「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(179ページ目) - Weblio英語例文検索

In the failure analysis method of a semiconductor device for a failure cause made by wiring formed on a semiconductor silicon board, a layer insulation film 3 is etched and removed on the semiconductor silicon board by using etching gas (for instance, CHF3) having a high etching selection ratio between a lower layer wire 2 and upper layer wiring 4, and the failure cause (foreign matter 5) is analyzed.例文帳に追加

半導体シリコン基板上に形成した配線に起因する不良原因を解析する半導体装置の不良解析方法において、下層配線２や上層配線４との間で高いエッチング選択比を有するエッチングガス（例えば、ＣＨＦ_3）を用いて、半導体シリコン基板上の層間絶縁膜３をエッチング除去して、不良原因（異物５）を解析する。 - 特許庁

A method of manufacturing the gallium nitride compound semiconductor substrate comprises growing of a first gallium nitride chemical semiconductor layer having the Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or higher, and growing a second gallium nitride compound semiconductor layer, which is undoped or has a Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or lower, on the first gallium nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Ｓｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上である第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第１の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はＳｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以下である第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。 - 特許庁

The transparent conductive film comprises: a transparent conductive layer 12 provided on a glass substrate 10 and made of a metal oxide or a metal nitride; and a plurality of metal thin films 11 that are in contact with the transparent conductive layer 12, made of a metal having a lower specific resistance than the transparent conductive layer 12, electrically connected to each other and arranged at established intervals.例文帳に追加

ガラス基板１０上に設けた金属酸化物または金属窒化物よりなる透明導電層１２と、透明導電層１２に接触して設けられ、透明導電層１２よりも比抵抗が低い金属よりなり、互いに電気的に接続されていて、かつ、所定の間隙を有するように複数配列された金属薄膜１１と、を有することを特徴とする透明導電膜。 - 特許庁

The printed wiring board manufacturing method comprises a step wherein an aperture is provided by removing the upper conductor layer in a substrate having at least two conductor layers on its surfaces; and a step wherein the aperture is irradiated with a laser beam which is larger in diameter than the aperture and defocused but homogeneous in energy density, for the removal of the insulating layer for the exposure of the lower conductor layer.例文帳に追加

少なくとも表裏２層以上の導体層を備えた基板の上層の導体層を除去して開口部を形成する工程と、前記開口部に当該開口部より大きい径かつデフォーカスされてエネルギー密度が均一のレーザビームを照射して、下層の導体層までの絶縁層を除去する工程とを有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor layer formed on a semiconductor substrate; a transistor having a source-drain region and a channel region in the semiconductor layer; and an insulating film formed on a lower side of the channel region between the semiconductor substrate and the semiconductor layer, and including stress generating distortion in the channel region.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板上に形成された半導体層と、前記半導体層内にソース・ドレイン領域およびチャネル領域を有するトランジスタと、前記半導体基板と前記半導体層の間の、前記チャネル領域の下方に形成され、前記チャネル領域に歪みを発生させる応力を内包した絶縁膜と、を備える。 - 特許庁

In a conductive fine-grain 9, an inside metal layer 2 having melting point of 900°C or higher, is formed on the surface of a spherical base fine-grain 3 consisting of plastic material, and an outside metal layer 1 having melting point of 350°C or lower, is formed on the outside of the inside metal layer 2.例文帳に追加

プラスチック材料からなる球状の基材微粒子３の表面に融点が９００℃以上の内側金属層２が形成され、その内側金属層２の外側に融点が３５０℃以下の外側金属層１が形成されてなる導電性微粒子９が、対向する電極４、５の間に配設され、該導電性微粒子９の外側金属層１が該電極４、５に溶融固着されている。 - 特許庁

The discrete device is equipped with one conductivity-type semiconductor substrate which is doped as high in concentration as prescribed, a one conductivity-type epitaxial layer lower in concentration than the one conductivity-type semiconductor substrate, a one conductivity-type diffusion layer which is higher in concentration than the one conductivity-type epitaxial layer, and electrodes which are all formed on the same side.例文帳に追加

