「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(177ページ目) - Weblio英語例文検索

A flat bag part 4 is formed as a middle layer of poorly permeable cloth in the bag surface cloth 2 and the filler cotton 3 is put into upper and lower layers above and under the bag part 4.例文帳に追加

上記表地２の中層に、通気性の乏しい生地で扁平な袋状部４を形成し、該袋状部４の上下の空間である上層及び下層内に中入れ綿３を挿入する。 - 特許庁

As for the capacity element, a first poly-silicon layer 4 and a silicon nitride film 5 used in a step for forming a field oxide film are left, and used as a lower electrode 14 and a capacity insulating film 13 respectively.例文帳に追加

容量素子については、フィールド酸化膜形成工程で用いた第１のポリシリコン層４、シリコン窒素化膜５を残存させ、それぞれ下層電極１４、容量絶縁膜１３として用いている。 - 特許庁

The method further includes a step of forming rewiring circuits 3, 4 on both the upper and lower surfaces of the wafer 1, and connecting the rewiring circuits 3, 4 by a plating 9 applied on the insulating layer 14 in the through hole 2.例文帳に追加

該ウエハ１の上下両面に再配線回路３、４を形成すると共に該再配線回路３、４を前記スルーホール２内において絶縁層１４上に施したメッキ９により接続する。 - 特許庁

An upper magnetic pole top end 23a is formed so as to be made longer than the lower magnetic pole top end 19a on a recording gap layer 22, and extended to a position facing one part of a thin film coil 21.例文帳に追加

上部磁極先端部２３ａは、記録ギャップ層２２上において下部磁極先端部１９ａよりも長く形成されており、薄膜コイル２１の一部に対向する位置まで延在している。 - 特許庁

In its manufacture, the previously manufactured crosspiece-type radio wave absorbing body unit 20 is arranged opposite to a radio wave reflecting plate and set in a mold with the mortar layer 5 on the lower side, and base concrete is placed in the mold.例文帳に追加

その製造は、予め製作した桟型電波吸収体ユニット２を電波反射板を対峙させ、モルタル層を下側にして型枠内にセットしてから型枠内に基盤コンクリートを打設している。 - 特許庁

The hard coat layer 12 is adjusted to a Martens hardness (HM) of 250 N/mm^2 or higher, a plastic hardness (Hupl) of 800 N/mm^2 or higher and an indentation elasticity modulus (EIT) of 5,000 MPa or lower.例文帳に追加

ハードコート層１２は、マルテンス硬さ（ＨＭ）が２５０Ｎ／ｍｍ^２ 以上、塑性硬さ（Ｈｕｐｌ）が８００Ｎ／ｍｍ^２ 以上、押し込み弾性率（ＥＩＴ）が５０００ＭＰａ以下に調整されている。 - 特許庁

To obtain a capacitor whose reliability is high, even when the film thickness of an oxide film forming an insulating layer is extremely thin, for example, 100 Å or smaller in a capacitor having polycrystalline silicon films as the upper and lower electrode layers.例文帳に追加

多結晶シリコン膜を上下の電極層として有するキャパシタにおいて、絶縁層をなす酸化膜の膜厚が１００Å以下と非常に薄い場合でも、信頼性の高いキャパシタを得る。 - 特許庁

To provide wiring structure in a semiconductor device that can reduce sheet resistance in a lower layer conductive region, can inhibit crease of contact resistance and junction leakage, and has a superior barrier property.例文帳に追加

下層導体領域のシート抵抗の低減を図ることができ、コンタクト抵抗や接合リークが増大することを抑制でき、しかもバリア性に優れた半導体装置における配線構造を提供する。 - 特許庁

On the inner surfaces of the upper housing 15a and the lower housing 15b, a heat insulation layer 30 is formed, which is formed by laminating a plurality of sheet-like heat insulation materials on which a number of through holes 33 are formed.例文帳に追加

上ハウジング１５ａ及び下ハウジング１５ｂの内面には、多数の貫通孔３３が形成されたシート状の断熱材が複数枚積層された断熱層３０が形成されている。 - 特許庁

To provide a conveying roller which prevents the occurrence of scratch or dirt on a touch panel organic film surface that is a conveying surface when forming a color filter with a touch panel electrode layer serving as a lower surface.例文帳に追加

タッチパネル電極層を下面にしてカラーフィルターを形成する時に搬送面であるタッチパネル有機膜面の傷や汚れの発生を無くすことを可能とする搬送用コロを提供する。 - 特許庁

On an n-type silicon substrate, to which antimony is added as a dopant, having a resistivity which is not lower than 0.04 Ω.cm, an n-type silicon epitaxial layer having a resistivity which is higher than that of the n-type silicon substrate is provided.例文帳に追加

