「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(169ページ目) - Weblio英語例文検索

A pusher apparatus P is provided on a shaft type thermal decomposition melting furnace 1 wherein dust is thrown in from an upper portion of a furnace, and combustion assist gas is supplied from a bottom of the furnace to melt the thrown dust is melted and taken out from an upper layer drying region A through a thermal decomposition region B in a lower layer melting region C.例文帳に追加

炉上部からゴミを投入し、炉底部から支燃ガスを供給して、投入したゴミを上層の乾燥域Ａから中層の熱分解域Ｂを経て下層の溶融域Ｃで溶融して取り出すようにしたシャフト型熱分解溶融炉１に設けたプッシャ装置Ｐである。 - 特許庁

The receiver 20 determines whether or not an electric signal including the error is eliminated by a physical layer driver 21 being a lower layer by referring to the error condition acquired from the storage part 35 in an error determination part 22, outputs decoded data to the outside and evaluates behavior of a system.例文帳に追加

一方、受信装置２０は、エラー判定部２２にて、記憶部３５から取得したエラー条件を参照して、下位層である物理層ドライバ２１にて排除されたか否かを判定するとともに、復号化したデータを外部へ出力してシステムの挙動を評価可能にする。 - 特許庁

In this wall structure in which a humidity exhaust layer γ communicating with an attic space from a bedsill D is formed between a substrate and an exterior wall material A, a ventilation suppressing member 11 is formed at the lower end of the humidity exhaust layer γ in such a manner that a ventilation passage (gap) is provided between vertical furring strips 6 and the ventilation suppressing member.例文帳に追加

下地と外壁材Ａ間に土台部Ｄから小屋裏に連通した排湿層γを形成した壁構造において、排湿層γの下端に縦胴縁６との間に通気路（隙間）を有して通気抑制部材１１を形成した壁構造である。 - 特許庁

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a scale removing method of a chromium-containing steel material for sufficiently removing, with a simple facility, scale of a bilayer structure having a lower layer containing high chromium oxide content formed on the surface of the chromium-containing steel material and an upper layer mainly made of iron oxide.例文帳に追加

クロム含有鋼材料の表面に形成された酸化クロム含有量の多い下層と、酸化鉄を主体とする上層とを含んだ二層構造のスケールを簡易な設備で十分に除去することができるクロム含有鋼材料のスケール除去方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has upper-lower two cut-out semiconductor wafers 5, a resin sealing layer 28 held by these two semiconductor wafers 5 and formed, and conductive posts 30 formed at the outer edge section of the resin sealing layer 28 and exposed to the outside.例文帳に追加

半導体装置１００は、上下２枚の切り出された半導体ウェハ５と、これら２枚の半導体ウェハ５に挟まれて形成されている樹脂封止層２８と、この樹脂封止層２８の外縁部に形成され、外部に露出している導電性ポスト３０とを有する。 - 特許庁

A high-quality multifunctional substrate layer can prevent the deformation and decomposition of the lower seed substance layer at high temperature and in a hydrogen atmosphere, and has a single crystal that is a hexagonal structure or a polycrystalline structure to grow the good-quality single-crystal nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

高品質の多機能性基板層は高温及び水素雰囲気で下部のシード物質層の変形と分解とを防止することができ、良質の単結晶窒化物系半導体基板を成長するために六方晶構造である単結晶または多結晶構造を有する。 - 特許庁

A piezoelectric ceramics layer 2 and an internal electrode 3 are laminated alternately, the internal electrode 3 is exposed to the side face such that the every other internal electrode 3 becomes a counter electrode, a resistive layer 7 is formed on a lower external electrode 8, and an external electrode 4 is formed further thereon.例文帳に追加

圧電セラミックス層２と内部電極３とを交互に積層し、この積層体の側面に内部電極３が一層おきに対向電極となるように内部電極３を側面に露出させ、下部外部電極８の上に抵抗層７を形成し、さらにその上に外部電極４を形成する。 - 特許庁

