「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(161ページ目) - Weblio英語例文検索

The time is switched to the time setting value received according to the timing of the initial CPU interruption signal 15 (d7) after receiving the time setting value (d6) by the programmable controller at the lower layer.例文帳に追加

下位層のプログラマブルコントローラでは、時刻設定値を受信した後（ｄ６）、最初のＣＰＵ割込信号１５のタイミングに従って受信した時刻設定値に時刻を切り替える（ｄ７）。 - 特許庁

When the first irradiating light 3 is continued, a layer 5 having a lower refractive index than that of the surface of the optical path part 4 is formed by a light component to the lateral side from the optical path part 4 (c).例文帳に追加

第１の照射光３を継続すると、光路部分４から側方への光成分により、光路部分４の表面にそれよりも屈折率の低い層５が形成される（ｃ）。 - 特許庁

Thereafter, on the formation of a buldup layer, the board mark 7 is irradiated with X-ray from the lower side by the X-ray irradiation device 1 and is projected on a fluorescent screen 3.例文帳に追加

その後、ビルドアップ層を形成するに当たり、Ｘ線照射装置１により下側からＸ線を基板マーク７に照射し、該基板マーク７を蛍光板３上に投影する。 - 特許庁

When a playback instruction is received, an item of one layer lower belonging to a classification item pointed by a cursor in the screen of music selection, is determined as a unit, and a shuffle playback is carried out by using the above unit as a unit.例文帳に追加

再生指示を受けると、選曲画面内でカーソルが位置する分類項目に属する１つ下層の項目をユニットとして決定し、当該ユニットを単位としてシャッフル再生する。 - 特許庁

The bobbin 1 has a projected member 12a with a terminal part of the three-layer coated insulating wire 40 on its lower top face, while the projected member 12a is projected to the side of the bobbin 1.例文帳に追加

ボビン体１が、三層被覆絶縁線４０とされる巻線の端子部を先端側下面に備えた突き出し片部１２ａをボビン体１の側方に向けて突き出すように有している。 - 特許庁

The liquid crystal display device is completed by a lower substrate, a gate line, a gate insulating film, an auxiliary capacitance capacitor, a protective film, a data line, an auxiliary capacitance contact hole, a pixel electrode, an upper substrate and a liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶表示装置は、下部基板、ゲートライン、ゲート絶縁膜、補助容量キャパシター、保護膜、データライン、補助容量コンタクトホール、画素電極、上部基板及び液晶層で完成される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a lower resistance in its barrier layer and a good MR ratio, and also to provide its manufacturing method, and a magnetic storage device equipped with the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

バリア層の低抵抗化を図るとともに、良好なMR比を備える磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the drainage channel 14, shuttering boards are provided at required intervals, and a shuttering board effect is exerted on the water in the drainage channel so that the surface 43 of the water can be positioned above a lower end 45 of the plow sole layer 20.例文帳に追加

排水路１４は、堰上げ板が所要間隔で設けられ、排水路内の水が、その水面４３が鋤床層２０の下端４５よりも上方に存するように堰上げされる。 - 特許庁

To provide a heterobipolar transistor, in which the recombination current between the emitter-base is suppressed, while realizing a lower drive voltage taking advantage of using an SiGeC layer, to enhance characteristics, such as current gain.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣ層を利用した低駆動電圧化を図りつつ、エミッタ・ベ−ス間の再結合電流を抑制し、電流増倍率などの特性の高いヘテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

On the surface layer part, Si-Mn-based nitride is precipitated by the thermal processing and the quantity of the Si-Mn-based nitride is equal to or higher than 2% and equal to or lower than 10% in area ratio.例文帳に追加

この表層部には、前記熱処理によりＳｉ−Ｍｎ系窒化物が析出しており、このＳｉ−Ｍｎ系窒化物の量は面積率で２％以上１０％以下である。 - 特許庁

By the magnetic shielding layer, the propagation of a magnetic flux between the connection part 27a(3) of the upper part pole chip 27a and the lower part magnetic pole 7 in the overlap area is suppressed.例文帳に追加

この磁気遮蔽層８１により、オーバーラップ領域における上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) と下部磁極７との間の磁束の伝搬を抑制することができる。 - 特許庁

A coating material is applied to a roller 23 formed of an elastic material to press the roller 23 to the chamfered part 3, and coating is performed while bringing the roller 23 into contact with the chamfered part 3 and the surface handle part in the vicinity to form an upper coating film layer on a lower coating film layer 65.例文帳に追加