ドーパントとしてアンチモンが添加され抵抗率が０．０４Ω・ｃｍ以上のｎ型シリコン基板上に、該ｎ型シリコン基板よりも高抵抗率のｎ型シリコンエピタキシャル層を有するようにした。 - 特許庁

The cellular shock-absorbing sheet 1 consists of three-layer films, i.e., an air cap film 2 having a plurality of projecting parts 5 formed on an upper side, a flat base film 3 in a center thereof, and a flat film member 4 on a lower side.例文帳に追加

気泡性緩衝シート１は、上面に複数の凸部５が形成されたエアキャップフィルム２、真ん中に平坦なベースフィルム３、下面に平坦なフィルム部材４の３層のフィルムから構成されている。 - 特許庁

In the piezoelectric oscillator plate having a piezoelectric ceramics plate, electrodes formed on upper and lower surfaces thereof and a layout electrode, both electrodes are composed of a metal layer formed by nonelectrolytic plating.例文帳に追加

圧電セラミックス板と、その上面および下面に形成した電極と、引き回し電極を有する圧電振動子板において、その電極のいずれも無電解メッキで形成した金属層で構成する。 - 特許庁

The reflecting metal film is constituted of a metal, whose reactivity with the semiconductor material constituting the semiconductor structure is lower than the reactivity of the contact layer with respect to the semiconductor material.例文帳に追加

前記金属反射膜を、前記半導体構造を構成する半導体材料との反応性が、前記コンタクト層の前記半導体材料に対する反応性よりも低い金属より構成する。 - 特許庁

A field emission electron source consisting of a lower electrode 8, a power field drift layer 6 and a surface electrode 7 is formed on the rear plate 10 at its opposite face side to the face plate 30.例文帳に追加

リヤプレート１０におけるフェースプレート３０との対向面上には、下部電極８と強電界ドリフト層６と表面電極７とからなる電界放射型電子源が形成されている。 - 特許庁

An EL element 1 has a luminous layer 40 disposed between electrodes 4 and 20 provided on a substrate 2 on which a lower electrode 4 is formed so as to be held between insulation layers 8 and 48.例文帳に追加

ＥＬ素子１は、下部電極４が形成された基板２上に設けられた電極４，２０の間に、絶縁体層８，４８に挟持されるように配置された発光体層４０を備えるものである。 - 特許庁

The solder release layer has a melting temperature range lower than each solder used for fixing the heat pipe or one selected out from the vapor chambers and a plurality of the parallel fins to the heatsink base frame.例文帳に追加

はんだ離型層は、ヒートパイプまたは蒸気チャンバの選択された１つならびに複数の並列フィンを、ヒートシンク基部フレームに固定するのに使用される各はんだよりも、低い溶融温度範囲を有する。 - 特許庁

To prevent channeling in ion implantation, and to prevent any impurity from damaging an insulating film in a lower layer, and to reduce the increase of the crystal grain diameter of a crystallized amorphous semiconductor film.例文帳に追加

イオン注入におけるチャネリングを回避し、不純物が下層の絶縁膜に損傷を与えるのを防止するとともに、結晶化された非晶質半導体膜の結晶粒径の大粒径化を抑制する。 - 特許庁

Material of a lower layer rib 29 forming these resistive layers contains at least glass frit 31 and an oxide, and the oxide is formed of a mixture of a conductive oxide 32 and an insulating oxide 33.例文帳に追加

それらの抵抗層を成す下層リブ２９の材料はガラスフリット３１と酸化物とを少なくとも含み、その酸化物は導電性酸化物３２と絶縁性酸化物３３との混合物から成る。 - 特許庁

The polarizer protective film has a coating layer having a surface resistance of 1×1012 Ω or lower formed on one surface of a polyester film having 0 to 0.005 difference for the refractive index.例文帳に追加

フィルム面内の屈折率差が０〜０．００５であるポリエステルフィルムの一方の表面に、表面抵抗が１×１０^12Ω以下である塗布層を有することを特徴とする偏光子保護フィルム。 - 特許庁

An MMIC 100 is provided with an FET provided on a GaAs substrate 10, and an MIM capacitor having a dielectric layer 20b interposed between a lower electrode 18b and an upper electrode 22b.例文帳に追加

ＭＭＩＣ１００は、ＧａＡｓ基板１０上に設けられたＦＥＴと、下側電極１８ｂと上側電極２２ｂとの間に誘電体層２０ｂが介在しているＭＩＭキャパシタとを備えている。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 12 is formed by a plating method and contains as a constituting element Sn and Pb within a range of 1 atom % or higher and 10 atom % or lower.例文帳に追加

