「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(164ページ目) - Weblio英語例文検索

Accordingly, the toner flying from the developing roller 35 to the photoreceptor drum 14 is promoted, then, not only the toner T1 constituting the surface layer, but also the toner T2 constituting the lower layer can be discharged toward the photoreceptor drum 14 side, then, the surface of the developing roller 35 can be effectively refreshed.例文帳に追加

これにより、現像ローラ３５から感光体ドラム１４へのトナーの飛翔が助長され、表層のトナーＴ１だけでなく下層のトナーＴ２も感光体ドラム１４側に吐出可能となり現像ローラ３５表面を効果的にリフレッシュすることができる。 - 特許庁

A laminated paper 45, wherein a lower layer paper 2 having required displays 13, 14, and 15 and an upper layer paper 22, wherein openings 33, 34, 35, and 36 to expose the displays 13, 14, and 15 respectively are provided, are stacked one on another, is used to form at least a part of the surface of the container.例文帳に追加

所要の表示１３，１４，１５，１６を設けた下層紙２とこれらの表示１３・・・１６を露出させた開口３３，３４，３５，３６を設けた上層紙２２とを互いに貼着してなる積層紙４５を用いて表面の少なくとも一部を形成した。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a device including a ferroelectric layer or a piezoelectric layer having an arbitrary planar shape more precisely at a lower cost in a short tact time, and to provide a device such as a dielectric element or a piezoelectric element thus manufactured.例文帳に追加

任意の平面形状を有する強誘電体層や圧電体層を有するデバイスを、より精度よく、しかも低コスト、短タクトタイムで形成できるようにした製造方法と、これによって得られる、強誘電体素子や圧電体素子等のデバイスを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device including an ordinary LSI circuit and an inductor component essential for a high frequency device both formed on the same substrate, wiring is formed with a laminated wiring layer of TiN/Ti/AlCu/TiN/Ti formed in order from upper layer toward lower layers in an ordinary LSI circuit region.例文帳に追加

通常のＬＳＩ回路と、高周波デバイスに必須なインダクタ素子とを同一基板上に形成した半導体装置において、通常のＬＳＩ回路領域は上層から下方に向かって順にＴｉＮ／Ｔｉ／ＡｌＣｕ／ＴｉＮ／Ｔｉとなる積層配線層により配線を形成する。 - 特許庁

After formation of a thick resin film 5 and an upper layer contact hole 51 that penetrates the film, formation of a lower layer contact hole 41 that penetrates a gate insulation film 15 and patterning of an ITO film for the purpose of forming a transparent pixel electrode are performed all together, under one resist pattern 8.例文帳に追加

厚型樹脂膜５及びこれを貫く上層コンタクトホール５１の形成後に、一つのレジストパターン８の下で、ゲート絶縁膜１５を貫く下層コンタクトホール４１の作成と、透明画素電極形成のためのＩＴＯ膜のパターニングとを一括して行う。 - 特許庁

The inspection pattern 501 is provided with multiple lower wirings 502, multiple upper wirings 503, an insulating layer 504 disposed between the lower wring 502 and upper wiring 503 and multiple contact units 505 with electrically connect upper wiring 503 and lower wiring 502, so that a contact chain where upper wirings 503 and lower wirings 502 are mutually connected in series and a pair of electrode terminals 506 and 507.例文帳に追加

検査パターン５０１は、複数の下層配線５０２と、複数の上層配線５０３と、下層配線５０２と上層配線５０３との間に備えられた絶縁層５０４と、上層配線５０３と下層配線５０２とが交互に直列に接続されたコンタクトチェーンを構成するように上層配線５０３と下層配線５０２とを電気的に接続する複数のコンタクトユニット５０５と、１対の電極端子５０６，５０７とを有する。 - 特許庁

