises: a transparent film including irregularities formed on one surface of a transparent substrate; and a high refractive index layer having a refractive index higher than that of the transparent substrate and a low refractive index layer having a refractive index lower than that of the high refractive index layer, which are provided in this order on the one surface of the transparent film.例文帳に追加

透明基材の一方の面に凹凸を形成してなる透明フィルムの当該一方の面に、前記透明基材の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率層と、高屈折率層の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率層とをこの順に備えてなり、前記凹凸が透明基材を変形する事により形成されたものであり、下記［１］〜［２］を満たす反射防止フィルム。 - 特許庁

One electrode is provided on a group III-V compound semiconductor-made buffer layer containing boron(B) and phosphorus(P) or arsenic(As) having a smaller forbidden band width than a lower clad layer, and another electrode is provided on a group III nitride semiconductor layer to obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high light emission intensity and electrodes displaying good Ohmic characteristics.例文帳に追加

一方の電極を下部クラッド層よりも禁止帯幅を小とする硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成される緩衝層上に設け、他方の電極をＩＩＩ族窒化物半導体層上に設けることにより、良好なオーミック特性を発揮する電極を備えた高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

In the peelable laminate which is composed of a plastic film, an intermediate layer containing a polyurethane resin, and a foamed polystyrene sheet contacting the intermediate layer and is laminated by heat lamination processing, the peel strength between the foamed polystyrene sheet and the intermediate layer is adjusted to be lower than the peel strength between other layers and the strength at break of the plastic film.例文帳に追加

少なくとも、プラスチックフィルム、ポリウレタン樹脂を含有する中間層、該中間層と接するポリスチレン系発泡シートからなり、熱ラミネート加工により積層された積層物であって、前記ポリスチレン系発泡シートと中間層との間の剥離強度が、他の層間の剥離強度より小さく、かつ前記プラスチックフィルムの破断強度よりも小さくなるように調整されてなることを特徴とする可剥離性積層物。 - 特許庁

To provide a method of forming a photovoltaic element having higher photoelectric conversion characteristics, which can control the amount of boron which is taken in a silicon layer, specially facilitates formation of a desired p+ layer even at a lower reprecipitation temperature and moreover, enables formation of a high-quality silicon layer, and to provide a formed photovoltaic element, a method of forming a semiconductor substrate and a semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン層中に取り込まれるボロン量の制御が可能で、特により低い再析出温度においても所望のｐ＋層の形成が容易になり、さらに高品質なシリコン層の形成が可能になり、より光電変換特性の高い光起電力素子を形成する方法と、形成される光起電力素子並びに半導体基板の形成方法および半導体基板を提供すること。 - 特許庁

In the polarizing plate comprising the transparent protective film provided on at least one surface of the polarizer via an adhesive layer, the polarizing plate is characterized by having an application layer composed of partially saponified polyvinyl acetate with 50 mol % or lower saponification degree formed on a surface of the transparent protective film to be stuck to the polarizer and further having the adhesive layer formed with an adhesive containing an isocyanate type adhesive.例文帳に追加

偏光子の少なくとも一方の面に接着層を介して透明保護フイルムが設けられている偏光板において、前記透明保護フイルムの偏光子と接着する面に、ケン化度が５０モル％以下の部分ケン化ポリ酢酸ビニルによる塗布層が形成されており、かつ接着層がイソシアネート系接着剤を含有する接着剤により形成されたものであることを特徴とする偏光板。 - 特許庁