「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(180ページ目) - Weblio英語例文検索

The seismic isolator 3 wherein a plurality of metal sheets an rubber sheets are bonded on both sides and are integrated in a lamination layer between an upper and lower flanges 4, 5 is characterized in that the thickness dimension t of the upper and lower flanges 4, 5 is set as against a diameter D of a laminated portion 6 to be t>D/20.例文帳に追加

上下部フランジ４、５間に、複数の金属板とゴムシートとが両面接着されて積層状に一体化された免震装置３において、上下部フランジ４、５の厚さ寸法ｔを、積層部分６の直径Ｄに対して、ｔ＞Ｄ／２０となるように設定したことを特徴とする。 - 特許庁

The rugged interface part 12 is an interface layer formed when the light guide plate upper part 11 and the light guide part lower part 13 overlap with each other, and is composed of a deformable substance, such as air, whose refractive index is smaller than the refractive index of the light guide plate upper part 11 and light guide plate lower part 13.例文帳に追加

凹凸界面部１２は、導光板上部１１と導光板下部１３とが重なり合うことによって形成される界面層であり、屈折率が導光板上部１１および導光板下部１３の屈折率よりも小さい屈折率の変形可能な物質たとえば空気から構成される。 - 特許庁

This printed board is provided with thin film lower part electrodes 8A, 8B which are formed on the surface of an insulating layer of a printed board and have uneven surfaces, a capacitor insulating film 12 which is partially formed on surfaces of the thin film lower part electrodes, and a thin film upper part electrode 16 formed on the surface of the capacitor insulating film.例文帳に追加

プリント基板の絶縁層の表面に形成されて、その表面が凹凸状になされた薄膜下部電極８Ａ，８Ｂと、前記薄膜下部電極の表面に部分的に形成されたキャパシタ絶縁膜１２と、前記キャパシタ絶縁膜の表面に形成された薄膜上部電極１６とを備える。 - 特許庁

At the interface between an Ru film 32a for composing the lower electrode 32 and the silicon oxide film 24, the bonding layer composed by a TaN film 30 is interposed for preventing the interface between the Ru film 32a and silicon oxide film 24 from peeling off when the dielectric film 34 deposited on the lower electrode 32 is heat-treated.例文帳に追加

下部電極３２を構成するＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面には、ＴａＮ膜３０によって構成される接着層が介在し、下部電極３２上に堆積した誘電体膜３４を熱処理したときにＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面が剥離するのを防いでいる。 - 特許庁

In the transflective liquid crystal display device 50, a liquid crystal 26 is interposed between an upper substrate 24 and a lower substrate 23 disposed opposite to each other, a semitransmission reflection layer 35 consisting of cholesteric liquid crystal layers 34r, 34g and 34b is provided on the lower substrate 23 and a backlight 22 is provided.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置５０は、互いに対向配置された上基板２４と下基板２３との間に液晶２６が挟持され、下基板２３上にコレステリック液晶層３４ｒ，３４ｇ，３４ｂからなる半透過反射層３５が設けられ、バックライト２２が備えられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁

To provide a non-linear element, and an electro-optical device that uses the same, of which the resistance of the lower electrode is reduced and symmetry is improved, in both the positive and negative directions of the current-voltage non-linear characteristics, in a structure where the lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are stacked, in this order.例文帳に追加

下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

A first element isolating insulation film is provided which is buried in an element isolation groove provided on the semiconductor substrate, and the bottom face of which is lower than the height of a face at which the semiconductor substrate and the tunnel insulation film are contacted and the top face of which is lower than the height of a face at which the charge storage layer and the block insulation film are contacted.例文帳に追加

前記半導体基板に設けられた素子分離溝部に埋め込まれ、底面が前記半導体基板と前記トンネル絶縁膜の接する面の高さよりも低く、かつ上面が前記電荷蓄積層および前記ブロック絶縁膜の接する面の高さよりも低い第１の素子分離絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

In the insulating films 4a, 4b, a polycrystalline silicon film (resistor element) 6 and a polycrystalline silicon film (lower electrode of a capacitor) 8, which have their upper end surface at a position lower than that of the single crystalline layer surface 2a of the semiconductor substrate 2, are formed and the surface of the semiconductor substrate 2 including STI is flattened.例文帳に追加

