「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(189ページ目) - Weblio英語例文検索

The key top plate 10 is composed by upwardly curving a portion provided with the decoration layer (a deposited layer) 23 of a transparent first film plate 20 to provide a curved part 21, forming a transparent mold resin made key top 30 in the curved part 21, and installing a second film plate 40 in a lower face side of the key top 30.例文帳に追加

透明な第一フイルム板２０の加飾層（蒸着層）２３を設けた部分を上方向に湾曲して湾曲部２１を設け、この湾曲部２１内に透明なモールド樹脂製のキートップ３０を成形し、キートップ３０の下面側に第二フイルム板４０を設置してキートップ板１０を構成する。 - 特許庁

In this method, a composition for the foamed rubber layer is prepared, and the outer side in the tire radial direction of the composition is heated and foamed at a temperature 10-20°C lower compared with the inner side, so that the foamed rubber layer is provided with the outer part and the inner part having a higher foaming rate than that of the outer part.例文帳に追加

この方法では、前記発泡ゴム層用の組成物を準備し、前記発泡ゴム層が、外側部分と、前記外側部分が持つ発泡率よりも高い発泡率を持つ内側部分とを備えるように、前記組成物のタイヤ半径方向の外側を内側よりも１０℃〜２０℃低い温度で加熱し発泡させる。 - 特許庁

An interconnection 53, connected to these protection elements, of lower layer than the ground wiring 7 and the power supply line 8 is connected to a conductor layer 51, in such a way that it is drawn out at a location between the nMISFET forming region 21 and the pMISFET forming region 27, and at a drawing region 24 between the ground wiring 7 and the power supply line 8.例文帳に追加

これら保護素子に接続された、接地配線７および電源配線８よりも下層の配線５３は、ｎＭＩＳＦＥＴ形成領域２１とｐＭＩＳＦＥＴ形成領域２７の間でかつ接地配線７と電源配線８の間の引き出し領域２４で引き出されて導体層５１に接続されている。 - 特許庁

This method of producing the packaged tow-layer yogurt of after-fermentation type comprises charging a container with a yogurt mix containing milk as a main component, filling thereon the sauce which contains 0.1-1.5 wt.% of a stabilizer and 0.01-1.0 wt.% of an emulsifier and has a specific gravity smaller than that of the yogurt mix composing the lower layer, and fermenting them.例文帳に追加

乳を主要成分とするヨ−グルトミックスを容器に充填し、その上面に、安定剤を0.1 〜1.5 重量％、乳化剤を0.01〜1.0 重量％含有している下層のヨ−グルトミックスより比重を小さくしたソースを充填し、発酵させることによって後発酵型容器入り二層ヨ−グルトを製造する。 - 特許庁

To provide a stack-type electronic component having a plurality of electronic components, such as semiconductor elements, mounted in a stacked construction, adapted to suppress creation of bubbles attributed to unfilled voids of resin below wires to prevent defective insulation and short circuit caused by a touch between an electronic component on the upper layer side and the bonding wire of the electronic component on the lower layer side.例文帳に追加

複数の半導体素子等の電子部品を積層して搭載した積層型電子部品において、ワイヤ下部の樹脂未充填部に起因する気泡の発生を抑制した上で、下段側の電子部品のボンディングワイヤと上段側の電子部品との接触に基づく絶縁不良やショートを防止する。 - 特許庁

Heavily doped p-type impurity layers are formed on the opposite sides of a silicon substrate 21 such that the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21b on the surface where a diaphragm 10 is not formed is lower than the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21a on the surface where the diaphragm 10 is formed.例文帳に追加

振動板１０を形成しない面の高濃度ｐ型不純物層２１ｂの不純物のドース量が振動板１０を形成する面の高濃度ｐ型不純物層２１ａの不純物のドース量よりも小さくなるように、シリコン基板２１の両面に高濃度ｐ型不純物層を形成した。 - 特許庁

