「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(167ページ目) - Weblio英語例文検索

The water W containing micro bubbles generated with a micro bubble generator is supplied to the internal space 15a of a lower part frame 15, micro bubbles k are supplied into the storage water layer formation chamber 18 from a communicating hole 15b to turn the bubbles in the storage water layer formation chamber 18 into a white turbidity state.例文帳に追加

マイクロバブル発生装置によって生成されたマイクロバブルを含む水Ｗを下部横枠１５の内部空間１５ａ内に供給し、連通孔１５ｂから前記貯水層形成室１８内にマイクロバブルｋを供給し、貯水層形成室１８内のダブルを白濁状態にする。 - 特許庁

A movement quantity estimation part 200 using an LL method decodes an LL sub-band coefficient of the top layer or a lower layer by an LL decoding part 201 and a movement quantity estimation calculation part 202 performs estimation calculation of a movement quantity of a frame based upon LL sub-band coefficients of adjacent frames.例文帳に追加

ＬＬ法による動き量推定部２００は、ＬＬデコード部２０１で最上位階層又はそれより下位の階層のＬＬサブバンド係数をデコードし、動き量推定計算部２０２で隣接フレームのＬＬサブバンド係数を基にフレームの動き量の推定計算を行う。 - 特許庁

The method of forming the PCMO thin film having a bipolar switching characteristic comprises: a step 602 of forming a lower electrode; a first deposition step 606 of depositing an ultrafine crystal PCMO layer; a second deposition step 608 of depositing a polycrystalline PCMO layer; and a step 610 of forming a multilayer PCMO film having a bipolar switching characteristic.例文帳に追加

下部電極を形成する工程６０２と、超微細結晶ＰＣＭＯ層を堆積する第１堆積工程６０６と、多結晶ＰＣＭＯ層を堆積する第２堆積工程６０８と、バイポーラスイッチング特性を備える多層ＰＣＭＯ膜を形成する工程６１０と、を有する。 - 特許庁

The construction method of the paving material comprises steps of spreading and leveling the drying and solidification accelerating material (lower layer) on a soil foundation, spreading and leveling the reinforced foundation material (intermediate layer) to be compacted and sprayed with water, and spreading and leveling the surface paving material to be roller compacted and surface finished for forming a pavement surface.例文帳に追加

施工方法は、土砂の基盤に当該乾燥固化促進材（下層）を敷き均し，その上に当該基盤強化材（中層）を敷き均し、締め固め・散水する工程と、当該表面舗装材を敷き均し、転圧、表面仕上げを行い、舗装面を形成する。 - 特許庁

The second substrate 30 onto which the uppermost layer portion 12b of the density region 12 is transferred is used as a semiconductor substrate to be acquired by this method, and the first substrate 20 in which the lower layer 12a of the density region 12 remains is re-utilized as a substrate as epitaxial growth.例文帳に追加

低転位密度領域１２の表層部１２ｂが転写された第２の基板３０は本発明の製造方法で得られる半導体基板とされ、低転位密度領域１２の下層部１２ａが残存した状態の第１の基板２０は再度エピタキシャル成長用の基板として利用される。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 10 is configured with an interlayer dielectric 11 with a contact hole 11a, a lower electrode 12 provided in the contact hole 11a, an adhesive layer 14 provided on the interlayer dielectric 11 in this order, the recording layer 15, and an upper electrode 16.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１０は、コンタクトホール１１ａを有する層間絶縁膜１１と、コンタクトホール１１ａ内に設けられた下部電極１２と、層間絶縁膜１１上にこの順に設けられた接着層１４、記録層１５及び上部電極１６とを備えて構成されている。 - 特許庁

This thin-film capacitor 10 is provided with a glass epoxy substrate 1 in which a through-hole 2 is formed, and a laminated structure like an array in which an infrared light reflecting layer 3 for reflecting infrared rays, a lower electrode 4, a dielectric layer 5, and an upper electrode 6 are formed successively on the glass epoxy substrate 1.例文帳に追加