前記絶縁膜４ａ、４ｂ中には、半導体基板２の単結晶層表面２ａよりも低い位置にその上端表面を有する多結晶シリコン膜（抵抗素子）６、及び多結晶シリコン膜（キャパシタ下部電極）８が形成され、ＳＴＩを含む半導体基板２の表面は平坦化されている。 - 特許庁

The optoelectronic device is provided with a pixel electrode (9a), a TFT (30) connected thereto, an upper side light-shielding layers (300, 6a) covering at least the channel region of the TFT from the upper side, and a lower side light-shielding layer (11a) covering at least the channel region of the TFT from the lower side on a TFT array substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by laminating a gas barrier layer on the surface of a plastic film becoming a base material and the base material plastic film is characterized in that both heat shrinkage factors in the longitudinal and lateral directions thereof are lower than 0.8%, preferably lower than 0.5%.例文帳に追加

基材となるプラスチックフィルムの表面にガスバリア層が積層されてなるガスバリアフィルムであって、前記基材プラスチックフィルムが、その長手方向及び幅方向の熱収縮率をいずれも０．８％未満としたものであること、より好ましくは０．５％未満としたものであること、を特徴とするガスバリアフィルムとした。 - 特許庁

The liquid crystal display employs the on-common storage capacitor which includes a lower storage electrode of a predetermined size provided in the same layer that a signal line is formed, and a pixel electrode provided on the lower storage electrode and functioning as an upper storage electrode.例文帳に追加

前記の目的を達成するために本発明による液晶表示装置は、信号線が形成される層に所定の大きさで形成されるストレージ下部電極；及びストレージ下部電極上に形成され、ストレージ上部電極の役割を遂行する画素電極；を備えるオンコモン方式ストレージキャパシタを含む。 - 特許庁

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁

Also, the other vegetation blocks 1 stacked upward along a slope gradient are put at the center part between the vegetation blocks 1 and 1 on the lower side, and projected parts 2 and 2 provided at the bottom parts thereof are fitted to the upper inner surface of the vegetation block 1 on the lower side so as to form a next vegetation block layer B1 of a specified width.例文帳に追加

更に、法面勾配に沿って上方に積み上げられる他の植生ブロック１を下方の植生ブロック１，１間の中央部に載置し、且つ、その底部に設けられた突起部２，２を下方の植生ブロック１の上部内面に嵌合させて、所定幅の次の植生ブロック層Ｂ_1 を形成する。 - 特許庁

This paved road comprises a roadbed formed between the surface layer of a paved structure and a road floor positioned on the lower side of the paved structure by interposing an elastic member 20 formed of a material lower in hardness than load supporting materials 10 and having a rubber-like elasticity between the load supporting materials 10 such as macadam, crushed stones, and so forth.例文帳に追加

この道路舗装は、砂利や砕石その他の荷重支持材１０同士の間に、前記荷重支持材１０よりも硬度が低く、かつゴム状弾性を有する材料からなる弾性部材２０を介在させて、舗装構造の表面層と、舗装構造の下部に位置する路床との間に設けられる路盤を構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound semiconductor device comprises the steps of acquiring a lower electrode resist pattern 21 of a T-shaped gate electrode, then forming a pattern shrink material 1 in thickness of 3,000 to 40,000 Å on the entire surface, diffusing an acid from the lower layer resist pattern 21 in the shrink material 1, and mixing and baking 7 to crosslink the shrink material 1.例文帳に追加

図１（ロ）に示すように、Ｔ型ゲート電極の下部電極部レジストパタン２１を得た後、パタンシュリンク材１を３０００〜４０００オングストロームの膜厚で全面に形成して、下層レジストパタン２１からの酸をパタンシュリンク材１に拡散させ、パタンシュリンク材１が架橋するミキシングベーク７を行う。 - 特許庁

The lower electrode 20 is a laminated structure which includes at least one low-boiling-point metal layer 21 made principally of metal lower in boiling point than Mo and at least one Mo layer 22 made principally of Mo, the top layer being the Mo layer.例文帳に追加

光電変換素子１は、Ａｌを主成分とする金属基材の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜を有する基板１０上に、下部電極２０と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層３０と上部電極５０との積層構造を有し、かつこの積層構造が複数の開溝部６１〜６３によって複数のセルに分割されたものであり、下部電極２０は、Ｍｏよりも低沸点の金属を主成分とする少なくとも１層の低沸点金属層２１と、Ｍｏを主成分とする少なくとも１層のＭｏ層２２とを含み、かつ、最上層をＭｏ層とする積層電極である。 - 特許庁