負極活物質層１２は鍍金法により形成されたものであり、構成元素としてＳｎを含むと共に、Ｐｂを１原子％以上１０原子％以下の範囲内で含んでいる。 - 特許庁

In the silicon substrate with the first silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 formed in this order from the lower layer at the rear face of the silicon substrate 1, a tantalum oxide film 4 is formed on the silicon nitride film 3.例文帳に追加

シリコン基板１裏面に下層から順に第１のシリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３が形成されたシリコン基板において、前記シリコン窒化膜３上にタンタルオキサイド膜４を成膜する。 - 特許庁

The separation regions 13A and the like continuously extend from an upper face to a lower face of a semiconductor substrate 11, and an insulator layer 14A consisting of a silicon oxide film etc. is formed inside.例文帳に追加

この分離領域１３Ａ等は、半導体基板１１の上面から下面まで連続して延在していおり、内部にはシリコン酸化膜等から成る絶縁物層１４Ａが形成されている。 - 特許庁

Since an etching rate in a smaller area is lower than that in a larger area, etching is performed until an emission spectrum caused by the endpoint detecting layer 31 is observed to form the trench 33.例文帳に追加

エッチングレートは、面積が大きい部分よりも面積が小さい部分のほうが遅いので、終点検出層３１に起因する発光スペクトルが観測されるまでエッチングを実施し、トレンチ３３を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device capable of increasing display light quantity by utilizing a relay electrode located on the lower layer side of pixel electrodes, and to provide an electronic apparatus with the liquid crystal device.例文帳に追加

画素電極の下層側に位置する中継電極を利用して、表示光量の増大を図ることのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

A capacitor 10 has a lower electrode (first conductor film 14) formed on one face with a dielectric layer 11 therebetween and an upper electrode (second conductor film 15) formed on the other face.例文帳に追加

キャパシタ１０は、誘電体層１１を挟んで一方の面に下部電極（第１の導体膜１４）が形成され、他方の面に上部電極（第２の導体膜１５）が形成された構造を有する。 - 特許庁

The adsorption amount of a plating metal, in an electrolytic plating process increases on the electrical connection region 111 whose potential is lower than a protection film 12 through the base metal layer 14.例文帳に追加

保護膜１２上に対し電位をより低くした電気的接続領域１１１上には、下地用金属層１４を介して電解メッキ工程におけるメッキ金属の吸着量が増大する。 - 特許庁

The piezoelectric resonator is composed of a lower electrode 3, a piezoelectric material 1, a spurious control layer 16, and an upper electrode 2 each formed in order on a substrate 5 provided with a cavity 4.例文帳に追加

本発明の圧電体共振器は、キャビティ４が設けられた基板５の上に、下部電極３、圧電体１、スプリアス制御層１６及び上部電極２が順に形成された構造である。 - 特許庁

To lessen propagation loss of light and to lower the driving voltage of an optical waveguide element having an optical waveguide and an over clad layer by maintaining the symmetry of a waveguide mode of the element.例文帳に追加

光導波路とオーバークラッド層とを備えた光導波路素子において、導波モードの対称性を保持して光の伝搬損失を小さくし、かつ素子の駆動電圧を低下させること - 特許庁

The electric double-layer capacitor is configured in such a way that a polarizable electrode containing non-porous carbon having fine crystals similar to graphite is immersed in an organic electrolyte and a capacitance exhibiting voltage is lower than 3.2 V.例文帳に追加

黒鉛類似の微結晶を有する非多孔性炭素を含む分極性電極が有機電解液に浸漬されてなり、静電容量発現電圧が３．２Ｖ未満である、電気二重層キャパシタ。 - 特許庁

The light emitted from the organic EL layer in a region held between the light-reflecting conductive film of the lower electrode and the light-transmitting conductive film of the upper electrode is released to the upper electrode side selectively.例文帳に追加

また、下部電極の光反射導電膜と上部電極の光透過導電膜に挟まれた領域の有機ＥＬ層からの発光は、選択的に上部電極側に放出される。 - 特許庁

A piezoelectric actuator 10 comprises an insulator layer 20, an upper piezoelectric part 30, a surface electrode 40 including a first surface electrode 41 to a fourth surface electrode 44, and a lower piezoelectric part 50.例文帳に追加

圧電アクチュエータ１０は、絶縁層２０と、上側圧電部３０と、第１表面電極４１乃至第４表面電極４４からなる表面電極４０と、下側圧電部５０とを備えている。 - 特許庁

To provide a capacitor, its manufacturing method, a filter using it and a dielectric thin film using it for improving the adhesiveness of a dielectric layer and a lower electrode while increasing an electrostatic capacity.例文帳に追加