The electrooptical device includes pixel electrodes (9a) provided for respective pixels and provided with a polygonal shape having a diagonal line along the pretilt direction of vertically aligned liquid crystal (50) and a first conductive layer (17) formed more on the lower layer side than the pixel electrodes through an interlayer insulating film on a substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられ、垂直配向液晶（５０）のプレチルト方向に沿った対角線を有する多角形状を有する画素電極（９ａ）と、画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に形成された第１導電層（１７）とを備える。 - 特許庁

The rainwater inflow side ditch 20 is constituted by positioning its rainwater outlet 21 on an upper layer region side of the stratum 50 composed of pebbles across a concrete floor slab 25, and a rainwater inflow part of the holed underground pipe 30 is positioned on a lower layer region side of the stratum 50 composed of pebbles.例文帳に追加

雨水流入側溝２０はその雨水流出口２１を、コンクリート床版２５を挟んで、小石から成る層５０の上層領域側に位置させており、有孔地中埋設管３０はその雨水流入部を小石から成る層５０の下層領域側に位置させている。 - 特許庁

To provide a touch panel which prevents transparency of a transparent conductive film configuring an input position detection electrode from being significantly deteriorated even when the connection section of a flexible wiring board to a cover glass is hidden by a lower layer side print layer, and a method for manufacturing the touch panel.例文帳に追加

カバーガラスに対するフレキシブル配線基板の接続部分を下層側の印刷層により隠した場合でも、入力位置検出用電極を構成する透光性導電膜の透明度が大幅に低下することを防止することのできるタッチパネルおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises: a semiconductor substrate 12; an epitaxial layer 14 on a surface of the semiconductor substrate 12, which has a dissociation temperature lower than that of the semiconductor substrate; a zone 16 of increased carrier concentration, which is formed in the substrate; and a metal layer 18.例文帳に追加

半導体デバイス１０は、半導体基板１２と、該半導体基板の表面上にあり、半導体基板の解離温度未満の解離温度を有するエピタキシャル層１４と、半導体基板内に形成された漸増キャリヤー濃度帯１６と、金属層１８とから構成される。 - 特許庁

The flowing in of blood flow is limited by the porous gelatin layer 3 with lower porosity, infiltration of cartilage cells into the gelatin layer 2 with higher porosity is accelerated, thereby the growth of the cartilage cells is accelerated and early time restoration of the lost part formed in the cartilage can be attained.例文帳に追加

気孔率の低い多孔質ゼラチン層３によって血流の流入を制限しつつ、気孔率の高い多孔質ゼラチン層２への軟骨細胞の侵入を促して、軟骨細胞の成長を促進し、軟骨に形成された欠損部の早期修復を図ることができる。 - 特許庁

At least one of the semiconductor layer and lower wiring layer is formed below at least a portion of the fixed potential wiring and the bonding pad for fixed potential to be higher than the highest surface of the signal potential wiring and the bonding pad for signal potential.例文帳に追加

固定電位配線及び固定電位用ボンディングパッドの少なくとも一部は、下層に半導体層及び下層配線層のうち少なくとも一方が形成されることにより、信号電位配線及び前記信号電位用ボンディングパッドの最も高い表面より高く形成されている。 - 特許庁

A first conductive adhesive layer 8 is interposed between the hydrogen electrode 3 and the first collector plate 6 and a second conductive adhesive layer 9 is interposed between the oxygen electrode 4 and the second collector plate 7 to lower the contact resistance between the electrodes and the collector plates.例文帳に追加

第１の導電性接着剤層８が水素電極３と第１の集電板６との間に介在し、第２の導電性接着剤層９が酸素電極４と第２の集電板７との間に介在して、電極と集電板との接触抵抗を低下させる。 - 特許庁

A copper-covered steel rod for a ground electrode, of a thick copper layer and with extremely high conjugationality between the copper layer and the steel rod can be manufactured at lower cost than the conventional one, by recycling ones removed from a railway trolley line of a Shinkansen or the like after use.例文帳に追加