所定の濃度を有する一導電型の半導体基板と、前記一導電型の半導体基板よりは濃度の低い前記一導電型のエピタキシャル層と前記一導電型のエピタキシャル層を貫通し、前記一導電型のエピタキシャル層よりは濃度の高い前記一導電型の拡散層とを備え、ディスクリートデバイスの電極を同一面に形成したディスクリートデバイス。 - 特許庁

The optical recording medium has a recording layer for recording information using holography between the upper substrate and the lower substrate, the recording layer containing at least a polymerizable monomer and a polymerization initiator, of which the contents are distributed so as to increase in the thickness direction of the recording layer, and a manufacturing method of the optical recording medium.例文帳に追加

上側基板と、下側基板との間に、ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を有する光記録媒体において、前記記録層が少なくとも重合性モノマー及び重合開始剤を含有し、かつ該重合性モノマーの含有量及び重合開始剤の含有量が前記記録層の厚み方向に分布を有する光記録媒体及び該光記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

Since the crystallized area 8 exhibits laser absorbance lower than that of the glass layer 3, the glass layer 3 is gradually heated when the laser beam L2 is moved along the region R to be fused, while the glass layer 3 is gradually cooled when the laser beam L2 is moved along the region R to be fused.例文帳に追加

このとき、結晶化部８におけるレーザ光の吸収率がガラス層３におけるレーザ光の吸収率よりも低いため、溶着予定領域Ｒに沿って結晶化部８からレーザ光Ｌ２を移動させた際にはガラス層３が徐々に加熱され、一方、溶着予定領域Ｒに沿って結晶化部８までレーザ光Ｌ２を移動させた際にはガラス層３が徐々に冷却されることになる。 - 特許庁

In a wiring circuit board 1 with a bump forming a bump 2 for mounting semiconductor chip, the bump 2 is formed by laminating a plurality of bump materials of different fusing points and at least one or more of bump materials 4 of a lower layer of an outermost layer is solid at a fusing temperature of a bump material 3 of an outermost layer.例文帳に追加

半導体チップを実装する為のバンプ２を形成しているバンプ付き配線回路基板１において、前記バンプ２が融点の異なる複数のバンプ材料を積層して成り、且つ最表層のバンプ材料３が溶融する温度で、最表層より下層のバンプ材料４の内少なくとも１つ以上のバンプ材料は固体であることを特徴とするバンプ付き配線回路基板。 - 特許庁

The antireflection material is constituted by successively laminating, on one surface of a base material, a near-infrared absorption layer which contains a resin and the near-infrared absorber, consisting of tungsten oxide compound particles and a layer which more strongly reflects light of a wavelength region which is longer than the light of a region from violet to blue and which has a refractive index lower than that of the near-infrared absorption layer.例文帳に追加

基材の一方の面に、樹脂と酸化タングステン系化合物粒子からなる近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸收層、及び紫色から青色にかけての帯域よりも長波長域の光をより強く反射する、該近赤外線吸收層よりも低屈折率の層、が順次積層されることを特徴とする反射防止材である。 - 特許庁

Since the lower portion of the tubular pressurization chamber 2 is made planar by the surface of a base plate 1, a plurality of tubular pressurization chambers 2 can be made collectively with high density by forming a columnar shape on the base plate 1 by photolithography technology, forming a metal layer 4 and an underlying layer 5 thereon, and forming the piezoelectric element layer 7 further thereon by vacuum deposition.例文帳に追加

筒状加圧室２の下部は、ベースプレート１の表面による平面部となっているため、ベースプレート１上にフォトリソグラフィー技術によって柱状型を形成し、その上に金属層４や下地層５を積層し、さらに圧電素子層７を真空成膜等によって積層することによって、複数の筒状加圧室２を高密度に一括して製作することができる。 - 特許庁

A first dielectric layer 1051 covering a display electrode 103 and a display scanning electrode 104 is formed, and at the same time, a second dielectric layer 1052 having a dielectric constant lower than the first dielectric layer 1051 is formed in a region surrounded by the display electrode 103, the display scanning electrode 104 and a front glass substrate 101.例文帳に追加

