「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(171ページ目) - Weblio英語例文検索

When the topmost layer sealing member 3 is peeled, with each sealing member being laminated, the image information B of the internal organs of fish provided on the lower layer sealing member 2 appears; and when the sealing member 2 is peeled, the image information A of the bones of the fish provided on the mount 1 appears.例文帳に追加

各シール部材が積層された状態から、最上層のシール部材３を剥離すると、下層のシール部材２に施された魚の内臓の画像情報Ｂが現れ、シール部材２を剥離すると、台紙１上に施された魚の骨の画像情報Ａが現れる。 - 特許庁

To provide a production method of a liquid crystal alignment layer with high productivity, by which a liquid crystal alignment layer excellent in film hardness and adhesiveness can be efficiently produced by a heat treatment at lower temperature and in a shorter time, and to provide a production method of a retardation film excellent in liquid crystal aligning property and thermal stability.例文帳に追加

膜硬度及び密着性に優れる液晶配向膜をより低温及び短時間の熱処理で効率よく製造できる生産性の高い液晶配向膜の製造方法、並びに液晶配向性及び熱安定性に優れる位相差フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The float bath has a bottom unit for holding a molten tin and a roof unit for covering the bottom unit, wherein the space inside the roof unit is divided by a roof brick layer 16 into an upper space 20 and a lower space 21, and a heater 18 is so arranged as to pass through a through-hole 17 which is provided in the roof brick layer 16.例文帳に追加

フロートバスは、溶融スズがたたえられているボトムと当該ボトムを覆うルーフとを有し、ルーフ内の空間がルーフレンガ層１６によって上方空間２０と下方空間２１とに二分され、ルーフレンガ層１６に設けられた貫通孔１７を貫通してヒータ１８が設置されている。 - 特許庁

Further, the small-area dummy pattern of a lower layer and the small area dummy pattern Ds2 of an upper layer are arranged to a region with a wide inter-pattern space in patterns (active regions L1, L2, L3, and a gate electrode 17 or the like) that act as elements in a product region PR and the scribe region SR.例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

Inverse regular polygonal cone-type dots 3 formed of semiconductors with lower energy that a carrier senses than the semiconductors constituting a channel layer 1 or V-groove-like quantum thin wires are installed within the range of a distance where the carrier can thermally move from a two-dimensional carrier gas layer 4 at an operation temperature.例文帳に追加

動作温度において二次元キャリアガス層４からキャリアが熱的に移動可能な距離の範囲内にチャネル層１を構成する半導体よりもキャリアの感じるエネルギーの低い半導体からなる逆正多角錐型ドット３或いはＶ溝状量子細線を設ける。 - 特許庁

Further, low-resistance B-doped diamond layers 3a and 3b having lower resistance than the diamond layer 2 has are formed on electrode parts 2a and 2b of the diamond layer 2 while signal tapping electrodes are formed out of metal, respectively, on the diamond layers 3a and 3b.例文帳に追加

また、Ｂドープダイヤモンド層２の電極部２ａ及び２ｂ上には、夫々Ｂドープダイヤモンド層２よりも低抵抗の低抵抗Ｂドープダイヤモンド層３ａ及び３ｂを形成し、この低抵抗Ｂドープダイヤモンド層３ａ及び３ｂ上には、夫々金属により信号取り出し用電極を形成する。 - 特許庁

In the manufacture of the phosphor panel where the phosphor layer is formed on a substrate by vacuum evaporation through resistance heating, the problem is solved by using a crucible made of tantalum as an evaporation source and setting the voltage applied to the crucible at 2.5 V or lower to deposit the phosphor layer.例文帳に追加

抵抗加熱による真空蒸着によって基板に蛍光体層を形成する蛍光体パネルの製造において、蒸着源としてタンタル製のルツボを用い、前記ルツボへの印加電圧を２．５Ｖ以下として、前記蛍光体層を成膜することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

Each upper end of a capacitive element is positioned as high as the surface of the metallic wiring layer 22, each lower end thereof is positioned as high as the surface of a metallic wiring layer 12, and the element comprises a pair of metallic electrode 40, 41 which extend vertically to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