The placing stand 12 of a plasma treatment apparatus 10 includes: a lower electrode 20 connected to a first high frequency power supply 28 and a second high frequency power supply 29; a dielectric layer 21 embedded at the center of the upper surface of the lower electrode 20; and an electrostatic chuck 22 placed on the dielectric layer 21.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０の載置台１２は、第１の高周波電源２８及び第２の高周波電源２９に接続される下部電極２０と、該下部電極２０の上面中央部分において埋設される誘電体層２１と、該誘電体層２１の上に載置される静電チャック２２とを有し、該静電チャック２２が有する電極膜３７は以下の条件を満たす。 - 特許庁

In a transparent electrode 13 with an auxiliary electrode 16 between itself and a transparent substrate 14, a first low refractive index layer 17 having a lower refractive index than the transparent substrate 14 is provided on the transparent substrate 14 side of the auxiliary electrode 16, and a second low refractive index layer 18 having a lower refractive index than the transparent electrode 13 is provided on the transparent electrode 13 side of the auxiliary electrode 16.例文帳に追加

透明基板１４との間に補助電極１６を有する透明電極１３において、補助電極１６の透明基板１４側に透明基板１４よりも屈折率の低い第１低屈折率層１７を、補助電極１６の透明電極１３側に透明電極１３よりも屈折率の低い第２低屈折率層１８を設けた構成とする。 - 特許庁

To provide a heat pump type water heater which prevents reduction of heat exchanging efficiency between coolant and water in a water heat exchanger by cooling the water stored in a lower layer of a storage tank in advance, so that a temperature of the water flowing into the water heat exchanger from the lower layer of the storage tank does not become higher than a prescribed temperature (for example, approximately 30°C).例文帳に追加

貯留タンクの下層から水熱交換器に流入される水の温度が所定温度（例えば３０℃程度）以上にならないように，前記貯留タンクの下層に貯留されている水を予め冷却しておくことにより，前記水熱交換器における冷媒と水との熱交換効率の低下を防止することのできるヒートポンプ式給湯機を提供すること。 - 特許庁

The electric wiring substrate includes a first substrate, an adhesive layer provided on the upper surface of the first substrate, and a second substrate having the lower surface adhered with the adhesive layer and the upper surface provided with an electrode pad where a plurality of irregularities are provided on the upper surface of the first substrate or the lower surface of the second substrate, and the electrode pad is located above the projecting part of the irregularities.例文帳に追加

第１の基板と、前記第１の基板上面に設けられた接着層と、前記接着層と下面とが接着され、上面に電極パッドを有する第２の基板と、を具備する電気配線基板であって、前記第１の基板上面または前記第２の基板下面に複数の凹凸が設けられ、前記凹凸の凸部の上方に前記電極パッドが位置する。 - 特許庁

A through opening part (through-hole TH) is formed in resin substrates (10, 13 and 16), a lower electrode 20 is formed covering an internal wall of the through opening part of the resin substrates, a dielectric film 21 is formed as a layer on the lower electrode, an upper electrode 23 is formed as a layer on the dielectric film, and wiring (31, 32) is formed on the resin substrates.例文帳に追加

樹脂基板（１０，１３，１６）に貫通開口部（スルーホールＴＨ）が形成されており、樹脂基板の貫通開口部の内壁を被覆するように下部電極２０が形成されており、下部電極の上層に誘電体膜２１が形成されており、誘電体膜の上層に上部電極２３が形成されており、樹脂基板上に配線（３１，３２）が形成されている構成とする。 - 特許庁

The cell culture module 1 includes: a cell culture scaffold material 10 having hollow fiber membrane meshes and a nanofiber layer disposed fluid-tightly between a lower bottom 20 and an upper cover 30; and cell injection ports 21a, 22a, 31a and 32a and openings 21b, 22b, 31b and 32b covered by sheets at the position where the lower bottom 20 and the upper cover 30 correspond to the nanofiber layer.例文帳に追加

中空糸膜メッシュとナノファイバー層を有する細胞培養足場材料１０が、下底２０と上蓋３０の間に液密に配置され、下底２０と上蓋３０が、前記ナノファイバー層に対応する位置に、シートで塞がれた細胞注入口２１ａ、２２ａ、３１ａ、３２ａと開口２１ｂ、２２ｂ、３１ｂ、３２ｂを有している細胞培養用モジュール１。 - 特許庁