表示電極１０３と表示スキャン電極１０４とを覆う第１誘電体層１０５１を形成するとともに、表示電極１０３と、表示スキャン電極１０４、および前面ガラス基板１０１によって囲まれる領域において、前記第１誘電体層１０５１よりも低い比誘電率を有する第２誘電体層１０５２を形成するようにした。 - 特許庁

A transparent conductive coating formed on a transparent substrate is formed into a structure including at least two layers such as an upper transparent conductive coating layer containing conductive oxide particles and a lower transparent coating layer located on the transparent substrate side relative to it and containing inorganic particles; and the average void ratio of the upper transparent conductive coating layer out of them is set to 30% or less.例文帳に追加

透明基板上に設けられる透明導電性塗膜を、導電性酸化物粒子を含有する上層透明導電性塗膜層と、これよりも透明基板側に位置して無機粒子を含有する下層透明塗膜層との少なくとも２層を含んでなる構造とし、このうちの上層透明導電性塗膜層の平均空孔率を３０％以下に設定する。 - 特許庁

To provide a dip coating method by which a covering layer having no surface defect can be formed when the covering layer of an electrically conductive member surface is formed and thickness of the covering layer of the electrically conductive member surface can be uniformly controlled with great simplicity at both an upper part and a lower part when dipped and to provide a roller for an electrophotographic apparatus manufactured by the dip coating method.例文帳に追加

本発明の目的は、上記に鑑みてなされたものであって、導電性部材の表面被覆層を形成する際、表面欠陥の無い被覆層を形成すると共に、極めて簡便に導電性部材表面の被覆層の厚さを浸漬時の上下について均一にコントロールすることができる浸漬塗工方法及び電子写真装置用ローラを提供することである。 - 特許庁

The organic EL display device is provided with a color filter 16 and a dispersion member 17 on a lamination structure in which an organic EL layer 12, a common upper electrode (a cathode) 13, and a transparent image receiving layer 15 are laminated on a glass substrate 11 equipped with a TFT and a divided lower electrode, and is sealed as a barrier film 20 is provided through an adhesive layer 18.例文帳に追加

ＴＦＴ及び分割下部電極が設けられたガラス基板１１の上に有機ＥＬ層１２、共通上部電極（陰極）１３、及び透明受像層１５が積層された積層構造の上に、さらにカラーフィルタ１６及び散乱部材１７を備え、接着層１８を介してバリアフィルム２０を設けることにより封止された有機ＥＬ表示装置である。 - 特許庁

In the air filter medium 10 which is a laminate of PTFE porous membrane layers 11 and 12, the PTFE porous membrane layer 11 is disposed on the upstream side of air flow (arrow), and the particle collection efficiency for particles with a diameter of 0.3-0.5 μm per 1 μm thickness of the PTFE porous membrane layer 11 is lower than that of the PTFE porous membrane layer 12.例文帳に追加

ＰＴＦＥ多孔質膜層１１および１２とが積層されたエアフィルタ濾材１０において、前記ＰＴＦＥ多孔質膜層１１は、空気の流れ（矢印）の上流側に配置し、ＰＴＦＥ多孔質膜層１１の厚み１μｍ当たりの粒子径０．３〜０．５μｍの粒子捕集効率は、ＰＴＦＥ多孔質膜層１２の前記粒子捕集効率より低い。 - 特許庁

A memory string MS includes: a U-shaped semiconductor layer 35 including a pair of columnar sections 35a extended vertically and a connection section 35b connecting their lower ends; a charge storage layer 34 formed while surrounding the columnar sections 35a; and first to fourth word line conductive layers 32a-32d formed while surrounding the columnar sections 35a and the charge storage layer 34.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、垂直方向に延びる一対の柱状部３５ａ、それらの下端を連結する連結部３５ｂを有するＵ字状半導体層３５と、柱状部３５ａを取り囲むように形成された電荷蓄積層３４と、柱状部３５ａ及び電荷蓄積層３４を取り囲むように形成された第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄとを備える。 - 特許庁

In order to effectively radiate the heat generated by the operation of the semiconductor device into the atmosphere, the heat dissipation substrate comprises a composite material layer 3a made of porous material of tungsten or molybdenum with copper impregnated and copper layers 3b located on the upper surface and the lower surface of the composite material layer 3a, both of which are continuously connected to the copper impregnated in the composite material layer 3a.例文帳に追加