容量素子はそれぞれの上端が金属配線層２２の表面と同じ高さに位置し、そのそれぞれの下端が金属配線層１２の表面と同じ高さに位置し、半導体基板１に対して垂直方向に延びる１対の金属電極４０，４１を含む。 - 特許庁

An improvement body 7 reaching a gravel layer 21 is provided in both lateral directions of a designed tunnel position 3 so as to be taken as an impervious wall against spring water from the natural ground, an upper part of prelining 11 is provided with a drainage tube 17, and the spring water from the gravel layer 21 is collected for drainage in order to lower the groundwater level.例文帳に追加

計画トンネル位置３の両側方に、れき層２１に到達する改良体７を設け、地山からの湧水に対する遮水壁とし、先受け工１１の上部に水抜きチューブ１７を設け、れき層２１からの湧水を集水して排水し、地下水位を低下させる。 - 特許庁

By this, the spiral hose is assembled to the piping by being previously twisted in the twisting direction of the hose when the pressure is applied, the twisting of the hose caused by looseness of the lower layer fiber reinforcing layer is not generated even if the pressure is applied, and the deflection at the bending central part of the hose generated by the twisting can be prevented.例文帳に追加

これにより、加圧時にホースが捻れる方向に予め捻って組み付けられることになり、加圧しても下層の繊維補強層の緩みによるホースの捩れは発生せず、捩れによって発生していたホースの曲げ中央部での振れも防止することができる。 - 特許庁

Leak water S consisting of waste leachate or groundwater which has entered the double floor 10 by the breakage of the lower layer or upper layer sheet is caused to flow along the drain gradient to a discharge port 26 through spaces 45 marked off by the intermediate floor blocks 40 and a main route 20.例文帳に追加

下層あるいは上層シートの破損により２重床内に浸入した廃棄物浸出水または地下水からなる漏出水Ｓが排水勾配に沿って中間床ブロック４０により画成された空間４５内及び幹路２０を経て排出口２６まで流下するようにした。 - 特許庁

An insulating layer 31 made of epoxy resin etc., is formed on the top surface of the lower insulating film 1 at a periphery of the semiconductor construct 2, and an upper insulating film 32 made of epoxy resin etc., is formed on top surfaces of the semiconductor construct 2 and insulating layer 31.例文帳に追加

次に、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面にエポキシ系樹脂等からなる絶縁層３１を形成し、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面にエポキシ系樹脂等からなる上層絶縁膜３２を形成する。 - 特許庁

In the pneumatic radial tire in which the belt reinforcing layer 5 is disposed adjacent to the belt layer 3, and a groove of different groove area ratio in the right-and-left direction of the tire center line CL is provided on the tread surface, the winding density of a reinforcing cord f located on the lower rigidity in the tire circumferential direction is higher.例文帳に追加

ベルト層３に隣接してベルト補強層５を配設し、トレッド面にタイヤセンターラインＣＬの左右で溝面積比率が異なる溝を有するた空気入りラジアルタイヤにおいて、タイヤ周方向剛性が低い側に位置する補強コードｆの巻き付け密度が高くなるよう配置する。 - 特許庁

The rigid pillars 4, 4 are connected to a base isolation interval guide housing 15 placed between the upper layer 3 and the lower layer 2 to synchronize rocking of the guide rails 5, 5, and the base isolation interval guide housing 15 is formed with a surrounding part 16 of a balance weight 14 to avoid an interference with an elevator car 19.例文帳に追加

剛性柱体４，４は上層３と下層２の中間に配置される免震間案内筺１５に連結してガイドレール５，５の揺動の同期を取り、また、免震間案内筺１５につり合いおもり１４の囲繞部１６を形成してエレベータかご１９との干渉を回避する。 - 特許庁

It is made possible to gradually etch the feature of the high aspect ratio such that it is adapted to a depth desired for both high and low feature density regions on a substrate and the limit size of a vertical profile without generating a defect and/or the overetching of a lower layer using the flat and uniform passivation layer.例文帳に追加

平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

By forming the optical property-improving layer on the lower surface of the base film layer so as to face the light-emitting board as above, it is possible to increase the amount of the wireless control signals passing through the optical property improving member so as to increase the reception sensibility of the wireless control signals much more than ever.例文帳に追加