静電容量の増大を図りつつ、誘電体層と下部電極との密着性の向上が図られたキャパシタ及びその製法、それを用いたフィルタ、それに用いる誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

The principal component of the piezoelectric film 16 is aluminum nitride, the principal component of the lower electrode 15 and the upper electrode 17 is made of molybdenum, and the principal component of the insulation layer 13 is made of silicon oxide.例文帳に追加

圧電体膜１６は窒化アルミニウムを主成分とし、下部電極１５および上部電極１７はモリブデンを主成分とし、絶縁層１３は酸化シリコンを主成分とするものである。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 42 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on a p-type diffusion layer 41 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＰ型の拡散層４１上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４２が形成されている。 - 特許庁

To provide a highly reliable multilayer printed wiring board which prevents occurrence of a crack in a resin portion caused by having a roughened face different in an upper face and side faces of a lower layer conductor circuit.例文帳に追加

下層導体回路の上面と側面とが異なる粗化面を有することに起因する樹脂部分のクラックの発生を防止することができる、信頼性の高い多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

To remove a surface layer by selectively etching the lower electrode made of an amorphous silicon, while preventing etching of a contact electrode made of a crystalline silicon in a stacked capacitor of cylindrical structure.例文帳に追加

シリンダ構造のスタック型キャパシタにおいて、結晶性シリコンからなるコンタクト電極のエッチングを防止しつつ、非晶質シリコンからなる下部電極を選択的にエッチングして表面層を除去する。 - 特許庁

The composition for forming the resist lower layer film contains: novolac resin (A) including at least two phenolic hydroxyl groups and an aromatic ring having an alkyl thienyl group as a repeating structure unit; and organic solvent (B).例文帳に追加

２つ以上のフェノール性水酸基、及び、アルキルチエニル基を有する芳香族環を繰り返し構造単位として含むノボラック樹脂（Ａ）と、有機溶剤（Ｂ）と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。 - 特許庁

The method includes steps of: performing an RRC Connection procedure; and resetting or re-establishing a lower layer protocol entity for Signalling Radio Bearers (SRBs) when a cell reselection occurs.例文帳に追加

かかる方法は、ＲＲＣ接続プロセスを実行する段階と、セル再選択の発生時にＳＲＢ（シグナリング無線ベアラ）に対応する下位層プロトコルエンティティーをリセットか再確立する段階と、を含む。 - 特許庁

This film material has an atomic mass less than that of the lower layer of electrodes and the electron colliding with the above film results in discharging less X-ray than the electron collides with the above electrode.例文帳に追加

この被膜材料は、下層の電極よりも少ない原子質量を有し、前記被膜に衝突する電子は、前記電極に衝突する電子よりも、Ｘ線を放出する量が少ない。 - 特許庁

In a fuel cell including an MEA 10, a gas diffusion sheet 12 and a separator 20, carbon having crystallinity lower than that of carbon in an anode catalyst layer of the MEA 10 is added in the gas diffusion sheet 12.例文帳に追加

ＭＥＡ１０、ガス拡散シート１２、セパレータ２０を備える燃料電池において、ガス拡散シート１２内に、ＭＥＡ１０のアノード触媒層のカーボンよりも低結晶化度のカーボンを添加する。 - 特許庁

This invention relates to the rubber composition for inner liner, which can be obtained by: kneading a butyl rubber, a layer silicate mineral, and silane coupling agent at temperature 130°C or lower; and kneading a masterbatch thus obtained and a carbon black.例文帳に追加

ブチル系ゴム、層状珪酸塩鉱物及びシランカップリング剤を１３０℃以下の温度で混練りし、得られたマスターバッチとカーボンブラックとを混練りして得られるインナーライナー用ゴム組成物に関する。 - 特許庁

The lower layer membrane composition consists of 50-70 wt.% of an epoxy resin or a polyamideimide resin, 15 to 30 wt.% of polytetrafluoroethylene and 5 to 20 wt.% of molybdenum disulfide, and may contain graphite as necessary.例文帳に追加

下層被膜組成物は、エポキシ樹脂又はポリアミドイミド樹脂５０〜７０ｗｔ％、ポリテトラフルオロエチレン１５〜３０ｗｔ％、二硫化モリブデン５〜２０ｗｔ％からなり、必要に応じてグラファイトを含んでもよい。 - 特許庁

The upper electrode 6 and the lower electrode 7 have a structure where a twin crystal epitaxial electrode 9, including an epitaxial film having a twin crystal structure, is formed on a base layer 8 with Ti as a main component.例文帳に追加

上電極６および下電極７は、Ｔｉを主成分とする下地層８上に、双晶構造を有するエピタキシャル膜からなる双晶エピタキシャル電極９を形成した構造とされる。 - 特許庁