弾性材料からなるロール２３に塗料を付着させて面取部３に押圧し、ロール２３を面取部３およびその近傍の表面柄部に接触させながら塗装を行うことにより、下層塗膜層６５の上に上層塗膜層を形成する。 - 特許庁

Furthermore, between the substrate 2 and the electrode 8 out of the organic electroluminescent element 9, there is a lamination of a low refractive layer 3 having a lower refractive index than the substrate 2 and a sealing layer 4 which seals an entry of atmosphere from the side of the substrate 2 into the organic electroluminescent element 9.例文帳に追加

そして、基板２と有機エレクトロルミネッセンス素子９のうち電極８との間には、基板２より屈折率が低い低屈折率層３と、有機エレクトロルミネッセンス素子９への基板２側からの大気の侵入を遮断する封止層４とが積層されている。 - 特許庁

Then the upper-layer contact CV is disposed in such a way that a bottom of the CV pattern thereof is above an upper surface of the select gate SG to make a long-diameter dimension of the CV pattern longer than a long-diameter dimension of a CB pattern of the lower-layer contact CB.例文帳に追加

そして、上層コンタクトＣＶを、そのＣＶパターンの底部が、セレクトゲートＳＧの上面よりも上方に位置するように配置することにより、ＣＶパターンの長径寸法が、下層コンタクトＣＢのＣＢパターンの長径寸法よりも大きくなるように形成する。 - 特許庁

A fineness of a fiber cord constituting a carcass ply is 4,000 dTex or lower, a cord reinforcement layer 8 is arranged adjacent to an outer side of the carcass 3 body, and a cord arrangement angle of the cord reinforcement layer 8 is 0-60° relative to the arrangement angle of the cord of the carcass ply.例文帳に追加

カーカスプライを構成する繊維コードの繊度が４０００ｄＴｅｘ以下であり、カーカス３本体の外側に隣接してコード補強層８が配置され、コード補強層８のコード配設角度がカーカスプライのコードの配設角度に対し０〜６０°である。 - 特許庁

A material with rigidity lower than that of the natural ground 1 is filled into the inner side of the FRC spraying concrete 11 with high toughness to form a shear deformation reducing layer 13, and FRC lining concrete 15 with high toughness is provided inside the shear deformation reducing layer 13.例文帳に追加

高靭性ＦＲＣ吹付けコンクリート１１の内側に、地山１より剛性の低い材料を充填してせん断変形低減層１３を形成し、せん断変形低減層１３の内側に高靭性ＦＲＣ覆工コンクリート１５を設置する。 - 特許庁

Quantum dots 11 on the upper layer have a tunnel coupling shape showing a nonlinear current-voltage characteristic with the adjoining quantum dots, and receive inputs of initial data/bias currents 3, and are coupled with the lower layer quantum dots 12 to have a gate function having a time constant.例文帳に追加

上の層の量子ドット１１は隣接する量子ドットと非線形の電流−電圧特性を示すトンネル結合で、初期データ／バイアス電流３の入力を受け、下の層の量子ドット１２とは時定数を持ったゲート機能を持つ結合をしている。 - 特許庁

In the organic EL apparatus 100 and the method for manufacturing the same, a photocurable resin-buffering film 621 in a lower layer side and a thermosetting resin-buffering film 622 in an upper layer side are layered between a first inorganic sealing film 61 and a second inorganic sealing film 63.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１００およびその製造方法では、第１無機封止膜６１と第２無機封止膜６３との間では、下層側の光硬化性樹脂緩衝膜６２１と、上層側の熱硬化性樹脂緩衝膜６２２とが積層されている。 - 特許庁

On the surface of a metal base material, at least two GL layers composed of a lower coating ordinary glass lining (GL) layer fired without adding electrically conductive substance to glass frit and an upper coating electrically conductive GL layer obtained by adding light color electrically conductive substance to glass frit and performing firing are applied.例文帳に追加

金属基材の上に、ガラスフリットに導電性物質を添加せずに焼成した下引き通常グラスライニング（ＧＬ）層と、ガラスフリットに薄色導電性物質を添加して焼成した上引き導電性ＧＬ層の少なくとも二層のＧＬ層を施工する。 - 特許庁

The upper die insert frame 10 and the lower die insert frame 20 are constituted by pressing a plain sheet metal 1 and a decorative sheet metal 5 composed of a print layer 2 laminated on the outer surface of the plain sheet metal 1 and a clear protect layer 3 further laminated thereon.例文帳に追加