In the liquid crystal optical element having the liquid crystal layer in a liquid crystal cell of which the upper and lower substrates are fixed with a sealing member, a construction comprising a first open portion, communicating from the liquid crystal layer to the outside gas, arranged on a portion of the liquid crystal cell, wherein the first open portion is sealed with an elastically deformable thin film, is adopted.例文帳に追加

上下基板がシール部材で固定された液晶セル内に液晶層を有する液晶光学素子において、液晶セルの一部に液晶層から外部の気体に連通する第１の開放部を設け、当該第１の開放部を弾性変形可能な薄膜で封止する構成を採用した。 - 特許庁

In the method for forming a reflection preventing film by laminating thin films composed of materials with respective refractive indices different individually on a substrate 2 for an optical device by vapor phase film formation, the thin film 4 corresponding to the first layer on the substrate 2 for the optical device side is formed under a film forming temperature lower than the temperature for forming the thin film 10 corresponding to the outermost layer.例文帳に追加

光学素子用基材２に気相成膜法により屈折率の異なる材料の薄膜を積層させた反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法は、光学素子用基材２側の第１層目の薄膜４を最外層の薄膜１０より低い成膜温度で形成する。 - 特許庁

An embedding hole 16 extending from the upper surface of a surface layer to reach the wiring layer 21, and a through-hole 17 penetrating the embedding hole 16 from the base thereof to the lower surface are formed for the printed wiring board, and wiring 25 for connection with the wiring layers 20 and 24 are formed on the inner circumferential surface of the embedding hole 16 and the through-hole 17.例文帳に追加

次いで、このプリント配線板に対して、表層の上面から配線層２１まで到達する埋設穴１６と、埋設穴１６の底面から下面まで貫通するスルーホール１７とを形成し、埋設穴１６、スルーホール１７の内周面に、配線層２０、２４の配線と接続する配線２５を形成する。 - 特許庁

A first contact surface S1 has substantially flat surface property that reflects surface property of the first dielectric layer 101, between a first dielectric layer 101 and a first internal electrode 21 among upper and lower layers of first and second dielectric layers 101 and 102 adjoining to a first internal electrode 21.例文帳に追加

第１の内部電極２１に隣接する上下２層の第１及び第２の誘電体層１０１、１０２のうち、第１の誘電体層１０１と第１の内部電極２１との間の第１の接触面Ｓ１は、第１の誘電体層１０１の表面性を反映した実質的に平坦な表面性を持つ。 - 特許庁

The armature has an inner-circumference insulator 4 filled in the gap between the rear end portions 111 and 121 of an upper-layer coil piece 11 and a lower-layer coil piece 12 and fixing the rear end portions 111 and 121 to each other, in an area out of the brush sliding face 1a on the side of the inner circumference of the surface commutator 10.例文帳に追加

本発明の電機子は、サーフェイス型整流子１０の内周側でブラシ摺接面１ａを外れた部分に、上層コイル片１１および下層コイル片１２の後端部１１１，１２１の間隙に充填されて両者１１１，１２１を互いに固定する内周絶縁物４を有する。 - 特許庁

In the ink jet recording material comprising an ink acceptive layer containing inorganic fine particles and a hydrophilic binder coating a support, a coating liquid for the acceptive layer contains a low boiling point solvent having a boiling point of lower than 110°C and a solubility in water of 1 wt.% or more and a high boiling point solvent having a boiling point of 110°C or higher.例文帳に追加

支持体上に無機微粒子と親水性バインダーを含有するインク受容層を塗設したインクジェット記録材料において、インク受容層用塗布液が水に対する溶解度が１重量％以上である沸点１１０℃未満の低沸点有機溶媒と１１０℃以上の高沸点有機溶媒とを含有する。 - 特許庁

The method for preparing the planographic printing plate comprises a process of preparing a photo-insensitive ink receptor layer containing a water soluble polymer on the support, and forming an image part by discharging the ink composition on the ink receptor layer by the inkjet recording system, and a process evaporating the solvents contained in the image part at 45°C or lower.例文帳に追加

支持体上に、水溶性ポリマーを含有する非感光性のインク受容層を設け、該インク受容層上に、該インク組成物をインクジェット記録方式により吐出して画像部を形成する工程と、該画像部に含まれる溶剤を４５℃以下の温度で揮発させる工程とを有する平版印刷版の作製方法。 - 特許庁