The liquid crystal display is provided with at least a transparent lower substrate 10, having a transparent electrode 11 in at least one side, a transparent upper substrate 20 having a transparent electrode 21 facing the transparent electrode 11, and a liquid crystal layer 31 held between the lower substrate and the upper substrate, and the upper substrate is made thicker than the lower substrate.例文帳に追加

少なくとも一方に透明電極１１を有する透明な下側基板１０と、前記透明電極に対向する透明電極２１を有する透明な上側基板２０と、前記下側基板と前記上側基板の間に挟持された液晶層３１からなる液晶パネルを少なくとも備えた液晶表示装置であって、前記上側基板を前記下側基板よりも厚い液晶表示装置とする。 - 特許庁

A length W1 in the vertical direction of this water jacket part 5 is made to almost correspond to a piston stroke S, a coating layer 31 consisting of heat-insulating material is formed in an external peripheral surface of the cylinder liner, corresponding to a lower part of the water jacket part 5.例文帳に追加

該水衣部５の上下方向の長さＷ１を、ピストンストロークＳに概ね対応させ、水衣部５の下部に対応するシリンダライナ外周面に、断熱材よりなるコーティング層３１を形成する。 - 特許庁

The high-carbon hot rolled steel sheet is produced by hot rolling a steel material comprising 0.15-1.30 mass% C and the balance being Fe and unavoidable impurities and has a decarburized layer of which the ratio of its thickness to that of the steel sheet is 0.0015 or lower.例文帳に追加

Ｃ：０．１５〜１．３０ｍａｓｓ％を含有し、残部Ｆｅおよび不可避的不純物の組成に成る鋼素材を熱間圧延した、脱炭層厚が板厚に対し０．００１５以下の高炭素熱延鋼板。 - 特許庁

By a proximate field light emitted from the very small opening of a planar probe 7 equipped with the very small opening equal to/lower than the wavelength of light, information is recorded on the recording layer 5 of the recording medium 1, and the recorded information is reproduced.例文帳に追加

光の波長以下の微小開口を備えた平面型プローブ７の微小開口から放射する近接場光により、記録媒体１の記録層５に情報を記録し、記録した情報を再生する。 - 特許庁

An insulating material for the casing 1a is thereby thinned by a heat-insulating effect of the cooling air layer 9, and a heat radiation amount of the exhaust gas in the casing 1a is increased to be cooled indirectly, so as to lower an exhaust gas temperature.例文帳に追加

これにより、冷却空気層９に断熱効果がある分だけケーシング１ａの断熱材を薄くでき、ケーシング１ａ内の排ガスの放熱量を増やして間接冷却し、排ガスの温度を下げることができる。 - 特許庁

A liquid crystal panel includes a light-transmitting upper substrate 2, a lower substrate 3 stuck to the upper substrate 2 at an interval via a sealing part 4 and a liquid crystal layer 5 packed in the interval of the inner side of the sealing part 4.例文帳に追加

液晶パネルは、透光性の上基板２と、上基板２にシール部４を介して間隙を設けて張合わされた下基板３と、シール部４の内側の間隙に充填された液晶層５から構成されている。 - 特許庁

The circuit diagram drawing number of the printed wiring board 31 or a unique board number 34 such as the name of type are described for identifying the board by a silk printing, pattern, and resist layer peeling means or the like at the left-hand lower corner of the printed wiring board 31.例文帳に追加

上記プリント配線基板３１の左下隅部に、基板識別のために基板の回路図図番や機種名等の固有基板番号３４を例えばシルク印刷、パターン、レジスト層剥離などの手段で記載する。 - 特許庁

In another embodiment, the silicone polymer layer is subjected to sublimation, vaporization or ablation by a laser beam having the energy equal to or higher than the ablation threshold in advance, and then modified into silicon dioxide by reducing the energy quantity of the laser beam to be lower than the ablation threshold.例文帳に追加

また、シリコーンポリマー層を予めアブレーション閾値以上のレーザ光により昇華・蒸発またはアブレーションさせた上で、レーザ光のエネルギー量をアブレーション閾値よりも小さくし、二酸化ケイ素に改質する。 - 特許庁

After the upper conductive film, the lower conductive film and the semiconductor layer are subjected to photographic etching, a protective film is vapor deposited and subjected to photographic etching to expose a first part and a second part of the upper conductive film.例文帳に追加