This printed wiring board provided with the electronic component housing part of an inverse recessed shape structure opened to the lower side of the printed wiring board is tightly mounted to the mother board, after mounting the electronic components on an external layer circuit conductor on an upper surface and an exposed inner layer circuit conductor at the bottom part of the opening hole of an inverse recessed shape on a lower back surface.例文帳に追加

プリント配線板の下部側に開口している逆凹型構造の電子部品収納部を有するプリント配線板であって、上部表面の外層回路導体と、下部裏面の逆凹型の開口穴の底部の露出している内層回路導体に電子部品を実装してからマザーボードに密着実装することのできるプリント配線板を提供する。 - 特許庁

An optical wave guide element is installed with a conductive or a semi-conductive lower electrode 2, an epitaxial or a single-oriented buffer layer 4 set on the lower electrode 2, an epitaxial or a single oriented optical wave guide 1 provided on the buffer layer 4, and a conductive thin film or a semi-conductive thin film upper electrode 7 set on the optical wave guide 1.例文帳に追加

導電性または半導電性の下部電極２と、下部電極２上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性のバッファ層４と、バッファ層４上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性の光導波路１と、光導波路１上に設けられた導電性薄膜または半導電性薄膜の上部電極７とを具備する光導波路素子による。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode is provided with an Se layer to maximally lower a barrier Φb of an Se Fermi level Ef and a wide band gap p-type semiconductor valence, so that the wide band gap p-type semiconductor can have an ohmic contact with a resistance far lower than that of a conventional ohmic electrode provided with a metal layer having a high work function.例文帳に追加

ｐ型オーミック電極にＳｅ層を有することにより、ＳｅのフェルミレベルＥｆとワイドバンドギャップｐ型半導体の価電子帯との障壁Φｂが最も低い構成となり、ワイドバンドギャップのｐ型半導体に従来の高い仕事関数を有する金属層を設けたものよりもはるかに低い抵抗を有するオーミックコンタクトを実現することが可能となる。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a lower electrode 202; a step for forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film 204 arranged on the lower electrode 202, a step for forming a memory-stable semiconductor buffer layer 206 (normally, a metal oxide) arranged on the memory film 204, and a step for forming an upper electrode 208 arranged on the semiconductor buffer layer 206.例文帳に追加

下部電極２０２を形成するステップ、下部電極２０２の上に配置される巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）メモリ膜２０４を形成するステップ、メモリ膜２０４の上に配置されるメモリ安定半導体バッファ層２０６（通常、金属酸化物）を形成するステップ、および半導体バッファ層２０６の上に配置される上部電極２０８を形成するステップを包含する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices capable of effectively selecting or removing a semiconductor device having a pinhole in a gold film to the semiconductor device including a semiconductor pressure sensor area wherein a lower-layer electrode film is prevented from being corroded by forming the gold film on the top surface of a layered metal film having an aluminum or aluminum alloy electrode film at its lower layer.例文帳に追加

下層にＡｌまたはＡｌ合金電極膜を有する積層金属膜の最表面に金膜を形成することにより前記下層の電極膜の腐食を防止するようにした半導体圧力センサ領域を含む半導体装置に対して、金膜にピンホールを有する半導体装置を有効に選別または除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the active matrix type electrooptical device, and in the case of constructing a nonlinear element 5 as a pixel switching element and the storage capacitor 9, a lower electrode 61 for the element and a lower electrode 62 for the capacitor are formed by tantalum with oxygen, and an insulating layer 71 for the element and an insulating layer 72 for the capacitor are formed with an anodized film of the tantalum with oxygen.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の電気光学装置において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、酸素添加タンタルによって素子用下電極６１および容量用下電極６２を形成し、酸素添加タンタルの陽極酸化膜によって素子用絶縁層７１および容量用絶縁層７２を形成する。 - 特許庁