上型インサートフレーム１０及び下型インサートフレーム２０は、無地金属板１と、無地金属板１の外表面に積層される印刷層２と、さらにその上に積層されるクリア保護層３とからなる化粧金属板５がプレス加工されたものからなっている。 - 特許庁

The first interface film 53A has a film thickness with which electrical connection between the lower-layer electrode 51A and the upper-layer electrode 52A is maintained, and the second interface film 53B has a film thickness with which epitaxial growth between the substrate 15 and the diode electrode 52B is inhibited.例文帳に追加

第１の界面膜５３Ａは、下層電極５１Ａと上層電極５２Ａとの電気的接続を維持する膜厚であり、第２の界面膜５３Ｂは、基板１５とダイオード電極５２Ｂとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 - 特許庁

Thus, a turbulence is generated in line up of a magnetic brush on the developing sleeve 204 passed by the developing range, the toner adhered to a carrier in a lower layer is also activated for developing as well as the toner adhered to the carrier on the upper layer of the magnetic brush and the efficiency in use of the toner is accelerated.例文帳に追加

これにより、現像領域を通過する現像スリーブ２０４上の磁気ブラシの配列に乱れを生じさせ、磁気ブラシの上層のキャリアに付着するトナーと共に下層のキャリアに付着するトナーも現像に動員し、トナーの利用効率を促進する。 - 特許庁

In the self-boring type fastener 1 composed of the head part 2 and the hollow leg part 3 extended from the lower surface of the head part 2, a decarbonization layer 4 is formed on the surface of the self-boring type fastener 1, and further a rust-proofing effect body is formed on the surface of the decarbonization layer 4.例文帳に追加

頭部（２）と該頭部（２）の下面から延出した中空の脚部（３）とからなる自己穿孔式ファスナー（１）において、該自己穿孔式ファスナー（１）の表面に脱炭層（４）が形成され、更に、該脱炭層（４）の表面に防錆効果体が形成されている。 - 特許庁

The surface of a vane is activated chemically and, thereafter, is treated through nitriding treatment at a treating temperature of 500°C or lower, whereby a dispersion layer, on the surface of which a compound layer is not produced, can be obtained and the abrasion resistance of the sliding unit can be obtained easily at a low cost.例文帳に追加

ベーンの表面を化学的に活性化した後に、５００℃以下の処理温度で窒化処理されたものであることから、表面に化合物層を生成しないで拡散層を得ることができ、低価格で容易に摺動部の耐磨耗性を得ることが可能になる。 - 特許庁

In the manufacturing method for the sintered ore using a lower suction type sintered ore, coal whose volatile content is not smaller than 10 mass% is spread on the surface of a raw material filling layer which is fed with ore on a pallet of manufacturing equipment after the raw material filling layer is extracted from an ignition furnace.例文帳に追加

下方吸引型焼結鉱を用いた焼結鉱の製造方法において、製造設備のパレット上に給鉱された原料充填層の表面に、原料充填層が点火炉を出た後に揮発分１０質量％以上の石炭を散布する。 - 特許庁

Of the wiring member for transport airplanes composed of a support body 1, and a wiring layer wiring and fixing a conducting wire 3-2 having an insulating layer 3-1 made of insulating resin to the support body 1, thermal deformation temperature of the first support body 1 is lower than that of the insulating resin.例文帳に追加

支持体１と、絶縁樹脂からなる絶縁層３−１を有した導線３−２を支持体１に配線して固定した配線層からなり、第一の支持体１の熱変形温度が絶縁樹脂の熱変形温度以下である輸送機用配線部材。 - 特許庁

The embedded layer 15 is made of a non-doped semiconductor material, a p-type semiconductor material with lower p-type impurity concentration than the p-type semiconductor layer 5 or an n-type semiconductor material with n-type impurity concentration of 1×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal-base BGA(ball grid array) package, which has a circuit formed on a copper foil layer on an insulating layer with heat-resistant thermoplastic resin as essential component, by connecting via-hole upper and lower wires and forming a solder ball in the same process.例文帳に追加

耐熱性熱可塑性樹脂を必須成分とする絶縁層上の銅箔層に回路が形成されている半導体用メタルパッケージにおいて、ビアホール上下配線の接続と半田ボール形成を同一工程で行い、メタルベースＢＧＡパッケージを提供する。 - 特許庁

The waveguide type rat race circuit has excellent electric characteristics prevented from deteriorating owing to resonance of a leaked electromagnetic wave, in the region enclosed with the upper main conductor layer 51a, lower main conductor layer 51b, and through conductor group 52a for the inner peripheral tube wall.例文帳に追加