このように、発光ボードと向かい合うように光特性向上層をベースフィルム層の下面の上に形成させることにより、光特性向上部材を透過する無線制御信号の量を増加させて無線制御信号の受信感度をより増加させることができる。 - 特許庁

In a semiconductor device formed of automatic arrangement wiring employing a standard cell by a multi-layer process, the multi-logic cell is arranged below second metal power supply wiring whereby a layout which permits the change of a circuit without changing the chip size or a lower stage layer by arranging the multi-logic cell below the second metal power supply wiring is made.例文帳に追加

スタンダードセルを用いた自動配置配線で多層プロセスにより形成された半導体装置において、第二メタル電源配線下部にマルチロジックセルを配置することでチップサイズや下階層を変更することなく回路変更が可能なレイアウトが作成される。 - 特許庁

This radiation image conversion panel is characterized by the feature that it has at least a substrate and a phosphor layer containing a bonding agent and photostimulable phosphors on a support in order of mention and the fact that the softening temperature of the substrate is not lower than that of the phosphor layer.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも、下塗り層と、結合剤及び輝尽性蛍光体を含有する蛍光体層とをこの順に有し、前記下塗り層の軟化温度が、前記蛍光体層の軟化温度以上であることを特徴とする放射線像変換パネルである。 - 特許庁

An MEA 15 is housed in the inside of framework-like frames 13, 14, and first and second gas passage forming members 21, 22 are interposed between an anode layer 17 and a cathode layer 18 of the MEA 15 and first and second separators 23, 24 joined to the upper and lower surfaces of the frames 13, 14.例文帳に追加

枠状のフレーム１３，１４の内部にＭＥＡ１５を収容し、該ＭＥＡ１５のアノード電極層１７及びカソード電極層１８と、フレーム１３，１４の上下両面に接合固定された第１，第２セパレータ２３，２４との間に第１，第２ガス流路形成部材２１，２２を介在する。 - 特許庁

The substrate 110 has a first surface 110a, a second surface 110b, a first patterned metal layer 112 on the first surface and a second patterned metal layer 114 on the second surface, and is sandwiched between an upper mold chase 210 and a lower mold chase 220 of a package mold 200.例文帳に追加

基板１１０は、第１表面１１０ａ、第２表面１１０ｂ、第１表面上の第１のパターン化金属層１１２、及び第２表面上の第２のパターン化金属層１１４を有し、パッケージモールド２００の上側モールドチェイス２１０と下側モールドチェイス２２０の間に挟まれている。 - 特許庁

The film thickness of the stacked-layer film is larger than film thickness of each of a photosensitive polyimide resin film 11 formed on the lower layers of the Cu wiring 10 and the bump-land 10A, an inorganic passivation film 26, a third Al wiring 25, the bump-pad BP, and a second inter-layer insulating film 24.例文帳に追加

この積層膜の膜厚は、Ｃｕ配線１０およびバンプ・ランド１０Ａの下層に形成された感光性ポリイミド樹脂膜１１の膜厚、無機パッシベーション膜２６の膜厚、第３層Ａｌ配線２５およびボンディングパッドＢＰの膜厚、第２層間絶縁膜２４の膜厚に比べて厚い。 - 特許庁

In this method of manufacturing a printed wiring board, closely mounting on the mother board is enabled after electronic components are mounted on a surface outer layer circuit conductor of an upper substrate of the printed wiring board, and on an exposed inner layer circuit conductor on the bottom of an aperture hole of a reverse recessed part on the back of a lower substrate.例文帳に追加

プリント配線板の上部基板の表面外層回路導体と、下部基板の裏面の逆凹部の開口穴の底部の露出している内層回路導体に電子部品を実装してからマザーボードに密着実装することのできるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The rubber piece for shoes is composed of an upper layer and a lower layer, the former comprises a bright colored rubber composition and the latter comprises 0.1 to 100 pts.wt. of activated carbon or 10 to 100 pts.wt. of carbon black to 100 pts.wt. of the rubber component.例文帳に追加

また、靴用ゴム部品に、下層と上層よりなり、ゴム成分１００重量部に対し活性炭を０．１〜１００重量部又はカーボンブラックを１０〜１００重量部配合したゴム組成物を下層とし、明色ゴム組成物を上層とした靴用ゴム部品を使用する。 - 特許庁