半導体素子の作動に伴い発生する熱を効果的に大気中に放散するため、放熱基体は、タングステンまたはモリブデンの多孔質体に銅を含侵させてなる複合材料層３ａと、複合材料層３ａの上下面上に位置し且つ複合材料層３ａに含侵している銅と連続的につながっている銅からなる銅層３ｂとを含んでなる。 - 特許庁

In this magnetic coupling clutch device in which a vacuum layer 6 is formed of a primary side nonmagnetic plate 5, which has an output shaft 8 connected to the lower side of the vacuum layer 6, and which includes at least a permanent magnet device 4 on the primary side nonmagnetic plate 5 side and the vacuum layer 6 side, a conductor disk 9 is provided to the surface of the permanent magnet device 4.例文帳に追加

１次側非磁性板５によって真空層６が形成され、この真空層６の下方に接続される出力軸８を有し、前記１次側非磁性板５側及び真空層６側に少なくとも永久磁石装置４を具備する脱調防止機能を備えた磁気カップリングクラッチ装置であって、前記永久磁石装置４の表面に導電体円板９を具備する。 - 特許庁

The method is for manufacturing the semiconductor device for forming a diffusion layer by diffusing the phosphorus atom on the surface of the silicon substrate with a resist coated, and has steps of forming the diffusion layer, keeping the temperature of the silicon substrate lower than the alteration temperature of the resist, and forming an oxide film by supplying a plasma excitation gas on the surface of the formed diffusion layer.例文帳に追加

レジストが塗布されたシリコン基板の表面にリン原子を拡散させて拡散層を形成する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の温度をレジストの変質温度よりも低く保ちながら拡散層を形成する拡散層形成工程と、形成した拡散層の表面にプラズマ励起ガスを供給して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display includes a luminance-enhancement film, including a film body which reflects light and changes a polarization axis; a protective layer, disposed on at least a part of the lower and upper sides of the film body, and an adhesive layer disposed between the film body and the protection layer and containing a photocurable resin, a photoinitiator, and a radical scavenger.例文帳に追加

本発明は、光を反射して偏光軸を変化させるフィルム本体と、前記フィルム本体の下部及び上部のうちの少なくとも一部に形成される保護層と、前記フィルム本体及び前記保護層の間に形成される光硬化性樹脂、光開始剤、及びラジカル消去剤を含む接着層を含む輝度向上フィルムと、を含む液晶ディスプレイを提供する。 - 特許庁

In the organic electroluminescence display device wherein at least a lower electrode 36, an upper electrode 38, and an organic electroluminescence layer 16 interposed between these electrodes and emits light are formed on a transparent substrate 2, a switching transistor 40 which includes an organic semiconductor layer 48 and drives the organic electroluminescence layer is provided on the upper electrode 38.例文帳に追加

透明基板２上に、少なくとも下部電極３６と、上部電極３８と、これらの両電極に挟まれて発光する有機エレクトロルミネセンス層１６とを形成してなる有機エレクトロルミネセンス表示装置において、前記上部電極３８上に、有機半導体層４８を含み前記有機エレクトロルミネセンス層を駆動するスイッチングトランジスタ４０を設ける構成にする。 - 特許庁

On the preserving method of the organic material for an organic EL element, the organic material used for a positive hole transporting layer 13, a light emitting layer 14, and an electron transporting layer 15 of the organic EL element 10 is preserved at a temperature lower than that of a glass transition temperature of the organic material, especially, preserved at the temperature of 50°C or less.例文帳に追加

本発明は、有機ＥＬ素子用の有機材料の保存方法であって、有機ＥＬ素子１０における正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５に用いられる有機材料を、この有機材料のガラス転移温度よりも低い温度で保存するものであり、特に、５０℃以下で保存することを特徴とする有機ＥＬ素子用の有機材料の保存方法である。 - 特許庁

A protection layer coating a dielectric layer 3 has a crystalline magnesium oxide layer 5 containing magnesium oxide, performing cathode luminescence light emission having a peak within a wavelength band of 200 to 300 nm by being excited by electron beam, and discharge gas sealed inside a discharge space S is set at a pressure maintaining a value lower than an atmospheric pressure by 80 torr or more.例文帳に追加