上側主導体層51ａ，下側主導体層51ｂ，内周管壁用貫通導体群52ａで囲まれた領域内に漏洩した電磁波の共振による電気特性の劣化が防止された良好な電気特性を有する導波管型ラットレース回路である。 - 特許庁

A through hole 11 for connecting upper and lower pads of the double structure is formed by laminating an insulating film 9, and the wirings 12 for connecting second and first layer structure pads 1, 3 of the double structure and both are constituted of an (n+1)-th metal wiring layer.例文帳に追加

さらに絶縁膜９を積層し、２重構造の上下パッドを接続するスルーホール１１を形成し、第ｎ＋１番目の金属配線層で２重構造パッドの２重目１と１重構造パッド３および両者を接続する配線１２を構成する。 - 特許庁

To provide a superconducting element which an flatly epitaxially grow an oxide superconducting layer having a thickness of about 300 nm or more and which has an insulating layer having ε_r of 40 or less at an operating temperature of about 40 K or lower and which shows good characteristics.例文帳に追加

膜厚が約３００ｎｍ以上で酸化物超電導層との平坦なエピタキシャル成長が可能であり、かつ約４０Ｋ以下の動作温度においてε_rが４０以下である絶縁層を有し、良好な特性を示す超電導素子を提供する。 - 特許庁

The RLC layer 120 has a storage 121 which stores transmission target SDUs received from upper layers, and a regeneration 122 which regenerates PDUs based on the stored SDUs to output them to lower layers if link re-establishment is instructed from an upper layer.例文帳に追加

ＲＬＣレイヤ１２０は、上位のレイヤから受け付けた送信対象のＳＤＵを保持する保持部１２１と、上位レイヤからリンクの再確立を指示されると、保持されたＳＤＵからＰＤＵを再生成して下位のレイヤに出力する再生成部１２２とを有する。 - 特許庁

To provide an optical element in which refractive index difference can be ensured between a member at the lower portion of a photonic crystal layer and the crystal layer without using a conventional sticking technology, and to provide a fabrication process of the optical element, and a semiconductor laser device employing the optical element.例文帳に追加

従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、該結晶層との屈折率差を確保することが可能となる光学素子、光学素子の製造方法及び該光学素子を用いた半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To efficiently enable connection of power source lines of a DRAM placed in an upper layer to power source lines of a DRAM placed in a lower layer and in proper density without constraint of wiring while using the DRAM as cache memory.例文帳に追加

ＤＲＡＭをキャッシュメモリとして用いながらも、上層側に配線されるＤＲＡＭの電源線を、下層側に配設されるＤＲＡＭの電源線に対して、配線の制約を受けることなく、効率よく適正な密度で接続することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To minimize the expansion of a chip size by bringing a first electrode into contact with the partial upper surface of a capacitor formation film simultaneously with a capacitor for circuit for a capacitor for detecting failure, at the same time bringing an isolation layer into contact with a lower surface, and providing a second electrode for leading the layer.例文帳に追加

ＭＩＳ型キャパシタを含む半導体集積回路においては、製作工程中にキャパシタ形成膜の異常が発生した場合、それを検出しようとしても、キャパシタが回路の一部であるため、キャパシタ単体での異常検出は行えない。 - 特許庁

In a lap joint in which two steel plates having no plated layer on a face layer overlap in the vertical direction, and an overlapped portion is laser-welded, the thickness of the steel plate is set to be 0.6-4.0 mm, and a gap g (mm) between the upper and lower steel plates is set to be 0.05-0.15 mm.例文帳に追加

表層にめっき層を有さない鋼板２枚を上下に重ね合わせ、重ね合わせ部をレーザ溶接する重ね継手において、鋼板の板厚を０．６〜４．０ｍｍ、上下鋼板間の隙間ｇ（ｍｍ）を０．０５ｍｍ〜０．１５ｍｍとして溶接する。 - 特許庁

The dielectric resonator is configured which includes: conductor layers 20, 21 formed on an insulating layer 14; an inductor L formed in lower portions of the conductor layers 20, 21 via the insulating layer 14; and first and second capacitors C, Ct connected to the inductor L.例文帳に追加

絶縁層１４上に形成された導体層２０，２１と、導体層２０，２１の下部に絶縁層１４を介して形成されたインダクタＬと、インダクタＬに接続された第１及び第２のキャパシタＣ，Ｃｔとを備える誘電体共振器を構成する。 - 特許庁