A method for producing an actuator device includes the steps of: forming a diaphragm 56 on one side of a substrate; forming a lower electrode 60 on the diaphragm 56; forming a bank 75 on the lower electrode 60; forming a piezoelectric layer 70 in a depressed part formed by the bank 75; and forming an upper electrode 80 so as to cover at least the top of the piezoelectric layer 70.例文帳に追加

基板の一方面側に振動板５６を形成する工程と、振動板５６上に下電極６０を形成する工程と、下電極６０上にバンク７５を形成する工程と、バンク７５によって形成される凹部に圧電体層７０を形成する工程と、少なくとも圧電体層７０の上面を覆うように上電極８０を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

A composite covering layer 15 including a sound insulating layer is provided in an upper inflow port part 5 and a lower outflow port part 6 of a pipe body 7 in a surrounding state of the outer peripheral surface of the pipe body 7 including the upper inflow port part 5 and the lower outflow port part 6, excluding a required riser outer fitting area and a required mounting work area of pipe connecting accessory instruments.例文帳に追加

管本体７の上部流入口部５及び下部流出口部６に対し、必要とされる立管外嵌領域や必要とされる管接続用付属器具の装着作業領域を除いて、これら上部流入口部５及び下部流出口部６を含む上記管本体７の外周面を取り囲む状態で、遮音層を含む複合被覆層１５が設けられている。 - 特許庁

By using the fact that it is unnecessary to provide a transmission area in a pixel 100a in a reflective liquid crystal device 100, lower electrode layers 11a and a dielectric layer 12 for holding capacity which extend over a plurality of pixels 100a and upper electrode layers 13a for holding capacity per pixel 100a are formed on the lower layer side of a thin film transistor 30 to constitute a holding capacity 60.例文帳に追加

反射型液晶装置１００では、画素１００ａに透過領域を設ける必要がないことを利用して、薄膜トランジスタ３０の下層側に、複数の画素１００ａの各々に跨る保持容量用下電極層１１ａ、誘電体層１２、および画素１００ａ毎の保持容量用上電極層１３ａを形成して保持容量６０を構成する。 - 特許庁

The capacitance element 15 has a foundation insulating layer 11 wherein a recess 11a is formed in the surface thereof, a lower electrode 12 formed along the inner surface of the recess 11a on the foundation insulating layer 11, a capacitance insulating film 13 which is formed on the lower electrode 12 and composed of a high dielectric or a ferroelectric, and an upper electrode 14 formed on the capacitance insulating film 13.例文帳に追加

容量素子１５は、表面に凹部１１ａが形成された下地絶縁層１１と、下地絶縁層１１の上に凹部１１ａの内面に沿って形成された下部電極１２と、該下部電極１２の上に形成され、高誘電体又は強誘電体からなる容量絶縁膜１３と、該容量絶縁膜１３の上に形成された上部電極１４とを有している。 - 特許庁

In a semiconductor laser with unsymmetrical end face reflectivity, an optical confinement coefficient to an active layer 104 of a ridge stripe structure 117 lower part at the front end side 141 of the resonator emitting a laser beam is made smaller than the optical confinement coefficient to the active layer 104 of the ridge stripe structure 117 lower part at the side of a rear end side 140 located at the opposite side.例文帳に追加

端面反射率が非対称な半導体レーザにおいて、レーザ光が出射される共振器の前方端面１４１側でのリッジストライプ構造１１７下部の活性層１０４への光閉じ込め係数を、反対側に位置する後方端面１４０側でのリッジストライプ構造１１７下部の活性層１０４への光閉じ込め係数よりも小さくする。 - 特許庁

A control means 47 controls a three way valve 26 such that hot water is returned to a high temperature layer side of the hot water storage tank 1 if a detected temperature is a predetermined temperature or lower, and it controls the thee way valve 26 such that hot water is returned to a low temperature layer side of the hot water storage tank 1 if the detected temperature is a predetermined temperature or lower.例文帳に追加

