「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(193ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic substance removing method for removing a hardened resist film generated after dry etching, a BARC film remaining on a lower layer of the resist film, and a residue or the like after dry etching present on a semiconductor substrate without executing ashing treatment.例文帳に追加

半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which an electrode at the lower layer section of a cell array section can simultaneously be formed with a gate electrode of a transistor in a peripheral circuit section and resistance of the electrode is low and to provide a manufacturing method of the semiconductor memory device.例文帳に追加

セルアレイ部の下層部分の電極を周辺回路部のトランジスタのゲート電極と同時に形成することができ、且つ、この電極の抵抗が低い半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sliding material whose tribology characteristics are improved by forming a modified layer having a hardness lower than that of a DLC film on the DLC film formed on a sliding surface and to provide a surface machining method thereof.例文帳に追加

本発明は、摺動面に形成したＤＬＣ膜に当該ＤＬＣ膜よりも低硬度の改質層を形成してトライボロジー特性を改善した摺動材及びその表面加工方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The frame 21 side end of a piezoelectric conversion region where a piezoelectric layer 24b touches the lower electrode 24a and the upper electrode 24c, respectively, in the piezoelectric conversion unit 24 is aligned with the boundary of the frame 21 and the cantilever 22.例文帳に追加

圧電変換部２４において圧電層２４ｂと下部電極２４ａおよび上部電極２４ｃそれぞれとが接する圧電変換領域のフレーム部２１側の端を、フレーム部２１とカンチレバー部２２との境界に揃えてある。 - 特許庁

A phase control part 10 of the Mach-Zehnder type optical modulator 1A has mesa structure parts 19a, 19b containing an n-type lower clad layer 13, core layers 14a, 14b, and upper clad layers 15a, 15b respectively.例文帳に追加

マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。 - 特許庁

As shown in chart (a) in Fig.3, a multimode VCSEL that has yet to suffer ESD damage exhibits an emission spectrum showing a number of peaks corresponding to the structure of an active layer (MQW) and upper and lower reflectors (DBR).例文帳に追加

図３（ａ）は、ＥＳＤダメージを受ける前のマルチモードＶＣＳＥＬの発光スペクトラムを示しており、活性層（ＭＱＷ）及び上下の反射鏡（ＤＢＲ）の構造に対応した数分のピークを示す発光スペクトラムが得られる。 - 特許庁

To provide a template matching method and a template matching device which aims to maintain the degree of matching between a template and a real image at a high level without a partial picture of a lower layer at template matching.例文帳に追加

本発明は、テンプレートマッチングの際に、下層の部分的な写りこみに因らず、テンプレートと実画像との間の一致度を高い状態に維持することを目的とするテンプレートマッチング方法、及びテンプレートマッチング装置の提供を目的とする。 - 特許庁

An intermediate heat radiation film 50 for conducting the heat generated from the heat-generative electron device to the second dielectric substrate is disposed at a close contact with a lower surface 44 of the second dielectric substrate between the insulating layer and the second dielectric substrate.例文帳に追加

発熱性電子素子から発生する熱を第2誘電体基板側に伝導させる中間放熱膜50が、絶縁層と第2誘電体基板との間に、第2誘電体基板の下側面44に密着されて配置されている。 - 特許庁

The adhesive layer 3 is formed by swelling out the adhesive injected into the through hole part 27 of the plurality of places from the through hole part 27 to the lower side and curing it in a state in which the adhesive reaches the surface 12 of the optical mount 1.例文帳に追加

接着剤層３は、複数箇所の貫通孔部２７に注入した接着剤をその貫通孔部２７から下方へはみ出させて光学台１の上表面１２に達した状態で硬化させることにより形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor with a stable characteristic by suppressing the dispersion of etching amount of a lower layer semiconductor film in dry-etching a metallic film to form source-drain electrodes without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程数の増加なく、ソース・ドレイン電極形成のための金属膜のドライエッチングに際して、下層の半導体膜の削れ量のばらつきを抑え特性の安定した薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

As a supporting member supporting the lower side of a mounting stand, the one whose outer circumferential face is covered with a metal layer having an emissivity equal to that of the metal thin film before it is mounted in the treatment vessel is used.例文帳に追加

載置台の下部側を支持している支持部材として、処理容器内に装着される前からその外周面が前記金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属層で覆われている支持部材を用いる。 - 特許庁

There is provided an upper semiconductor multilayer 26, which contains semiconductor layers 24 and 25, over a structure in which an active layer 11 is embedded in a semiconductor and grown, and a lower semiconductor multilayer 5, which contains semiconductor layers 3 and 4 grown under the structure.例文帳に追加