本薄膜コンデンサ１０は、スルーホール２を貫通させたガラスエポキシ基板１と、ガラスエポキシ基板１上に、順次、形成された、赤外線を反射する赤外光反射層３と、下電極４と、誘電体層５と、上電極６との積層構造をアレイ状に備えている。 - 特許庁

Molecule or mycrocrystal, particulate (molecule or the like) of a piezoelectric material is oriented in an orientation area 14 of a piezoelectric material layer 11 so that a direction may be radially arranged where elasticity produced by application of voltage is large, and a pair of electrodes 12 and 13 are provided on upper and lower sides of the piezoelectric material layer 11.例文帳に追加

圧電体の分子又は微結晶又は微粒子（分子等）を、配向領域１４内において、電圧の印加により生じる伸縮の大きい方向が放射状に並ぶように配向させた圧電材料層１１の上下に、１対の電極１２及び１３を設ける。 - 特許庁

The catheter 10 is produced to have a fluorocarbon resin based solid lubricant layer 5 on the peripheral surface of the stainless steel cylindrical shaft 1, wherein the above peripheral surface is coated with the material for the above solid lubricant layer, and the above material is treated with heat of 340°C or lower.例文帳に追加

ステンレス鋼製の管状シャフト１の外周面にフッ素樹脂系の固体潤滑剤層５を形成してカテーテル１０を得るにあたって、前記固体潤滑剤層の材料を前記外周面上にコーティングし、その後に前記材料を３４０℃以下で熱処理する。 - 特許庁

The seismic response control frame for the high-rise or super-high-rise building has dampers 4 installed at a core peripheral part frame in a lower layer part where shearing deformation exceeds flexural deformation, and dampers 5 installed at an outer peripheral part frame in an upper layer part where flexural deformation exceeds shearing deformation.例文帳に追加

高層ないし超高層建物を対象とする制震架構であって、曲げ変形よりもせん断変形が卓越する下層部にはコア周部架構にダンパー４を設置し、せん断変形よりも曲げ変形が卓越する上層部には外周部架構にダンパー５を設置する。 - 特許庁

In the stacked image sensor capable of simultaneously obtaining the color image and the black-and-white image containing IR information, the color image and the black-and-white image are obtained at upper layer parts; and at lower layer parts, image sensitivity is improved through a stacked structure for obtaining the IR information.例文帳に追加

カラー映像と、ＩＲ情報を含む白黒映像とを同時に獲得することができる積層型イメージセンサーに関し、上層部では、カラー映像と白黒映像とを獲得し、下層部では、ＩＲ情報を獲得する積層型構造を通じてイメージの感度を向上させる。 - 特許庁

The thin film piezoelectric resonator includes: a piezoelectric resonance stack 12 having a piezoelectric layer 2 and an upper electrode 10 and a lower electrode 8 formed so as to be opposite to each other on both sides of the piezoelectric layer 2; a gap 4 formed under the piezoelectric resonance stack 12; and a substrate 6 supporting the piezoelectric resonance stack 12.例文帳に追加

圧電層２とそれを挟んで互いに対向するように形成された上部電極１０及び下部電極８とを有する圧電共振スタック１２と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタック１２を支持する基板６とを含んでなる薄膜圧電共振器。 - 特許庁

To provide a SMA (stone mastic asphalt) pavement body capable of securing a slip resistance value by suppressing a separation phenomenon in which an asphalt binder separates and assembles at a lower layer without cost increase and by preventing fine aggregates from decreasing at an upper layer section at the time of construction.例文帳に追加

施工時において、アスファルトバインダーが分離して下層に集まるという分離現象をコストの上昇を招くことなく抑制するとともに、上層部の細粒骨材の減少を防ぐことでスベリ抵抗値を確保することを可能にするＳＭＡ舗装体を提供する。 - 特許庁

Therefore, a distance between the conductors in a pattern of the lower-layer conductors 3' and in a pattern of the upper-layer conductors 55, which the separate conductor layers have, is larger, compared with that in the case when the conductors connected to the electrodes in a plurality are provided on the same plane.例文帳に追加