使用後の新幹線等の鉄道用トロリ線で撤去されたものを再利用することにより、従来のものと比して、銅層が厚く、更に銅層と鋼芯との間の接合性が極めて高い接地電極用銅覆鋼棒を低いコストで製造することができる。 - 特許庁

The relay electrode pad RP of the lower layer first chip 12 electrically connected to a substrate terminal BP of the mounting substrate 10 via the coupling electrode pad P thereof is electrically connected to the coupling electrode pad P of the upper layer second chip 16 by wiring 27.例文帳に追加

そして、実装基板１０の基板端子ＢＰにその連結電極パッドＰを介して電気的に接続された前記下層の第１チップ１２の中継電極パッドＲＰと前記上層の第２チップ１６の連結電極パッドＰとが配線２７により電気的に接続される。 - 特許庁

A carbide layer of a metal selected among Cr, Mo, W and their alloys is formed as a Schottky electrode, and a layer of a metal selected among Cr, No, W and their alloys is formed thereon to suppress the variations of the device characteristics to a lower extent.例文帳に追加

ショットキー電極としてクロム、モリブデン、タングステン乃至それらの合金から選択された金属の炭化物層を形成し、更にその上にクロム、モリブデン、タングステン乃至それらの合金から選択された金属層を形成することで、デバイス特性の変動を小さく抑える構成を有している。 - 特許庁

A barrier correction layer 20 between a surface anode and the cathode part which is inside an epitaxial layer is formed so as to lower or raise the threshold turn-on electric potential of a Schottky diode depending on whether a diode junction silicide is formed of Ti or Pt.例文帳に追加

表面アノードとエピタキシャル層の内部のカソード部との間にあるバリア修正層（２０）を、ダイオード接合シリサイドがＴｉを用いて形成されているかＰｔを用いて形成されているかに応じて、ショットキ・ダイオードのスレショルド・ターンオン電位を低下又は上昇させるように設計する。 - 特許庁

The positive photosensitive lithographic printing plate is obtained by sequentially stacking on an aluminum support a lower layer containing an alkali-soluble resin and an acid-decomposable compound but not containing a photothermal conversion compound and an upper layer containing an alkali-soluble resin and a photothermal conversion compound.例文帳に追加

アルミニウム支持体の上に、アルカリ可溶性樹脂かつ酸により分解する化合物を含み、かつ光熱変換化合物を含まない下層と、アルカリ可溶性樹脂及び光熱変換化合物を含む上層を順次積層することを特徴とするポジ型感光性平版印刷版。 - 特許庁

Since electrophoresis particles in the microcapsules 7a and the ITO electrode 2 pull each other, microcapsules 7a is attracted to the side of the ITO electrode 2, and microcapsules 7a of the upper layer which are overlapped with each other enter easily into gaps of microcapsules 7a of the lower layer.例文帳に追加

マイクロカプセル７ａ内の電気泳動粒子とＩＴＯ電極２とが引き合うから、マイクロカプセル７ａはＩＴＯ電極２側に引きつけられることになって、重なりあっている上層のマイクロカプセル７ａは、下層のマイクロカプセル７ａどうしの隙間に入り込みやすくなる。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal display device having a wiring structure which can avoid problems arising when a Cu material is used and suppress a disclination defect due to a step of a lower-layer side wiring line and a wire breaking defect of an upper-layer side wiring line, and its manufacturing method.例文帳に追加

Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a bonding pad for a printed circuit board capable of reducing a pitch interval between respective wire bonding pads, by preventing a nickel plating layer and a gold plating layer from protruding at a lower end of a side face of a copper pattern when they are formed on the copper patterns, and to provide a method for forming it.例文帳に追加

銅パターン上に形成されるニッケルメッキ層と金メッキ層とが銅パターンの側面の下方端部から突出しないようにすることで、各ワイヤボンディングパッドの間のピッチ間隔を減らし得る印刷回路基板のボンディングパッド及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

A mold 30 constituted of a resin layer 31 including a recess 31a corresponding to a predetermined pattern is used to confront metal glass 50 with the recess 31a, and the metal glass 50 is heated at a temperature higher than a glass transition temperature Tg into a temperature lower than a thermo-resistant temperature of the resin layer 31.例文帳に追加