貯湯槽１に貯えられる低温層の湯水の温度を貯湯温度センサー３０ｅにより検知し、その検知温度が所定温度以下であれば、制御手段４７は三方弁２６を貯湯槽１の高温層側へ、また、検知温度が所定温度以下であれば、制御手段４７は三方弁２６を貯湯槽１の低温層側へ湯水が戻るように制御する。 - 特許庁

Also, the elastic spacers 6 are sealed while both ends in its longitudinal direction are arranged in a direction (X-axis direction) that orthogonally crosses one gas channel 7 and is pressed against the upper surface of the hollow bodies 4 for forming a gas channel of the lower stage (lower layer) to form the other gas channel 10.例文帳に追加

また、弾性スペーサー６は、一方の気体流路７と直交する方向（Ｘ軸方向）にその長手方向の両端を配するように固着され、かつ、これが下段（下層）の気体流路形成用中空体４の上面に対して押し付けられて他方の気体流路６を形成している。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist lower layer film to be used in a resist process including a pyrolysis step of a resist lower film, the composition which can be easily decomposed and removed by simple heat treatment without requiring ashing, which does not damage an inorganic coating such as a low-k film, and which has excellent filling performance in a gap.例文帳に追加

アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-ｋ膜などの無機被膜にダメージを与えることがなく、かつギャップの充填性能に優れた、レジスト下層膜の熱分解工程を有するレジストプロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

When spin coat is performed in a layer forming step of an optical disk, a lower space S of the center cap leads to its peripheral space through a ventilation hole 56 provided in a rotation mechanism of a spin coat device, so that the lower space S of the center cap is not hermetically sealed.例文帳に追加

光ディスクの層形成工程においてスピンコートを行う際、スピンコート装置の回転機構に設けられる通気孔５６によって、センターキャップ下部空間Ｓとその周囲の空間との連通を確保し、該センターキャップ下部空間Ｓが密閉された状態にならないようにする。 - 特許庁

Anodic oxidation is then performed using the lower electrode 13x as anode to transform an aluminum film 17x containing nitrogen into an aluminum oxide film 18x and to form tantalum oxide films 14y and 14z containing nitrogen, as an insulating layer 14x, at the upper surface portion and the side face portion of the lower electrode 13x.例文帳に追加

次に、下電極１３ｘを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜１７ｘをアルミニウム酸化膜１８ｘとするとともに、下電極１３ｘの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜１４ｙ、１４ｚを形成し、絶縁層１４ｘとする。 - 特許庁

After a temporary supporting column on the lower layer side and a temporary supporting column on the upper floor side are removed, a ceiling-slab-side female screw 6 is used as the foundation supporting the equipment on the lower floor side, and a floor-slab-side female screw 4 is used as the foundation supporting the equipment on the upper floor side.例文帳に追加

下層側仮設支柱及び上層階側仮設支柱を撤去した後、天井スラブ側雌ねじ部６を下層階側における設備を支持する基礎として利用し、床スラブ側雌ねじ部４を上層階側における設備を支持する基礎として利用する。 - 特許庁

In the formation step, a lower electrode 11 is formed; a capacitor dielectric film 12, including a crystalline metal oxide at a temperature not more than the heat-resistant temperature of the substrate resin layer 3 and not less than the ambient temperature is formed; and an upper electrode 13 which faces the lower electrode 11 is formed on the top surface thereof.例文帳に追加

その形成工程では、下部電極１１を形成し、基板樹脂層３の耐熱温度以下、室温以上で結晶質金属酸化物を含むキャパシタ誘電体膜１２を形成し、その上面で下部電極１１と対向する上部電極１３を形成する。 - 特許庁

The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加

周辺トランジスタは、第３及び第４拡散層間の第２チャネル領域上に第２ゲート絶縁膜１６Ａ，１６Ｂを介して形成される下部電極１７と、下部電極１７上に第２電極間絶縁膜１８を介して形成される上部電極３，１９とを有する。 - 特許庁