誘電体層３を被覆する保護層が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層５を有し、放電空間Ｓ内に封入される放電ガスが、大気圧に対して８０ｔｏｒｒ以上低い値を維持する圧力に設定されている。 - 特許庁

Two successive steps of forming an amorphous metal oxide layer 13 on a semiconductor substrate and oxidating this layer 13 at a first temp. in an O-contg. atmosphere are set as one cycle, and at least two cycles of the successive steps are made, and then heat treatment is made at a second temp. which is lower than the first temp. to crystallize the amorphous layer 13.例文帳に追加

半導体基板上に金属酸化物からなるアモルファス層を形成する工程と、このアモルファス層を酸素を含む雰囲気中で第１の温度で酸化処理する工程の２つの連続した工程を１サイクルとしたときに、この連続する工程を少なくとも２サイクルおこなった後に、前記第１の温度以上の第２の温度で熱処理をおこなってアモルファス層を結晶化する。 - 特許庁

The conductive covering material comprises a lower layer region 2 made of one element selected from the group IV-X elements of the periodic table or an alloy predominantly composed of the element, an intermediate layer region 3 made of a Cu-Sn intermetallic compound, and an upper layer region 4 made of an Sn alloy containing an Ag-Sn intermetallic compound that are formed in this order on the surface of a base 1.例文帳に追加

基材１の表面に、周期律表４〜１０族に属する元素のいずれか１種またはその元素を主成分とする合金から成る下層領域２と、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物から成る中間層領域３と、Ａｇ−Ｓｎ金属間化合物を含有するＳｎ合金から成る上層領域４とがこの順序で形成されている導電性被覆材料。 - 特許庁

When performing on a circuit board the input/output impedance matching of approximately lower than 1 Ω relative to the power amplification element for power amplifying the high-frequency signals of 500 MHz or higher, in order to narrow the pattern width of the transmission line being pattern-formed on a pattern wiring layer of the circuit board, a ground layer is additionally formed in a dielectric layer immediately below the pattern concerned.例文帳に追加

５００ＭＨｚ以上の高周波信号を電力増幅する電力増幅素子に対して回路基板上で概ね１Ω未満の入出力インピーダンスマッチングを行う場合に、前記回路基板のパターン配線層にパターン形成される伝送線路のパターン幅が狭まるように、該当パターン直下の誘電体層内にグランド層を追加形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

Thereby, by contacting one pickup roller 51a with the paper prior to the other pickup roller 51b, the paper part between a pickup roller contact position of the paper and a cassette claw provided on a paper feed cassette is upwardly curved and deflected, an air layer is formed between the upper and lower paper sheets and the upper and lower paper sheets are separated.例文帳に追加

これにより、一方のピックアップローラ５１ａが他方のピックアップローラ５１ｂより先に用紙に接触することで、当該用紙のピックアップローラ接触位置と、給紙カセットに設けられているカセット爪との間の用紙部分が上方に湾曲して撓み、上下の用紙間に空気層が形成されて、上下の用紙が分離される。 - 特許庁

Between a wiring layer 2 of the wiring substrate 1 and the protruding electrode (bump) 6 of the lower semiconductor chip 5, as well as a protruding electrode (bump) 7 of the lower semiconductor chip 5 and a protruding electrode (bump) 9 of the upper semiconductor chip 8 are electrically connected together by electroless plating that uses the reducing agent of redox base metal.例文帳に追加

配線基板１の配線層２と下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）６との間、下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）７と上部半導体チップ８の突起電極（バンプ）９の突起電極（バンプ）同士をレドックス系金属の還元剤を用いた無電解めっきにより電気的に接続させる。 - 特許庁

This method for producing a dendritic titanium powder comprises the steps of: dissolving lower titanium chloride into a molten salt to form a mixed molten salt; forming a melt layer of a reductive metal on the bath surface of the mixed molten salt; and reducing the lower titanium chloride with electrons which the reductive metal releases when dissolving in the mixed molten salt.例文帳に追加