In such a case, a magnetic current B and a magnetic current C are generated in a direction canceling each other but such a magnetic current as canceling a magnetic current A is not generated, so that the ground layer of the upper casing circuit board 17 and the ground layer of the lower casing circuit board 18 operate as patch antennas, thereby obtaining excellent antenna characteristics.例文帳に追加

この際、磁流Ｂと磁流Ｃは互いに打ち消す方向に発生するものの、磁流Ａを打ち消すような磁流は発生しないため、上部筐体回路基板１７のグラウンド層と下部筐体回路基板１８のグラウンド層はパッチアンテナとして動作し、良好なアンテナ特性を得ることができる。 - 特許庁

A multilayer wiring board 10 includes: a core board 11; a buildup layer 31 disposed on an upper surface 12 of the core board 11; a buildup layer 32 disposed on a lower surface 13 of the core board 11; and a power supply structure 51 embedded in a through-hole 57 penetrating the core board 11 and the buildup layers 31 and 32.例文帳に追加

多層配線基板１０は、コア基板１１と、コア基板１１の上面１２に配置されるビルドアップ層３１と、コア基板１１の下面１３に配置されるビルドアップ層３２と、コア基板１１及びビルドアップ層３１，３２を貫通する貫通孔５７に埋め込まれた給電構造体５１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with the semiconductor substrate; a lower layer wiring 101 provided on the semiconductor substrate and provided with a recess on its upper surface, dielectrics 102a, 102b, 102c and 102d covering the inner surface of the recess; and an upper layer wiring 104 provided on the dielectrics 102a, 102b, 102c and 102d.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に設けられ、上面に凹部が設けられた下層配線１０１と、凹部の内面を覆う誘電体１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄと、誘電体１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ上に設けられた上層配線１０４と、を備える半導体装置１００を提供する。 - 特許庁

To provide an information recording medium with such a function that a heat energy to be applied during recording or erasing information is efficiently transferred to a reversible heat-sensitive recording layer, and thus the stable recording and erasure of information is achieved and further, visible information of a printed layer located on the lower face is not concealed.例文帳に追加

本発明は、情報の記録あるいは消去時に加えられる熱エネルギーが効率的に可逆性感熱記録層へ伝達され、情報の安定した記録と消去を可能とし、さらには下面に位置する印刷層等の可視情報を隠蔽してしまうことのない情報記録媒体の提供を目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL display device 100 is provided with an organic layer deposition process in which a mask 200 is fitted on the substrate 110 through a plurality of mask spacers 123 arranged on the substrate 110, and an organic layer 124 is formed at a predetermined part of the surface of the substrate 100 by deposition from a lower part of the substrate 110.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、基板１１０上に、該基板１１０上に配設された複数のマスクスペーサ１２３を介してマスク２００を設け、該基板１１０下方からの蒸着により該基板１１０表面の所定部分に有機層１２４を形成する有機層蒸着工程を備えている。 - 特許庁

In the magneto-optical recording medium for MAMMOS (magnetic amplifying magneto-optical system), the composition of the magnetic material is controlled in such a manner that the compensation temperature of the magnetic material constituting a magnetic domain amplifying and reproducing layer is higher than room temperature and that the Curie temperature Tcr is lower than the Curie temperature Tcw of the magnetic material constituting a recording layer.例文帳に追加

ＭＡＭＭＯＳ用の光磁気記録媒体において、磁区拡大再生層を構成する磁性材料の補償温度が室温以上であり且つキュリー温度Ｔｃｒが記録層を構成する磁性材料のキュリー温度Ｔｃｗよりも低くなるように、それら磁性材料の組成を調整する。 - 特許庁

The circuit board 4 comprises an insulative resin substrate and copper wiring patterns formed on the front and backside of the substrate, and has a thermally conductive and electrically insulative coated layer 1 and a thermally conductive device 2 that thermally connects the layer with a lower surface of the circuit board in a region where an exothermic semiconductor chip is mounted on upper surface of the circuit board.例文帳に追加