次に、上部導電膜、下部導電膜、及び半導体層を写真エッチングした後、保護膜を蒸着し、保護膜を写真エッチングして上部導電膜の第１部分及び第２部分を露出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the occurrence of cracks and junction failures of an interlayer insulating film at a metal pad lower layer, as the inconvenience causing problems, when a low dielectric interlayer insulating film is employed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜を使用したときに問題となる金属パッド下層で発生する層間絶縁膜のクラックや接合不良を防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gas containing the gas generated from the substance to be heated in the heating container 1b is cooled to 200°C or lower using a cooler 11 and is passed through an activated carbon filled layer 12, and thereafter, the exhaust gas 10 is discharged.例文帳に追加

加熱容器１ｂ内で被加熱物２から発生したガスを含むガスを、冷却器１１を用いて２００℃以下に冷却し、次いで、活性炭充填層１２を通過させ、しかる後に、排出ガス１０を排出する。 - 特許庁

Subsequently, when the non-selective film 4 is conductive, it is so changed into an insulator by oxidizing it selectively as to complete capacitors on the semiconductor substrate, by depositing on it and on the lower electrodes 5 successively a dielectric layer 6 and an upper electrode 7.例文帳に追加

続いて、非酸化性膜４が導電性であれば選択的な酸化によって絶縁化を行い、誘電体層６と上部電極７とを順に堆積して半導体基板上にキャパシタを完成する。 - 特許庁

In the construction of a vertical pipe 2 in a multi-storied building 1, a wire 18 suspended from an upper layer (6F) is passed into a piping member 10 constituting the vertical pipe 10, and the lower end of the piping member 10 is supported and lifted up.例文帳に追加

複数階層建物１に竪管２を施工するにあたり，上層（６Ｆ）から吊り下げたワイヤー１８を竪管２を構成するための管材１０の中に通し，管材１０の下端を支持して吊り上げる。 - 特許庁

The viscous glass bodies exhibits high viscosity at room temperature and is kept in a molten state at a power generating operation, so that softening point of the glass material is lower than a melting point of the solid electrolyte layer or the like and power generating operation temperature.例文帳に追加

粘性ガラス体は室温で高い粘性を示しかつ発電運転時に融液状態に保持され、ガラス製材料の軟化点は固体電解質層等の融点及び発電運転温度より低い。 - 特許庁

Thus, the particulate spacer 13b is sandwiched between an upper surface of the light emitting element and a lower surface of the optical member to form the uncured base paste layer 13 determined by the particle size of the particulate spacer 13b.例文帳に追加

これにより、粒子状のスペーサー１３ｂを発光素子の上面と光学部材の下面との間に挟み込み、粒子状のスペーサー１３ｂの粒径で規定された未硬化の基材ペースト層１３を形成する。 - 特許庁

A P-type fourth semiconductor layer 15 is formed on an inner surface of the fourth recess part 53a so as to generate a fifth recess part 54a being smaller than the fourth recess part 53a; and has a fourth impurity concentration lower than the third impurity concentration.例文帳に追加

Ｐ型第４半導体層１５は、第４凹部５３ａの内面にそれより小さい第５凹部５４ａを生じるように形成され、第３不純物濃度より低い第４不純物濃度を有する。 - 特許庁

This side joist material is formed in such a constitution that a raw material 2 capable of nailing is formed on a part of a flat part of an upper surface side, a foamed plastic material layer is formed on lower surface side, and both are integrated.例文帳に追加

上面側の平坦部の一部に釘打ち可能な素材層２を形成すると共に、下面側に発泡プラスチック材層３を形成し、両者が一体化された長尺で断面形状四角の際根太材１。 - 特許庁

This interlayer material insertion device inserts a sheet-typed interlayer material 16 between upper and lower layers of a spacer 12 when the spacer 12 is, in a multi-layer manner, wound around the outer periphery of a rotationally driven bobbin 10 through a traverse mechanism 14.例文帳に追加

層間材挿入装置は、回転駆動されるボビン１０の外周に、スペーサ１２を、トラバース機構１４を介して、多層状に巻き付ける際に、シート状層間材１６を、スペーサ１２の上下層間に挿入する。 - 特許庁

The layer 24b is polished in a state in that a polishing stopper member 14 of a polishing rate lower than those of the layers 24a and 24b is brought into contact with the part of the edge 61 on one side of the edges of the surfaces of the material 21.例文帳に追加