よって、上記複数の電極に接続された配線が同一面上に設置された場合と比べて、それぞれの配線レイヤーが有する下層配線３’のパターンにおける配線間の距離、及び、上層配線５５のパターンにおける配線間の距離が大きくなる。 - 特許庁

A multilayer insulation-covered electric conductor is provided as a covered metal conductor wherein a lower insulation cover layer that touches the uppermost layer among the multiple insulation cover layers is made of a polyamidimide resin, and the ratio between the number of amide groups and the number of imide groups in the polyamidimide resin is 45:55 to 1:99.例文帳に追加

多層絶縁被覆電気導体であって、多層絶縁被覆層の最上層に接触する下層の絶縁被覆層がポリアミドイミド樹脂からなり、前記ポリアミドイミド樹脂のアミド基数とイミド基数の比率が、アミド基：イミド基で４５：５５〜１：９９である被覆金属導体。 - 特許庁

A dismantling device 1 dismantling by cutting flat plate material comprising at least two layers of laminating materials laminated by an adhesive layer or flat plate material with a part peeled off has at least a cutter 8 separating a lower layer of the flat plate material.例文帳に追加

少なくとも２層の積層材を接着剤層で積層してなる平板材を又はその一部が剥離された平板材を切削により解体する解体装置１であって、前記平板材のうちの下層を剥離させるカッター８を少なくとも有して構成されていることである。 - 特許庁

The hot stretching molded multilayer container is obtained by drawing a multilayer sheet having a laminate of a resin composition A layer containing a saponified ethylene-vinyl acetate copolymer A1 and a polyamide resin A2 having a melting point of 160° C or lower, and a thermoplastic resin B layer at a draw ratio of a range of 4 to 20.例文帳に追加

エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（A1）及び融点が１６０℃以下のポリアミド系樹脂（A2）を含有してなる樹脂組成物（Ａ）層と熱可塑性樹脂（Ｂ）層との積層体を含んでなる多層シートを、絞り比が４〜２０の範囲で絞り成形してなる。 - 特許庁

The pattern of the lower wiring layer Ma of the monitor mark formation region and a pattern of wiring trenches TRb (or upper wiring layer Mb) include repetitive patterns, respectively, in a rectangular region R having a breadth of 3 μm-100 μm and extend in the same direction parallel with each other.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと配線溝ＴＲｂ（または上層配線層Ｍｂ）のパターンとは３μｍ〜１００μｍ□の広さを有する矩形領域Ｒ内において、繰り返しパターンを有しており、かつ互いに同じ方向に平行に延びている。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

A three-dimensional integrated circuit laminate comprises: a semiconductor substrate laminate formed by stacking at least two or more layers of semiconductor substrates in which a semiconductor device layer is formed thereon; and a first interlaminar filler layer containing a resin (A) and an inorganic filler (B) having dielectric constant of 6 or lower, between the semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び誘電率が６以下の無機フィラー（Ｂ）を含有する第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 - 特許庁

A magnetic domain control base layer is formed at the lower section of a magnetoresistance effect multilayer film for bringing a magnetic domain control film into contact with both side end faces of the free layer, thus appropriately controlling the magnetic domain while miniaturizing an unnecessary bias magnetic field from the magnetic domain control film.例文帳に追加

磁区制御下地層を磁気抵抗効果多層膜の下部に形成することにより、磁区制御膜を自由層の両側端面に接触させて、磁区制御膜からの余分なバイアス磁界を最小化した状態で適切な磁区制御を実現することができる。 - 特許庁

A CPP structure indicates "a structure comprising a columnar conductive part and insulator part surrounding its periphery" worked in a vertical direction to layers for passing a current from an upper layer to lower layer (or in the reverse direction), in a wiring circuit and an electronic element having a multilayer structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造は、多層構造を持つ電子素子、配線回路において、上層から下層（あるいはその反対方向）に電流を流すために、層に対して垂直な方向に加工された「柱状の導電性部分とその周辺を囲う絶縁体部分からなる構造」を指す。 - 特許庁