The lower case part 2 includes a second inner case 2a engaged with and fixed to the first inner case 1a and a lower covering member 2b which is formed of a soft material, covers the second inner case 2a, and constitutes the surface layer portion of the holder section 3a together with the upper covering member 1b.例文帳に追加

下部ケース部２は、第１インナーケース１ａに係合固定される第２インナーケース２ａと、軟質な材料により形成され、第２インナーケース２ａを被覆するとともに上部被覆部材１ｂと共にホルダー部３ａの表層部分を構成する下部被覆部材２ｂとを備える。 - 特許庁

A metal layer 140 is formed on the upper surface 111a and lower surface 113a of the substrate 110a and inside the through hole 117a, so as to coat the upper surface 111a and the lower surface 113a of the substrate 110a, the heat conducting element 120 and the insulating material 130.例文帳に追加

金属層１４０が基板１１０ａの上表面１１１ａおよび下表面１１３ａならびにスルーホール１１７ａの内側に形成されて、基板１１０ａの上表面１１１ａおよび下表面１１３ａと熱伝導素子１２０と絶縁材料１３０とを被覆する。 - 特許庁

That is, on an A-A' line, the impurity concentration reaches the highest value on an upper surface of the p-type base contact layer 15 and exhibits a minimal value C_min at a position P_min other than upper and lower surfaces and a maximal value C_max at a position P_max lower than the position P_min.例文帳に追加

すなわち、Ａ−Ａ’線上において、不純物濃度は、ｐ型ベースコンタクト層１５の上面において最も高く、上面及び下面以外の位置Ｐ_ｍｉｎにおいて極小値Ｃ_ｍｉｎをとり、位置Ｐ_ｍｉｎよりも下方の位置Ｐ_ｍａｘにおいて極大値Ｃ_ｍａｘをとる。 - 特許庁

A semiconductor device contains a lower metallic film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a barrier film 5 which is formed on the metallic film 2 and composed of a metal containing nitrogen in such a way that the nitrogen concentration becomes lower as going farther from the metallic film 2, and an upper metallic film 6 formed on the barrier layer 5.例文帳に追加

半導体基板１の上に形成された下側金属膜２と、下側金属膜２の上に形成され且つ窒素濃度が下側金属２から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜５と、バリア層５の上に形成された上側金属膜６とを含む。 - 特許庁

A vibration control wall attaches a viscous wall damper wall type container constituted by inserting a resistant plate in the viscous body of the wall type container to the structure of a lower story in the structure of the upper and lower stories producing inter-layer deformation during the earthquake, and attaches the upper end of the resistant plate to the structure of the upper story.例文帳に追加

壁型容器の粘性体中に抵抗板を挿入して成る粘性壁ダンパーの壁型容器が、地震時に層間変形を生ずる上下階の構造体における下階の構造体に取り付けられ、抵抗板の上端が上階の構造体へ取り付けられた制振壁である。 - 特許庁

In the case where a ceiling joist 1 and an upper layer story floor beam 2 are arranged in parallel, an airtight sheet 3 is stuck on the side of the floor beam 2, the lower end 19 of the airtight sheet 3 is stuck on the side of the ceiling joist 1, and a joint tape 4 is stuck on the lower face of the ceiling joist 1.例文帳に追加

天井野縁１と、上層階の床梁２とが平行に配置されている場合、床梁２の側面に気密シート３を貼り付け、該気密シート３の下端部１９を天井野縁１の側面に貼り付け、天井野縁１の下面に目地テープ４を貼り付ける。 - 特許庁

Electrodes 2a and 2b are provided respectively on opposite surfaces of upper and lower substrates 1a and 1b between which a liquid crystal layer 5 is sandwiched; and the upper electrode 2a is a transparent electrode, the lower electrode 2b is a transparent electrode or metal electrode, and the electrodes 2a and 2b are provided with openings (slits) 3a and 3b respectively.例文帳に追加