回路基板４が、絶縁性樹脂基板と表裏に形成された銅の配線パターンからなり、回路基板の上面の発熱性半導体チップを実装する領域ににおける、コーティングされた熱伝性且つ電気絶縁性の層１と、層を熱的に回路基板の下面と接続させる熱伝素子２とを有する。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer 19 and/or of an upper magnetic pole layer 21 are formed by plating them with the NiFe alloy having ≥76% and ≤90% composition ratio of Fe by mass or having ≥130 Å and ≤175 Åaverage grain size and ≥70% and ≤90% composition ratio of Fe by mass.例文帳に追加

下部磁極層１９及び／または上部磁極層２１を、Ｆｅの組成比が７６質量％以上で９０質量％以下、あるいは平均結晶粒径が１３０Å以上で１７５Å以下で且つＦｅの組成比が７０質量％以上で９０質量％以下のＮｉＦｅ合金でメッキ形成する。 - 特許庁

A glass tube 10 having the average porosity of 40% or higher and 70% or lower is formed so that at least porosity in a cross section perpendicular to a part of the axial direction of the longitudinal direction has an inclination from the inner peripheral side to the outer peripheral side and the porosity of an innermost layer is higher than that of an outermost layer.例文帳に追加

ガラス管１０は、その平均気孔率が４０％以上７０％以下であり、少なくとも長手方向の一部の軸方向に垂直な断面における気孔率が内周側から外周側に向かって傾斜を有するとともに最内層気孔率が最外層気孔率よりも高くなるように形成されている。 - 特許庁

The capacitor 11 has such a structure that a lower conductor 21 consisting of an underlying conductor 21a and a conductor 21b, a dielectric film 31 composed of alumina, a resin layer J1 composed of resist, and an upper conductor 25 consisting of an underlying conductor 25a and a conductor 25b are formed on the planarization layer 52 of the substrate 51.例文帳に追加

コンデンサ１１は、基板５１の平坦化層５２上に、下地導体２１ａ及び導体２１ｂからなる下部導体２１、アルミナ等からなる誘電体膜３１、レジスト等からなる樹脂層Ｊ１、並びに、下地導体２５ａ及び導体２５ｂからなる上部導体２５が形成された構造を有している。 - 特許庁

When a transfer film 2 having at least an adhesion layer and a constituting element layer in which the fluorescent face also becomes a constituting element is overlapped onto a panel 80 and a transfer film 2 is pressed by a roller 5 to the brim part of a panel inner face, the panel 80 is tilted so that the brim part of the pressed side becomes lower.例文帳に追加

パネル８０上に、少なくとも接着層と蛍光面も構成要素となる構成要素層とを有する転写フィルム２を重ね、転写フィルム２を転写ローラ５によりパネル内面の端縁部分に押圧する際に、押圧される側の端縁が下側となるようにパネル８０を傾斜させる。 - 特許庁

This organic EL display includes: a transparent substrate 1; a first electrode 2 formed on the transparent substrate 1; an organic light emission layer 3 formed on the first electrode 2; a second electrode 4 formed on the organic light emission layer 3; and a film 5 formed on the lower part of the transparent substrate 1 and having a two-dimensional grating pattern on the surface.例文帳に追加

透明基板１と、透明基板１上に形成される第１電極２と、第１電極２上に形成される有機発光層３と、有機発光層３上に形成される第２電極４と、透明基板１の下部に形成され、表面に２次元グレーティングパターンを有するフィルム５とから構成される。 - 特許庁

An adhesive is applied on the surface of a lower layer three dimensional panel and an upper layer planar panel( or three dimensional panel) is closely laminated while mutually sifting them in the right and left directions and the forward and rearward directions of the three dimensional panels and the plurality of laminated sheets are repeated to form a specified size of face plate.例文帳に追加

下層の立体パネル表面に接着剤を塗布し、該立体パネルの前後、左右方向に各々ずらして上層の平板パネル（又は立体パネル）を密着積層し、それら複数枚の積層を繰り返すことにより所定の大きさの面体を形成してなることを特徴とするパネルの重ね構造。 - 特許庁