At least one of the lower clad layer 12 and upper clad layer 22 is made of a cured body of a photocuring resin composition containing (A) urethane (meth)acrylate oligomer, (B) a reactive diluted monomer, (C) elastomer particles of 1 to 100 nm in number average particle size, and (D) a photoinitiator.例文帳に追加

下部クラッド層１２及び上部クラッド層２２のうち少なくとも１つは、（Ａ）ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、（Ｂ）反応性希釈モノマー、（Ｃ）数平均粒径が１〜１００ｎｍであるエラストマー粒子、及び（Ｄ）光重合開始剤を含む光硬化性樹脂組成物の硬化物からなる。 - 特許庁

Even when a leakage path is generated in the layer 14a of the larger Pb composition amount by a lead dioxide generated by electrochemical reaction under the highly humid environment, since the leakage path is not generated in the layer 14b of the smaller Pb composition amount, the decline is prevented in the insulation between upper and lower electrodes.例文帳に追加

Ｐｂ組成量の多い層１４ａに高湿度環境下で電気化学的な反応によって発生する二酸化鉛によるリークパスが発生したとしても、Ｐｂ組成量の少ない層１４ｂではリークパスが発生しないので、上下電極間での絶縁性の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide an antireflection film which realizes lower reflectance, by incorporating a low refractive index layer as a layer configuration containing silica fine particles having a porous or hollow inner portion, which has superior film strength, uneveness properties and contamination preventing property of the film surface, and which is to be used for a liquid crystal display apparatus.例文帳に追加

内部が多孔質または空洞であるシリカ系微粒子を含有する低屈折率層を層構成として含むことで反射率をより低減した、膜強度、ムラ、膜表面の防汚性に優れた、液晶表示装置用として使用するための反射防止フィルムを提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層２４を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するＭＯＳトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板１上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

After the cavity of the metallic mold having the heat insulating layer is filled with a melted resin by injection, the temperature of the resin contacted with the stamper can be made higher by the heat insulating action of the heat insulating layer even when the metallic mold of lower temperature than the usual is used.例文帳に追加

このような断熱層を用いて金型のキャビティに溶融樹脂を射出充填すると、断熱層の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分な転写性が得られる。 - 特許庁

To provide a generation method for mask data applied to manufacture of a semiconductor device provided with an inter-layer insulating layer with an excellent embedding property between adjacent wiring layers even for a design rule of 0.13 μm generation or lower for instance, and a mask, a recording medium and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

例えば０．１３μｍ世代以下のデザインルールであっても、隣接する配線層間の埋め込み性に優れた層間絶縁層を有する半導体装置の製造に適用されるマスクデータの生成方法、マスクおよび記録媒体、ならびに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device having MOS transistors that have been continuously arranged in the direction of the plane of a substrate, a gate electrode and a wiring section that connects the gate electrodes (part shown by an arrow 13 in the figure) are embedded in a layer lower than the front surface of a substrate 10 where a diffusion layer 14 is formed.例文帳に追加

基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部（矢印１３で図示する箇所）が、拡散層１４が形成される基板１０の表面より下層に埋め込まれている。 - 特許庁

When the silicon wafer 1 is heat treated at 1150°C, implanted oxygen ions and defects generated by ion implantations are allowed to grow as nuclei and a fine defect layer 5 of 1-2 μm thickness which includes growing deposited nuclei 4 is formed on the lower area of the epitaxial layer 2 as a gettering site.例文帳に追加

次に、１１５０℃で熱処理することにより、注入された酸素イオン及びイオン注入により生じた欠陥を核として成長させ、エピタキシャル層２の下部領域に、ゲッタリングサイトとなる成長した析出核４を含んだ厚さ１〜２μｍの微小欠陥層５を形成する。 - 特許庁

To form a polishing stopper film with a low dielectric constant on an organic interlayer insulating film of a semiconductor device having a multi-layered wiring structure with the organic interlayer insulating film and to form a wiring pattern of an upper layer stably in a favorable yield even if a lower-layer wire is dished.例文帳に追加

有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。 - 特許庁

The ground 1 is excavated with a strut 9 and a wale 5 of a layer directional steel frame structure 10 and a strut 9a and a wale 5a of a layer directional steel frame structure 10a as timbering of a land slide protection wall 3, and lower floorslab concrete 23 is formed with a horizontal member 8 as a part of a regular member.例文帳に追加