活性層１１とそれを半導体埋込成長した構造の上下に、半導体層２４／半導体層２５の上部多層半導体層２６と、半導体層３／半導体層４の下部多層半導体層５を有する。 - 特許庁

The core melt holding device is provided below a reactor pressure vessel and includes a cooling layer containing a first material of which the melting point or the boiling point is lower than the temperature of the core melt.例文帳に追加

原子炉圧力容器の下方に設けられる炉心溶融物の保持装置であって、前記保持装置は、炉心溶融物の温度より、融点又は沸点の低い第１の材料を含む冷却層を具えるようにして構成する。 - 特許庁

A thin film capacitor 10 comprises a substrate 12, a lower electrode 14, a dielectric thin film 16 and an upper electrode 18, and if necessary, an antireaction layer 20 is arranged at the interface between the dielectric thin film 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

薄膜キャパシタ１０は、基板１２，下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極１８からなり、必要に応じて誘電体薄膜１６と上部電極１８との界面に反応防止層２０が設けられる。 - 特許庁

The filter aid on a filter medium is precoated with a slurry comprising at least a hydrophobic organic solvent in the solution forming the lower layer of the double-layered solution and the filter aid before the double- layered solution is filtered.例文帳に追加

上記複層溶液の下層を形成する溶液中の１つ以上の疎水性有機溶媒と濾過助剤からなるスラリーにより、濾材上に濾過助剤をプレコート後、前記複層溶液を濾過することを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of removing copper adhering without causing an increase in the resistance of a metal film on a lower layer and that in the permittivity of a low-permittivity insulation film because of moisture absorption of water.例文帳に追加

下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

To provide a light diffracting structure like a hologram seal which is capable of recording by irradiation with laser beam and then given complexity through the recording, and has transparency of its lower layer secured because of a transparent type.例文帳に追加

レーザー光の照射による記録が可能で、その記録の結果、より複雑性が付与され、しかも透明型であるので、下層の透視性が確保されたホログラムシールのような光回折構造を提供することを課題とするものである。 - 特許庁

An embodiment includes the formation of a flexible layer (12) having first and second ends (13, 14), an intermediate section (70) connecting the first and second ends, and upper and lower surfaces (48, 15).例文帳に追加

実施形態は、第１および第２の端部分（１３、１４）、第１および第２の端部分を連結する中間部分（７０）、ならびに上側および下側の表面（４８、１５）を有する柔軟な層（１２）を形成することを含む。 - 特許庁

A capacitor lower electrode 3 is connected to the gate electrode 6a, and a capacitor upper electrode 6b is connected to a P-type ground layer 12 to form a capacitor in parallel to a gate comprising the gate electrode 6a and a gate insulating film 4.例文帳に追加

キャパシタ下部電極３をゲート電極６ａと結線し、またキャパシタ上部電極６ｂをＰ型接地層１２と結線する事により、ゲート電極６ａとゲート絶縁膜４から成るゲートに並列にキャパシタを形成する。 - 特許庁

The method comprises steps of using a sequence number in a first protocol entity as a security function, and reuses the sequence number in a second protocol entity being the lower layer of the first protocol entity for another predetermined function.例文帳に追加

方法は、第一プロトコルエンティティーにおいて、シーケンス番号をセキュリティー機能に利用し、第一プロトコルエンティティーの下位層プロトコルエンティティーである第二プロトコルエンティティーにおいて、該シーケンス番号を別途の所定機能に再利用するステップからなる。 - 特許庁

Each heating element of the thermal head 15 is driven by a voltage lower than the applied voltage to the thermal head 15 during the recording of the cyan image so that a cyan thermosensitive coloring layer is not developed in the smoothing treatment.例文帳に追加

電圧制御部４０により、シアン画像の記録時のサーマルヘッド印加電圧よりも低い電圧でサーマルヘッド１５の各発熱素子を駆動し、平滑化処理時にシアン感熱発色層が発色することがないようにする。 - 特許庁

The temporary fixing sheet has a resin layer which contains a urethane polymer component and a vinyl polymer, develops tack strength at a particular temperature equal to or higher than 40°C, and loses the tack strength at the particular temperature or lower.例文帳に追加

ウレタンポリマー成分とビニル系ポリマーとを含有し、40 ℃以上の特定の温度において粘着力を発現し、その特定の温度以下では粘着力が消失する樹脂層を有することを特徴とする仮固定シート。 - 特許庁