溶融塩にチタン低級塩化物を溶解させて混合溶融塩とし、混合溶融塩の浴面に還元剤金属の溶融層を形成し、還元剤金属が混合溶融塩に溶解する際に放出される電子によってチタン低級塩化物を還元して樹枝状チタン粉を得ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an adhesive composition constituting an adhesive sheet embedding an adhesive layer in a recess on the surface of a substrate and a semiconductor chip in the press mounting of a semiconductor chip on the surface of a substrate in a state comparable or superior to conventional compositions even by the pressing under lower temperature and lower load compared with conventional method.例文帳に追加

基材の表面に半導体チップを圧着により搭載する際に、従来よりも低温及び低荷重での圧着によっても、基材及び半導体チップの表面における凹部に従来と同程度又はそれ以上に接着層を埋め込むことが可能な接着シートを構成する接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

A wafer level package process has steps of: providing a lower cover wafer 210 and an upper cover wafer 230; providing a semiconductor wafer including a plurality of MEMS devices on a substrate layer; joining the semiconductor wafer to a first surface of the lower cover wafer; and joining a second surface of the upper cover wafer to the semiconductor wafer.例文帳に追加

下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。 - 特許庁

A lower film 24 of the antireflection film 16 is commonly used as a stopper film during patterning, and a distance t1 between an edge of the light-shielding film 17 defined by interleaving a plurality of films 23, 24 of the lower layer of the antireflection film 16 and the semiconductor substrate 2 is set to be smaller than a film thickness t2 of the gate insulating film 13.例文帳に追加

そして、反射防止膜１６のうちの下層の膜２４がパターニングの際のストッパー膜を兼ねており、反射防止膜１６のうちの下層の複数膜２３，２４を挟んで規定される遮光膜１７の端部と半導体基板２との間の間隔ｔ１が、ゲート絶縁膜１３の膜厚ｔ２より小さく設定される。 - 特許庁

The electro-optic apparatus is equipped with a pixel electrode (9a) and a TFT (30) connected to the electrode on a TFT array substrate (10), an upper light shielding layers (300, 6a) covering the upper side of at least the channel region of the TFT, and a lower light shielding layer (11a) covering the lower side of the channel region.例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。 - 特許庁

The flat panel display device includes a display panel including a lower substrate, an upper substrate, and one or a plurality of light emitting elements positioned between the lower substrate and the upper substrate, a protection board positioned on the display panel, and an adhesive layer positioned between the display panel and the protection board.例文帳に追加

下部基板、上部基板及び前記下部基板と前記上部基板との間に位置する１つまたは複数の発光素子を含む表示パネルと、前記表示パネル上に位置する保護基板と、前記表示パネルと前記保護基板との間に位置する粘着層とを含むことを特徴とする平板表示装置に関する。 - 特許庁

The masking tape 1 is provided by overlapping the lower surface edge 114 of the substrate material 11 with the upper surface edge 123, and positioning the lower surface edge 124 of the adhesive agent layer 12 at more inside than that of the upper surface edge 123 relative to the width direction at the both sides in width direction of an optional cross section which is vertical in longitudinal direction.例文帳に追加

マスキングテープ１では、長手方向に垂直な任意の断面の幅方向の両側において、基材１１の下面エッジ１１４が粘着剤層１２の上面エッジ１２３と重なり、粘着剤層１２の下面エッジ１２４が上面エッジ１２３よりも幅方向に関して内側に位置する。 - 特許庁

In a lower side area TL from a position Y near a point Pm of a maximum width of a carcass to a bead part 4, a lower side reinforcing layer 10 is formed in which a small width belt shaped reinforcing band 13 having reinforcing cords 11 arranged is continuously and spirally wound in the circumferential direction of a tire on an axis i of a tire as a center.例文帳に追加

カーカス最大巾点Ｐｍの近傍位置Ｙからビード部４に至る下サイド領域ＴＬに、補強コード１１を配列した小巾帯状の補強バンド１３を、タイヤ軸芯ｉを中心としてタイヤ周方向に渦巻き状に連続して巻き付けた下サイド補強層１０を形成している。 - 特許庁