層方向鉄骨構造１０の切梁９と腹起こし５、層方向鉄骨構造１０ａの切梁９ａと腹起こし５ａを山留め壁３の支保工として地盤１を掘削し、水平部材８を本設用部材の一部として下床版コンクリート２３を形成する。 - 特許庁

A 1.7-3.0 μm thick silicon oxide film layer 2 is formed on the single crystal silicon substrate 1, and on the silicon oxide film layer 2 on the front surface side of the silicon substrate 1, a Pt lower electrode 3, a piezoelectric thick film 4 of barium titanate zirconate, and an Au upper electrode 5 are sequentially laminated.例文帳に追加

単結晶のシリコン基板１に、厚み１．７〜３．０μｍの酸化シリコン膜層２が形成され、シリコン基板１の表面側の酸化シリコン膜層２に、Ｐｔ下部電極３、チタン酸ジルコン酸バリウム系圧電体厚膜４、およびＡｕ上部電極５が順次積層されている。 - 特許庁

Also, the lower layer coil performs a part as the etching stopper since it has a selection ratio to the RIE of alumina or an inorganic compound containing alumina, therefore, the upper layer coil groove is stably formed, resultantly the coil film thickness can be stably formed, and the shortening of the magnetic path length is attained.例文帳に追加

また、下層コイルは、アルミナ、アルミナを含む無機化合物のＲＩＥに対し選択比があるのでエッチングストッパーとしての役割を果たすため上層コイル溝を安定に形成することができ結果的にコイル膜厚を安定に形成することができ、短磁路長化が可能となる。 - 特許庁

A first Zr oxide film 32, which is a lower layer part of a gate insulating film, is formed on a p-type silicon substrate 30 by sputtering, using a Zr target 10 where a Zr oxide layer 11 is formed on a surface in an atmosphere of Ar gas inside a chamber.例文帳に追加

チャンバー内をＡｒガスの雰囲気にしながら、表面部にＺｒ酸化物層１１が形成されたＺｒターゲット１０を用いてスパッタリングを行なうことにより、ｐ型シリコン基板３０上にゲート絶縁膜の下層部となる第１のＺｒ酸化物膜３２を形成する。 - 特許庁

The printing plate material has an image forming layer on a substrate, having a hydrophilic surface where the reflective density of the hydrophilic surface is ≥1.0 and the reflective density of the image forming layer is lower by ≥0.2 than the reflective density of the hydrophilic surface.例文帳に追加

親水性表面を有する基材上に画像形成層を有する印刷版材料において、該親水性表面の反射濃度が１．０以上であり、該画像形成層の反射濃度が該親水性表面の反射濃度より０．２以上低いことを特徴とする印刷版材料。 - 特許庁

Two layered resist layers consisting of a lower resist layer 2 which is relatively higher in an etching rate with respect to a developer and an upper resist layer 3 which is relatively smaller in an etching rate are exposed to form the resist patterns 1 of an undercut shape and thereafter the resist patterns 1 are subjected to slimming of their widths.例文帳に追加

現像液に対してエッチング速度が相対的に大きな下層レジスト層２と、エッチング速度が相対的に小さな上層レジスト層３からなる２層レジスト層を露光し、アンダーカット形状のレジストパターン１を形成したのち、レジストパターン１の幅のスリミングを行う。 - 特許庁

The elctromigration evaluation device is structured, such that a plurality of patterns, in which a lower layer wiring 3 and a via 2, and an upper layer wiring 1 and the via 2 are electrically connected in series, and they are provided with turnips and arranged in plurality of rows.例文帳に追加

この発明にかかるエレクトロマイグレーション評価装置は、下層配線３とビア２と上層配線１とビア２を電気的に直列に接続したパターンを複数個電気的に直列に接続し、これを、折り返し部分１０を設けて複数列に並ぶように構成してなる。 - 特許庁