To attain required shear reinforcement only by a shear reinforcing bar without lowering workability of compacting work of concrete in use under severe conditions for a column of a lower layer part of an ultra high multistory reinforced concrete building or the like.例文帳に追加

超高層鉄筋コンクリート造建物の下層部の柱などの、条件の厳しい用途においても、コンクリートの締め固め作業の作業性を低下させることなく、所要の剪断補強を剪断補強筋だけで達成する。 - 特許庁

Since a solder ball 13b of a second semiconductor construction 1b is joined to a connection pad part of a lower layer wiring 22a of a first semiconductor construction 1a, the second semiconductor construction 1b is arranged under the first semiconductor construction 1a.例文帳に追加

第２の半導体構成体１ｂは、その半田ボール１３ｂが第１の半導体構成体１ａの下層配線２２ａの接続パッド部に接合されていることにより、第１の半導体構成体１ａ下に配置されている。 - 特許庁

The adhesive layer 17 is constituted by centering a sheet-shaped base material 18 comprising a PET, coating the first silicone-based adhesive 19 on the upper surface thereof, and coating the second acrylic adhesive 20 on the lower surface thereof.例文帳に追加

接着層１７は、ＰＥＴよりなるシート状の基材１８を中心として構成され、その上面にシリコーン系の第１の接着剤１９が塗布され、その下面にはアクリル系の第２の接着剤２０が全面に塗布されている。 - 特許庁

The structure of this piezoelectric sensor 10 wherein a lower electrode 2, a piezoelectric thin film 3, and a top electrode 4 are provided on a substrate 1, has moreover an air gap layer 6 between the thin film 3 and the top electrode 4.例文帳に追加

本発明の圧電センサ１０は、基板１上に下部電極２、圧電体薄膜３および上部電極４を設ける構造において、圧電体薄膜３と上部電極４との間に空隙層６をさらに設けた構成である。 - 特許庁

In a method of manufacturing a piezoelectric film as the dielectric film, a first piezoelectric precursor film 15a is first formed on a lower electrode layer 14 preferentially oriented to (002), and then, a zirconium film 51 is formed on the first piezoelectric precursor film 15a.例文帳に追加

圧電体膜の製造方法は、まず、（００２）に優先配向された下部電極層１４上に第１圧電体前駆体膜１５ａを形成し、次に、第１圧電体前駆体膜１５ａ上にジルコニウム膜５１を形成する。 - 特許庁

The sintered alloy for thermal conduction is a lightweight sintered alloy composed of metal copper particles as the main component, a metal bonding layer having density lower than that of metal copper bonding the metal copper particles each other, and desired pores.例文帳に追加

主成分としての金属銅粒子と、上記の金属銅粒子の間を結合する金属銅よりも低い密度を有する金属結合層と、所望の気孔と、より成る軽量焼結合金から伝熱用焼結合金となす。 - 特許庁

In this laminated ceramic capacitor, where a ceramic layer and an internal electrode are laminated alternately, the internal electrode is made of metallic rolling foil, and the rolling foil is adhesively inserted between the upper and lower ceramic layers.例文帳に追加

セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層セラミックコンデンサにおいて、上記内部電極が金属の圧延箔からなり、当該圧延箔が上下の各セラミック層間に密着介装される積層セラミックコンデンサである。 - 特許庁

A lower optical waveguide 10 and an upper optical waveguide 11 are formed in a semiconductor layer laminated on a semiconductor substrate 1, and a part of these waveguides is laminated so as to superpose up and down to compose an optical coupling part 12.例文帳に追加

半導体基板１上に積層された半導体層に、下部光導波路１０と上部光導波路１１が形成され、これらの導波路の一部が上下に重なるように積層されて光結合部１２が構成されている。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯の底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

A semiconductor device has W via plugs 106 filled in vias 105 which pierces a second layer insulation film 104, an Al alloy upper wiring 103, a first insulation film 102 and an Al alloy lower wiring 101.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０４，Ａｌ合金上層配線１０３，第１の層間絶縁膜１０２及びＡｌ合金下層配線１０１を貫通するヴィアホール１０５にＷヴィアプラグ１０６が埋め込み形成されている。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

また、半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

The terahertz electromagnetic wave radiation element comprises: a semiconductor substrate 1 having a depletion layer 4; an upper electrode 2 on the semiconductor substrate 1; and a lower electrode 3 contacting with the semiconductor substrate 1 and formed separated from the upper electrode 2.例文帳に追加

テラヘルツ電磁波放射素子は、空乏層４を有する半導体基板１と、半導体基板１と上部電極２と、半導体基板１と接触し、かつ上部電極２と分離して形成される下部電極３とを備えている。 - 特許庁