In a seat cushion part 10, a base network 170 for cushion is hung around to become a loop shape with a predetermined gap between the upper layer surface and a lower layer surface, between a front frame 130 supported resiliently by torsion bars 150, 160 and a rear frame 140.例文帳に追加

シートクッション部１０において、トーションバー１５０，１６０により弾性的に支持された前部フレーム１３０及び後部フレーム１４０間に、上層面と下層面との間に所定間隙をおいたループ状となるように、クッション用ベースネット１７０が掛け回されている。 - 特許庁

This cover tape is a stretched film comprising at least two laminated layers, which are a seal layer (A) comprising ethylene copolymer whose melting peak temperature is lower than 100°C and a base material layer (B) comprising high density polyethylene whose density ranges 0.945 to 0.970 g/cm^3.例文帳に追加

積層される少なくとも２層からなる延伸フィルムであって、融解ピーク温度が１００℃未満のエチレン系共重合体からなるシール層（Ａ）と、密度が０．９４５〜０．９７０ｇ／ｃｍ^3の高密度ポリエチレンからなる基材層（Ｂ）と、を有するカバーテープ。 - 特許庁

Gases are jetted from the gas ports 21, 22 on the lower layer side toward the machining point of the laser beam, the gases are sucked by a gas port 24 on a stage moving side in the gas ports 23, 24 on the upper layer side, and the gas port 23 facing the gas port 24 jets a gas to the machining point.例文帳に追加

下層側のガスポート２１、２２よりガスをレーザ光の加工点に向けて噴出させ、上層側のガスポート２３、２４のうちのステージ進行側のガスポート２４にガスを吸引し、これに対向するガスポート２３は、加工点に対してガスを噴出する。 - 特許庁

A connection pitch L4 is made smaller than that of a connecting method using Cu core-containing solder balls by using metal paste for electric connection between an upper layer-side wiring board 20 and a lower layer-side wiring board 10 which are stacked, and the connection is made at low temperature.例文帳に追加

積層された上層側配線基板２０および下層側配線基板１０の電気的接続に金属ペーストを使用することで、Ｃｕコア入り半田ボールを使用した接続方法に比べ接続ピッチＬ４を小さくし、低温での接続を実現する。 - 特許庁

A stacked article 6 is formed on a lower moisture-proof sheet 4 by stacking a plurality of resin plates 5 one by one on top of the resin plate 5 at the bottom layer, and a moisture-proof sheet 7 is mounted thereon to cover the entire main surface 51 of the resin plate 5 at the top layer.例文帳に追加

下側の防湿シート４上に、最下段の樹脂板５から順に１枚ずつ樹脂板５を複数枚積層して積層品６を形成し、次いで、最上段の樹脂板５の主面５１全体を覆うように上側の防湿シート７を載置する。 - 特許庁

On the main face side of the wiring board 2C, an electrode pad 4B is formed which is electrically connected to the conductive member 3B, and on which a semiconductor member 32 of an upper layer is loaded, and the electrode pad 4B is disposed, also at a position overlapping with a semiconductor chip 22 of a lower layer in a plane.例文帳に追加

配線基板２Ｃの主面側には、導電性部材３Ｂと電気的に接続し、上段の半導体部材３２が搭載される電極パッド４Ｂを形成し、電極パッド４Ｂは平面で下段の半導体チップ２２と重なる位置にも配置する。 - 特許庁

In the sealing lid 1, there are formed cutting lines 41 which reach the boundary between the lower layer part 11 and the upper layer part 12 of the first sheet 10 in the thickness direction and radially extend in the orientation direction of the first sheet 10 and the second sheet 20.例文帳に追加

シール蓋１には、厚み方向において、第１シート１０の下層部１１と上層部１２との境界にまで到達し、前記第１シート１０及び前記第２シート２０の延伸方向において、放射状に伸びる切断線４１が形成される。 - 特許庁

An antenna module 10 includes a loop-shaped antenna coil 14 formed on an insulating substrate 12, a ferrite core 18 formed on an upper face side at an inner layer of the insulating substrate 12, and a Liqualloy sheet 20 prepared with space on the lower face side in the inner layer of the insulating substrate 12.例文帳に追加

アンテナモジュール１０は、絶縁基板１２に形成されたループ状のアンテナコイル１４と、絶縁基板１２の内層で上面側に設けられたフェライトコア１８と、絶縁基板１２の内層で下面側に間隔を置いて設けられたリカロイシート２０とを備える。 - 特許庁