Each of the particles 40 has a metallic magnetic particle 10 containing iron, a lower layer coat 20 surrounding the surface of the particle 10 and containing non-ferrous metal, and an insulating upper layer coat 30 surrounding the surface of the coat 20 and containing an inorganic compound.例文帳に追加

複数の複合磁性粒子４０の各々は、鉄を含む金属磁性粒子１０と、金属磁性粒子１０の表面を取り囲み、非鉄金属を含む下層被膜２０と、下層被膜２０の表面を取り囲み、無機化合物を含む絶縁性の上層被膜３０とを有する。 - 特許庁

Alternatively, the D hardness of the second polymer material forming the inner layer 24 is higher than the D hardness of the first polymer forming the outer layer 22 while the second smash factor of the second polymer material is lower than the first smash factor of the first polymer material.例文帳に追加

または、外側層２２を形成する第１のポリマー材料のＤ硬度よりも、内側層２４を形成する第２のポリマー材料のＤ硬度の方を高くするとともに、第１のポリマー材料の第１のミート率よりも、第２のポリマー材料の第２のミート率の方を低くする。 - 特許庁

To provide an inkjet recording head capable of performing high-quality printing with an inexpensive process under low temperatures, which keeps an etching sacrifice layer taper-angled to drastically lower the cracking probability in an etching stop layer during the formation of an ink supply port using anisotropic etching, with an improved yield.例文帳に追加

エッチング犠牲層にテーパー角を付けることによって、異方性エッチングを使ったインク供給口形成時のエッチングストップ層の割れの確率が飛躍的に低下して歩留まりが向上し、低温で安価なプロセスを使って高品位な印字が可能なインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

The paper tube is a laminate roller formed of paper, polyimide, and paper by coating paper made of sheet type cellulose fiber with a binder (adhesive), winding the paper in a roller shape while applying a fixed load, inserting the one lower layer 67 nearby the surface layer, and further winding the paper.例文帳に追加

紙管６６は、シート状のセルロース繊維からなる紙にバインダー（接着剤）を塗布し、一定荷重を掛けながら巻き付けてローラ状に形成していき、表層付近に下層６７を一層挿入し、さらに紙を巻き付けて紙−ポリイミド−紙の積層ローラとしている。 - 特許庁

For example, the lower electrode layer 103 is a conductive thin film as thick as 20 nm made of ruthenium and nitrogen; the metal oxide layer 104 is a metal oxide film as thick as 30 nm made of bismuth, titanium, and oxygen; and the upper electrode 105 is made of a ruthenium film as thick as 20 nm.例文帳に追加

例えば、下部電極層１０３は、ルテニウムと窒素とからなる膜厚２０ｎｍの導電薄膜であり、金属酸化物層１０４は、ビスマスとチタンと酸素からなる膜厚３０ｎｍの金属酸化物膜であり、上部電極１０５は、膜厚２０ｎｍのルテニウム膜から構成されたものである。 - 特許庁

The thermal stretch-molded multilayered container is obtained by the draw forming of a multilayered sheet, which contains a layer comprising a resin composition (A) containing a saponified ethylene/vinyl acetate copolymer (A1) and a polyamide resin (A2) with a melting point of 160°C or lower and a layer comprising a high density polyethylene resin (B), in a drawing ratio of 4-20.例文帳に追加

エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（A1）及び融点が１６０℃以下のポリアミド系樹脂（A2）を含有してなる樹脂組成物（Ａ）層と高密度ポリエチレン系樹脂（Ｂ）層とを含んでなる多層シートを、絞り比が４〜２０の範囲で絞り成形してなる。 - 特許庁

An end of the first extended portion 30 of the current blocking layer 32 terminates at a position closer to a central side without reaching the outer fine-line pattern 37, and the second extended portion 31 of the current blocking layer 32 is extendedly formed up to a lower portion of the conductor of the outer fine-line pattern 37.例文帳に追加

そして、前記電流阻止層の第１の延長部３０は、前記電極層の外郭細線パターン３７よりも中央側において終端し、前記電流阻止層の第２の延長部３１は、前記電極層の外郭細線パターン３７導体下部にまで延長形成されている。 - 特許庁