A dezinsification layer forming stage, which forms a dezinsification layer 2 having a lower Zn content than the Zn content of a base material 10 consisting of the alloy containing Zn on the surface of the base material 10 by heating the base material 10 under reduced pressure and evaporating Zn from the surface of the base material 10, is executed.例文帳に追加

Ｚｎを含有する合金よりなる基材１０を減圧下において加熱して，基材１０の表面からＺｎを蒸発させることにより，基材１０よりもＺｎ含有量が低い脱亜鉛層２を基材１０の表面に形成する脱亜鉛層形成工程を行う。 - 特許庁

The thin-film inductor 10 has a structure wherein an interlayer insulation film 16, a lower magnetic thin film 19, an interlayer insulation film 20, a first layer conductor pattern 22, an interlayer insulation film 26, a second layer conductor pattern 28, an interlayer insulation film 32 and an upper magnetic thin film 34 are stuck in sequence on a substrate 12.例文帳に追加

薄膜インダクタ１０は、基板１２上に、層間絶縁膜１６，下部磁性薄膜１８，層間絶縁膜２０，第１層導体パターン２２，層間絶縁膜２６，第２層導体パターン２８，層間絶縁膜３２，上部磁性薄膜３４が積層された構造となっている。 - 特許庁

Only the dummy structure 16 is removed to leave the sidewall films 17, a part of lower-layer wiring 14 is exposed, an opening 18a formed on the interlayer insulation film 18 is embedded with Cu, and the surface layer of Cu is flattened in plane with the surface of the interlayer insulation film 18.例文帳に追加

そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。 - 特許庁

When one MD yarn in the upper yarn layer or the lower yarn layer forming the loop comes into touch with the CMD yarn forming the ground cloth only at one side, the DM yarn comes into contact with the loop-fixing CMD yarn on the side opposing to the one side contacting with the CMD yarn forming the ground cloth.例文帳に追加

そして、ループを形成する上糸層又は下糸層の１つのＭＤ糸が、基布を作るＣＭＤ糸に片脇でのみ接しているとき、該ＭＤ糸が前記基布を作るＣＭＤ糸と接する片脇の反対側にループ固定ＣＭＤ糸が接するように配した。 - 特許庁

This thermochromic structure is a laminate of a thermochromic layer (A) containing a thermochromic material and a thermal storage layer (B) containing a thermal storage material whose melting point is a temperature higher than a color-changing temperature of the thermochromic material and lower than a heat-resistant temperature of the thermochromic material.例文帳に追加

熱可逆性変色材料を含有する熱可逆性変色層（Ａ）と、熱可逆性変色材料の変色温度より高く、熱可逆性変色材料の耐熱温度よりも低い温度領域に融点を有する蓄熱材を含有する蓄熱層（Ｂ）、を積層したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a structure that can sublimate a transfer material over the longitudinal direction of a heating resistor layer while keeping voltage applied between electrodes lower than the prior art when sublimating the transfer material by causing heat generation of the heating resistor layer formed in long-sized shape.例文帳に追加

長尺状に形成された発熱抵抗体層を発熱させて転写材料を昇華させる場合に、従来よりも電極間に印加する電圧を低く抑えながら、発熱抵抗体層の長手方向にわたって転写材料を昇華させることができる仕組みを提供する。 - 特許庁

The light shielding layer 136 is constructed so as to shield at least a part of a light component electronically affecting at least an active layer formed on the lower side of an integrated circuit chip 133, especially light emitted from the inside of a substrate 11 toward the integrated circuit chip 133.例文帳に追加

遮光層１３６は、少なくとも集積回路チップ１３３の下面側に形成された能動層（図示せず）に電子的な影響を与える光成分の少なくとも一部、特に、基板１１の内部から集積回路チップ１３３に向けて出射される光を遮光するように構成されている。 - 特許庁

At least, regarding either the upper magnetic pole layer 10b or the lower magnetic pole layer 8b, a cross section in a field parallel with a medium facing surface ABS once contracts toward the medium facing surface ABS, and the cross section is expanded at a tip part 80 contacting the medium facing surface ABS.例文帳に追加