When the baking finish steel sheet 1 which is coated and baked with the resin is cooled, only the upper surface of the sheet 1 is cooled by water until the temperature of a resin layer formed on each of the upper and lower surfaces becomes lower than the solidifying point of the wax at the least.例文帳に追加

塗装焼付温度よりも低い融点のワックスを含有する樹脂を鋼板に塗装焼付した塗装焼付鋼板１の冷却に際し、鋼板１の上面に対してのみ水冷を行うとともに、水冷を、少なくとも鋼板１の上下面の樹脂面の温度がワックスの凝固点未満となるまで行う。 - 特許庁

Further, the upper electrode sheet 11 and the lower electrode sheet 5 are adhered and integrated by a dot-pattern adhesion printed layer 15 made of a large number of small dots and capable of ventilating at a portion other than the embossing portion 9 so that the embossing portion 9 may be located at the outside direction of the lower contact electrode 3.例文帳に追加

また、前記エンボス部９が前記下部接点電極３の外方に位置するように、前記上部電極シート１１と前記下部電極シート５が、前記エンボス部９以外の部分で無数の小ドットからなる通気可能なドット模様粘着印刷層１５で粘着されて一体化されていることを特徴とする。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element includes an antiferroelectric film 16, disposed between upper and lower electrodes 17 and 14 and an adhesion layer 15, disposed between the lower electrode 14 and antiferroelectric film 16, and is made of a composition expressed by PbZrxTi1-xO3 (0.5≤x≤0.7).例文帳に追加

本発明に係わる圧電体薄膜素子は、上部電極１７と下部電極１４に挟まれる反強誘電体膜１６を備える圧電体薄膜素子であって、下部電極１４と反強誘電体膜１６の間にＰｂＺｒ_xＴｉ_1-xＯ_3（０．５≦ｘ≦０．７）を組成とする密着層１５を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus for preventing the oxygen deficiency is obtained by radially arranging many blade bodies arranged from the center of rotation to the outside, between upper and lower pair of rotary parallel plates arranged in water, and connecting a suction tube extended to the bottom layer of the water area, to a sucking port formed in the center of the lower rotary parallel plates.例文帳に追加

本発明では、水中に配設した上下一対の回転平行板間に複数の翼体を回転中心から外方へ向けて放射状に配設するとともに、下側の回転平行板の中心に形成した吸入口に水域底層へ向けて伸延させた吸入管を連通連結した。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has at least a stage for providing an upper groove at one side of a metallic plate of a heat spreader, a stage for adhering a board having a wiring layer to the metallic plate and filling the upper groove with resin, and a stage for forming a lower groove at the other surface of the metallic plate to connect the upper and lower grooves.例文帳に追加

ヒートスプレッダとなる金属板の片面に上溝を設ける工程、該金属板に配線層を有する基板を接着するとともに上記の上溝に樹脂を充填する工程、金属板の別の面に下溝を設けて上下の溝を連結する工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A buffer layer (12) which is an intermediate film or an oscillation plate (55) is formed on substrates (11 and 52), lower electrodes (13 and 542) are formed on the intermediate film, the ferroelectric film (24) or the piezoelectric film (543) is formed on the lower electrodes, and upper electrodes (25 and 541) are formed on the ferroelectric film or the piezoelectric film.例文帳に追加

基板（１１、５２）の上に中間膜であるバッファ層（１２）又は振動板（５５）を形成し、前記中間膜上に下部電極（１３、５４２）を形成し、前記下部電極上に強誘電体膜（２４）又は圧電体膜（５４３）を形成し、前記強誘電体膜又は圧電体膜上に上部電極（２５、５４１）を形成する。 - 特許庁

The mechanism 100 for setting a gap between upper and lower rollers comprises upper and lower retaining rollers 10 and 11 vertically arranged at a gap through a conveying route P of a base layer, and an air cylinder mechanism 102 arranged above both ends of a shaft 106 of the roller 10.例文帳に追加

基層２の搬送経路Ｐを挟んで上下に隙間をおいて配設される上及び下押さえローラ１０及び１１と、上押さえローラ１０の軸１０６の両端部上方に配設されたエアシリンダ機構１０２とを備えた上下ローラ間の隙間設定機構１００及びそれを使用した建築用ボードの製造装置。 - 特許庁