液晶層５を挟持する上下の基板１ａ、１ｂの対向する面に電極２ａ、２ｂを設け、上側の電極２ａは透明電極、下側の電極２ｂは透明電極もしくは金属電極とし、また各々の電極２ａ、２ｂには開口部（スリット）３ａ、３ｂを設ける。 - 特許庁

The article includes (a) a flexible polymer substrate having an upper surface and a lower surface, and (b) a 2-100 nm-thick air-permeable barrier deposited on one of or both of the upper surface and the lower surface of the substrate by an atomic layer deposition.例文帳に追加

本発明は、ａ）上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、ｂ）原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ２ｎｍ〜１００ｎｍを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a capacitor, which prevents capacitor characteristics from being deteriorated by a contact layer between a lower connection electrode and a lower electrode, and a storage electrode from falling or jumping, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

キャパシタを有する半導体装置及びその製造方法に関し、下部接続電極と下部電極との間の密着層によるキャパシタ特性の劣化を防止するとともに、蓄積電極の倒れや飛びを防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The detection laser beam is converted by the phosphor layer 42 into a beam having a wavelength component longer than a predetermined wavelength and a reduced wavelength component equal to or lower than the predetermined wavelength; and transmission of the beam at the predetermined wavelength or lower is further prevented by the band-pass filter 43, the beam enters the PD 36.例文帳に追加

検知用レーザ光は、蛍光体層４２により所定波長より長い波長成分を有し且つ所定波長以下の波長成分が低減された光に変換され、バンドパスフィルタ４３により所定波長以下の光の透過がさらに抑制されて、ＰＤ３６に入射する。 - 特許庁

The Au or Ti seed layer is formed, and an Mo lower electrode film is then formed thereon, so that electrode film characteristics (specific resistance) is improved and not only a smooth surface state and a strong structure can be obtained but also the Mo lower electrode film (110) includes priority orientation features.例文帳に追加

本発明によると、ＡｕまたはＴｉシード層を形成した後、その上にＭｏ下部電極膜を形成することによって電極膜特性（比抵抗）が向上し、滑らかな表面状態と丈夫な構造が得られるばかりでなく、Ｍｏ下部電極膜が（１１０）優先配向性を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of promoting step relaxation; capable of suppressing polishing residues of an embedding insulating film, peeling of capacitor lower electrode, and occurrence of scratches; and capable of reducing global step difference, in polishing an insulating layer for embedding the capacitor lower electrode of a capacitive element.例文帳に追加

容量素子の下部電極を埋め込む絶縁層の研磨に際して段差緩和が促進され、埋め込み用絶縁膜の研磨残り、下部電極の剥離、及びスクラッチの発生を抑制し、かつグローバル段差を低減させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A solid electrolytic capacitor 1 comprises a capacitor element 2 comprising an anode body 20 having a cathode layer 3 partially formed, anode side and cathode side lead frames 9 and 90 attached to the lower surface of the capacitor element 2, and a housing 70 which covers the capacitor element 2 except for the lower surface of the lead frames 9 and 90.例文帳に追加

固体電解コンデンサ1は、一部に陰極層3を形成した陽極体20を有するコンデンサ素子2と、該コンデンサ素子2の下面に取り付けられる陽極側及び陰極側リードフレーム9、90と、リードフレーム9、90の下面を残してコンデンサ素子2を被覆するハウジング70とを具えている。 - 特許庁

In the ferroelectric material capacitor wherein a PZT film is sandwiched between an upper and a lower electrodes, a film composed of tetragonal system PZT crystal having (001) orientation is used as the PZT film, and a layer composed of PZT crystal belonging to rhombohedron system is interposed on an interface between the upper and the lower electrodes.例文帳に追加

上下電極の間にＰＺＴ膜を挟んだ強誘電体キャパシタにおいて、ＰＺＴ膜として（００１）配向を有する正方晶系のＰＺＴ結晶よりなる膜を使い、上下電極との界面に菱面体晶系に属するＰＺＴ結晶よりなる層を介在させる。 - 特許庁