所定のパターンに対応した凹部３１ａを有する樹脂層３１からなる成形型３０を用いて、凹部３１ａに金属ガラス５０を対向させ、金属ガラス５０をそのガラス遷移温度Ｔｇより高い温度でかつ樹脂層３１の耐熱温度より低い温度に加熱する。 - 特許庁

The upper magnetic pole layer comprises a first portion 15a, located in the area which includes the area which faces the thin film coils 12, 18, a second portion 15b which forms the magnetic pole portion, and a third portion 15c for connecting the first portion 15a to the lower magnetic pole layer.例文帳に追加

上部磁極層は、薄膜コイル１２，１８に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分１５ａと、磁極部分を形成する第２の部分１５ｂと、第１の部分１５ａと下部磁極層とを接続するための第３の部分１５ｃとを有している。 - 特許庁

Only an electrode for connecting to external out going lines or a plurality of pads 11, a plurality of contact holes 12 for making conduction with respective wirings formed on a lower position layer and leading wirings 13 for leading respective pads 11 to predetermined contact holes 12 are formed on the uppermost position layer.例文帳に追加

その最上位層には、外部引出し線に接続するための電極である複数のパッド１１と、下位層に形成された各配線と導通をとるための複数のコンタクトホール１２と、各パッド１１を所定のコンタクトホール１２まで引き回すための引回し配線１３とのみを形成する。 - 特許庁

Then, a source-drain electrode 5 is provided to the pair of p^+-type contact layers 4 in ohmic contact, and a gate electrode 6 is provided on the exposure surface of an n^+-type contact layer 2, provided on the lower side of the channel layer 3 in ohmic contact, thus forming the junction FET.例文帳に追加

そして、一対のｐ^+型コンタクト層４上にオーミックコンタクトするようにソース・ドレイン電極５が設けられ、チャネル層３の下側に設けられるｎ^+型コンタクト層２の露出面上にオーミックコンタクトするようにゲート電極６が設けられることにより、接合型ＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the periphery of an upper layer metal film of multilayer metal films formed on an electrode is prevented from turning up or being separated by the side etch of the lower layer metal film, and to provide a method of manufacturing such a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、電極上に形成された複層金属膜のうちの下層金属膜のサイドエッチによる上層金属膜周辺の捲れや剥がれを防止し、電極の保護を目的とした半導体装置及びそのような半導体装置の製造方法を提供することを課題する。 - 特許庁

When the device main body is vibrated, by randomly changing a value indicating the arrangement of audio contents in the reproduction list, the possibility is given to temporarily arrange contents positioned in the lower layer of the reproduction list in an upper layer when arranged based on an original parameter.例文帳に追加

装置本体が振動されたとき、再生リストにおけるオーディオコンテンツの配置を表す値をランダムに変更することによって、元のパラメータに基づいて配置されたときには再生リストで低層に位置するコンテンツに対して、一時的に上層に配置される可能性が与えられる。 - 特許庁

Further, at least one of the contacts have a plurality of parts sectioned by the conductor layers such that an opening portion of a contact connected to a lower layer is smaller in internal diameter than an opening portion of a contact sectioned by an upper conductor layer.例文帳に追加

また、コンタクトのうち少なくとも１つは、導電体層で区切られた複数の部分を有し、上層の導電体層に区切られるコンタクトの内径より、下層の導電体層に接続されるコンタクトの開口部の内径が小さいことを特徴とすることもできる。 - 特許庁

The first high-permittivity oxide film layer 103 is formed on the lower electrode of Ru or Ir in an atmosphere where an oxidative effect is weakened, and the second high-permittivity oxide film 104 is formed on the first high-permittivity oxide film layer 103 in an atmosphere where an oxidative effect is enhanced.例文帳に追加

第１の高誘電率酸化膜層１０３は、酸化力を下げた雰囲気中でＲｕ、Ｉｒによる下部電極層１０２上に形成し、第２の高誘電率酸化膜層１０４は、酸化力を上げた雰囲気中で、第１の高誘電率酸化膜層１０３上に形成する。 - 特許庁