A liquid leakage location detection system has the detection wire electrode using the conductive layer coated wire, implemented on upper and lower layers of the sealing sheet of the waste repository site, and detects a location of the solution leakage from the sealing sheet.例文帳に追加

廃棄物処分場の遮水シートの上下層には、その導電層被覆電線を用いた検知用線状電極を敷設し、遮水シートからの溶液漏れの位置を検知する漏液位置検知システムであることを特徴とする。 - 特許庁

This rubber composition contains a reinforcing silica filler which is prepared by forming a silica layer containing no impurity other than water or containing 0.24 wt.% or lower impurities other than water on at least part of the surfaces of silica particles.例文帳に追加

シリカ粒子表面の少なくとも一部に、水以外の不純物を含まない、あるいは水以外の不純物を０．２４重量％以下含むシリカ層を形成させたシリカ補強性充填剤を配合したゴム組成物。 - 特許庁

(2) The light reflecting layer comprises Ag of ≥99 wt.% purity containing 0.00005-0.005 wt.% metal having a lower standard electrode potential than Ag.例文帳に追加

Ｌｔ／４≦Ｌｃ≦Ｌｍ （２）光反射層が、Ａｇより標準電極電位の小さい金属を０．００００５〜０．００５ｗｔ％含む純度９９ｗｔ％以上のＡｇからなることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。 - 特許庁

A gate electrode, a semiconductor layer, and a source electrode or a drain electrode are formed using a translucent material, and a wiring such as a gate wiring or a source wiring is formed using a material having resistivity lower than that of the translucent material.例文帳に追加

ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。 - 特許庁

The lower frame material 7 is laid to contact with a concrete floor 2, and forms an alkali resistant protective layer on a surface for contacting with the floor 2 of an aluminum or aluminum alloy section having a hard anodic oxide film.例文帳に追加

コンクリートの床２に接触するようにして敷設される下枠材７は、硬質陽極酸化皮膜を有するアルミニウム製又はアルミニウム合金製型材の前記床２に接触する面に耐アルカリ性の保護層が形成されたものである。 - 特許庁

To provide a device for producing continuously a polyurethane sandwich element containing a porous polyurethane layer which is incorporated in the outer layers at the upper and lower sites and their intermittent places and tightly bound to both of the outer layers.例文帳に追加

上側外側層及び下側外側層、並びにそれらの間に配されて、両外側層にしっかりと結合された多孔質ポリウレタンの層を有してなるポリウレタンサンドイッチエレメントを連続的に製造するためのデバイスの提供。 - 特許庁

The lower-layer material 13 having gas separation properties is exposed by selectively etching the center part 105 of a clad cut plate K by using an etching liquid and the gas separation unit A is obtained by arranging a metal supporting-plate 11.例文帳に追加

そして、クラッド切板Ｋの中央部分１０５をエッチング液を使用して選択的にエッチングすることによって、下層のガス分離性を有する材料１３を露出させ、金属支持板１１を配設しガス分離ユニットＡを得る。 - 特許庁

Then, while the distillate 10 passes through the chelate resin column 4, the chelate resin layer 41 captures copper ion eluted in the distillate 10 to make the copper concentration of the obtained treated liquid 50 at the standard value of that of drinking water or lower.例文帳に追加

続いて、蒸留液１０がキレート樹脂カラム４を通過したときに、キレート樹脂層４１が蒸留液１０中に溶出した銅イオンを捕捉し、得られる処理液５０の銅濃度を飲料水の基準値以下にする。 - 特許庁

The woven fabric for lining having a basis weight of 100 g/m^2 or lower is obtained by laminating a resin layer containing an infrared absorber on at least one side of a woven fabric composed of a multifilament having a gross fiber fineness of 80 dtex or less.例文帳に追加

総繊度８０ｄｔｅｘ以下のマルチフィラメントから構成された織物の少なくとも片面上に、赤外線吸収剤を含む樹脂層を積層することにより、目付けが１００ｇ／ｍ^２以下の側地用織物を得る。 - 特許庁

A copper through-hole conductor 5 and a grounded interconnection layer 6 become depressed like a dish through being polished by a CMP method, forming a dishing part 17, because they have lower hardness than that of a through-hole insulator 11 formed of nitride silicon.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨によって、銅からなるスルーホール導電体５および接地配線層１０は、窒化シリコンからなるスルーホール絶縁体１１よりも硬度が低いため、皿状に窪んで低くなって、ディッシング部１７が生じる。 - 特許庁