A gap, provided between fixed electrodes Dx+, Dx-, Dy+, Dy-, Dz+ formed on the upper face of a board 1 and an electrode D formed on the lower flat face of a movable electrode 2, is formed by the thickness of soldering layers H1, H2 formed on the board 1, a conductive elastomer layer or a conductive adhesive material layer.例文帳に追加

基板１上面に形成された固定電極Ｄｘ＋，Ｄｘ−，Ｄｙ＋，Ｄｙ−，Ｄｚ＋と、可動電極板２の下平面に形成された電極Ｄとの間に設けられるギャップを、基板１上に形成した半田層H1, H2、導電性エラストマー層又は導電性接着材層の厚みにより形成している。 - 特許庁

In insulating films a1 to a10, no conductor pattern is formed in upper and lower outer-most layers a1, a10 but conductor patterns (b) are formed from inside insulating film layer a2 to insulating film layer a9, respectively, and they are defined as capacitance elements and inductance elements and connected mutually to provide a configuration of a low-pass filter.例文帳に追加

絶縁膜ａ１からａ１０において、上下の最外層ａ１，ａ１０には導体パターンを形成しないが、内側の絶縁膜層ａ２から絶縁膜層ａ９にはそれぞれ導体パターンｂを形成し、それらは容量素子および誘導素子とし、相互の接続によりローパスフィルタの構成にする。 - 特許庁

A reversible evaginated part 2a is fitted at one upper-layer sheet part 2 made by folding a sheet of flexible board 1, and an upper contact point 4 is printed on an undersurface of the evaginated part 2a, while, an inner fixed contact point 7 and an outer contact point 8 are printed on the top face of the other lower-layer sheet part 3.例文帳に追加

１枚のフレキシブル基板１を折り返してなる一方の上層シート部２に反転可能な膨出部２ａを設け、この膨出部２ａの下面に上部接点４を印刷形成しておき、他方の下層シート部３の上面には内側固定接点７と外側固定接点８とを印刷形成しておく。 - 特許庁

The height of a polysilicon layer 4 is formed to be lower than before to be about 95[nm], and when etching a NONON film 5, a polysilazane film 15b and a silicone oxide film 15a, etching treatment is performed under such a prescribed condition that a selection ratio condition between the polysilicon layer 4 and the NONON film 5 is in a range of 1:1.5 to 2.例文帳に追加

多結晶シリコン層４の高さを９５［ｎｍ」程度と従来に比較して低く形成し、ＮＯＮＯＮ膜５およびポリシラザン膜１５ｂおよびシリコン酸化膜１５ａをエッチング処理するときに、多結晶シリコン層４およびＮＯＮＯＮ膜５間の選択比条件を１：１．５〜２の範囲となる所定条件でエッチング処理する。 - 特許庁

On a transparent substrate 1, there is provided an underfill 6 comprising the laminate of a lower-side bonding layer 2 made of a thermosetting resin and an upper-side bonding layer 5 made of an anisotropic conductive boding material having a thermohardening resin, to dispose a semiconductor chip 4 on the underfill 6 and to thermocompressvely bond the chip 4 to the substrate 1 by a pressing heater 7.例文帳に追加

透明基板１上に、熱可塑性樹脂の下側接着層２と熱硬化性樹脂を有する異方導電性接着材からなる上側接着層５とを積層してなるアンダーフィル６を設け、このアンダーフィル６上に半導体チップ４を配置して加圧ヒータ７で熱圧着する。 - 特許庁

A hierarchical wavelet transform coefficient 3 is referenced from the designated image size 2 and a hierarchical number (i) is obtained to satisfy a directly upper layer (i+1) closest or equal to a designated expanded image size in terms of an inner size and a directly lower layer (i) closest to the designated expanded image size greater than the expanded image size or equal thereto.例文帳に追加