The low frequency sound absorbing material 2a includes: a material which has an excellent sound absorbing characteristic in a low frequency region, for example: a film 21 composed of silicone rubber including inorganic compound which is laid at the reinforcement layer side; and a porous body layer 22 which is stacked in the lower face side of the film 21.例文帳に追加

低周波吸音材２ａは、低周波領域において優れた吸音特性を発揮する材料、例えば、補強層側に配置される無機化合物を含むシリコーンゴムから成る膜２１と、膜２１の下面側に積層された多孔質体層２２とを備えている。 - 特許庁

On an operation surface 13, a low-friction layer 17 having a friction coefficient lower than that of an elastic member 11 is formed on the elastic member 11 on top thereof; and the low-friction layer 17 in parts corresponding to contacts 20A1-20A6 are removed to form recessed groove parts 13A1-13A6.例文帳に追加

操作面１３には弾性部材１１上に、弾性部材１１よりも低い摩擦係数を有する低摩擦層１７が重ねて形成され、接点２０Ａ１〜２０Ａ６に対応する部分の低摩擦層１７は除去されて、凹溝部１３Ａ１〜１３Ａ６が形成されている。 - 特許庁

Polyamideimide 50 exists densely in a lower layer part C1 of the resin C, and silicone 60 exists densely in an upper layer part C2 of the resin C so that polyamideimide 50 having excellent bonding property adheres near a surface 2a of the slide part and a surface of the resin C can be covered with silicone 60 having non-adhesive property.例文帳に追加

しかも、樹脂Ｃの下層部Ｃ１にはポリアミドイミド５０が密に、樹脂Ｃの上層部Ｃ２にはシリコン６０が密に存在することで、摺動部表面２ａ近傍には接着性のよいポイアミドイミド５０が付着し、かつ樹脂Ｃ表面を非粘着性のシリコン６０で覆うことができる。 - 特許庁

To provide a laminated label which can lessen such a situation that print of lower layer side ink and upper layer side ink move to either of the labels or are shifted from each other, and which can be efficiently printed by a printer performing multi-color printing through one process, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

下層側インキと上層側インキとが各々のラベルのどちらかに印刷が移ったりずれたり等の事態を少なくすることができるとともに、多色印刷を一回の工程で行うことができる印刷機により効率よく印刷することできるようにする - 特許庁

In an element substrate 10 of the reflective liquid crystal device 100, first contact holes 41a and 41b comprising a lower layer side light reflecting film and connecting a data line 5a and a relay electrode 5b and a field effect transistor 30 are formed at positions to overlap with an upper layer side light reflecting film 7a.例文帳に追加

反射型液晶装置１００の素子基板１０では、下層側光反射性膜からなるデータ線５ａおよび中継電極５ｂと電界効果型トランジスタ３０とを接続する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂは上層側光反射膜７ａと重なる位置に形成されている。 - 特許庁

Furthermore, the washing drainage is agitated while blowing in air by an aerating type agitator 5, so that the aggregates float entraining air, and the washing drainage is separated in an upper aggregate layer 20 with the relatively large ratio of aggregates, and a lower water layer 21 without the large ratio of aggregates.例文帳に追加

更に、この洗濯排水は曝気型攪拌機５によって空気を吹き込みながら攪拌されるため、前記凝集体は空気を巻き込んで浮上し、洗濯排水は凝集体の割合が比較的多い上方の凝集体層２０と、そうでない下方の水層２１とに分離する。 - 特許庁

To provide a knitted fabric which can quickly transfer water from a surface layer to intermediate layers and further a lower layer to always give a dry touch to the surface of the fabric, has excellent functions such as the excellent touch, and does not deteriorate the functions even when repeatedly washed using high concentration sodium hypochlorite solutions.例文帳に追加

表層から水分を素早く中間層、下層へと移行させ、生地表面は常にドライ感があり、肌触りなどの機能が優れているとともに、高濃度次亜塩素酸ソーダ洗濯を繰り返してもそれらの機能が低下することがない編地を提供する。 - 特許庁