上部磁極層１０ｂと下部磁極層８ｂの少なくともいずれかは、媒体対向面ＡＢＳに向かって、媒体対向面ＡＢＳと平行な面における断面積がいったん縮小し、かつ、媒体対向面ＡＢＳと接する先端部８０で断面積が拡大されている。 - 特許庁

The first interlayer insulating film 2 containing a first porous low dielectric-constant film 2b is formed on a lower-layer wiring 1, and a first barrier layer 5 and a via plug 6 are formed in via holes 3 formed to the first interlayer insulating film 2 through first side-wall protective films 4 formed on the side walls of the via holes 3.例文帳に追加

下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１層間絶縁膜２に設けられたビアホール３内にその側壁に設けられた第１側壁保護膜４を介して第１バリア層５およびビアプラグ６が形成される。 - 特許庁

To provide a mask blank for use in manufacturing of an FPD device, which is capable of suppressing the damage to a tantalum light-semitransmissive film of a lower layer as much as possible when wet-etching a light-shielding film (upper layer) made of chromium by a chromium etching solution and doesn't need an etching stopper and has a simple film configuration.例文帳に追加

クロムからなる遮光性膜（上層）をクロムのエッチング液でウエットエッチングする際に、下層のタンタル系半透光性膜へのダメージを極力抑えることができ、しかもエッチングストッパも不要で膜構成が単純であるＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクを提供する。 - 特許庁

In the lubricating oil returning means, when the working fluid is sent through the circulation path (14) in the one flow direction and an ambient temperature of the condenser (24) is lower than the two-layer separation temperature, a pressure of the refrigerant in the condenser (24) is limited to a saturation pressure or less of the refrigerant at the two-layer separation temperature.例文帳に追加

潤滑油返戻手段は、作動流体が循環路(14)を一の流動方向にて流動させられ且つ凝縮器(24)の周囲の温度が二層分離温度よりも低いときに、二層分離温度での冷媒の飽和圧力以下に、凝縮器(24)での冷媒の圧力を制限する。 - 特許庁

The method for producing the solid particles-carrying fiber comprises forming a particles-packing layer in which solid particles heated to a temperature not lower than the melting point of the fiber surface of the fiber in which at least the surface is composed of a thermoplastic resin are vibrated, passing the fiber through the particles-packing layer and fixing the solid particles on the fiber surface.例文帳に追加

少なくとも表面が熱可塑性樹脂からなる繊維の、繊維表面の融点以上に加熱した固体粒子を振動させた粒子充填層を形成し、該粒子充填層中に該繊維を通過させて、該固体粒子を該繊維表面に固着させる。 - 特許庁

A memory array layer used for 3D RRAM is formed with peripheral circuit on a silicon substrate, and formed by depositing: silicon oxide layer; lower electrode material; silicon oxide; resistor material; silicon oxide; silicon nitride; silicon oxide; upper electrode material; and covering oxide.例文帳に追加

３Ｄ ＲＲＡＭで用いられるメモリアレイ層は、シリコン基板上の周辺回路で形成され、シリコン酸化物層、下部電極材料、シリコン酸化物、抵抗器材料、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化物、上部電極およびカバーリング酸化物が堆積されて、形成される。 - 特許庁

The BSD emitter comprises a lower substrate; a cathode electrode formed on the substrate; vertically arrayed carbon nanotubes formed on the cathode electrode which is a conduction material for the ballistic electron; and a metal thin film electrode layer formed on the layer of the arrayed carbon nanotubes.例文帳に追加

下部基板と、前記下部基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極上に形成され、弾道電子の導電物質である垂直整列された炭素ナノチューブと、前記垂直整列された炭素ナノチューブ層上に形成された金属薄膜電極層と、を備える。 - 特許庁

Accordingly, conductivity, gas diffusion, and the mechanical strength of the catalyst layer 16 are enhanced, and since the catalyst layer 16 also functions as a gas diffusion electrode, the gas diffusion electrode can be eliminated, the MEA can be manufactured at lower cost compared with the conventional MEA.例文帳に追加