そして、基材２１の表面のうち縁６１の部分に、絶縁樹脂層２４ａ，２４ｂよりも研磨レートが低い研磨ストッパ部材１４を接触させた状態で、絶縁樹脂層２４ｂを研磨する。 - 特許庁

The lower electrode layer 36 is divided into a coloring region forming part 36a including the coloring regions 37 and a non-coloring region forming part 36b including no coloring region 37 wherein both parts are not conductively connected to each other.例文帳に追加

下部電極層３６は、着色領域３７を含む着色領域形成部３６ａと着色領域３７を含まない非着色領域形成部３６ｂとに互いに非導通の状態に分割される。 - 特許庁

On a wafer substrate 1, a laminated body S, which is composed of a nitride semiconductor and has at least a contact layer S1 for forming a lower electrode inside, is formed, and isolation trenches 2 surrounding the circumference of each element are formed.例文帳に追加

ウエハー基板１上に、窒化物系半導体からなりかつ下部電極形成用のコンタクト層Ｓ１を少なくとも内部に有する積層体Ｓを形成し、各素子部の外周を取り巻く区画溝２を形成する。 - 特許庁

For 0.3% or more in quantity of the metal nanoparticles 36 of the plurality of metal nanoparticles 36, circularity in the view from a direction roughly perpendicular to the main surface of the photoelectric conversion layer 20 is higher than 0 and is 0.3 or lower.例文帳に追加

複数の金属ナノ粒子３６のうち０．３％以上の数の金属ナノ粒子３６は、光電変換層２０の主表面に略垂直な方向から見たときの円形度が０より大きく０．３以下である。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser includes a lower DBR 14 formed on a VCSEL 10 and a substrate 12, including a current construction layer 32, consisting of Al, an active region 16, and an upper DBR 18 fabricated on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

In the reflection mode, a liquid crystal is laterally driven by a lateral electric field (a fringe electric field) generated between the comb-shaped electrodes 31b and a capacitance electrode (a data line) disposed on the lower layer side of the pixel electrode 31.例文帳に追加

反射モードにおいては、この櫛歯電極３１ｂと、画素電極３１の下層側に配した容量電極（データ線）との間に生じる横電界（フリンジ電界）によって、液晶を横電界駆動する。 - 特許庁

The fertilizer tank is formed into upper and lower two layers having the same or nearly the same sizes, and is arranged so that the almost central part of the upper layer tank may present at the upper position of the center of the gravity of the traveling machine body.例文帳に追加

肥料タンクを上下に２段の構成で、両タンクの大きさを同一若しくは大差のないサイズにすると共に、上段のタンクの略中央を走行機体の重心位置上方となるように配置した。 - 特許庁

To provide a seat for rolling stock excellent in recyclability and high in the degree of freedom in shape and structure and high in a product value by using a raw material for a lower seat layer which is easily moldable even if it is a large-size and thin molding.例文帳に追加

リサイクル性に優れ、しかも、形状、構造の自由度が高く、大型薄肉成形体でも容易に成形することが可能な座席下層部素材を用いて、製品価値の高い車両用座席を提供する。 - 特許庁

This shoe has such a structure that, when a load is applied in the front/rear direction of the athletic shoe, the lower layer 13 is slid and deviates from the front half part 7 of the sole, and when the load is removed, the deviation is restored.例文帳に追加

運動靴１の前後方向に荷重が負荷されると、この下層１３がスライドしてソールの前半部７との間にずれを生じ、この荷重が除去されるとずれが復元する構造を備えている。 - 特許庁

A reproduction head 100A includes a DFH (dynamic fly heater) 3 for causing the reproduction sensor 6 to protrude by heating, and the DFH 3 is located in a portion of a lower insulating layer 2 to be closer to a sensor end portion 31 of the reproduction sensor 6.例文帳に追加

再生ヘッド１００Ａは、下部絶縁層２の内部における再生センサ６のセンサ先端部３１に近い側に、その再生センサ６を加熱して突出させるＤＦＨ（ダイナミックフライヒータ）３を含んでいる。 - 特許庁

A first etching stopper film 107, a first interlayer insulating film 106, a second etching stopper film 105, a second interlayer insulating film 104 and a third interlayer insulating film 103 are stacked on a lower wiring layer 108.例文帳に追加

下層配線層１０８上に第一エッチングストッパ膜１０７、第一層間絶縁膜１０６、第二エッチングストッパ膜１０５、第二層間絶縁膜１０４、および第三層間絶縁膜１０３を積層する。 - 特許庁