指定された画像サイズ２から階層型ウェーブレット変換係数３を参照し、指定された伸長画像サイズに内端で最も近いかまたは等しい直上階層（ｉ＋１）、および、指定された伸長画像サイズを上回り、最も近いかまたは等しい直下階層（ｉ）を満たす階層番号ｉを求める。 - 特許庁

An average power given to an interface between the carbon nanotube layer 4 and the cathode layer 3 by a current flowing therethrough in aging is lower than that when the electron emission device 100 is actually driven.例文帳に追加

また、エージングにおいてカーボンナノチューブ層４とカソード層３との界面を通過する電流によって界面に与えられる電力の平均値は、実際に電子放出装置１００が駆動されるときにカーボンナノチューブ層４とカソード層３との界面を通過する電流によって界面に与えられる電力の平均値よりも小さい。 - 特許庁

The coating liquid for a recording layer of the recording medium having the recording layer on a support contains a low polymerization degree polyvinyl alcohol and a high polymerization degree polyvinyl alcohol, and the saponification degree of the low polymerization degree polyvinyl alcohol is lower than that of the high polymerization degree polyvinyl alcohol.例文帳に追加

支持体上に記録層を有する記録媒体の該記録層用の塗布液であって、該塗布液が低重合度ポリビニルアルコールと高重合度ポリビニルアルコールとを含み、かつ該低重合度ポリビニルアルコールの鹸化度が該高重合度ポリビニルアルコールの鹸化度よりも低いことを特徴とする記録層用塗布液。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process for forming a data storage layer 52 on the lower electrode and then irradiates the data storage layer with electrons 54.例文帳に追加

また、スイッチング素子と、これに連結されたストレージノードとを備え、ストレージノードは、下部電極、データ保存層及び上部電極を備える半導体メモリ素子の製造方法において、前記下部電極上に前記データ保存層を形成した後、前記データ保存層に電子を照射する工程を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

A retrieval key shaping part 12 shapes multiple input retrieval keys by compensating data in a layer sandwiched between the input retrieval keys when the input retrieval keys specify pieces of successive data in a layer as one of lower to higher layers.例文帳に追加

検索キー整形部１２は，入力検索キーが複数の連続したデータを指定するキーであって，それぞれ下位階層から上位階層までのいずれかの階層のデータを指定するものである場合に，複数の入力検索キーの間に含まれる階層のデータを補うことにより検索キーを整形する。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive layer is formed of an acrylic pressure-sensitive adhesive composition comprising a microcapsule containing a halogen compound having a boiling point of 70-150°C, and the formation of the pressure-sensitive adhesive layer is conducted at a temperature lower than the boiling point of the halogen compound by 20°C or more.例文帳に追加

沸点が７０〜１５０℃のハロゲン化合物を内包するマイクロカプセルを含有するアクリル系粘着剤組成物から形成されてなる粘着剤層であって、該粘着剤層の形成が該ハロゲン化合物の沸点より２０℃以上低い温度で行われることを特徴とする消火性粘着剤層。 - 特許庁

In the circuit board on which a single layer metal film or a multilayer metal film is formed, a resist film pattern is formed on the board using a photoengraving, and then a recess is formed at the lower part of a resist film end by wet-etching the single layer metal film or the multilayer metal film taking the resist film as a mask.例文帳に追加

基板上に単層金属膜あるいは多層金属膜が形成されている基板において、基板上にレジスト膜のパターンを写真製版技術を用いて形成した後に、前記レジスト膜をマスクとして単層金属膜あるいは多層金属膜のウエットエッチングによりレジスト膜端の下部に窪みを形成する。 - 特許庁

On one substrate 1, a plurality of pixel electrodes 5 distributed on the upper layer, a plurality of switching elements TFT distributed on the lower layer via intermediate insulating layers 6a, 6b, and contact parts 7 for electrically connecting each pixel electrode 5 and each switching element TFT through the insulating layers 6a, 6b are formed.例文帳に追加

一方の基板１には、上層に配された複数の画素電極５と、中間の絶縁層６ａ，６ｂを介して下層に配された複数のスイッチング素子ＴＦＴと、絶縁層６ａ，６ｂを通して各画素電極５と各スイッチング素子ＴＦＴを互いに電気接続するコンタクト部７とが形成されている。 - 特許庁