For this organic photoreceptor having at least a photosensitive layer on a conductive support, the surface layer of this organic photoreceptor has a hydrophobicity of 50 or higher, a hydrophobicity distribution of 25 or lower, and an average primary particle size of 3-150 nm.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも感光層を有する有機感光体において、該有機感光体の表面層が、疎水化度が５０以上、疎水化度分布値が２５以下であり且つ数平均一次粒径が３〜１５０ｎｍの無機粒子を含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

The powder layer forming part 4 includes: a plurality of chambers 43 which has a window 44 allowing the light beam L to pass through, on the upper face, and whose lower part is opened to cover the powder layer 31; and air supply openings 73 for an inert gas performing the removal of fume in the chambers 43 and cleaning treatment for window cleaning.例文帳に追加

粉末層形成部４は、光ビームＬを透過させるウィンドウ４４を上面に有し、下方が開口して粉末層３１を覆う複数のチャンバー４３と、チャンバー４３内のヒュームの除去とウィンドウ清掃の清掃処理を行なう不活性ガスの給気口７３を有している。 - 特許庁

To provide a bilayer-type bleaching cosmetic having high bleaching effects, providing excellent fresh feeling, compatibility with the skin and pliancy of the skin after coating when being used, and having excellent aesthetic properties of appearance separated to two layers of a transparent upper layer and a gel-shaped lower layer when being stood still, and good redispersibility and preservation stability.例文帳に追加

美白効果が高く、使用時のみずみずしい感触、肌なじみ、あと肌のしなやかさに優れ、静置時には透明な上層とゲル状の下層の二層に分離する外観の審美性に優れ、再分散性及び保存安定性が良好な二層型美白化粧料を提供すること。 - 特許庁

Thus, the value of resistance and the heat release and reduced by enlarging the size of width in height direction for the second coil segment 41 and enlarging the cross section, and the size of the upper core layer 39 and the lower core layer 29 is made equal to, or smaller than, the conventional one at the same time.例文帳に追加

これによって、第２コイル片４１のハイト方向幅寸法を大きくし、断面積を大きくして抵抗値、発熱量の低減を図ると同時に、上部コア層３９及び下部コア層２９の大きさを従来と同じか従来より小さくすることが可能になる。 - 特許庁

An insulator layer 6 is provided on a part of an outside from the recess 5 of the upper surface 3a of the lower electrode board 3 so as to form a gap of a suitable size S between the inner periphery of the layer 6 and the outer periphery of the recess 5 over the entire periphery of the recess 5.例文帳に追加

前記下部電極盤３の上面３ａのうち前記凹所５より外側の部分に、絶縁体層６を、当該絶縁体層６の内周と前記凹所の外周との間に適宜寸法Ｓの隙間を前記凹所５の全周囲にわたって形成するように設ける。 - 特許庁

In a circuit board 1 including three layers or more of wiring layers 11, 12, 13 and 14, coil patterns 21 and 22 are formed at least on the wiring layer 11 of a front surface and the wiring layer 12 immediately below it, and these upper and lower coil patterns 21 and 22 are electrically connected to a conductor 23.例文帳に追加

３層以上の配線層１１，１２，１３，１４を有する回路基板１において、少なくとも、おもて面の配線層１１とその直下の配線層１２にコイルパターン２１，２２を形成し、それら上下のコイルパターン２１，２２を導電体２３により電気的に接続する。 - 特許庁

In the polyester laminated film formed of at least two layers such as a layer substantially without molecular orientation and a layer substantially with molecular orientation, the index of refraction Nz, in the thickness direction, of the polyester laminated film is not lower than 1.480 and the piercing strength of the film is not more than 8.0 N.例文帳に追加

実質的に分子配向がない層と分子配向を有する層の少なくとも２層からなるポリエステル系積層フィルムであって、該ポリエステル系積層フィルムの厚み方向の屈折率Ｎｚが１．４８０以上、突刺し強度が８．０Ｎ以下であることを特徴とする。 - 特許庁