そのため、このように触媒層１６の導電性、ガス拡散性、および機械的強度が高められることによって、その触媒層１６がガス拡散電極としても機能させられるので、ガス拡散電極を省略でき、従来のＭＥＡに比較して低コストで製造することができる。 - 特許庁

A lower side cover 16 is formed by forming an intermediate layer 22 of methyl phenyl silicone resin having a thickness of 1 μm containing silicon oxide of carbon-silicon ratio of 1.2 to 1.6 on a substrate 21 of a heat resistant methacrylic resin and forming a photocatalyst film 23 primary constituent of which is titanium oxide on the intermediate layer 22.例文帳に追加

下側カバー16は、耐熱性メタクリル樹脂の基体21に、炭素とシリコンの比が１．２ないし１．６で酸化シリコンが含有される膜厚１μｍのメチルフェニルシリコーンレジンシリコーン樹脂の中間層22を形成し、中間層22の表面に、酸化チタンを主成分とした光触媒膜23を形成する。 - 特許庁

When impressing the voltage between the surface electrode 7 and the lower electrode 12 with the surface electrode 7 as the high electric potential side, the electron captured by a trap 9 in the strong electric field drift layer 6 is emitted outside the strong electric field drift layer 6 by energy from the driving power source Va being an emitting means.例文帳に追加

表面電極７と下部電極１２との間に表面電極７を高電位側として電圧を印加した時に強電界ドリフト層６中のトラップ９に捕獲された電子を放出手段たる駆動電源Ｖａからのエネルギにより強電界ドリフト層６外へ放出させる。 - 特許庁

A coefficient of linear expansion αce of the power generation part bonding member 12a is made lower than an average coefficient of linear thermal expansion αe obtained by weighted-averaging a coefficient of linear expansion of the constituting member of each layer constituting the power generation part 200 by the thickness of each layer.例文帳に追加

発電部締結部材１２ａの線膨張係数αｃｅを発電部２００を構成する各層の構成部材の線膨張係数を各層の厚みにより重み付き平均することによって得た平均線膨張係数αｅより低くなるように構成する。 - 特許庁

The termite repellent timber in which a paraffin barrier layer is formed in a timber outer layer tissue is obtained by dipping a timber in a molten paraffin bath for a predetermined time, then pouring the paraffin in the timber by a warm/cold bath method for immersing in the molten paraffin bath at a temperature lower than the previous paraffin bath and then taking out the timber and cooling the timber.例文帳に追加

木材を溶融パラフィン浴に所定時間浸漬後、これよりも低い温度の溶融パラフィン浴に浸漬する温冷浴法によりパラフィンを材内に注入後、これを取り出して冷却することにより、木材外層組織にパラフィンバリア層が形成されたシロアリ忌避木材を得る。 - 特許庁

Between at least one of face plates of the floor plate holding a honeycomb structure 4 between an upper face plate 2 and a lower face plate 3 and the honeycomb structure 4, a vibration shut-down layer 5 comprising rubber-state elastic bodies 7a and 7b with a rubber-state elastic body or fiber layer 6 interposed between them is interposed.例文帳に追加

上面板２と下面板３の間にハニカム構造体４を挟みこんだ床板１の少なくとも一方の面板とハニカム構造体４の間にゴム状弾性体又は繊維層６を介在させたゴム状弾性体７ａ，７ｂからなる振動遮断層５を介在させる。 - 特許庁

To provide a substrate material for forming a lower layer film superior in resistance to etching by reactive ions such as oxygen plasma, while reflectivity of exposure light of short wavelength of excimer laser or the like such as KrF and ArF is low for instance, and to provide a method for forming a multi-layer resist pattern using the substrate material.例文帳に追加

例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In blue organic EL elements 16B, green organic EL elements 16G and red organic EL elements 16R, an organic layer 163 formed between lower electrode layers 161B, 161G and 161R and an upper electrode layer 164 has a laminated structure where a plurality of luminescent layers are laminated.例文帳に追加

青色有機ＥＬ素子１６Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１６Ｇおよび赤色有機ＥＬ素子１６Ｒにおいて、下部電極層１６１Ｂ，１６１Ｇ，１６１Ｒと上部電極層１６４との間に設けられた有機層１６３が、複数の発光層が積層された積層構造を有している。 - 特許庁