A plane coil is pinched between a lower ferrite magnetic layer that is formed by baking a mixture of ferrite magnetic powder and a resin binder and an upper ferrite magnetic layer formed of a ferrite sintered plate, and gaps among coil wires of the plane coil are filled with a ferrite magnetic resin as a mixture of the ferrite magnetic powder and resin binder.例文帳に追加

フェライト磁性粉と樹脂バインダとの混合物を焼成して得た下部フェライト磁性層とフェライト焼結板からなる上部フェライト磁性層との間に、平面コイルを挟み、該平面コイルのコイル線間の空隙に、フェライト磁性粉と樹脂バインダとの混合物であるフェライト磁性樹脂を充填する。 - 特許庁

Thereafter, a second doped polysilicon film 28a and a second tungsten silicide film 28b are sequentially formed on the surface of a contact hole and the interlayer insulating film, and the second tungsten silicide film 28b and the second doped polysilicon film are patterned into an upper conductive layer pattern which comes into contact with the lower conductive layer pattern.例文帳に追加

その後、熱処理したコンタクト孔表面及び前記層間絶縁膜上に第２のドープしたポリシリコン膜２８ａと第２のタングステンシリサイド膜２８ｂを順次形成し、第２のタングステンシリサイド膜と第２のドープしたポリシリコン膜をパターニングし、下部導電層パターンとコンタクトする上部導電層パターンを形成する。 - 特許庁

In a layer wherein bonding pad aluminum 21 is formed, the peripheral removal of an insulating film 17 and an insulating film 18 for pad formation for preventing peeling of the films is performed not over a wiring pattern portion (having residual Cu 16) that becomes a target of Cu removal in the layer of just lower copper wiring 14.例文帳に追加

ボンディングパッドアルミ２１を形成する層において、膜はがれ防止のために行う絶縁膜１７とパッド形成用絶縁膜１８の周辺除去を、すぐ下の銅配線１４の層においてＣｕ除去の対象となった配線パターン部（Ｃｕ残り１６のある箇所）を超えないように行う。 - 特許庁

This ferrite magnetic layer is composed of 40 to 50 mol% Fe2O3, 15 to 35 mol% ZnO, 0 to 20 mol% Cu, and NiO and inevitable impurities for the rest, and an area having 5 mol% CuO, or lower density is formed in the ferrite magnetic layer nearby the interface contacting the top surface of the Si substrate.例文帳に追加

フェライト磁性層の組成がＦｅ_2Ｏ_3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ_2Ｏ_3：０〜１０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯ及び不可避不純物からなる磁性槽のＳｉ基板表面に接する界面近傍のフェライト磁性層にＣｕＯ濃度が５ｍｏｌ％以下の領域を形成する。 - 特許庁

A wire connected to the gate of a MOS transistor for composing a signal read-out circuit is set to be the wiring 41 on the lower layer in the wires connected to the signal read-out circuit attached to and formed at each photoelectric conversion circuit, and the wiring connected to the source or drain of the MOS transistor is set to be the wiring 42 on the upper layer.例文帳に追加

各光電変換素子に付設形成された信号読出回路に接続される前記配線のうち信号読出回路を構成するＭＯＳトランジスタのゲートに接続される配線を下層の配線４１とし、ＭＯＳトランジスタのソースまたはドレインに接続される配線を上層の配線４２とする。 - 特許庁

In the organic solid storage apparatus having a solid storage tank receiving wastewater containing an organic solid and removing the solid by sedimention separation to allow treated water to flow out, the lower layer part of the solid storage tank is set to a solid storage part and the upper layer part thereof is set to an aerobic biological treatment part.例文帳に追加

有機性固形物を含む排水が流入し、固形物を沈殿分離により除去して処理水を流出する固形物貯留槽において、該固形物貯留槽の下層部分を固形物貯留部とし、上層部分を好気性生物処理部としたことを特徴とする有機性固形物の貯留装置。 - 特許庁